DE3428559C2 - Flexible, glasbeschichtete Substrate sowie Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Flexible, glasbeschichtete Substrate sowie Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
- Publication number
- DE3428559C2 DE3428559C2 DE3428559A DE3428559A DE3428559C2 DE 3428559 C2 DE3428559 C2 DE 3428559C2 DE 3428559 A DE3428559 A DE 3428559A DE 3428559 A DE3428559 A DE 3428559A DE 3428559 C2 DE3428559 C2 DE 3428559C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- glass
- layer
- glass layer
- metal plate
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
- B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/10—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a discontinuous layer, i.e. formed of separate pieces of material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23D—ENAMELLING OF, OR APPLYING A VITREOUS LAYER TO, METALS
- C23D5/00—Coating with enamels or vitreous layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23D—ENAMELLING OF, OR APPLYING A VITREOUS LAYER TO, METALS
- C23D5/00—Coating with enamels or vitreous layers
- C23D5/02—Coating with enamels or vitreous layers by wet methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/142—Metallic substrates having insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249967—Inorganic matrix in void-containing component
- Y10T428/249969—Of silicon-containing material [e.g., glass, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
- Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
- Y10T428/249967—Inorganic matrix in void-containing component
- Y10T428/24997—Of metal-containing material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein flexibles, glasbeschichtetes Substrat, welches zum Einsatz bei der Herstellung von elektronischen Elementen oder Solarzellen nützlich ist, wobei das Substrat eine dünne Metallplatte, eine erste, auf mindestens einer Seite der Metallplatte ausgebildete Glasschicht mit vielen Poren und eine zweite, auf der ersten Glasschicht ausgebildete Glasschicht aufweist, sowie das Verfahren, derartige Substrate herzustellen.
Description
aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Glasschicht in Form einer
Glaspaste mit einem Harzbindemittel in einer Menge zwischen 1 bis 10Gew.-%, berechnet auf Basis
der Glaskomponente, aufgebracht wird.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Glaspasten für beide Schichten bei Temperaturen von zwischen 600 bis 7500C erhitzt
werden.
Die Erfindung betrifft ein flexibles, glasbeschichtetes Substrat sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.
Die Erfindung bezieht sich also auf flexible, isolierende Substrate, die zur Herstellung von Elementen wie
Solarzellen mit amorphem Silizium, Dick- und Dünnschichtschaltkreisen und ähnlichem, eingesetzt werden.
Bekannte flexible isolierende Substrate, die zur Herstellung von Elementen wie Solarzellen mit amorphem
Silizium eingesetzt werden, umfassen (1) Substrate, die durch Herstellung eines dünnen Films von Siliziumoxid
oder Siliziumnitrid auf einer dünnen Platte rostfreien Stahls erhalten werden, (2) Substrate, die durch Herstellen
einer Schicht eines Harzes, wie einem Polyimid, auf einer dünnen Platte rostfreien Stahls und anschließendes
Ausbilden einer Schicht von Titanoxid, Siliziumoxid oder Siliziumnitrid auf der Harzschicht durch Vakuumaufdampfung
erhältlich sind und (3) dünne flexible Glasplattensubstrate.
Die bekannten Substrate besitzen verschiedene Nachteile. Beispielsweise muß bei den Substraten (1) und (2) die Platte aus rostfreiem Stahl bearbeitet sein, um eine Oberflächenrauhigkeit unterhalb von 0,1 μιη für das erstere Substrat und eine Oberflächenrauhigkeit von unter 0,5 μηι, für letzteres Substrat, aufzuweisen.
Die bekannten Substrate besitzen verschiedene Nachteile. Beispielsweise muß bei den Substraten (1) und (2) die Platte aus rostfreiem Stahl bearbeitet sein, um eine Oberflächenrauhigkeit unterhalb von 0,1 μιη für das erstere Substrat und eine Oberflächenrauhigkeit von unter 0,5 μηι, für letzteres Substrat, aufzuweisen.
