DE1907669C3

DE1907669C3 - Temperaturkompensierte emittergekoppelte Schaltungsanordnung

Info

Publication number: DE1907669C3
Application number: DE1907669A
Authority: DE
Inventors: Richard Charles Ilford Essex Foss (Grossbritannien)
Original assignee: PLESSEY CO Ltd ILFORD ESSEX (GROSSBRITANNIEN)
Current assignee: Plessey Co Ltd
Priority date: 1968-02-16
Filing date: 1969-02-15
Publication date: 1979-03-29
Also published as: DE1907669A1; DE1907669B2; GB1251959A; FR2002029A1; NL6902432A; US3579272A; NL161942C; NL161942B

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine temperaturkompensierte emittergekoppelte Schaltungsanordnung mit

ίο einem Stromübernahmeschalter aus zwei Transistoren, mit deren Kollektor jeweils ein Lastelement verbunden ist und an deren Emitter eine Stromstabilisierungsvorrichtung angeschlossen ist, und einem als Emitterfolger geschalteten Transistor, dessen Basis mit dem Kollektor

is des einen Transistors des Stromübernahmeschalters verbunden ist.

Aus der US-PS 32 59 761 ist bereits eine solche Schaltungsanordnung bekannt Der Stromübernahmeschalter dieser bekannten Schaltungsanordnung weist zwei Transistoren auf, deren Kollektoranschlüsse jeweils mit einem Lastelement verbunden sind. An die miteinander verbundenen Emitteranschlüsse der Transistoren ist eine Stromsiabiiisierungsvorrichtung angeschlossen. Das Ausgangssignal der Schaltungsanordnung wird über einen als Emitterfolger geschalteten Transistor abgegeben, dessen Basis mit dem Kollektor eines der zwei Transistoren des Stromübernahmeschalters verbunden ist Das Eingangssignal wird der Basis eines der beiden Transistoren des Stromübernahmeschalters zugeführt, während an der Basis des anderen Transistors eine konstante Bezugsspannung anliegt, die die Schaltschwello des Schalters festlegt. Die in der bekannten Schaltungsanordnung angewendete Temperaturkompensationsschaltung hat den Zweck, die Bezugsspannung jeweils so einzustellen, daß Temperaturschwankungen entgegengewirkt wird. Zur Erzielung dieser Bezugsspannungseinstellung werden Dioden angewendet. Die Verwendung von Dioden zur Temperaturkompensation läßt zwangsläufig keine vollkommene Kompensation zu. da das die Störung verursachende Bauelement, also ein Transistor, uik! das Kompensationsbauelement, also eine Diode, verschiedenartig sind und somit zwangsläufig ein verschiedenartiges Temperaturverhalten haben.

<r> Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs geschilderten Art so auszugestalten, daß mit äußerst geringem Aufwand eine exakte Temperaturkompensation erzielt wird.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe gelöst durch

ίο einen Kompensationstiansistor mit gleichen elektrischen Eigenschaften wie der als Fmitterfolger geschaltete Transistor, wobei der Kollektor des Kompensationstransistors mit dem Kollektor des einen Transistors d;s Stromübernahmeschalters verbunden ist, so daß beim Anlegen einer stabilen Spannung an die Basis des Kompensationstransislors ein Strom durch das mit dem Kollektor des einen Transistors des Stromübernahmeschalters verbundenen Lastelements fließt, der temperaturabhängig ist und einen solchen Wert hat, daß

to temperaturabhängige .Spannungsänderungen am Basis-Emitter-Übergang des als fimitterfolger geschalteten Transistors kompensiert werden,
j Die bei der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung ^!als Folge von Temperaturschwankungen auftretende Störgröße ist die zwischen der Basis und dem Emitter des als Emitterfolger geschalteten Transistors auftre^ tende Spannung. Diese Spannung ändert sich mit der Temperatur, so daß sich demzufolge auch die Spannung

am Schalmngsausgang ändert Bei der erfindunjisgemäßen Schaltungsanordnung sind die Basis-Emitter-Spannungen am Kompensationstransistor und an dem als Emitterfolger geschalteten Transistor bei gleichen Eigenschaften dieser Transistoren gleich, so daß sie sich am Ausgang der Schaltungsanordnung gegenseitig aufheben. Gleiche elektrische Eigenschaften den Kompensationstransistors und des als Emitterfolger geschalteten Transistors lassen sich äußerst einfach erreichen, da sie bei der Herstellung in Form einer integrierten in Schaltung in tinem einzigen Arbeitsgang unter Anwendung der gleichen Arbeitsschritte und bei gleichen Bedingungen hergestellt werden.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet. ι ί

Die Erfindung wird nun anhand der Zeichnung beispielshalber erläutert Es zeigt

Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten emittergekoppelten Schaltungsanordnung,

F i g. 2 das Schaltbild einer temperaturkompensierten jn emittergekoppelten Schaltungsanordnung nach der Erfindung,

F i g. 3 und 4 weitere Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung.

Das Schaltbild von F i g. 1 zeigt eine emittergekoppelt >-, ie Schaltungsanordnung, die zwei gleichartige, in gestrichelten Kästchen 1 und 24 enthaltene Abschnitte sowie eine ebenfalls in einem gestrichelten Kästchen enthaltene Spannungsbestimmiingsschaltung aufweist. Da die in den Kästchen 1 und 1/4 enthaltenen jn Schaltungen gleichartig aufgebaut sind, betrifft die folgende Erörterung nur die Schaltung im gestrichelten Kästchen 1. Diese Schaltung enthält ein als Stromübernahmeschalter wirkendes Gegentakttransistorpaar, das vrm Transistor 3 und (wie noch beschrieben wird) von η aen parallel geschalteten Transistoren 4, 4a. 46 oder 4c gebildet wird. Ein in der gemeinsamen Emitterleitung liegender Widerstand 5 ist zwischen einer negativen Versorgungsleitung und den Emittern der Transistoren 4a, 4b. 4c. 4 und 3 des Gegentakttransistorpaars -in eingeschaltet, und Lastwiderstände 6 und 7 sind mit dem Kollektor oes Transistors 3 bzw. mit dem Verbindungspunkt der Kollektoren der Transistoren 4a. 4b, 4cund 4 des Gegentakttransistorpaares verbunden. Die Basis des Transistors 3 ist mit dem Emitter des Transistors 8 4'> verbunden, der einen Teil der Spannungsbestimmungsschaltung 2 bildet, wodurch die an der Basis des Transistors 3 liegende Spannung und somit die Schaltschwelle des Gegentakttransistorpaares festgelegt ist. Die an den l.astwidersländen 6 und 7 des in Gegentakttransistorpaares auftretenden Spannungen werden so über als Emitterfolger geschaltete Transistoren 9 und IO geführt, daß sie NOR- bzw. OR-Ausgangssignale darstellen. Wenn also die Spannung, die an irgendeine der mit den Basisanschlüssen der Transisto- v, ren 4a, 4b, 4c und 4 verbundenen Eingangsklemmen A. B. C bzw. D angelegt ist, die am Transistor 3 liegende Bezugsspannung überschreitet, steigt die Spannung am OR-Ausgang zum oberen logischen Pegel an. da der Transistor 4a, 4b, 4c oder 4 leitend sein kann, während t>o der NOR-Ausgang auf den unteren logischen Pegel absinkt, da der Transistor 3 gesperrt ist,

Die Wirkungsweise derartiger Schaltungen ist bekannt, so daß eine weitere Erklärung für das Verständnis der Erfindung nicht für notwendig gehalten wird. Diese bekannten Schallungen Weisen jedoch ernste Machteile auf. Einer dieser Nachteile besteht darin, daß die Spannung an den Basis-Emitter-Übergängen der als Emitterfolger geschalteten Transistoren 10 und 9 einer temperaturabhängigen Änderung von etwa 2 Millivolt pro Grad Celsius unterworfen ist, so daß die logische Schaltschwelle, wenn diese in der Mitte d-s logischen Hubs bleiben soll, mit einem gleichartigen Koeffizienten behaftet ist. Wegen dieses Nachteils müssen für verschiedene Temperaturen verschiedene logische Pegel angegeben werden, und bei hohen Temperaturen könnte der Eingangstransistor in den Sättigungsbereich gelangen.

