DE3403108A1 - Verfahren zur herstellung von halbleitern mit getterung - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleitern mit getterung

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Li S. Chen
Joseph Greensburg Pa. Desalvo
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Westinghouse Electric Corp
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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DE2758576C2 (de) * 1977-12-29 1986-04-03 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Vermindern des Gehalts an bei der Herstellung von Silicium-Halbleiterbauelementen in das dotierte Halbleiterplättchen gelangtem Schwermetall
JPS56169324A (en) * 1980-05-30 1981-12-26 Nec Home Electronics Ltd Diffusion of impurity

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