DE3344639A1 - Verfahren zum herstellen von metallelektroden an einer folie - Google Patents
Verfahren zum herstellen von metallelektroden an einer folieInfo
- Publication number
- DE3344639A1 DE3344639A1 DE19833344639 DE3344639A DE3344639A1 DE 3344639 A1 DE3344639 A1 DE 3344639A1 DE 19833344639 DE19833344639 DE 19833344639 DE 3344639 A DE3344639 A DE 3344639A DE 3344639 A1 DE3344639 A1 DE 3344639A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metal layer
- layer
- thickness
- foil
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 12
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 12
- 101100243959 Drosophila melanogaster Piezo gene Proteins 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833344639 DE3344639A1 (de) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Verfahren zum herstellen von metallelektroden an einer folie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19833344639 DE3344639A1 (de) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Verfahren zum herstellen von metallelektroden an einer folie |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3344639A1 true DE3344639A1 (de) | 1985-06-20 |
| DE3344639C2 DE3344639C2 (enExample) | 1992-03-05 |
Family
ID=6216540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19833344639 Granted DE3344639A1 (de) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | Verfahren zum herstellen von metallelektroden an einer folie |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3344639A1 (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19513958A1 (de) * | 1995-04-12 | 1996-10-17 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zum Herstellen einer Metallisierung auf piezoelektrischen Substraten |
| CN116924444A (zh) * | 2022-04-08 | 2023-10-24 | 济南大学 | 一种气固相反应制备MXene及金属氟化物-MXene复合材料的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4049859A (en) * | 1975-02-03 | 1977-09-20 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metallized film |
| DE3019410A1 (de) * | 1980-05-21 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen einer ultraschallwandleranordnung |
| US4339683A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrical connection |
| DE3149732A1 (de) * | 1981-12-15 | 1983-07-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ultraschallwandleranordnung |
-
1983
- 1983-12-09 DE DE19833344639 patent/DE3344639A1/de active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4049859A (en) * | 1975-02-03 | 1977-09-20 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metallized film |
| US4339683A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrical connection |
| DE3019410A1 (de) * | 1980-05-21 | 1981-11-26 | SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen einer ultraschallwandleranordnung |
| DE3149732A1 (de) * | 1981-12-15 | 1983-07-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Ultraschallwandleranordnung |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19513958A1 (de) * | 1995-04-12 | 1996-10-17 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zum Herstellen einer Metallisierung auf piezoelektrischen Substraten |
| CN116924444A (zh) * | 2022-04-08 | 2023-10-24 | 济南大学 | 一种气固相反应制备MXene及金属氟化物-MXene复合材料的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3344639C2 (enExample) | 1992-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2402709C3 (de) | Festkörperbauelement mit einem dünnen Film aus Vanadinoxyd | |
| DE2742922C2 (de) | Verfahren zum mittelbaren Verbinden zweier Teile | |
| DE1817434C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Leitungsanordnung | |
| DE3204602A1 (de) | Bei hohen temperaturen einsetzbare, aus schichten aufgebaute silicium-bauelemente | |
| DE3043156A1 (de) | Verfahren zum trimmen eines bauelementes fuer akustische oberflaechenwellen | |
| DE3603337A1 (de) | Piezoelektrischer wandler und verfahren zu seiner herstellung | |
| EP0668995B1 (de) | Verfahren zur herstellung mindestens einer durch einen rahmen aufgespannten membran | |
| DE1927646B2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung | |
| DE3344639C2 (enExample) | ||
| EP0016263B1 (de) | Dünnschichtwiderstand mit grossem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE3730953C2 (enExample) | ||
| DE102008016613B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelements mit mindestens einer dielektrischen Schicht und ein elektrisches Bauelement mit mindestens einer dielektrischen Schicht | |
| DE2003423C3 (de) | Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiteranordnungen | |
| DE1665248C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine miniaturisierte Schaltung | |
| DE3101208C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtsystems | |
| DE2057204C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metall-Halbleiterkontakten | |
| DE3006312A1 (de) | Detektor fuer mechanische schwingungen | |
| DE2061382C (de) | Verfahren zur Herstellung von Schaltkreisen | |
| DE1942455C3 (de) | Verfahren zum Herstellen mehrschichtiger Leiterbahnen | |
| DE1621342C (de) | Verfahren zum Herstellen von Aufdampfkontakten mit Kontakthöhen > 10 Mikrometer, insbesondere für Planarbauelemente | |
| DE1564443C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE1521255B2 (de) | Verfahren zum ausbilden begrenzter schichten durch vakuumaufdampfen | |
| DE2331586C3 (de) | Aluminium-Tantal-Schichten für Dünnschichtschaltungen sowie diskrete Widerstände und Kondensatoren | |
| DE2746225A1 (de) | Verfahren zur herstellung von lokalen anodischen oxidschichten | |
| DE2828762A1 (de) | Verfahren zur herstellung geaetzter strukturen in kupferschichten |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |