DE4024800C2 - - Google Patents
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- DE4024800C2 DE4024800C2 DE4024800A DE4024800A DE4024800C2 DE 4024800 C2 DE4024800 C2 DE 4024800C2 DE 4024800 A DE4024800 A DE 4024800A DE 4024800 A DE4024800 A DE 4024800A DE 4024800 C2 DE4024800 C2 DE 4024800C2
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C7/00—Modulating electromagnetic waves
- H03C7/02—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas
- H03C7/025—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices
- H03C7/027—Modulating electromagnetic waves in transmission lines, waveguides, cavity resonators or radiation fields of antennas using semiconductor devices using diodes
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen HF-Reflexions-Ne
benschlußdioden-HF-Modulator nach dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1.
Bei vielen Mikrowellengeräten, wie beispielsweise Mikrowel
lenleistungsverstärkern, Mikrowellensignalgeneratoren und
Mikrowellenoszillatoren, ist es wünschenswert, die Amplitude
des Ausgangssignales entweder automatisch oder manuell steu
ern zu können. Wenn dies möglich ist, kann das Ausgangssig
nal einer HF-Quelle bezüglich seines Pegels gesteuert werden
oder gepulst werden, wenn dies erforderlich ist.
Um das Ausgangssignal einer HF-Quelle zu modulieren, wird
üblicherweise ein HF-Modulator oder ein Dämpfungsglied in
Reihe zu der Quelle geschaltet. Allgemein ist es wünschens
wert, daß der Modulator über einen vorbestimmten Frequenz
bereich linear ist und daß die durch den HF-Modulator
erzeugte Dämpfung proportional zu einem Eingangssignal oder
einer Eingangsspannung des Modulators ist. Ein derartiger
linearer HF-Modulator kann in einer Rückkopplungsschleife
eingesetzt werden, welche den HF-Modulator automatisch
steuern kann, um das Ausgangssignal der HF-Quelle konstant
zu halten.
Eine übliche Konstruktionsweise eines HF-Modulators, die
allgemein in HF-Schaltungen eingesetzt wird, ist ein HF-Re
flexions-Nebenschlußdioden-Modulator. Ein derartiger
HF-Modulator besteht aus einer Übertragungsleitung, die bei
vorbestimmten Abständen durch PIN-Dioden gegen Masse
geschaltet ist. Gemäß der allgemein üblichen HF-Praxis sind
die Dioden zur möglichst weitgehenden Verminderung der
Einfügungsdämpfung oder Durchgangsdämpfung gleichmäßig längs
der Übertragungsleitung beabstandet, wobei die Länge der
Übertragungsleitungen zwischen Diodenpaaren auf ein viertel
der Wellenlänge des HF-Signales am oberen Ende des
Betriebsfrequenzbereiches festgelegt ist.
Bei einer derartigen Anordnung hat dieser HF-Modulator bzw.
dieses Gerät im wesentlichen zwei Betriebszustände. Bei dem
ersten der beiden Betriebszustände sind die Dioden ausge
schaltet, wobei das Gerät die Frequenzcharakteristika eines
Filters aufweist, da die ausgeschalteten Dioden als Kapazi
täten erscheinen. Demgemäß wird die HF-Leistung, die die
Übertagungsleitung entlang fließt, nicht wesentlich ge
dämpft.
In dem zweiten Zustand, der der eingeschaltete Zustand ist,
werden die Dioden durch einen Gleichstrom in einen leitfä
higen Zustand vorgespannt, wodurch Kurzschlüsse mit niedri
gem Widerstandswert längs der Übertragungsleitung erzeugt
werden. Die von den Dioden erzeugten Kurzschlüsse teilen die
Leitung in Abschnitte von jeweils einer viertel Wellenlänge
am oberen Ende des Frequenzbandes auf. Demgemäß erfolgt bei
dem oberen Ende des Frequenzbandes eine reaktive Auslö
schung, was wiederum dazu führt, daß das Gerät sehr stark
die HF-Leistung dämpft, die durch das Gerät fließt.
Ein bei diesem bekannten HF-Modulator auftretendes Problem
besteht darin, daß mit diesem nicht ein typischer Betriebs
frequenzbereich abgedeckt werden kann. Insbesondere steigen
bei Abfall der HF-Frequenzen die HF-Wellenlängen an, so daß
die Übertragungsleitungen zwischen den Dioden nicht länger
Abschnitte mit einer viertel Wellenlänge sind. So kann
beispielsweise am unteren Ende des Frequenzbandes die
HF-Wellenlänge derart stark ansteigen daß die Länge des Lei
tungsabschnittes lediglich einer achtel Wellenlänge oder we
niger entspricht. In diesem Betriebspunkt verschwindet der
reaktive Auslöschungseffekt, der durch die Übertragungs
leitungen erzeugt wird, so daß die Übertragungsleitungen als
einfache Kurzschlüsse erscheinen. Daher ist die Dämpfung des
Gerätes bei dieser Frequenz lediglich der Ein
schaltwiderstand der parallel geschalteten Dioden.
Um die Dämpfung auf dem Wert zu halten, der bei höheren Fre
quenzen erhalten wird, wenn die reaktive Auslöschung wirksam
ist, ist es somit nötig, den Einschaltwiderstand der Dioden
bei niedrigen Betriebsfrequenzen zu vermindern. Ein typi
sches Verfahren nach dem Stand der Technik zum Vermindern
des Dioden-Vorwärts-Widerstandes besteht in der Erhöhung des
Diodenvorstromes bzw. des Vorwärts-Vorspannungs-Stromes für
die Dioden am unteren Ende des Frequenzbandes. Daher ist es
möglich, eine im wesentlichen gleichbleibende Dämpfung über
einen breiteren Betriebsfrequenzbereich durch Variationen
des Diodenvorstromes aufrecht zu erhalten.
Dieses Erfordernis der Veränderung des Diodenvorstromes in
Abhängigkeit von der Betriebsfrequenz bedingt es, daß der
bekannte HF-Modulator in bestimmten Schaltungen nur mit
Schwierigkeiten eingesetzt werden kann. Beispielsweise kann
der bekannte HF-Modulator in einer Rückkopplungsschleife
eingesetzt werden, in der der Modulatorvorstrom durch eine
automatische Rückkopplungsschaltung gesteuert wird, die das
Ausgangssignal des Gerätes abtastet und eine negative
Rückkopplung zum Konstanthalten des Ausgangssignales
verwendet. In einer derartigen Schaltung entspricht die
Änderung des Vorstromes, die zum Aufrechterhalten einer
konstanten Ausgangsspannung bei sich ändernder Frequenz
nötig ist, einer Änderung der
Rückkopplungsschleifenverstärkung, wodurch die Rückkopp
lungsschleife bei Frequenzänderungen über den Betriebsfre
quenzbereich instabil werden kann.
Ferner treibt der erhöhte Vorstrom, der zum Aufrechterhalten
einer hohen Dämpfung am unteren Ende des Frequenzbereiches
erforderlich ist, die Dioden in ihre Sättigung, so daß die
Diodenschaltzeit erhöht wird. Wenn daher dieser HF-Modulator
nach dem Stand der Technik als Pulsmodulator mit schnellen
Schaltzeiten eingesetzt wird, muß der Betriebsfrequenzbe
reich auf zwei Oktaven beschränkt werden. Daher haben diese
bekannten Geräte entweder eine begrenzte Bandbreite oder
schlechte Pulsschaltcharakteristika.
Aus der DE 38 27 429 A1 ist ein spannungsgesteuerter
Oszillator bekannt, der einen aktiven Vierpol in Form eines
beschalteten Transistors und ein schwingungsfähiges passives
Netzwerk umfaßt. Das passive Netzwerk hat einen Leitungsre
sonator in Form einer gedruckten Streifenleitung, an deren
Ende ein erster Modulationszweig angeschlossen ist. Ein wei
terer Modulationszweig ist bei einer Teillänge des Leitungs
resonators angekoppelt, wobei die räumliche Lage dieses An
kopplungspunktes so gewählt ist, daß der Frequenzhub der
Modulation über einen Trägerfrequenzbereich im wesentlichen
gleichbleibend ist. Die Modulation wird dadurch herbeige
führt, daß Kapazitätsvariationsdioden in den Modulations
zweigen in ihrem Kapazitätswert durch Anlegen geeigneter
Steuerspannungen verändert werden.
Aus der DE-OS 22 00 458 ist eine Schaltungsanordnung zum
Erzeugen von Seitenbandschwingungen bekannt, die mit ge
schalteten Dioden arbeitet.
Aus der DE 25 25 468 A1 ist ein breitbandiger Mischer in
Streifenleitungstechnik bekannt, der als Ringmodulator ge
schaltet ist. Die vier Dioden des Ringmodulators sind auf
einer symmetrischen Bandleitung angeordnet, die an ihren
Leitungsenden mit je einem Leitungstransformator und je
einer Lambda-Viertel-Leitung beschaltet sind.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegen
den Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen HF-Nebenschlußdio
den-HF-Modulator der eingangs genannten Art so weiter zu
bilden, daß dieser einen breiten Betriebsfrequenzbereich bei
hoher Pulsschaltrate hat.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen HF-Re
flexions-Nebenschlußdioden-Modulator gemäß Patentanspruch 1
gelöst.
Ein Vorteil des erfindungsgemäßen HF-Modulators liegt darin,
daß dessen Vorstrom für die Erzielung einer vorbestimmten
Dämpfung über den gesamten Betriebsfrequenzbereich konstant
ist.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Modulators liegt
darin, daß dieser einen niedrigen Strom für den Betrieb bei
maximaler Dämpfung benötigt, und daß die Dioden in ihrem
Kleinsignalbereich arbeiten.
Ein zusätzlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Modulators
liegt darin, daß dessen maximale Dämpfung erhalten werden
kann, ohne daß die Dioden in ihrer Sättigung betrieben wer
den müssen.
Wiederum ein anderer Vorteil des erfindungsgemäßen Modula
tors liegt darin, daß dessen Pulsanstiegszeiten und Pulsab
fallzeiten gegenüber den Pulsanstiegszeiten und Pulsabfall
zeiten eines Modulators nach dem Stand der Technik verbes
sert sind.
Die obigen Vorteile werden erreicht und die eingangs erläu
terten Probleme werden gelöst gemäß einem bevorzugten erfin
dungsgemäßen Ausführungsbeispiel eines Reflexions-Neben
schlußdioden-HF-Modulators, bei dem die Nebenschlußdioden
derart beabstandet sind, daß die Übertragungsleitungen
zwischen den Diodenpaaren nicht entsprechende oder im
gleichen Verhältnis zueinander stehende Längen haben. Die
Längen der Übertragungsleitungen zwischen den Diodenpaaren
sind so gewählt, daß ein Minimum in der Fre
quenz/Dämpfungs-Kurve, das sich aus einem
Übertragungsleitung/Dioden-Paar ergibt, durch ein Maximum in
der Frequenz/Dämpfungs-Kurve eines anderen
Übertragungsleitung/Dioden-Paares aufgehoben wird. Die
Überlagerung der Frequenzcharakteristika von allen
Übertragungsleitung/Dioden-Paaren führt zu einer Struktur,
bei der eine reaktive Auslöschung über den gesamten
Betriebsfrequenzbereich auftritt. Daher ist es nicht nötig,
die Nebenschlußdioden am unteren Ende des Frequenzbandes in
ihrer Sättigung zu betreiben, um eine maximale Dämpfung zu
erzielen.
Ferner können zur Verbesserung des Einfügungsverlustes bzw.
der Einfügungsdämpfung kapazitive Stichleitungen längs der
Übertragungsleitung angeordnet sein, die die Filtercharak
teristika verändern, wenn die Nebenschlußdioden ausgeschal
tet sind.
Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen ein HF-Modulator nach dem Stand der Technik und
eine bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Mo
dulators näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein schematisches Diagramm eines Reflexions-Neben
schlußdioden-Modulators nach dem Stand der Technik
mit gleichen Übertragungsleitungslängen zwischen
den Nebenschlußdioden;
Fig. 2 ein schematisches Diagramm eines beispielhaften
Ausführungsbeispieles der Erfindung mit drei Dio
den, bei dem die ungleichen Übertragungsleitungs
längen zu sehen sind, welche die Nebenschlußdioden
verbinden;
Fig. 3 eine Frequenz-Dämpfungs-Darstellung von verschie
denen Übertragungsleitungs/Diodenpaar-Sätzen bei
unterschiedlichen Übertragungsleitungslängen; und
Fig. 4 eine Frequenz-Dämpfungs-Darstellung der sich erge
benden Frequenzcharakteristik des erfindungsgemäßen
Modulators mit drei bzw. vier Dioden, wenn die Fre
quenzcharakteristika der Übertragungsleitung/Dio
den-Paare einander überlagert werden;
Fig. 5 eine Draufsicht auf ein beispielhaftes Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung mit fünf Neben
schlußdioden und einer Bauweise unter Verwendung
einer Mikrostripkonfiguration;
Fig. 6 ein elektrisches Ersatzschaltbild eines erfindungs
gemäßen Modulators mit vier Nebenschlußdioden in
dem ausgeschalteten Zustand;
Fig. 7 ein elektrisches Ersatzschaltbild eines erfindungs
gemäßen Modulators mit vier Nebenschlußdioden in
dem eingeschalteten Zustand;
Fig. 8 eine Draufsicht auf eine Diodenbefestigungsanord
nung bei dem beispielhaften Ausführungsbeispiel
gemäß Fig. 5;
Fig. 9 eine perspektivische Darstellung der Diodenbefesti
gungsanordnung bei dem Ausführungsbeispiel gemäß
Fig. 5;
Fig. 10 ein beispielhaftes Ausführungsbeispiel einer Vor
spannungsanordnung für einen erfindungsgemäßen
HF-Modulator mit fünf Dioden, wobei diese
Vorspannungsanordnung sowohl für den Betrieb des
Modulators als linearer HF-Modulator wie auch für
den Betrieb des Modulators als Pulsmodulator
geeignet ist;
Fig. 11 eine Frequenz-Dämpfungs-Darstellung eines beispiel
haften Gerätes, das gemäß den Prinzipien der Erfin
dung aufgebaut ist, wobei der Einfügungsverlust
oder die Durchgangsdämpfung über den Betriebsfre
quenzbereich dargestellt ist;
Fig. 12 eine Frequenz-Dämpfungs-Darstellung eines nach den
Prinzipien der Erfindung konstruierten beispiel
haften Gerätes, wobei die Dämpfung für verschiedene
Konstantwerte des Vorstromes dargestellt ist; und
Fig. 13 eine Darstellung der Amplitude gegenüber der Zeit
für ein gemäß den Prinzipien der Erfindung
aufgebautes beispielhaftes Gerät, wobei der Betrieb
als Pulsmodulator gezeigt ist.
Fig. 1 zeigt ein schematisches Diagramm eines reflektiven
Nebenschlußdioden-Modulators bzw. Reflexions-Nebenschluß
dioden-Modulators nach dem Stand der Technik. Dieses Gerät
hat einen Eingang 100, an den eine HF-Quelle angeschlossen
ist, und einen Ausgang 114, der an eine Last angeschlossen
ist, und bewirkt eine Dämpfung der durch es hindurch
fließenden HF-Leistung. Der HF-Modulator ist unter Verwenden
einer Mehrzahl von PIN-Dioden 116, 118, 120 aufgebaut. Ob
wohl in Fig. 1 nur drei der Dioden dargestellt sind, haben
übliche Modulatoren vier, fünf oder mehr Dioden, um die ge
wünschten Dämpfungen zu erreichen.
Die Dioden 116, 118 und 120 sind an den Eingang 100 und an
den Ausgang 114 mittels Übertragungsleitungslängenabschnit
ten 104 und 110 angeschlossen. In Abhängigkeit von dem Be
triebsfrequenzbereich und den gewünschten Charakteristika
können die Übertragungsleitungen 104 und 110 Streifenlei
tungen, Mikrostrips oder Mikrostreifenleitungen oder übliche
Leitungen sein. Die Diode 116 ist gleichfalls an die Diode
118 mittels einer Übertragungsleitung 106 angeschlossen. Die
Diode 118 ist ferner an die Diode 120 durch eine zweite
Übertragungsleitung 108 angeschlossen. Die Übertragungslei
tungs- und Dioden-Struktur ist von dem Eingang 100 mittels
eines Entkopplungskondensators 100 (gleichstrommäßig) iso
liert. Ferner ist sie von dem Ausgang 114 mittels eines Ent
kopplungskondensators 112 (gleichstrommäßig) isoliert.
Die Dioden 116, 118 und 120 sind zwischen der Übertragungs
leitungsstruktur und einer (signalmäßigen) Masse geschaltet.
Eine Vorspannungsstruktur (die in der gezeigten schemati
schen Darstellung aus einer Gleichstromvorspannungsquelle
122, einer isolierenden Induktivität 124 und einem Entkopp
lungskondensator 126 besteht) ist an einen Punkt der Über
tragungsleitungs/Dioden-Struktur angeschlossen. Wenn während
des Betriebes ein in Vorwärtsrichtung vorspannendes Poten
tial an die Vorspannungsklemme 122 angeschlossen wird,
fließt ein Strom durch den Leiter 124 und bewirkt, daß die
Dioden 116, 118 und 120 ihren in Vorwärtsrichtung vorge
spannten oder eingeschalteten Zustand einnehmen. Die Ent
kopplungskondensatoren 102 und 112 verhindern, daß der Vor
strom bis zum Eingang 100 oder bis zum Ausgang 114 gelangt.
Das induktive Element 124 verhindert, daß HF-Leistung, die
entlang der Übertragungsleitungsstruktur übertragen wird, zu
der Gleichstromquelle gelangt.
Wenn ein rückwärtsvorspannendes Potential an die Vorstrom
klemme 122 angelegt wird, nehmen die Dioden 116, 118 und 120
ihren nicht leitfähigen oder ausgeschalteten Zustand an. In
dem ausgeschalteten Zustand erscheinen die Dioden als mit
Masse verbundene Kapazitäten. Daher arbeitet die Anordnung,
wie dies an sich bekannt ist, in dem ausgeschalteten Zustand
der Dioden als Tiefpaßfilter, wobei die Übertragungsleitun
gen eine charakteristische induktive Impedanz und die Dioden
eine charakteristische widerstandsmäßige und kapazitive
Impedanz aufweisen.
Wenn allerdings die Dioden 116, 118 und 120 in ihrem einge
schalteten Zustand leiten, arbeiten sie als Widerstände mit
niedrigem Widerstandswert, die die Übertragungsleitungswege
an den Punkten, an denen sie an die Struktur angeschlossen
sind, kurzschließen. Um eine hohe Dämpfung der sich durch
die Modulatorstruktur hindurch bewegenden HF-Leistung zu er
zielen, sind die Leitungen 106 und 108 derart konstruiert,
daß die reaktive Auslöschung der Eingangsleistung die durch
die Nebenschlußdioden bewirkte Dämpfung erhöht.
Insbesondere ist es zur Verminderung der Durchgangsdämpfung
bzw. des Einfügungsverlustes üblich, die Länge der Abschnit
te 106 und 108 derart zu wählen, daß ihre elektrische Länge
einem viertel der Wellenlänge bei der höchsten Frequenz, bei
der das Gerät verwendet werden soll, ist. Eine derartige An
ordnung bewirkt eine niedrige Durchgangsdämpfung, wenn die
Dioden 116, 118 und 120 in ihrem ausgeschalteten Zustand
sind, und bewirkt eine hohe Dämpfung, wenn die Dioden 116,
118 und 120 ihren eingeschalteten Zustand annehmen.
Wenn aber das in Fig. 1 gezeigte Gerät über einen relativ
großen Frequenzbereich arbeiten muß, ändern sich die Geräte
charakteristika mit abnehmender Betriebsfrequenz, wie dies
bereits erläutert wurde. Insbesondere nimmt bei abnehmender
Frequenz der das Gerät durchlaufenden HF-Leistung deren Wel
lenlänge zu, so daß die Übertragungsabschnitte 106 und 108
nicht mehr einem viertel einer Wellenlänge entsprechen, son
dern kürzer als ein viertel einer Wellenlänge sind. Bei ver
gleichsweise niedrigen Frequenzen bezogen auf die höchste
konstruktionsmäßig vorgesehene Frequenz wird die Länge der
Übertragungsleitungen ein achtel der Wellenlänge oder gar
weniger. Bei einer solchen Länge verschwindet die reaktive
Auslöschung, die durch die Abschnitte 106 und 108 erzeugt
wird, so daß am unteren Ende des Betriebsfrequenzbereiches
die Abschnitte 106 und 108 lediglich als Kurzschlüsse
wirksam sind. Demgemäß entspricht die maximale Dämpfung
dieses Gerätes bei niedrigen Frequenzen im wesentlichen dem
Einschaltwiderstand der parallel geschalteten Dioden 116,
118 und 120.
Um daher die Modulatordämpfung über den gesamten Frequenz
bereich konstant zu machen, ist es erforderlich, den Ein
schaltwiderstand der Dioden 116, 118 und 120 am unteren Ende
des Frequenzbereiches so niedrig wie möglich zu machen, so
daß die Diodendämpfung an dem unteren Ende des Frequenzban
des im wesentlichen der Hochfrequenzdämpfung entspricht, die
durch die reaktive Auslöschung der Übertragungsleitungen 106
und 108 sowie die Diodendämpfung bewirkt wird. Eine Möglich
keit zur Verminderung des Einschaltwiderstandes der Dioden
116, 118 und 120 bei niedrigen Frequenzen liegt in der Er
höhung des Vorwärts-Vorstromes, so daß die Dioden in ihre
Sättigung getrieben werden. Daher muß zum Aufrechterhalten
einer konstanten Dämpfung über den gesamten Betriebsfre
quenzbereich der Vorstrom bei Modulatoren nach dem Stand der
Technik erheblich erhöht werden, wenn die HF-Frequenz vom
oberen Ende des Frequenzbandes zum unteren Ende des Fre
quenzbandes vermindert wird.
Eine derartige Vorstromcharakteristik stellt an sich noch
kein Problem dar. Wenn jedoch das Gerät innerhalb eines au
tomatischen Schleifensteuersystemes oder Rückkopplungssteu
ersystemes eingesetzt wird (wie dies allgemein bei derarti
gen Modulatoren der Fall ist), kann die Beziehung zwischen
dem Vorstrom und der Frequenz eine Instabilität innerhalb
der automatischen Rückkopplungssteuerschaltung bewirken.
Ein schematisches Diagramm eines nach den Prinzipien der Er
findung aufgebauten Modulators ist in Fig. 2 dargestellt. In
Fig. 2 sind Elemente, die den in Fig. 1 gezeigten Elementen
entsprechen, mit entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet.
Beispielsweise entspricht der Eingang 200 dem Eingang 100;
der Entkopplungskondensator 202 entspricht dem Entkopplungs
kondensator 102, usw.
Aus einem Vergleich der Fig. 1 und 2 erkennt man, daß die
grundsätzliche Modulatorstruktur der beiden Modulatoren mit
der Ausnahme übereinstimmt, daß die Übertragungsleitung 206
eine andere Länge als die Übertragungsleitung 208 hat, wäh
rend bei der Struktur nach dem Stand der Technik die Über
tragungsleitungen 106 und 108 die gleiche Länge haben. Die
unterschiedlichen Längen der Übertragungsleitungen 206 und
208 bewirken einen wesentlichen Vorteil der erfindungsge
mäßen Struktur.
Insbesondere kann die Frequenzantwort der Modulatorstruktur
im Falle des eingeschalteten Zustandes der Dioden 216, 218
und 220 gemäß den Grundsätzen der Wellenleitertheorie als
Überlagerung der Frequenz antworten oder Spannungswellen an
gesehen werden, die durch eine Struktur erzeugt werden wür
de, die aus einem Paar von Dioden besteht, welche durch eine
Übertragungsleitung verbunden sind. Da die Übertragungslei
tungen bei dieser Struktur ungleiche Längen haben, ist die
Frequenz für eine viertel Wellenlänge bei jeder der Struktu
ren unterschiedlich.
Insbesondere zeigt Fig. 3 einen Ausdruck der Dämpfungs-Fre
quenz-Funktion für vier verschiedene Konfigurationen aus
zwei Dioden und einer Übertragungsleitung, von denen eine
jede eine unterschiedliche Übertragungsleitungslänge hat.
Die in jeder Struktur erzeugte reaktive Auslöschung führt zu
einer maximalen Dämpfung bei HF-Wellenlängen, bei denen die
Übertragungsleitungsstruktur ein ungeradzahliges Vielfaches
eines Viertels der HF-Wellenlänge ist. Eine minimale Dämp
fung tritt auf, wo die Übertragungsleitungsstruktur ein ge
rades Vielfaches eines Viertel der HF-Wellenlänge ist. Wie
es in Fig. 3 gezeigt ist, können die Übertragungsleitungs
längen derart gewählt werden, daß die Punkte maximaler Dämp
fung von einigen Leitungsstrukturen sich mit den Punkten
minimaler Dämpfung von anderen Strukturen auslöschen. Wenn
diese Wellen oder Signalverläufe einander überlagert werden,
ergibt sich eine relativ flache Frequenzantwort mit einigen
Unebenheiten oder Wellen. Eine derartige Frequenzantwort ist
in dem Dämpfungs-Frequenz-Diagramm von Fig. 4 zu sehen.
Wie in Fig. 4 gezeigt ist, entspricht die obere Frequenzant
wortkurve derjenigen eines Modulators mit drei Dioden, wie
beispielsweise die in Fig. 2 gezeigte Struktur, während die
untere Antwortkurve eine solche für einen HF-Modulator mit
vier Dioden ist. Eine ähnliche Antwortkurve könnte man für
Modulatoren mit fünf, sechs, sieben und mehr Dioden
erhalten. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, nimmt mit zunehmender
Anzahl der Dioden die Welligkeit der Frequenzantwort ab
(obwohl die Anzahl der Wellenfrequenzen ansteigt).
Jedoch bleibt die Frequenzantwort der erfindungsgemäßen
Struktur über den gesamten Betriebsfrequenzbereich relativ
konstant, so daß es bei der erfindungsgemäßen Struktur nicht
nötig ist, den Diodenvorstrom am unteren Ende des Betriebs
frequenzbereiches zu erhöhen, um im wesentlichen die gleiche
Dämpfung wie am oberen Ende des Betriebsfrequenzbereiches zu
erhalten. Daher können bei der erfindungsgemäßen Struktur
die Nebenschlußdioden in ihrem Kleinsignalbereich betrieben
werden und müssen nicht in ihrer Sättigung betrieben werden,
so daß ihre Umschaltzeit erheblich kürzer ist, wodurch das
erfindungsgemäße Gerät als schnell arbeitender Pulsmodulator
ebenso einsetzbar ist wie als Linearmodulator.
Fig. 5 ist eine Zeichnung einer Draufsichtdarstellung einer
beispielhaften praktischen Bauweise eines Modulators mit
fünf Nebenschlußdioden. Dieses Gerät ist in dem beispiel
haften Fall unter Verwendung der üblichen Mikrostriptech
nologie aufgebaut. Bei dieser Bauweise werden Mikrostrip
übertragungsleitungsschaltungsmuster auf einem Substrat 500
gebildet, das beispielsweise ein Aluminiumoxidsubstrat mit
einer Stärke von einem hundertstel Zoll (ca. 250 Mikrometer)
sein kann. Typischerweise werden die Übertragungsleitungs
muster 512, 514, 516, 518, 520 und 522 durch einen Goldab
scheidungsprozeß auf dem Substrat 500 erzeugt, um den Ein
gang 501 mit dem Ausgang 530 zu verbinden.
Fünf Dioden 502-510 werden in Löchern befestigt, die für
eine genaue Diodenanordnung durch Laserschneiden in dem Sub
strat 500 erzeugt sind. Das ganze Substrat 500 ist auf eine
geerdete Basisplatte (nicht dargestellt) mittels eines leit
fähigen Epoxidzements zementiert. Die Dioden 502-510 kön
nen bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel Chip-Mesa-PIN-
Dioden sein, die gleichfalls mittels eines leitfähigen
Epoxids auf die Basisplatte in die lasergeschnittenen Löcher
zementiert werden. Wie unter Bezugnahme auf die Fig. 8 und 9
erläutert werden wird, wird ein gebondetes Goldnetz für die
Verbindung der Diodenanoden mit den Schaltungsmustern oder
Leiterbahnen verwendet. Entkopplungskondensatoren 524, 526
die im Beispielsfall Kondensatoren mit chipfesten seitlichen
Anschlußfähnchen (Beam-Lead-Kondensatoren) sein können, wer
den gleichfalls an die Schaltungsmuster bzw. Leiterbahnen
angebondet.
Die in der Fig. 5 nicht gezeigte Vorstromstruktur ist
gleichfalls vorgesehen, um die Dioden 502-510 zu betrei
ben. Diese Vorstromstruktur wird im Detail unten unter Be
zugnahme auf die Fig. 10 erläutert.
Wie noch in Fig. 5 gezeigt ist, ist die Übertragunsleitungs
länge 570 der Leitung 514 nicht die gleiche wie diejenige
572 der Leitung 516. Gleichfalls ist die Länge 574 der Lei
tung 518 nicht die gleiche wie die Längen 570 und 572. Diese
Längen sind bei dem gezeigten Beispiel so gewählt, daß die
Maxima und Minima der Dämpfung über den Betriebsfrequenzbe
reich einander aufheben, um eine relativ flache Dämpfungs
charakteristik zu erzeugen, wie dies in Fig. 4 zu sehen ist.
Die in Fig. 5 gezeigte Struktur arbeitet tatsächlich als
HF-Modulator mit vier Dioden, da der Abstand 576 zwischen
den Dioden 508 und 510 so kurz ist, daß die beiden Dioden im
wesentlichen als eine einzige Diode arbeiten, um eine beson
ders hohe Dämpfung am oberen Ende des Frequenzbereiches zu
erzielen.
Gleichfalls ist in Fig. 5 ein weiteres bedeutendes Merkmal
der vorliegenden Erfindung gezeigt. Insbesondere sind radi
ale Stegleitungskondensatoren 550 längs der Übertragungslei
tungsmuster 512-522 mit Abständen von weniger als einer
viertel Wellenlänge bei der oberen Frequenz des Betriebsfre
quenzbereiches angeordnet. In dem ausgeschalteten Schal
tungszustand, bei dem die Dioden 502-510 nicht leitend
sind, bilden die Kondensatoren 550 eine verteilte Filter
struktur zusammen mit den Übertragungsleitungsstrukturen.
Die Grenzfrequenz der Filterstruktur wird durch den Abstand
zwischen den radialen Stichleitungen und den Dioden be
stimmt. Die elektrischen Ersatzschaltbilder der beiden
Schaltungszustände sind in den Fig. 6 und 7 dargestellt.
Fig. 6 zeigt das elektrische Ersatzschaltbild des Modula
tors, wenn die Dioden 502-510 in ihrem nichtleitenden Zu
stand sind (wobei die gezeigte Modulatorstruktur eine Quelle
600 mit einer Last 610 verbindet). Die Dioden 602-608 er
scheinen als kleine parasitäre Kapazitäten in Reihe mit dem
"Ausschalt"-Widerstand. Die Induktivität der Übertragungs
leitung zusammen mit der Kapazität der radialen Stichlei
tungen bildet ein verteiltes Vielpolfilter. Das Frequenz
verhalten dieses Filters kann nach der üblichen Filtertheo
rie berechnet werden, wobei die Struktur den Einfügungsver
lust bzw. die Durchgangsdämpfung des Modulators bei den obe
ren Frequenzen des Betriebsbereiches verbessert, und wobei
die Einfügungsdämpfungsabhängigkeit vom Viertelwellenlängen
abstand der Dioden bei den Erfordernissen für maximale Däm
pfung von der Diodentrennung entkoppelt wird.
Fig. 7 ist ein elektrisches Ersatzschaltbild des Modulators
im Falle des eingeschalteten Zustandes der Dioden 502-510.
Wie in den Fig. 6 und 7 gezeigt ist, liegt der HF-Modulator
zwischen einer Quelle 700 und einer Last 710. Wenn die Dio
den 702-708 in ihrem eingeschalteten Zustand gehalten wer
den, arbeiten sie als veränderliche Widerstände, wobei der
eingeschaltete Widerstandswert von dem Vorstrom abhängt. Je
doch tritt erfindungsgemäß selbst am unteren Ende des Be
triebsfrequenzbereiches ein reaktives Löschen auf, so daß
die Dioden 702-708 nicht in ihre Sättigung getrieben wer
den müssen, um eine Dämpfung zu erreichen, die derjenigen am
oberen Ende des Betriebsfrequenzbereiches entspricht.
Die Fig. 8 und 9 zeigen Draufsichten und perspektivische
Darstellungen eines beispielhaften Befestigungsverfahrens
für die PIN-Nebenschlußdioden 502-510 und für die Ver
bindung derselben mit den Schaltungsmustern bzw. Leiter
bahnen 514-522. Insbesondere sind entsprechende Elemente
mit entsprechenden Bezugszeichen in den beiden Fig. 8 und 9
bezeichnet. Wie bereits erläutert wurde, wird eine typische
Diode 802 an die Gerätegrundplatte durch Zementieren mit
einem leitfähigen Epoxid befestigt. Die Diode 802 wird in
einem lasergeschnittenen Loch 804 befestigt, das sich durch
das Substrat 800 erstreckt. Die Diode 802 ist mit den Schal
tungsmustern bzw. Leiterbahnen 812 und 814 mittels eines
Goldnetzes 860 verbunden, welches direkt an die Schaltungs
muster bzw. Leiterbahnen angebondet wird. Bei dem im Bei
spiel gezeigten Fall kann das Goldnetz 860 ein Goldnetz mit
vier Quadraten Breite sein, das gleichfalls mit der Dioden
anode an dem Punkt 862 durch Bonden verbunden wird.
Fig. 10 zeigt eine beispielhafte Vorstromschaltung, die zu
sammen mit dem in Fig. 5 gezeigten HF-Modulator verwendet
werden kann, wenn der HF-Modulator entweder als
Pulsmodulator oder linearer HF-Modulator betrieben wird. In
Fig. 10 ist das Modulatorsubstrat 1000 aus Gründen der
Einfachheit ohne Dioden und Kondensatoren, welche an diesem
angebracht sind, gezeigt. Die Vorspannungsstruktur besteht
aus den Mikrostripsubstraten 1002 und 1004, den induktiven
Spulen 1010, 1012 und 1014 sowie aus dem
0-Picofarad-Gleichstromdurchführungskondensator 1006. Das
Substrat 1002 ist mit dem Hauptmodulatorsubstrat 1000 an
einem Punkt nahe des Mittenbereiches mittels einer Spule
1010 verbunden. Die Spulen sind mit den Substraten 1002 und
1004 in der gezeigten Art sowie mit den Bypass-Kondensatoren
1016 und 1018 verbunden. Die Induktivitäten und die
Kapazitäten bilden eine Fünf-Pol-Tiefpaßfilterstruktur, die
ein Rücklaufen der HF-Leistung zu der Gleichstromquelle
blockiert.
Ein Gerät mit der in Fig. 5 gezeigten Konfiguration würde
aufgebaut und über einen Betriebsfrequenzbereich von 2 Giga
hertz bis 26 Gigahertz betrieben. Bei dieser Konfiguration
beträgt die Übertragungsleitungslänge 570 4,7 mm, die Über
tragungsleitungslänge 572 3,2 mm, die Übertragungsleitungs
länge 574 1,7 mm und die Übertragungsleitungslänge 576 1,25
mm. Der Abstand zwischen den radialen Stichleitungen 555 be
trägt 0,75 mm. Die Entkopplungskondensatoren 524 und 526
wurden als 8,2 Picofarad-Anschlußfahnen-Kondensatoren ge
wählt. Die Vorstromstruktur wurde in der in Fig. 10 gezeig
ten Anordnung aufgebaut, wobei die Kondensatoren 1016 und
1018 als 5,6 Picofarad-Kondensatoren gewählt sind, die auf
die Grundebene zementiert sind und mit den Substraten 1002
und 1004 mittels Goldnetzstreifen 1022 und 1020 verbunden
sind. Bei dem gezeigten Beispielsfall besteht die Spule 1010
aus einem Golddraht mit 0,0015 Inch Durchmesser (ca. 38 Mi
krometer), der auf einen Kern mit einem Durchmesser von 0,12
Inch (ca. 305 Mikrometer) gewickelt ist. In ähnlicher Weise
besteht die Spule 1014 aus einem ähnlichen Material mit
einem ähnlichen Durchmesser wie die Spule 1012 und hat
gleichfalls acht Windungen. Das Gerät ist in einem geschlos
senen, geerdeten Testgehäuse gemäß üblichen Konstruktions
prinzipien befestigt.