Anderenfalls kann bei der Herstellung des isolierenden Überzugs eine zufriedenstellende isolierende Wirkung
nicht gesichert sein. Die Substrate (2) können Isolationsfehlstellen aufweisen, da die Harzschicht so weich ist,
daß sie zu Beschädigungen neigt Bei der Herstellung eines Elementes auf dem Substrat bringt die Harzschicht
häufig von innen Gas hervor, welches, obwohl es kleine Mengen sind, zum Verbleib von kleinen Löchern
in der Schicht führt, welche zum Wegfall der Isolation führen.
Obwohl das Substrat (3) die obengenannten Nachteile nicht aufweist, ist es so zerbrechlich, daß bei der
Handhabung des Glassubstrates große Vorsicht notwendig ist, anderenfalls zerbricht es.
Es ist daher ein Ziel der Erfindung, flexible, glasüberzogene Substrate herzustellen, welche die Nachteile der
Substrate nach dem Stand der Technik vermeiden.
Es ist weiterhin ein Ziel der vorliegenden Erfindung, flexible, glasüberzogene Substrate herzustellen, welche
gute Isolationseigenschaften sogar dann zeigen, wenn eine Metallplatte relativ großer Oberflächenrauhigkeit
eingesetzt wird.
Es ist ein weiteres Ziel der Erfindung, flexible, glasüberzogene Substrate herzustellen, die weniger zum
Zusammenbruch ihrer Isolationseigenschaften und zum
auf sie ausgeübt werden.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einem gattungsgemäßen Substrat durch die im Kennzeichen des
Anspruches 1 aufgeführten Merkmale gelöst. Das erfindungsgemäße Verfahren weist die im Kennzeichen
des Anspruches 8 aufgeführten Schritte auf.
Besonders bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Nachstehend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnungen erläutert, wobei
Fi g. 1 eine schematische vergrößerte Darstellung einer Ausführungsform des erfindungsgen:äßen Substrats; und
F i g. 2 in ähnlicher Weise wie F i g. 1 eine andere Ausführungsform der Erfindung zeigt
In F i g. 1 ist ein Substrat 5 gezeigt. Das zur Ausbildung von Solarzellen, Dünn- oder Dickschichtschahkreisen und ähnlichen auf demselben geeignete Substrat
weist eine dünne Metallplatte 1, bspw. aus Titan, rostfreiem Stahl oder ähnlichem, auf. Die Metallplatte 1 ist
auf mindestens einer Seite mit einer ersten isolierenden porösen Glasschicht 2 ausgebildet und einer zweiten,
isolierenden dichten Glasschicht 3. Poren 4 in der ersten Glasschicht können voneinander getrennt sein, also als
sogenannte geschlossene Zellen vorliegen oder offenzellig sein.
Die Metallplatte 1 besitzt üblicherweise jine Dicke
von zwischen 10 bis 300 μτη und hat bevorzugt eine
Oberflächenrauhigkeit unterhalb von 5 μίτι. Die erste
isolierende poröse Glasschicht 2 ist mit einer Dicke von zwischen 5 bis 50 μπι ausgebildet und besitzt bevorzugt
eine Porösität von zwischen 100 bis 1000 ppm pro Volumen. Die zweite isolierende Glasschicht 3 besitzt im
allgemeinen eine Dicke von zwischen 5 und 50 μητ. Wie
aus obigem ersichtlich, ist das Substrat S, welches die Metallplatte 1 mit der ersten und zweiten Schicht 2,3
aufweist, so dünn, daß Flexibilität sichergestellt ist Glaszusammensetzungen für die ersten und zweiten Glasschichten 2, 3 werden beim Verfahren zur Herstellung
des Substrats 5 beschrieben.