Ein weiterer Nachteil der in F i g. 1 dargestellten Schaltung besteht darin, daß sich bei der durch den Widerstand 5 erzielten einfachen ohmschen Emitterkopplung der Kopplungsstrom mit der Eingangsspannung und der Temperatur ändern kann. Dies bewirkt eine Abweichung vom oberen logischen Pegel mit etwa 2 Millivolt pro Grad Celsius und eine Erniedrigung des unteren logischen Pegels. Außerdem wird es dadurch noch wahrscheinlicher, daß die Schaltungen bei hohen Temperaturen in den Sättigungsbereich gelangen.

In Fig.2 ist das Beispiel einer Schaltung dargestellt, die die obenerwähnten Nachteil der bekannten Anordnung im wesentlichen beseitigt. -3as emittergekoppelte, als Stromübernahmeschalter wirkende Gegentakttransistorpaar dieser Schaltung wird vnn den Transistoren 12a. 126.12cund 12 und vom Transistor 11 gebild :. Die Last der parallelgeschalteten Transistoren 12a. 12f>. 12c- und 12 bildet ein Widerstand 14. Der Emitterstrom //für den Emitterfolger wird den Emittern der Transistoren 12, 12a. 12f>. 12t· und ti über den Kollektor eines Stabilisierungstransistors 15 zugeführt, dessen Emitter über einen Widerstand 16 mit einer negativen Versorgungsleitung in Verbindung steht und dessen Bas's an eine konstante Spannung gelegt ist. die von einer Spannungsstabilisierungsvorrichtung aus in Serie geschalteten Dioden 17, 18, 19 und 20 und aus Widerständen 21 und 22 hergeleitet wird. Ein Transistor 23 wird an seiner Basis vom Verbindungspunkt der Dioden 18 und 19 mit einer konstanten Spannung gespeist. Zwischen den Kollektor und den Emiuer des Transistors 23 fließt daher ein im wesentlichen konstanter Strom, damit an der Basis des Transistors 11 eine im wesentlichen konstante Spannung erzielt wird, die an dem Verbindungspunkt des Kollektors des Transistors 23 und des Widerstands 24 anliegt, der an seinem anderen Ende mit der an Null liegenden Versorgungsleitung verbunden ist.

Man erkennt, daß bis hierher eine Schaltung geschaffen worden ist. die im Transistorpaar des Stromübernahmeschalters einen konstanten Emitterstrom und an der Basis des Transistors 11 eine konstante Bezugsspannung erzeugt, damit die Schaltschwellc festgelegt wird.

Damit die nachteilige Änderung der Spannung an den Basi.-Emitter-Übergängen der als Emitterfolger geschalteten Transistoren 27 und 28 beseitigt wird, über die die logischen Ausgangspegel an die K'emmen 29 bzw. 30 gelegt werden, sind Kompensationstransisloreii 31 und 32 angebracht, an deren Basis über den Verbindungspur.kt der Widerstände 25 und 26 jeweils eine konstante Spannung liegt. Die Emitter der Kompensationstransistoren 31 und 32 sind jeweils über Widerstände 33 bzw. 34 mit der negativen Versorgungsleitung verbunden, während ihre Köllektoranschlüsso mit den Kollektoren der Transistoren 12 bzw. 11 Verbunden sind.

Es sei nun die Arbeitsweise des Kompensationstransistors 32 betrachtet, und es wird erläutert, wie

Änderungen der Spannung am Basis-Emilter-Übcrgang des Transistors 27 kompensiert werden. Vorausgesetzt, daß sich die Spannung am Basis-Emiltcr-Übergang des Kompensationstransistors 32 in gleicher Weise mit der Temperatur ändert wie Spannung am Basis-Emitter- > Übergang des Transistors 27 und daß der Emitterwiderstand 34 des Kompensationslransistors 32 gleich dem Kollektorwiderstand 14 des Transistors 11 ist, wird jede mit der Temperatur erfolgende Änderung der Spannung am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 27 kornpensiert. Wenn beispielsweise eine konstante Spannung von 0.8 Volt an der Basis des Kompensationstransistors ,32 liegt, tritt an seinem Emitier eine Spannung von 0,8 Voll- Vm (wobei Vm gleich der Spannung zwischen Basis und Emitier ist) auf, und da die Widerslände 34 ti und 14 gleich sind, erscheint an der Basis des Transistors 27 der Spannungsabfall am Widerstand 14 von 0,8 Volt- Vm. Man kann also leicht erkennen, daß die Spannung an der Ausgangskiemme 29 einen Wert von 0,8 Volt hai. Dies ist tatsächlich der obere logische m Pegel, wobei der unlere logische Pegel gleich 0,8 Volt plus dem Produkt des Emitterstroms Ii und dem Wert des Kollektorwiderstands 14 ist. Wenn die Transistoren 32 und 27 durch die Technik der integrierten Schaltungen hergestellt werden, können sie im wesentlichen gleichartig gemacht werden, was die Beseitigung dor Änderung der Spannung Vr/ mit der Temperatur erleichtert.