Bei der Überprüfung oder dem Testbetrieb des oben beschrie
benen Gerätes ergab sich eine Einfügungsdämpfung oder Durch
gangsdämpfung, die vergleichsweise niedrig über den gesamten
Betriebsfrequenzbereich ist, wie dies in Fig. 11 gezeigt
ist. Die Gerätedämpfung mit veränderlichen Konstantstrompe
geln ist in Fig. 12 gezeigt. Bei Betrieb als Pulsmodulator
erzielt der beispielhafte HF-Modulator ein Einschalt-Aus
schalt-Verhältnis von besser als 90 dB mit Abfallzeiten von
kürzer als 3 Nanosekunden bei Messung mit 30 Nanosekunden
Pulsbreite. Ein derartiger Puls ist in Fig. 13 gezeigt.
Claims (12)
1. HF-Reflexions-Nebenschlußdioden-Modulator
mit einem Eingang (200), einem Ausgang (214) und einer dazwischen angeordneten ersten Übertragungsleitung (206) sowie einer in Reihe geschalteten zweiten Übertragungs leitung (208),
wobei die erste Übertragungsleitung (206) eine erste elektrische Länge und die zweite Übertragungsleitung (208) eine zweite elektrische Länge hat,
mit einer ersten Nebenschlußdiode (216), mit der der Eingang (200) mit Massepotential verbindbar ist,
mit einer zweiten Nebenschlußdiode (218), mit der ein Verbindungspunkt zwischen der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung mit Massepotential verbindbar ist,
mit einer dritten Nebenschlußdiode (220), mit der der Ausgang mit Massepotential verbindbar ist, und
mit einer Einrichtung, mit der die Nebenschlußdioden (216, 218, 220) in einen leitfähigen Zustand versetzbar sind, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und zweite elektrische Länge derart ge wählt sind, daß ein Minimum in dem durch das eine Übertragungsleitung-Nebenschlußdioden-Paar verursachten Verlauf des Dämpfungsfrequenzganges durch ein Maximum in dem durch das andere Übertragungsleitung-Nebenschlußdio den-Paar verursachten Verlauf des Dämpfungsfrequenzgan ges aufgehoben wird, und daß die Einrichtung, mit der die Nebenschlußdioden in einen leitfähigen Zustand versetzbar sind, die Neben schlußdioden in ihrem Kleinsignalbereich ansteuert.
mit einem Eingang (200), einem Ausgang (214) und einer dazwischen angeordneten ersten Übertragungsleitung (206) sowie einer in Reihe geschalteten zweiten Übertragungs leitung (208),
wobei die erste Übertragungsleitung (206) eine erste elektrische Länge und die zweite Übertragungsleitung (208) eine zweite elektrische Länge hat,
mit einer ersten Nebenschlußdiode (216), mit der der Eingang (200) mit Massepotential verbindbar ist,
mit einer zweiten Nebenschlußdiode (218), mit der ein Verbindungspunkt zwischen der ersten Übertragungsleitung und der zweiten Übertragungsleitung mit Massepotential verbindbar ist,
mit einer dritten Nebenschlußdiode (220), mit der der Ausgang mit Massepotential verbindbar ist, und
mit einer Einrichtung, mit der die Nebenschlußdioden (216, 218, 220) in einen leitfähigen Zustand versetzbar sind, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und zweite elektrische Länge derart ge wählt sind, daß ein Minimum in dem durch das eine Übertragungsleitung-Nebenschlußdioden-Paar verursachten Verlauf des Dämpfungsfrequenzganges durch ein Maximum in dem durch das andere Übertragungsleitung-Nebenschlußdio den-Paar verursachten Verlauf des Dämpfungsfrequenzgan ges aufgehoben wird, und daß die Einrichtung, mit der die Nebenschlußdioden in einen leitfähigen Zustand versetzbar sind, die Neben schlußdioden in ihrem Kleinsignalbereich ansteuert.
2. HF-Modulator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste elektrische Länge und die zweite elektri
sche Länge ein ganzes Vielfaches eines Viertels der
Wellenlänge bei der maximalen Betriebsfrequenz des
HF-Modulators sind.
3. HF-Modulator nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet
durch
eine Einrichtung (550) zum Schaffen einer verteilten Ka
pazität längs der ersten Übertragungsleitung (514) und
längs des zweiten Übertragungsleitungsabschnittes (516).
4. HF-Modulator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die die Kapazität schaffende Einrichtung eine erste
Anzahl von diskreten Kondensatoren (550), die mit ge
genseitigem Abstand längs der Länge (570) der ersten
Übertragungsleitung (514) angeordnet sind, und eine
zweite Anzahl von diskreten Kondensatoren (550) umfaßt,
die gegenseitig beabstandet längs der Länge (572) der
zweiten Übertragungsleitung (516) angeordnet sind.
5. HF-Modulator nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch ge
kennzeichnet,
daß die erste elektrische Länge ein gerades Vielfaches eines Viertels der Wellenlänge bei der maximalen Fre quenz ist und daß die zweite elektrische Länge nicht mit der ersten elektrischen Länge übereinstimmt, und
daß die zweite elektrische Länge ein Ganzes Vielfaches eines Viertels der Wellenlänge bei der maximalen Fre quenz ist.
daß die erste elektrische Länge ein gerades Vielfaches eines Viertels der Wellenlänge bei der maximalen Fre quenz ist und daß die zweite elektrische Länge nicht mit der ersten elektrischen Länge übereinstimmt, und
daß die zweite elektrische Länge ein Ganzes Vielfaches eines Viertels der Wellenlänge bei der maximalen Fre quenz ist.
6. HF-Modulator nach einem der Ansprüche 1-5, dadurch ge
kennzeichnet,
daß die Einrichtung zum Versetzen der ersten, zweiten
und dritten Diode (216, 218, 220) in einen leitfähigen
Zustand eine Gleichstromschaltung aufweist.