Im folgenden wird das Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Substrats beschrieben. Das Verfahren weist das Herstellen einer dünnen Metallplatte, Aufbringen einer Glaspaste, welche eine Glaskomponente
in Pulverform und einen Harzbinder aufweist, auf mindestens einer Seite der Metallplatte, Erhitzen der beschichteten Platte auf Temperaturen, die hinreichend
sind, das Glaspulver zu schmelzen und Abkühlen der Platte und Aushärten des geschmolzenen Glases, um
eine erste isolierende Glasschicht herzustellen, auf. Anschließend wird eine Glasplatte, welche eine Glaskomponente mit einem niedrigeren Erweichungspunkt als
dem Erweichungspunkt der Glaskomponente für die erste Schicht aufweist, auf die erste Schicht aufgetragen,
auf eine Temperatur, die zum Schmelzen der Glaskomponente hinreichend ist, erhitzt, abgekühlt und gehärtet,
um eine zweite isolierende Glasschicht einer vorherbestimmten Dicke herzustellen. Demzufolge besitzt die
zuerst hergestellte Glasschicht eine Vielzahl von Poren. Der Zustand der Poren in der ersten Schicht ist insbesondere in den F i g. 1 und 2 dargestellt und variiert
hauptsächlich abhängig von den Herstellungsbeoingungen. Wenn hohe Schmelztemperaturen eingesetzt werden, besteht eine Neigung, kontinuierliche Zellen, wie in
F i g. 2 dargestellt, in der ersten Glasschicht zu bilden. Andererseits werden dann, wenn die Schmelztemperaturen niedrig sind, beispielsweise 500s C, geschlossene
Zellen, wie in F i g. 1 gezeigt, hergestellt. Es wird angenommen, daß der Ürund für die Ausbildung der Poren
in der ersten Glasschicht darin besteht, daß der in der Glaspaste für die erste Schicht enthaltene Harzbinder
während des Erhitzens und des Schmelzens der Glaskomponente verbrannt wird, wobei Gase unter Bildung
von Poren oder Hohlräumen in demselben hergestellt werden. Die Porosität hängt hauptsächlich von der
Menge Harzbinder und der Erhitzungstemperatur ab.
Im allgemeinen ist der Harzbindergehalt im Bereich von zwischen 1 bis 10 Gew.-°/o der Feststoffe in der Glaspaste. Die Erhitzungstemperatur bewegt sich zwischen
600 bis 750 und die Erhitzungszeit bewegt sich zwischen 1 bis 30 Minuten für beide Schichten. Das zur Herstellung der ersten Schicht einsetzbare Glas kann einen
Erweichungspunkt im Bereich zwischen 350 bis 8000C
besitzen. Beispiele derartiger GJäser umfassen PbO-B2O3, ZnO-B2O3-SiOrGläser. Ein typisches Glas besitzt
eine Zusammensetzung aus PbO, B2O3 und S1O2 in den
Gewichtsverhältnissen von 5:2:3. Die Harzbinder können jegliche thermoplastische Harze, wie Zellulosederivate, wie Nitrozellulose, Ethylzellulose, Methylzellulose, Carboxymethylzellulose, Hydroxypropylzellulo-
se und Mischungen derselben, sein.
Die zweite Schicht kann aus irgendeiner Glaszusammensetzung hergestellt sein, nur daß diese Zusammensetzungen bevorzugt einen Erweichungspunkt haben
sollten, der 100°C niedriger als der der Glaszusammen-
Setzung für die erste Schicht liegt Typische Glaszusam
mensetzungen für die zweite Schicht sind eine Mischung von PbO, B2O3 und S1O2 in Mischungsgewichtsverhältnissen von 7:1:2.
Das nach dem oben beschriebenen erfindungsgemä
ßen Verfahren erhaltene Substrat ist auf der Oberfläche
der zweiten Glasschicht sehr glatt, obwohl die eingesetzte Metallplatte eine relativ große Rauhigkeit von
beispielsweise 1 μπι besitzt Im allgemeinen wird, wenn
ein festes Material gebogen wird, maximale Beanspru
chung auf die Materialoberfläche ausgeübt Wenn eine
eine Glasschicht tragende Metallplatte gebogen wird, wird die brüchige Glasschicht zerbrochen oder springt
Mit dem erfindungsgemäß erhaltenen Substrat kann das Zerbrechen zu einem gewissen Ausmaß durch die Wir
kung der Hohlräume oder Poren, die in der ersten Glas
schicht, die zwischen der Metallplatte und der zweiten Glasschicht vorgesehen ist, vermieden werden. Die
zweite Glasschicht besitzt eine so große Härte, daß sie weniger wahrscheinlich Beschädigungen oder Defor
mationen als Kunstharzschichten erfährt
Die Erfindung wird nun detaillierter anhand eines
Beispieles beschrieben.
Eine Platte aus rostfreiem Stahl (SUS 304) mit einer Oberflächenrauhigkeit von 1 μπι, einer Dicke von
0,1 mm und einer regelmäßigen quadratischen Form mit Seitenlängen von 10 cm, wurde vorgelegt Auf einer Sei
te der Stahlplatte wurde durch eine Rasterdrucktechnik
eine Glaspaste in einem Muster aufgebracht, in welchem zehn Rechtecke, von denen jedes eine Größe von
36 χ 16 mm besaß, angeordnet wurden. Diese Glaspaste hatte eine Zusammensetzung aus einem Glaspulver
mit Korngrößen unterhalb von 3 μίτι und einem Bindemittel, das zu 10 Gew.-%, berechnet auf Basis des Glaspulvers, vorhanden war. Das Glaspulver besaß eine Zusammensetzung aus PbO, B2O3 und S1O2 in Gewichtsmischverhältnissen von 5:2:3, das Bindemittel wurde
aus Nitrozellulose und Butyldiglykol im Gewichtsverhältnis von 1 :10 hergestellt.
Die Platte aus rostfreiem Stahl wurde bei 150° C
10 Minuten in einen Trockner gelegt, anschließend wurde die Platte in einem Ofen bei 700° C 5 Minuten derart
gehalten, daß die mit Glas beschichtete Oberfläche waagerecht und obenliegend gehalten wurde. Demzufolge
schmolz die Glaspaste und wurde anschließend auf eine Normaltemperatur zum Aushärten abgekühlt, wodurch
Ιΰ
das Glas an der Stahlplatte unter Erhalt einer ersten Glasschicht anhaftete.
Anschließend wurde wiederum eine Glaspaste durch ein Rasterdruckverfahren auf die Glasschicht aufgedruckt
und anschließend in einen Erhitzungsofen bei 700° C 5 Minuten zum Schmelzen des Glases gelegt, gefolgt
durch Abkühlen auf Normaltemperatur, um unter Herstellung einer zweiten Glasschicht auf der ersten
Schicht auszuhärten. Die in der Glaspaste für die zweite Schicht eingesetzte Glaszusammensetzung war eine
Mischung von PbO, B2O3 und SiO2 in Gewichtsverhältnissen
von 7:1 :2. Diese Glaszusammensetzung besaß einen Erweichungspunkt, der um 100° C niedriger als
der des Glases für die erste Schicht lag.
Die Glasschichten besaßen eine Dicke von etwa ΙΟμπι.
Die Stahlplatte wurde in Abschnitte, welche die Glasschichten trugen, zerschnitten, um 10 Substrate zu erhalten.
In der gleichen Weise, wie oben beschrieben, wurden 30 Substrate hergestellt, von denen 3 Substrate zufällig
ausgewählt wurden, um den Zustand der Glasschichten zu überprüfen. Daraus resultierend wurde gefunden,
daß in der ersten Glasschicht viele Poren hergestellt wurden. Ein berechnetes Verhältnis von Porenvolumen
zur ersten Glasschicht betrug etwa 250 ppm.
Die 30 Substrate wurden jeweils der Messung eines wiederholten Biegetests unterworfen, wobei es 100 χ
einen minimalen Radius plus minus 1 cm gebogen wurde, und es sich zeigte, daß kein Brechen, wie Sprünge, in
der Oberfläche der Glasschicht der entsprechenden Substrate gefunden wurde. Nach Vervollständigung des
Biegetests wurde ein Spannungswiderstandstest durchgeführt, bei welchem 300 Volt über die Glasschichten
jedes Substrates 10 Minuten angelegt wurden, es wurden keine dielektrischen Fehler gefunden.
Zum Vergleich wurden Substrate, welche keine porenreiche erste Schicht hatten, dem wiederholten Biegetest
unter den gleichen Bedingungen, wie oben beschrieben, unterworfen. Es wurde gefunden, daß in der Glasoberfläche
Sprünge auftraten, wenn das Substrat lediglich einmal gebogen wurde. Nach fünf- bis zehnmaligem
Biegen der Substrate war etwa ein Drittel der Glasschichten von den Substraten abgefallen.
Die oben hergestellten 30 Substrate wurden auf der Glasschichtseite mit einer 500 nm dicken Rückenelektrode
aus rostfreiem Stahl, einer amorphen Siliziumschicht, die aus einer p-Typ, einer i-Typ- und einer
n-Typ-Siliziumschicht mit Dicken von 30 nm, 500 nm und 10 nm hergestellt war, und einer transparenten
70 nm-Elektrode, die in dieser Reihenfolge angeordnet wurden, ausgerüstet, wodurch Zellen-Elmente erhalten
werden. Vier Elemente wurden in Reihe geschaltet, um
eine Solarzelle mit amorphem Silizium zu erhalten. Die Solarzelle besaß eine Ablösungsspannung zwischen den
Ausgaben von 2,4 Volt und einen Kurzschlußstrom von 12,6 μΑ unter einer Fluoreszenzlampe von 1501 x. Die
zehn Elemente wurden dem wiederholten Biegetest in der gleichen Weise wie die Substrate in über zehntausend
Biegezyklen unterworfen, wobei sich zeigte, daß in den obigen Charakteristika keine Veränderungen gefunden
wurde.
Als das obengenannte Herstellungsverfahren für die Glasschichten unter Verwendung einer Erhitzungstemperatur
im Bereich zwischen 600 bis 750°C wiederholt wurde, wurde gefunden, daß das Verhältnis der des Porenvolumens,
das in der ersten Glasschicht enthalten war, zwischen 100 bis 1000 ppm betrug. Die entstehen
den Substrate überstanden den wiederholten Biegetest sowie eine Spannung über 100 Volt in einem anschließenden
Spannungs-Durchschlagstest (breakdown voltage test).
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Flexibles, giasbeschichtetes Substrat, gekennzeichnet
durch eine dünne Metallschicht (1), eine erste, auf mindestens einer Seite der Metallplatte (1} mit vielen Poren ausgebildete Glasschicht
(2) und eine auf der ersten Glasschicht hergestellte zweite Glasschicht (3).
2. Substrat gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Poren geschlossene Zellen sind.
3. Substrat gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Poren offene Zellen sind.
4. Substrat gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallplatte (1) eine Dicke von zwischen 10 bis 300 um, die erste Glasschicht eine
Dicke von zwischen 5 bis 50μΐη, und die zweite
Glasschicht (3) eine Dicke von zwischen 5 bis 50 μιη besitzt
5. Substrat gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Glasschicht ein Volumenverhältnis
von Poren zum Gesamtvolumen der ersten Schicht besitzt, das im Bereich von 100 bis 1000 ppm
liegt
6. Substrat gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Glasschicht aus einer Glaskomponente mit einem um 1000C höheren Erweichungspunkt
als die Glaskomponente für die zweite Glasschicht besteht
7. Substrat gemäß Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaskomponente für die erste
Glasschicht eine Mischung aus PbO, B2O3 und SiO2
in Gewichtsmischverhältnissen von 5:2:3 ist, und daß die Glaskomponente für die zweite Glasschicht
eine Mischung von PbO, B2O3 und SiO2 in Gewichtsmischverhältnissen
von 7:1:2 ist.
8. Verfahren zum Herstellen eines flexiblen, glasbeschichteten Substrats, welches die Schritte:
Vorlegen einer dünnen Metallplatte;
Aufbringen einer eine Glaskomponente in Pulverform und einen Harzbinder aufweisenden Glaspaste auf mindestens einer Seite der Metallplatte;
Erhitzen der behandelten Platte bei Temperaturen, die zum Schmelzen des Glaspulvers hinreichend sind;
Vorlegen einer dünnen Metallplatte;
Aufbringen einer eine Glaskomponente in Pulverform und einen Harzbinder aufweisenden Glaspaste auf mindestens einer Seite der Metallplatte;
Erhitzen der behandelten Platte bei Temperaturen, die zum Schmelzen des Glaspulvers hinreichend sind;
Abkühlen der Platte und Erhärten des geschmolzenen Glases unter Herstellung einer ersten Glasschicht;
Aufbringen einer eine Glaskomponente mit einem niedrigeren Erweichungspunkt als die Glaskomponente
der ersten Schicht aufweisenden Glaspaste auf die erste Glasschicht;
Erhitzen der aufgebrachten Paste bei Temperaturen, die hinreichend sind, um die Glaskomponente zu
schmelzen; und
Abkühlen und Erhärten des geschmolzenen Glases, um eine zweite Glasschicht auf der ersten
Glasschicht herzustellen, wodurch die erste Glasschicht, die zwischen der Metallplatte und der
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59044554A JPH0652795B2 (ja) | 1984-03-07 | 1984-03-07 | 可撓性非晶質半導体太陽電池 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3428559A1 DE3428559A1 (de) | 1985-09-12 |
DE3428559C2 true DE3428559C2 (de) | 1986-10-23 |
DE3428559C3 DE3428559C3 (de) | 1991-12-12 |
Family
ID=12694716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3428559A Expired DE3428559C2 (de) | 1984-03-07 | 1984-08-02 | Flexible, glasbeschichtete Substrate sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4510195A (de) |
JP (1) | JPH0652795B2 (de) |
AU (1) | AU553298B2 (de) |
DE (1) | DE3428559C2 (de) |
FR (1) | FR2560818B1 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60142584A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | 川崎製鉄株式会社 | プリント基板およびその製造方法 |
US4781766A (en) * | 1985-10-30 | 1988-11-01 | Astrosystems, Inc. | Fault tolerant thin-film photovoltaic cell and method |
US4677250A (en) * | 1985-10-30 | 1987-06-30 | Astrosystems, Inc. | Fault tolerant thin-film photovoltaic cell |
US4772564A (en) * | 1985-10-30 | 1988-09-20 | Astrosystems, Inc. | Fault tolerant thin-film photovoltaic cell fabrication process |
US4983423A (en) * | 1988-05-24 | 1991-01-08 | Ceramem Corporation | Method of forming a porous inorganic membrane on a porous support using a reactive inorganic binder |
US4971633A (en) * | 1989-09-26 | 1990-11-20 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Photovoltaic cell assembly |
US20060102891A1 (en) * | 2002-09-05 | 2006-05-18 | Christoph Brabec | Organic photovoltaic component and method for production thereof |
TWI240426B (en) * | 2005-01-13 | 2005-09-21 | Chung-Hua Li | Manufacturing method for laminated structure of solar cell, electrode of solar cell, and the solar cell |
KR100719554B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
JP2009502027A (ja) * | 2005-07-15 | 2009-01-22 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 回折用フォイル |
WO2010088446A2 (en) * | 2009-02-02 | 2010-08-05 | Dow Global Technologies Inc. | Robust photovoltaic cell |
WO2011135195A1 (fr) * | 2010-11-16 | 2011-11-03 | Arcelormittal Investigación Y Desarrollo Sl | Support d'alimentation pour dispositifs électroniques |
US10211385B2 (en) * | 2012-04-20 | 2019-02-19 | Rise Acreo Ab | Thermoelectric device |
EP2941347B1 (de) * | 2013-01-07 | 2021-06-02 | Corning Incorporated | Verstärkte verbundglasstrukturen |
US20150367607A1 (en) * | 2013-02-21 | 2015-12-24 | Corning Incorporated | Methods of forming strengthened sintered glass structures |
WO2014166082A1 (en) * | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Schott Glass Technologies (Suzhou) Co. Ltd. | Flexible glass/metal foil composite articles and production process thereof |
DE102015110107A1 (de) * | 2015-06-24 | 2016-12-29 | Schott Ag | Flexibler Verbundkörper, umfassend Glas und ein flexibles Substrat, sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1154752B (de) * | 1960-03-03 | 1963-09-19 | Wasagchemie Ag | Verfahren zur Herstellung von glasartigen poroesen Formkoerpern |
BE646554A (de) * | 1963-05-16 | 1964-10-14 | ||
US3330627A (en) * | 1963-09-09 | 1967-07-11 | Titanium Metals Corp | Corrosion resistant chlorinator lining |