In Fig. 3 ist ein Schallbild einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung darge- w stellt. Die genaue Wirkungsweise dieser Schaltung wird im einzelnen nicht näher erläutert, da sie aus der Beschreibung der Fig. 1 und 2 ganz offensichtlich ist. insbesondere wird der Emilterstrom I des von den Transistoren 34, 35, 35a, 356 sowie 35c gebildeten Stromübernahmeschalters vom Stabilisierungstransistor 36 konstant gehalten, dessen Basisspannung von einer Spannungsteilerschaltung aus den Widerständen 37 und 38 und den Transistoren 39 und 40 bestimmt wird, die in Serie geschaltet sind, wobei ihre Basis- und Kollektoranschlüsse miteinander verbunden sind, so daß sie Dioden bilden.

Die Widerstände 41, 42 und 43 stellen eine weitere Spannungsteilerschaltung dar. die einerseits die Bezugsspannung an der Basis des Transistors 34 des Gegentakttransistorpaares und andererseits die an der Basis der Transistoren 44 und 45 liegende Spannung bestimmen. Die Transistoren 44 und 45 haben die gleichen elektrischen Eigenschaften wie die als Emitterfolger geschalteten Ausgangstransistoren 46 und 47, und die Emitterwideritcnde 48 und 49 der Transistoren 44 und 45 haben dieselben Werte wie die Lastwiderstände 50 und 51 des Stromübernahmeschalters. Man erkennt daher, daß die an den Punkten 52 und 53 liegende Spannung den oberen logischen Pegel bildet, der an der einen oder der anderen AusgangskSemme 54 und 55 erscheint

In Fig.4 ist eine UND/ODER-Schaltung dargestellt, bei der zwei als Stromübernahmeschalter wirkende Transistorpaare, die jeweils eine ODER-Funktion besitzen, mit einem gemeinsamen Lastelement verbunden sind, so daß zusätzlich eine UND-Funktion erzielt wird.

Die Schaltung enthält einen ersten emittergekoppelten Stromübernahmeschalter, der Transistoren 56, 57 und 58 enthält, deren jeweilige Basisanschlüsse ODER-Eingänge U. Kund Umbilden, während ihre Kollektoranschlüsse mit einem gemeinsamen Lastwiderstand 59 verbunden sind. Die Anordnung der Transistoren 56, 57 und 58 bildet die eine Hälfte des Stromübcrnahineschalters, Und die andere Hälfte wird von einem Transistor 60 gebildet, dessen Basis an einer Bezugsspannung V/m liegt, und dessen Kollektor mit einem Laslwiderstand R verbunden ist; Die Emitter der Transistoren 56, 57, 58 und 60 sind mit einer Konstanlstromqucllc 61 verbunden.

Ein zweiter Slromübernahmeschalter enthält die Transistoren 62, 63 und 64, die den Transistoren 56, 57 und 58 entsprechen, und es besitzt ODER-Eingänge X, Y bzw. Z. Mit den Kollektoren der Transistoren 62, 63 und 64 ist ein Lastwiderstand 65 verbunden. Die zweite Hälfte des Stromübernahmeschalters wird vun einem Transistor 66 gebildet, dessen Emitter zusammen mil den Emitteranschlüssen der Transistoren 62, 63 und 64 an eine Konstantstromquelle 67 angeschlossen ist.

An der Basis des Transistors 66 liegt die Bczugsspaiinung Ve/!, die auch an der Basis des Transistors öü iicgi. Der Kollektor des Transistors 66 ist mit dem Kollektor des Transistors 60 verbunden.

Wie zu erkennen ist. arbeilet die Schaltung als eine UND/ODER-Schaltung. Wenn also die Eingangsklemmen i/oder Köder Wund A oder Köder Zposilivcr als die Bezugsspannung VnB gemacht werden, werden die Transistoren 60 und 66 gesperrt, und die Spannung an ihren Kollektoranschlüssen steigt auf einen oberen logische.» Pegel an.

Da der Strom für die Transistoren 60 und 66 über einen Widerstand R zugeführt wird, besitzt der negative logische Pegel, der auftritt, wenn beide Transistoren leitend sind, in vielen Anwendungsfällen leicht einen zu negativen Wert. Daher ist in dieser Schaltung eine Klemmschaltung zum Festhalten des unteren logischen Pegels enthalten, die temperaturkompensierl ist und die später noch beschrieben wird.

Das logische Ausgangssignal der Schaltung wird der Ausgangsklemme 68 über einen als Emitterfolger geschalteten Transistor 69 zugeführt, an dessen Basis der am Widerstand R abfallende logische Pegel angelegt wird. Die Temperaturkompensation, die im Zusammenhang mit Fig.2 und 3 beschrieben worden ist, wird hier vom Kompensationstransistor 70 erzielt, dessen Kollektor mit der Basis des Transistors 69 verbunden ist. wobei ein dem Widerstand R gleicher Widerstand R1 zwischen dessen Emitter und der negativen Versorgungsleitung eingeschaltet ist. An der Basis des Transistors 70 liegt eine konstante Bezugsspannung Vr. Im gesperrten Zustand des Transistors 60 kann der am Widerstand R abfallende obere logische Pegel wie folgt berechnet werden.

Wenn die Bezugsspannung Vr einen Wert von 0,8 Volt hat, dann besitzt die am Widerstand R 1 abfallende Spannung am Emitter des Kompensationstransistors 70 einen Wert von 0,8 Volt— Vbe (wobei Vbf gleich der Basis-Emitter-Spannung dieses Transistors 70 ist). Die Spannung am Widerstand R ist deshalb ebenfalls 0.8 Volt — Vbf, da R gleich R 1 ist. Wenn die Spannung Vsr des Transistors 70 gleich der Spannung Vbe des Transistors 69 ist, dann ist auch der obere logische Pegel an der Ausgangsklemme 68 gleich 0,8 Volt, und die Spannung Vbe wird eliminiert. Auf diese Weise ist der obere logische Pegel im wesentlichen temperaturunabhängig. Die Temperaturkompensation wird also entsprechend der Beschreibung von F i g. 2 und 3 erzielt.

Der untere logische Pegel wird entsprechend dem obigen Hinweis festgehalten. Die Klemmschaltung enthält den Transistor 71, dessen Emitter mit der Basis 1

des Transistors 69 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 71 ist direkt mit der auf dem Potential Null liegenden Versorgungsleitung veföunden, und die Basis des Transistors 71 ist an den Verbindungspunkl eines

Widerstandes^und des Kollektors eines Transistors 72 angeschlossen. An der Basis des Transistors 72 liegt die konstante Bezugsspaiiriung Vr-r mit der negativen

Versorgungsleitung Verbunden. Der negative logische Pegel, der am Widersland R und an der Ausgangsklemme 68 auftritt, wird folgendermaßen hergeleitet. Wenn die Bezugsspannung Kran der Basis des Transistors 72 einen Wert von 0,8 Volt besitzt, dann ist auch die am Emitter des Transistors 72 als Spannungsabfall am

Widersland -r- auftretende

Volt—

Spannung gleich 0,8

Die Spannung am Widerstand — besitzt

daher einen Wert von 1,6 Volt —2 Kße(wobei Vergleich der Spannung am Basis-Emitter-Übergang des Transistors 72 ist). Wenn die Basis-Emitter-Spannung Ve^ des Transistors 71 gleich der Basis-Emitter-Spannung des Transistors 72 ist, dann ist die am Emitter des Transistors 71 als Spannungsabfall über den Widerstand

R gemessene Spannung (d. h. der untere logische Pegel an Abgleich 1,6 Volt- Vbe·

Es ist daher leicht zu erkennen, daß die Basis-Emitter-Spannung Vbe eliminiert wird, wenn der Transistor 69 eng an die Transistoren 71 und 72 angepaßt ist, so daß der logische Ausgangspegel an der Klemme 68 eineri Wert Von 1,6 Volt besitzt.

Auf diese Weise wird der untere logische Pegel von einer temperaturkompensierten Schaltung festgehalten,

ίο die in deutlich zu erkennender Weise keinen Einfluß auf den oben definierten oberen logischen Pegel hat.

Die Schaltungen, die im Zusammenhang mit F i g, 2,3 und Fig,4 der Zeichnung beschrieben worden sind, eignen sich vorzüglich für eine Herstellung in integrierter Technik. Die Schaltungen stellen in der Praxis eine ausgezeichnete Annäherung an eine ideale logische Schaltung dar, bei der alle logischen Pegel, die Schaltschwellen, die Rauschunempfindlichkeit usw. im wesentlichen unabhängig von den u'mweiibedingungen sind. Dies ist tür den Benutzer Von großem Wert, aber es ist auch für den Hersteller ein großer Vorteil, da seine Ausführungs- und Testprobleme erleichtert werden Und da die Einhaltung der Toleranzen der Schaltungen einfacher ist Und nicht von präzisen Werten der Basis-Emitter-Spannungen von Emitterfolgern abhängt.

Hierzu 4 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Temperaturkompensierte emittergekoppelte Schaltungsanordnung mit einem Stromübernahmeschalter aus zwei Transistoren, mit deren Kollektor jeweils ein Lastelement verbunden ist und an deren Emitter eine Strcmstabilisierungsvorrichtung angeschlossen ist, und einem als Emitterfolger geschalteten Transistor, dessen Basis mit dem Kollektor des einen Transistors des Stromübernahmeschalters verbunden ist, gekennzeichnet durch einen Kompensationstransistor (32, 44; 70) mit gleichen elektrischen Eigenschaften wie der als Emitterfolger geschaltete Transistor (27; 46; 69), wobei der Kollektor des Kompensationstransistors mit dem Kollektor des einen Transistors (11; 34; 60) des Stromübernahmeschalters verbunden ist, so daß beim Anlegen einer stabilen Spannung an die Basis des Kompensationstransistors ein Strom durch das mit dem Kollektor des einen Transistors des Stromübernahmeschalters verbundenen Lastelements fließt, der temperaturabhängig ist und einen solchen Wert hat, daß temperaturabhängige Spannungsänderungen am Basis-Emitter-Übergang des als Emitterfolger geschalteten Transistors kompensiert werden.

2. Schaltungsanordnung nac'i Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Spannungsstabilisierungsvorrichtung (17, 18, 19, 20, 21, 22), an die die Basis des einen Transistors des Stromübernahmeschalters und die Basis des Kompensationstransistors angeschlossen sind.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß d'e Stromstabilisierungsvorrichtung, die den verbündten Emittern der Transistoren des Stromübernahmeschalters einen konstanten Strom zuführt, einen Stabilisierungstransistor (15; 36) enthält, dessen Kollektor mit den Emittern der zwei Transistoren des Stromübernahmeschalters verbunden ist, dessen Emitter über einen Widerstand (16) an eine Versorgungsspannungsklemme gelegt ist und dessen Basis von der Spannungsstabilisierungsvorrichtung mit einer Li wesentlichen konstanten Spannung versorgt wird.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Klemmschaltung (71, 72), die wenigstens einen der von der Schaltungsanordnung gelieferten Signalwerte auf einen vorbestimmten Pegel begrenzt.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmschaltung temperaturkompensiert ist, so daß der festgeklemmte Signalwert in Anwesenheit von Temperaturschwankungen im wesentlichen konstant bleibt.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Klemmschaltung einen ersten Transistor (71) enthält, dessen Emitter mit einem Lastelement (R) des Stromübernahmeschalters (58, 60) verbunden ist, dessen Basis am Verbindungspunkt zwischen einem Ende eines ersten Widerstandes (R/2) und dem Kollektor eines zweiten Transistors (72) angeschlossen ist und dessen Kollektor zusammen mit dem anderen Ende des ersten Widerstandes (R/2) an die eine Versorgungsklemme angeschlossen ist, wobei die Basis des zweiten Transistors an einer Bezugsspannung liegt, Während der Emitter mit einem Ende eines zweiten Widerstandes (RW) verbunden ist, dessen anderes Ende mit einer Versorgungsklemme entgegengesetzter Polarität verbunden ist.