DE3404741C2 - Halbleiterschalter zum Schalten einer Wechselspannung - Google Patents

Abstract

Ein Halbleiterschalter zum Schalten einer Wechselspannung mit verhältnismäßig hohen Spannungsamplituden (± 80 oder mehr Volt) enthält in einer Serienschaltung zwei bipolare Transistoren (T1, T2) gleicher Dotierungsfolge, die mit ihren Emitter zusammengeschaltet sind. Die Serienschaltung der Kollektor-Emitter-Strecken der beiden Transistoren bildet die Schaltstrecke. Parallel zur fußpunktseitigen Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors T2 ist eine Fußpunktdiode D1 geschaltet, mit der gleichen Stromflußpolung, wie die der Basis-Emitter-Dioden der Schaltertransistoren T1 und T2. Die Steuerelektroden B der Schaltertransistoren T1 und T2 sind mit dem Ausgang 8 einer schaltbaren, rückschlagfreien Gleichstromquelle 6 verbunden. Im Sperrzustand ist immer jeweils einer der Transistoren von der anliegenden Halbwelle im nichtinversen, eine hohe zu sperrende Spannung zulassenden Zustand belegt.

Description

dadurch gekennzeichnet,

- daß der KuUektor-Emitter-Strecke (CE) nur des fußpunktseitigen Transistors (72) eine Fußpunktdiode (Öl) in der gleichen Polungsrichtung parallel geschaltet ist, in der im Stromkreis die Basis-Emitter-Dioden der Transistoren (71, 72) gepolt sind,

- und daß der Steuerstrom r,/j) der steuernden Gleichstromquelle (6) so bemessen ist, daß einerseits die beiden bipolaren Transistoren (71, 72) in die Sättigung gesteuert werden, andererseits die vom Steuerstrom in der leitenden Schaltstrekke (3-4) erzeugten Offset-Spannung wesentlich kleiner ist als die ResspanntJg der Schaltstrecke.

2. Halbleiterschalter nach At ipruch 1, gekennzeichnet durch eine dem Ausgang (8) der schaltbaren Gleichstromquelle (6) nachgeschaltete, entgegen der Stromflußrichtung der Gleichstromquelle hochsperrende Diode (Dl).

3. Halbleiterschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuerelektrode (B) jedes der beiden Schaltertransistoren (71, 72) ein Widerstand (Rl, RZ) zur Symmetrierung des Steuerstromes (I₅) vorgeschaltet ist.

4. Halbleiterschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichstromquelle (6) ein bipolarer Transistor (73) in Emitterschaltung ist.

5. Halbleiterumschalter mit einem bipolaren Transistor, dessen Kollektor-Emitter-Strecke die erste Schaltstrecke bildet, und mit einem die zweite Schaltstrecke bildenden Halbleiterschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,

- daß der Kollektor (C) des Transistors (73) des in Serie geschalteten Transistorpaares (71, 72), zu dessen Kollektor-Emitter-Strecke die Fußpunktdiode (Dl) parallel geschaltet ist, der Mittelanschluß des Halbleiterumschalters (1-16) ist

- und daß zwischen diesen Mittelanschluß und die die erste Schaltstrecke (24) bildende Kollektor-Emitter-Strecke (CE) des Schalttransistors (74, 75) ein Widerstand (R6) geschaltet ist, der so bemessen ist, daß an ihm der gleiche durch den Steuerstrom des zugehörigen Transistors (74, 75) erzeugte Gleichspannungswert gebildet ist wie der Wert der Kollektor-Emitter-Gleichspannung, die am fußpunktseitigen Transistor (72) des Halbleiterschalters (1) durch den diesen Transistor durchfließenden Steuergleichstrom gebildet ist.

6. Halbleiterumschalter nach Anspruch 5,

dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen dem Mit telanscbluß und der Kollektor-Emitter-Strecke der ersten Schaltstrecke (24) angeordnete Widerstand

ίο (R6) durch Anschlußleitungen (22) abgreifbar ist.

Die Erfindung betrifft einen zum Schalten einer Wechselspannung vorgesehenen Halbleiterschalter nach dem Oberbegriff des Anspruches 1. Derartige Schalter werden beispielsweise zum Kurzschließen der Wechselspannungsein- oder -ausgänge von Wechsel- Spannungsschaltungen und zum Verbinden von Wech selspannungsschaltungen verwendet, wie beispielsweise der US-PS 39 59 817 zu entnehmen ist. Der Gegenstand dieser Druckschrift ist eine Schaltungsanordnung zum Anschluß von Magnetköpfen eines Recordergerätes an die Aufnahme- und Wiedergabeverstärker des Gerätes. Zum Kurzschließen der Wechselspannungsein- und -ausgänge der Verstärker wird bei dem bekannten Gerät jeweils die Kollektor-Emitter-Strecke eines bipolaren Transistors als Schaltstrecke benutzt. Im leitenden Zustand erhalten diese Transistoren an ihrem Steuerelektroden eine Steuerspannung von einer Steuerschaltung. Bei einem zwei Magnetköpfe des bekannten Gerätes miteinander verbindenden Halbleiterschalter besteht die Schaltstrecke aus zwei antiparallel zueinan der geschalteten Kollektor-Emitter-Strecken zweier bipolarer Transistoren, deren Steuerelektroden über je einen den Steuerelektroden vorgeschalteten Widerstand parallel angesteuert werden. Aus der Zeitschrift »Elektronik« '971, Heft 4, Seite 122 ist ein elektronischer Umschalter tür Wechselspannungen bekannt, dem ein Steuerte;· vorgeschaltet ist. Die Schaltstrecken des Umschalters bestehen jeweils aus der Kollektor-Emitter-Strecke je eines bipolaren Transistors, die von dem Steuerteil über Dioden getrennt an ihren Steuerelektroden angesteuert werden. Aus dieser Druckschrift ist ersichtlich, daß die Kollektor-Emitter-Strecke des durchlässig gesteuerten Schalttransistors durch den durch den Transistor fließenden Wechselstrom bei der einen Halbwelle normal und bei der anderen Halbwelle quasiinvers betrieben wird.

Im Sperrzustand sind an der Kollektor-Emitter-Strecke derartige bipolarer Transistoren verhältnismäßig hohe Spannungen zugelassen, wenn die Polarität dieser Spannung der Polarität für den Normalbetrieb des Transistors entspricht. Entspricht jedoch die Polarität dieser Spannung dem inversen Betrieb des Transistors, dann ist nur eine verhältnismäßig geringe Spannung von etwa höchstens 0,5 Volt, bei offener Basis 10 Volt an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors zugelassen. Bei einer höheren derartigen Spannung an der Kollektor-Emitter-Strecke verliert diese in diesem Fall ihre Sperrfähigkeit. Deshalb sind derartige, bipolare Transistoren enthaltende elektronische Schalter nur zum Schalten verhältnismäßig kleiner Wechselspan nungen geeignet.

Aus der DE-PS 28 08 707 ist zwar ein Halbleiterschalter zum Schalten einer hohen Wechselspannung bekannt. Als Schaltstrecke wird dort die Drain-Source-

Strecke eines Feldaffekttransistors verwendet. Damit dieser Schalter zum Schalten für verhältnismäßig große Amplituden von Wechselspannungen geeignet ist, ist über die Drain-Source-Strecke ein kapazitiver Spannungsteiler gelegt, dessen Mittelpunkt mit dem Gate des Feldeffekttransistors verbunden ist. Zur Erhöhung der für den Schalter zulässigen Amplitude der zu schaltenden Wechselspannung können mehrere derartige Schalter in Serie gelegt weiden. Diese Anordnung hat jedoch den Nadtteil, daß Feldeffekttransistorea wesentlieh teuerere Bauelemente sind als bipolare Transistoren und daß für die kapazitiven Spannungsteiler Kondensatoren erforderlich sind, die verhältnismäßig viel Raum beanspruchen und eine Integration der Schaltung erschweren. is

Ein Halbleiterschalter nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 ist aus der DE-AS 26 55 237 bekannt. Die Schaltstrecke dieses Halbleiterschalters besteht aus der Serienschaltung der Kollektor-Emitter-Strecke zweier gleichdotierter bipolarer Transistoren, die von einer gemeinsamen Stromquelle gesteuert werden. Der Halbleiterschalter ist nicht nur ran· Schalten verhältnismäßig hoher Wechselspannungen, sondern auch zum Schalten verhältnismäßig hoher Wechselströme vorgesehen. Da durch die Wechselströme im Inversbetrieb der bipolaren Transistoren verhältnismäßig hohe Restspannungen an der Kollektor-Emitter-Strecke abfallen, ist diesen Strecken je eine Diode antiparallel geschaltet, die erst oberhalb eines bestimmten Stromes wirksam wird und den darüber hinausgehenden Stromanteil übernimmt.

Zur Herabsetzung der unerwünschten Offset-Spannung die durch den Steuerstrom in der Schaltstrecke entsteht, ist an den Zusammenschluß der bipolaren Transistoren in dem bekannten Halbleiterschalter zusätzlich eine Konstantstromquelle über einen Widerstand angeschlossen, die ebenfalls über die steuernde Gleichspannungsquelle einschaltbar ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen elektronischen Halbleiterschalter anzugeben, der zum Schalten vo«i Wechselspannungen mit großer Amplitude, wenigstens ±50 bis 80 Volt, geeignet ist, aus möglichst wenigen, billigen Bauelementen herstellbar ist und leicht mit anderen Schaltungen auf einem Substrat zu einer integrierten Schaltung verarbeitet werden kann und dessen Offset-Spannung mit einfachsten Mitteln auf ein nicht störendes Maß herabgesetzt werden kann. Diese Aufgabe wird nach der Erfindung für einen im Oberbegriff des Anspruches 1 angegebenen elektronischen Halbleiterschalter durch die Merkmale des kennzeichnenden Teils des Anspruches 1 gelöst.

Ein Schalter nach der Erfindung besteht im wesentlichen nur aus zwei hochsperrenden bipolaren Transistoren und einer Fußpunktdiode, das heißt lediglich aus drei Halbleiterbauelementen des gleichen Halbleitertypes. Diese Halbleiterbauelemente erfordern keine hochohmigen Widerstände und benötigen lediglich drei Anschlußpunkte, so daß sie ohne Schwierigkeiten auf einem Substrat mit anderen gleichartigen Halbleiterbauelementen isoliert oder mit anderen Schaltungen verbunden zu einem integrierten Schaltungsbauelement verarbeitet werden können.

Die Unteransprüche 2 bis 4 kennzeichdnen vorteilhafte Ausgestaltungen eines Halbleiterschalters nach der Erfindung oder der diesen vorgeschalteten Steuerschaltung. Die Ansprüche 5 und 6 beinhalten die Ausgestaltung eines Halbleiterumschalters zum Schalten von Wechselspannungeii mit bipolaren Transistoren, in dem eine Schaltstrecke mit einem HalbSeiterschalter gemäß der Erfindung ausgebildet ist.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert und weitere Vorteile der Erfindung herausgestellt. In der zugehörigen Zeichnung zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild eines Halbleiterschalters mit einer vorgeschalteten Steuerschaltung,

Fig. 2 ein Schaltbild einer Aufnahme-Wiedergabe-Umschaltungsanordnung für die Aufnahme-Wiedergabe-Tonköpfe eines Stereotonbandgerätes, in der Halbleiterschalter nach Fig. 1 enthalten sind.

In Fig. 1 ist ein Halbleiterschalter 1 mit den bipolaren Transistoren 71, 72, einer parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke EC des Transistors 72 geschalteten Fußpunktdiode Dl und mit zwei an die Steuerelektrode B der Transistoren 71 und 72 angeschlossenen Widerstände Al und R2 dargestellt. Die Steuerelektrode B der Transistoren 71 und 72 sind über die Widerstände Rl und RZ an den Steuereingang 2 des Halbleiterschalters 1 angeschlossen. Die Kollekt -Emitter-Strecken CE der beiden Transistoren 71 und 72 liegen zueinander entgegengesetzt gerichtet in Serie, so daß sie an den Emitter E zusammengeschaltet und mit der Fußpunktdiode verbunden sind. Die Strecke über die Kollektoren C der beiden Transistoren 71 und 72 bilden die Schaltstrecke 3-4, an die eine Wechselspannungsquelle 5 angeschlossen ist.

An den Steuereingang 2 des Halbleiterschalters 1 ist über eine Sperrdiode DT. eine Gleichstromquelle 6 angeschlossen, die mittels eines mechanischen oder elektronischen Schalters 7 ein- und ausschaltbar ist. Die Gleichstromquelle 6 enthält im wesentlichen einen bipolaren Transistor 73 in Emitterschaltung, dessen Kollektor C den Ausgang 8 der Gleichstromquelle bildet und dessen Emitter und Basis jeweils über einen Widerstand R3 und A4 an eine Betriebsspannungsquelle 9 mit der Betriebsgleichspannung U_B angeschlossen ist. Außerdem ist die Basis B des Transistors 73 der Gleichstromquelle 6 über einen Widerstand RS und den Schalter 7 mit einer Fußpunktleitung 10 verbunden, an die die Betriebsspannungsquelle 9 ebenfalls angeschlossen ist und mit der der Halbleiterschalter 1 am Kollektor C des fußpunktseitigen Transistors 72 verbunden ist.

Bei offenem Schalter 7 bleibt der Transistor 73 der Gleichstromquelle 6 stromlos, so daß aie Gleicnstromquelle ausgeschaltet ist und die Steuerelektroden der Transistoren 71 und 72 im Halbleiterschalter 1 stromlos sind. Liegt die eine Halbwelle der Spannung der Wechselspannungsquelle 5 an der Schaltstrecke 3-4 des Halbleiterschalters 1, so daß beispielsweise der Anschlußpunkt 3 gegenüber dem Anschlußpunkt 4 der Schaltstrecke positiv ist, dann liegt die Spannung dieser Halbwelle in Sinne einer normalen Betriebsspannung über die in Flußrichtung gepolte Fußpunktdiode Dl an der Kollektor-Emitter Strecke CE des hochgelegenen Transistors 71. Dieser Transistor 71 ist damit in einem Zustand, in dem er an seiner Kollektor-Emitter-Strecke CE eine hohe Spannung sperrt, unabhängig vom Sperrzustand des fußpunktseitigen Transistors 72 des Halbleiterschaltors 1. Die für eine hohe Sperrspannung bemessene Sperrdiode Dl verhindert, daß durrji vagabundierende Ströme eine Spannung der positiven Halbwelle am Anschlußpunkt 3 zum Kollektor C des Transistors 73 in der Gleichstromquelle 6 gelangt und den Transistor 73 in den -inversen Betriebszustand setzt und dadurch gegebenenfalls den Sperrzustand des Transistors 71 im Halbleiterschalter 1 stört.

Bei der negativen Halbwolle an der Schaltstrecke 3-4 des Halbleiterschalters 1 erhält die Kollektor-Emitter-Strecke CE des hochgesetzten Transistors 71 eine dem inversen Betriebszustand entsprechende Betriebsspannung durch die negative Halbwelle und die Kollektor- Emitter-Strecke CE des fußpunktseitigen Transistors 72 eine dem normalen Betriebszustand entsprechende Betriebsspannung durch die negative Halbwelle. Sowohl die Fußpunktdiode Dl als auch die normal betriebene Kollektor-Emitter-Strecke CE des fußrjunktseitigen Transistors Tl sind für die Sperrung einer hohen angelegten Spannung eingerichtet. Sie übernehmen im wesentlichen die Sperrung der negativen Halbwelle, gleichgültig, welchen Sperrzustand dabei der fußpunktferne Transistor 71 in seinem quasiinversen \s Betriebszustand einnimmt. Da die Spannung U„ der Betriebsspannungsquelle 9 im allgemeinen wesentlich geringer ist als die Amplitude der von der Wechselspannungsquelle 5 erzeugten Wechselspannung, ist die Sperrdiode Dl wenigstens während eines Teiles der negativen Halbwelle in Flußrichtung geschaltet. Deshalb muß die Kollektor-Emitter-Strecke CE des Transistors 73 der Gleichstromquelle 6 zur Sperrung einer der Amplitude der Wechselspannung der Wechselspannungsquelle 5 entsprechenden Spannung geeignet sein, um eine Störung des Sperrzustandes des fußpunktseitigen Transistors 72 des Halbleiterschalters 1 zu verhindern.

Durch Schließen des Schalters 7 am Steuereingang der Gleichstromquelle 6 wird der Transistor 73 dieser Gleichstromquelle leitend und die Gleichstromquelle 6 damit eingeschaltet. Die Fußpunktdiode Dl und die Sperrdiode Dl liegen in Flußrichtung im Stromkreis des Stromes der Gleichstromquelle 6, ebenso die Basis-Emitter-Dioden der Schaittransistoren 71 und 72 des Halbleiterschalters 1. Die Widerstände Al und Rl vor den Steuerelektroden B der beiden Transistoren des Haibieiterschaiters i dienen zur gleichmäßigen Aufteilung der Steuerströme auf die beiden Transistoren. Der von der Gleichstromquelle 6 gelieferte Strom I₅ ist so -to bemessen. daß die beiden Transistoren 71 und 72 des Halbleiterschalters 1 in die Sättigung gesteuert werden. Sobald die Sättigungsspannung an der Kollektor-Emitter-Strecke CE des fußpunktseitigen Transistors 72 kleiner wird als die Flußspannung an der Fußpunktdiode Dl, geht die Fußpunktdiode Dl in den Sperrzustand über. Dadurch fließen die Steuerströme der Transistoren 71 und 72 des Halbleiterschalters 1 durch die als reiner Halbleiterwiderstand wirkende Kollektor-Emitter-Strecke des fußpunktseitigen Transistors 72 und erzeugen an diesem eine geringe Offset-Gleichspannung. Der Steuerstrom /_s aus der Gleichstromquelle 6 ist außerdem so bemessen, daß diese Offset-Spannung möglichst gering ist, z. B. kleiner als 20 Millivolt und außerdem eine nur geringe Rauschspannung an der Schaltstrecke 3-4 entsteht.

In Fig. 2 ist eine Schaltungsanordnung zum Umschalten von Aufnahme- und Wiedergabeverstärkem an die Kombinationsmagnetköpfe 11 und 12 eines für Stereoaufnahme- und -wiedergabe vorgesehenen Magnetton- bandgerätes dargestellt. Sowohl im rechten, mit Index »r« bezeichneten, als auch im linken, mit Index »I« bezeichneten Stereokanal ist je ein Aufnahmeverstärker 14 und ein Wiedergabeverstärker 13 angeordnet, die an die Wicklung 15 der Kombinationsmagnetköpfe angeschlossen sind. Parallel zum Eingang des Wiedergabeverstärkers 13 ist die Schaltstrecke eines elektronischen Schalters 16 geschaltet, dessen Schaltstrecke von den antiparallel geschalteten Kollektor-Emitter-Strekken zweier bipolarer Transistoren 74 und 75 gebildet ist und mit dem der Eingang des Wiedergabeverstärkers wechselstrommäßig kurzgeschlossen werden kann. Der Aufnahmeverstärker 14 und der Wiedergabeverstärker 13 sowie der elektronische Schalter 16 sind einseitig an die Fußpunktleitung 10 (Masse) der Schaltung angeschlossen. Das Ende der Wicklung 15 der Kombinationsmagnetköpfe 11 und 12, an das der Ausgang des Aufnahmeverstärkers 14 angeschlossen ist und das mit dem Ausgang eines Wechselspannungsgenerators 17 für die HF-Vormagnetisierung des Magnetbandes in Verbindung steht, ist über einen Halbleiterschalter 1. der dein in Fig. 1 dargestellten Halbleiterschalter 1 entspricht, mit der Fußpunktleitung 10 verbunden. Die Schaltstrecken der beiden Halbleiterschalter 1 und 16 sind mit ihrem Fußpunkt an die gemeinsame Fußpunktleitung 10 angeschlossen und werden von einer Steuerschaltung 18 so gesteuert, daß sie die Schaltstrecken eines Umschalters zum Schalten für Wechselspannung bilden. Die Steuerschaltung 18 besteht im wesentlichen aus einem von zwei Transistoren 76 und 77 gebildeten Umschalter, der von einer aus einem Transistor 78 und Konstantspannungsdioden D3 bis D6 gebildeten Konstantstromquelle gespeist wird. Die Steuerelektroden des Umschalters 76/77 sind so an die Konstantspan· nungsquelle D3 bis D6 angeschlossen, daß der Transistor 77 leitend ist und die Gleichstromquellen 6 für die Halbleiterschalter 1 einschaltet. Die Halbleiterschalter 1 sind damit durchlässig gesteuert, so daß sie den Ausgang der Aufnahmeverstärker 14 an die Fußpunktleitung 10 schalten. Gleichzeitig wird über den gesperrten Transistor 6 der Steuertransistor 79 für den elektronischen Schalter 16 gesperrt, so daß die Schaltstrerke des elektronischen Schalters 16 sich im Sperrzustand befindet. Dadurch ist der Wiedergabeverstärker 13 an die Wicklung 15 des zugehörigen Kombinationsmagnetkopfes angeschlossen.

Zur Aufzeichnung einer Information auf das Magnetband wird mittels eines mechanischen oder elektronischen Schalters 19 der Wechselspannungsgenerator 17 für die HF-Vormagnetisierung eingeschaltet. Die Ausgangsspannung des Wechselspannungsgenerators 17 gelangt über einen Verstärker 20 an einen Gleichrichter 21 und wird von diesem in eine Steuerspannung umgesetzt, die den Gleichspannungsschalter 76/77 in der Steuerschaltung 18 umschaltet. Dadurch gelangt der Halbleiterschalter 1 in den Sperrzustand und der elektronische Schalter 16 in den leitenden Zustand. Letzterer schaltet die Seite der Wicklung 15 der Kombinationsmagnetköpfe, an den der Eingang des Wieder^ Aeverstärkers 13 angeschlossen ist, an die Fußpunktleitung 10. An der Schaltstrecke des Halbleiterschalters 1 liegt nun die volle Wechselspannung, die vom Wechselspannungsgenerator 17 über einen Entkopplungsverstärker 21 an die Wicklung 15 der Kombinationsmagnetköpfe gelangt.

Zur Vermeidung von Störungen beim Umschalten der Schaltstrecken der Schalter 1 und 16 ist die Steuerschaltung 18 so ausgebildet, daß während des Umschaltvorganges sowohl die Schaltstrecke des Halbleiterschalters 1 als auch die Schaltstrecke des elektronischen Schalters 16 im leitenden Zustand sind. Zwischen den Fußpunkt des elektronischen Schalters 16 und die Fußpunktleitung 10 ist außerdem ein Fußpunktwiderstand R6 eingeschaltet, der so bemessen ist, daß an ihm infolge des Steuerstromes in dem leitend gesteuerten elektronischen Schalter eine Gleichspannungskompo-

nente abfällt, die so groß ist, wie die Offset-Gleichspannung der in leitendem Zustand befindlichen Schaltstrecke des Halbleiterschalters 1. Dadurch entstehen beim Umschalten d?r beiden Schaltstrecken keine störenden Gleichspannungssprünge. Dieser Fußpunktwi- s derstand /76 kann gleichzeitig zur Messung und Einstellung des Vormagnetisierungsstromes durch die Wicklung 15 verwendet werden. Für die Durchführung dieser Messung ist ein Anschluß 22 an diesem Widerstand vorgesehen. iu

Die in Fig. 2 in der strichpunktierten Umrehmung 23 befindlichen Transistoren und Dioden sind sämtliche in bipolarer Transistortechnik ausgebildet und beispielsweise auf einem einzigen Substrat eines integrierten Schaltkreisbauelementes aufgebracht. Zusammen mit den in der Umrahmung 23 enthaltenen Widerständen bilden sie eine integrierte Schaltung, die im dargestellten Ausführungsbeispiel höchstens neun Anschlüsse benötigt. Eine diesem Beispiel entsprechende integrierte Schaltung ist einfach und preiswert herzustellen.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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30

50

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Claims (1)

Patentansprüche:

1. Halbleiterschalter zum Schalten einer Wechselspannung

- mit einer aus der Serienschaltung der Kollektor-Emitter-Strecke zweier in der gleichen Dotierungsfolge dotierter bipolarer Transistoren gebildeten Schaltstrecke, in der die Emitter der beiden bipolaren Transistoren zusammengeschaltet sind und in der die Steuerelektroden der beiden Transistoren parallel an den Ausgang einer schaltbaren Gleichstromquelle angeschlossen sind,

- und mit Dioden, die der Kollektor-Emitter-Strekke der Transistoren entgegengesetzt parallel geschaltet sind,