7. HF-Modulator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gleichstromschaltung eine Tiefpaßfilterschaltung
(224, 226) aufweist, deren Impedanz wesentlich hö
her als die Impedanz der ersten Übertragungsleitung und
die Impedanz der zweiten Übertragungsleitung bei den
Betriebsfrequenzen ist.
8. HF-Modulator nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch ge
kennzeichnet,
daß die erste und zweite Übertragungsleitung durch eine zweite und dritte Mikrostripleitung (514, 516) gebildet sind, die an einem zweiten Verbindungspunkt miteinander verbunden sind,
daß eine erste Mikrostripleitung (512) mit dem Eingang (501) und an einem ersten Verbindungspunkt mit der zwei ten Mikrostripleitung (514) verbunden ist,
daß eine vierte Mikrostripleitung (518) mit dem Ausgang (530) und an einem dritten Verbindungspunkt mit der dritten Mikrostripleitung (516) verbunden ist, und
daß die erste, zweite und dritte Nebenschlußdiode (216, 218, 220) den ersten, zweiten und dritten Verbindungs punkt mit Massepotential verbinden.
daß die erste und zweite Übertragungsleitung durch eine zweite und dritte Mikrostripleitung (514, 516) gebildet sind, die an einem zweiten Verbindungspunkt miteinander verbunden sind,
daß eine erste Mikrostripleitung (512) mit dem Eingang (501) und an einem ersten Verbindungspunkt mit der zwei ten Mikrostripleitung (514) verbunden ist,
daß eine vierte Mikrostripleitung (518) mit dem Ausgang (530) und an einem dritten Verbindungspunkt mit der dritten Mikrostripleitung (516) verbunden ist, und
daß die erste, zweite und dritte Nebenschlußdiode (216, 218, 220) den ersten, zweiten und dritten Verbindungs punkt mit Massepotential verbinden.
9. HF-Modulator nach Anspruch 8, gekennzeichnet durch
eine Anzahl von radialen kapazitiven Stichleitungen
(550), die längs der ersten, zweiten, dritten und vier
ten Mikrostripleitung (512, 514, 516, 518) angeordnet
sind.
10. HF-Modulator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die radialen kapazitiven Stichleitungen (550) mit gleichen gegenseitigen Abständen voneinander beabstandet sind, und
daß der gleiche Abstand gleich oder kleiner ist als ein Viertel der Wellenlänge bei der maximalen Betriebs frequenz.
daß die radialen kapazitiven Stichleitungen (550) mit gleichen gegenseitigen Abständen voneinander beabstandet sind, und
daß der gleiche Abstand gleich oder kleiner ist als ein Viertel der Wellenlänge bei der maximalen Betriebs frequenz.
11. HF-Modulator nach einem der Ansprüche 8-10, gekenn
zeichnet durch
einen ersten Entkopplungs-Kondensator (524), der zwi schen dem Eingang (501) und der ersten Mikrostripleitung (512) geschaltet ist, und
einen zweiten Entkopplungs-Kondensator (526), der zwi schen der vierten Mikrostripleitung (518) und dem Aus gang (530) geschaltet ist.
einen ersten Entkopplungs-Kondensator (524), der zwi schen dem Eingang (501) und der ersten Mikrostripleitung (512) geschaltet ist, und
einen zweiten Entkopplungs-Kondensator (526), der zwi schen der vierten Mikrostripleitung (518) und dem Aus gang (530) geschaltet ist.
12. HF-Modulator nach einem der Ansprüche 8-11, dadurch
gekennzeichnet,
daß die Gleichstromschaltung folgende Merkmale aufweist:
eine Leistungsquelle;
einen ersten Bypass-Kondensator (1018);
einen zweiten Bypass-Kondensator (1016); eine fünfte Mikrostripleitung (bei 1004);
eine sechste Mikrostripleitung (bei 1002);
ein erstes induktives Element (1014), das den ersten Bypass-Kondensator (1018) mit der Leistungsquelle verbindet;
eine Einrichtung (1020) zum Verbinden des ersten Bypass-Kondensators (1018) mit der fünften Mikrostrip leitung (bei 1004);
ein zweites induktives Element (1012), das die fünfte Mikrostripleitung (bei 1004) mit dem zweiten Bypass-Kon densator (1016) verbindet;
eine Einrichtung (1022) zum Verbinden des zweiten Bypass-Kondensators (1016) mit der sechsten Mikrostrip leitung (bei 1002); und
ein drittes induktives Element (1010), das die sechste Mikrostripleitung (bei 1002) mit dem zweiten Verbin dungspunkt verbindet.
eine Leistungsquelle;
einen ersten Bypass-Kondensator (1018);
einen zweiten Bypass-Kondensator (1016); eine fünfte Mikrostripleitung (bei 1004);
eine sechste Mikrostripleitung (bei 1002);
ein erstes induktives Element (1014), das den ersten Bypass-Kondensator (1018) mit der Leistungsquelle verbindet;
eine Einrichtung (1020) zum Verbinden des ersten Bypass-Kondensators (1018) mit der fünften Mikrostrip leitung (bei 1004);
ein zweites induktives Element (1012), das die fünfte Mikrostripleitung (bei 1004) mit dem zweiten Bypass-Kon densator (1016) verbindet;
eine Einrichtung (1022) zum Verbinden des zweiten Bypass-Kondensators (1016) mit der sechsten Mikrostrip leitung (bei 1002); und
ein drittes induktives Element (1010), das die sechste Mikrostripleitung (bei 1002) mit dem zweiten Verbin dungspunkt verbindet.
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US07/414,946 US4954791A (en) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | Non-commensurate line length rf modulator |
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DE (1) | DE4024800A1 (de) |
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EP1158659A1 (de) * | 2000-05-15 | 2001-11-28 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Amplitudenmodulator unter Verwendung eines geschalteten Streifenleitungsfilters |
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DE3827429A1 (de) * | 1988-03-01 | 1989-09-14 | Licentia Gmbh | Spannungsgesteuerter oszillator mit leitungsresonator |
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- 1990-09-28 GB GB9021138A patent/GB2237698B/en not_active Expired - Fee Related
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