US3523817A (en) * | 1967-07-17 | 1970-08-11 | Lisk Savory Corp | Anti-sticking enameled cooking utensil |
US3627560A (en) * | 1969-01-13 | 1971-12-14 | Fedders Corp | Self-cleaning cooking apparatus |
US3605999A (en) * | 1969-07-23 | 1971-09-20 | Aerojet General Co | Insulative coated metal substrates and apparatus for holding substrates |
JPS5113821A (en) * | 1974-07-24 | 1976-02-03 | Kogyo Gijutsuin | Tahohoro oyobi sonoseizohoho |
US4024309A (en) * | 1975-03-17 | 1977-05-17 | Ronald P. Wilder | Foam glass structural element and method of producing |
US3961997A (en) * | 1975-05-12 | 1976-06-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates |
JPS55154573U (de) * | 1979-04-20 | 1980-11-07 | ||
GB2054958A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-18 | Gen Electric Co Ltd | Substrate for a microwave integrated circuit |
CS219732B1 (en) * | 1981-01-21 | 1983-03-25 | Radomir Kuzel | Method of making the isolation coatings on the steel products |
DE3113745A1 (de) * | 1981-04-04 | 1982-10-21 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Duennschicht-dehnungsmessstreifen und verfahren zu seiner herstellung |
DE3280455T3 (de) * | 1981-11-04 | 2000-07-13 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo K.K., Osaka | Biegsame photovoltaische Vorrichtung. |
JPS5989772A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Matsushita Electric Works Ltd | ほうろう製品の製造法 |
-
1984
- 1984-03-07 JP JP59044554A patent/JPH0652795B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1984-07-19 US US06/632,559 patent/US4510195A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-25 AU AU31142/84A patent/AU553298B2/en not_active Ceased
- 1984-08-02 DE DE3428559A patent/DE3428559C2/de not_active Expired
- 1984-08-21 FR FR8413023A patent/FR2560818B1/fr not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0652795B2 (ja) | 1994-07-06 |
US4510195A (en) | 1985-04-09 |
DE3428559C3 (de) | 1991-12-12 |
JPS60189286A (ja) | 1985-09-26 |
AU553298B2 (en) | 1986-07-10 |
FR2560818A1 (fr) | 1985-09-13 |
DE3428559A1 (de) | 1985-09-12 |
AU3114284A (en) | 1985-09-12 |
FR2560818B1 (fr) | 1988-01-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3428559C2 (de) | Flexible, glasbeschichtete Substrate sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3612084C2 (de) | ||
DE2703956C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtkeramik | |
DE60038276T2 (de) | Vielschicht-Piezoelement und dessen Herstellungsverfahren | |
DE3705279C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Widerständen in Chip-Form | |
DE19628680C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Keramiksubstrats | |
DE102005026731B4 (de) | Mehrschichtchipvaristor | |
DE3851548T2 (de) | Keramisches Mehrschichtsubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE3621667C2 (de) | ||
DE3414065A1 (de) | Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung | |
DE3138718C2 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4021364A1 (de) | Monolithischer keramischer kondensator | |
DE4207915A1 (de) | Thermistorelement | |
DE3223736C2 (de) | Keramisches Dielektrikum | |
DE2730566C3 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3887731T2 (de) | Material für Widerstände und daraus hergestellter nichtlinearer Widerstand. | |
DE69818122T2 (de) | Paste für einen Dickschichtwiderstand | |
DE69433156T2 (de) | Varistor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3148809C2 (de) | Keramische Trägerplatte für feinlinige elektrische Schaltungen und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE68910640T2 (de) | Spannungsabhängiger nichtlinearer Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung. | |
DE2739762A1 (de) | Verfahren zur stabilisierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterkoerpern | |
DE69935963T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines ptc-chip-varistors | |
DE3119937A1 (de) | Keramischer mehrschichtkondensator | |
DE10204429A1 (de) | Elektronische Komponente und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69807426T2 (de) | Nichtlinearer Widerstand und sein Herstellungsverfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8366 | Restricted maintained after opposition proceedings | ||
8305 | Restricted maintenance of patent after opposition | ||
D4 | Patent maintained restricted | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |