DE3344462A1 - Verfahren zur herstellung von halbleiterbauteilen - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiterbauteilen

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Description

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen
Die Erfindung "bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen, hei dem ein oder mehrere Oherflächenteile eines monokristallinen Siliziumplättchens metallisiert werden.
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf HaIhleiterbauteile und insbesondere auf ein Verfahren der eingangs genannten Art, bei dem eine Vielzahl von Halbleiterbauteilen aus einem gemeinsamen Siliziumplättchen hergestellt wird.
Die Anfangsschritte bei der Herstellung von Leistungs-Halbleiterbauteilen, wie beispielsweise gesteuerten Gleichrichtern oder dergleichen, erfolgen normalerweise in einer Herstellungsanlage für Halbleiterplättchen, wobei in einem einen großen Durchmesser aufweisenden Plättchen Grenzschichten für eine Vielzahl von identischen
Halbleiterbauelementen ausgebildet werden. Nach der Ausbildung der Grenzschichten in dem großen Plättchen werden die einzelnen Bauteile von dem Plättchen abgetrennt und, dann getrennt weiterverarbeitet, üblicherweise in einer Montageeinrichtung. Bei der weiteren Verarbeitung wird zunächst ein Expansions- oder Ausdehnungsplattenkontakt an der Unterseite der einzelnen Plättchenelemente anlegiert. Danach werden Kontaktmetalle auf die obere Oberfläche der einzelnen Plättchenelemente aufgebracht. Dieser Kontakt-Metallisierungsvorgang erfordert normalerweise die Herstellung von Masken und einen Oxid-Ätzvorgang für jedes einzelne Plättchenelement.
Die obige Reihenfolge, bei der zunächst der Ausdehnungskontakt anlegiert wird und dann erst Kontaktmetalle aufgebracht werden, war erforderlich, weil die bei Leistungshalbleitern verwendeten Kontaktmetalle üblicherweise aus Aluminium bestehen. Das Aluminiumkontaktmetall würde bei den Legierungstemperaturen, die zur Aufbringung des Ausdehnungskontaktes an der Unterseite des Plättchens verwendet werden, in die Plättchenoberflache eindiffundieren und das eindiffundierte Grenzschichtmuster stören.
Nach der Metallisierung wird der Außenumfang der einzelnen Plättchenelemente mit einer sich verjüngenden Form versehen, um die Durchbruchspannung des Halbleiterbauelementes zu vergrößern. Bei diesem Vorgang wird entweder ein Säure-Ätzverfahren verwendet, oder es wird ein Schleif verfahren verwendet, auf das ein Säure-Ätzschritt folgt, um die durch den SchleifVorgang hervorgerufenen Schaden zu beseitigen. Der Aluminiumkontakt kann jedoch
durch das Säure-Ätzmittel angegriffen werden, das bei der verjüngten Formgebung verwendet wird. Es war daher erforderlich, die Metallisierung dadurch zu schützen, daß sie beispielsweise durch eine Goldplattierung und durch Wachs geschützt wurde, bevor der Säure-Ätzvorgang durchgeführt wurde.
Alle die vorstehenden Schritte wurden in einem Montagebereich an einzelnen Plättchenelementen ausgeführt, die getrennt bearbeitet werden müssen. Entsprechend vergrößern die zusätzlichen Schritte und die getrennte Handhabung erheblich die Kosten für die Halbleiterbauteile und verringern den Ertrag des Herstellungsverfahrens.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem die Herstellungskosten und der Herstellungsaufwand verringert werden und sich gleichzeitig verbesserte Eigenschaften der Halbleiterbauteile ergeben.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Metallisierungssystem auf das Plättchen in den Anlagen zur Herstellung des Plättchens aufgebracht, und zwar bevor das Plättchen in einzelne Halbleiterbauteile unterteilt wird. Das Metallisierungssystem verwendet Nickel und Silber und ergibt einen Ohmschen Kontakt mit
η ι ti φ
darunterliegenden freiliegenden Siliziumoberflachen "und es kann nachfolgende Xegierungstemperaturen überstehen, wie sie bei dem Inlegieren eines Ausdehnungskontaktes an ein einzelnes Plättchenelement verwendet werden- Nach dem Aufbringen der Metallisierung auf das Plättchen wird dieses in einzelne Plättchenelemente zerteilt. An diese werden dann jeweilige an der Unterseite angeordnete AusdeL·-- nungskontakte in einem Vakuumlegierverfahren anlegiert, bei dem Temperaturen v/endet werden können.
bei dem Temperaturen von bis zu 650 0G über 30 min ver
Weil das Metallisierungssystem eine äußere Silberschicht aufweist, kann ein heißes kaustisches Ätzmittel nach dem Abschrägungs- oder Verjüngungsvorgang auf den Außenumfang der Plättchenelemente aufgebracht werden, ohne daß die Metallisierung gegenüber diesem kaustischen Ätzmittel geschützt werden muß. Vorzugsweise wird Kaliumhydroxid für den Ätzvorgang und Zitronensäure für einen abschließenden Spülvorgang verwendet. Weiterhin kann Natriumhydroxid als Ätzmittel verwendet werden. Weil für das Metallisierungssystem kein Schutz während des Ätzens des Umfangs des Bauteils erforderlich ist, können gegenüber dem bisher verwendeten Abschrägungsvorgang, bei dem eine Säure und ein nickelplattierter Aluminiumkontakt verwendet wurden, mehrere Verfahrensschritte eingespart werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauteilen, die beispielsweise gesteuerte Siliziuragleichrichter mit Sperrspannungen von bis zu 5000 V und Durchlaßströmen von ungefähr 50 A sein können. Das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch auch
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auf die Herstellung irgendwelcher Hochleistungsbauteile anwendbar, "bei denen ein AusdetuHJügsplattea-Kontakt und/oder ein abgeschrägter Außenumfang verwendet wird.
Erfindungsgemäß wird, wenn poliertes Silizium einen Kontakt aufnehmen soll, ein Ätzverfahren für die Entfernung von 1 bis 3 Mikron der Siliziumoberfläche verwendet, bevor die erste Nickelbeschichtung aufgebracht wird. Wenn weniger als 1 Mikron abgeätzt wirds wird eine Schichtablösung an den Nickel-Silberschichten beobachtet. Bei einer Abätzung von mehr als 3 Mikron xierden. die Gate-Spanmmgs- und Stromeigenschaften eines gesteuerten Siliziumgleichrichters in nachteiliger Weise beeinflußt. Eine Art der Behandlung der Siliziumoberfläche besteht in der Verwendung eines Ätzmittels, das aus zwei Teilen Fluorwasserstoffsäure, neun Teilen Salpetersäure und vier Teilen Essigsäure besteht. Die Ätslösung läßt man für ungefähr 15 see auf die Siliziumoberfläche einwirken. Hierdurch werden ungefähr 2 Mikron einer polierten Siliziumoberflache entfernt.
Unmittelbar nach dem Ätz schritt wird eine IsTickelschicht mit einer Dicke von 125 £ bis 1000 £ auf die behandelte Siliziumoberfläche aufgedampft. Die Nickelschicht bildet eine Siliziumverbindung oder ein Silizid in der Vakuumkammer, wenn eine mäßige Substraterwärmung vorgenommen wird (100 0C ist mehr als ausreichend) und wenn eine sehr saubere Siliziumoberfläche vorliegt» Während des Nickelschicht -Auf dampf Vorganges liefert die von der siedenden Nickeloberfläche abgestrahlte Wärme eine erhebliche Energie an die Plattchenoberflachen» Weiterhin treffen die verdampften Nickelatome ihrerseits mit beträchtlicher
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ο ο et ο ΰ ο (
kinetischer Energie auf. Ausgezeichnete Ergebnisse wurden mit einer Yerdampfungstemperatur von lediglich 60 0C erreicht. Bei 120 0C haftet die Vierschicht-Metallisierung fest an dem darunterliegenden Oxid an und es beginnt schwierig zu werden, es von dem Oxid loszuschütteln° Die Hickelstärke ist kritisch. Wenn sie zu dick ist, oberhalb von etwa 300 A, so tritt ein Abschälen auf„ Wenn die Hickelschicht zu dünn ist und unter 100 A liegt, so löst sich die Metallisierung nicht von dem Oxid.
Es wurde festgestellt, daß dann, wenn die Metallisierungsschichten eine Oxidschicht oberhalb der Siliziumoberfläche überlappen, diese Metallisierung leicht von der Oxidschicht abhebbar ist, jedoch sehr gut an der behandelten reinen Siliziumoberfläche anhaftet.
Zusätzlich zu der Tatsache, daß das Metallisierungssystem in unerwarteter Weise an dem darunterliegenden Silizium, nicht jedoch an dem oxidierten Silizium anhaftet, weist das Metallisierungssystem außerdem die folgenden Eigenschaften auf:
(1) Das System übersteht Legierungstemperaturen in nachfolgenden Verfahrensschritten für die Herstellung eines Halbleiterbauelementes, beispielsweise !Temperaturen von 650 0C, die bei einem Vakuum-Legierungsvorgang auftreten»
(2) Das Metallisierungssystem ergibt einen guten Ohmschen Eontakt mit Silizium, unabhängig davon, ob dieses vom P-Typ oder vom N-Typ ist und verschiedene spezifische Widerstände aufweist.
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(3) Das erfindungsgemäße Metallisierungssystem weist eine niedrige laterale Impedanz auf.
(4·) Das Metallisierungssystem ist von einer Silberschicht überdeckt und damit gegenüber Chemikalien widerstandsfähig, die in vielen nachfolgenden Bearbeitungsschritten für die Herstellung eines Halbleiterbauteils verwendet werden.
(5) Das Metallisierungssystem ist gegen eine thermische Ermüdung widerstandsfähig, die sonst während des Betriebs des Halbleiterbauteils auftreten könnte, an dem das Metallisierungssystem angeordnet ist.
(6) Das Metallisierungssystem ist lötbar und erfordert nicht die Verwendung von zusätzlichen Lötbeschichtungen zum Anschluß von Leitungen an die Metallisierung.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in der Zeichnung dargestellten Ausführungsformen noch näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Halbleiterplättchen, das eine große Anzahl von einzelnen Halbleiterbauteilen enthält, die gleichzeitig in einer Wafer- oder Halbleiterplättchen-Herstellungsanlage bearbeitet werden,
Pig* 2 eine Querschnittsansicht der Pig. 1 entlang der Schnittlinie 2-2 nach Fig. 1,
Pig«, 3 eines der Plättchenelemente nach den Pigg. 1 und 25 nachdem es mit Hilfe eines Laser-Schneidverfahrens in einem bekannten Verfahren von dem Plättchen abgetrennt wurde,
Pig« 4 das Plättchenelement nach Pig. 3» nachdem an ihm ein Molybdän-Kontakt gemäß einer bekannten Tech-= nik anlegiert x<rarde9
Pig» 5 das Plattchenelement nach Pig. 4 nach einem Maskierungs- und Oxid-Ätzschritt vor der Ausbildung eines bekannten Zontaktsystems,
Pigo 6 das Plattchenelement nach Pig. 3 nach dem Aufdampfen eines Aluminiumkontaktes auf die obere Oberfläche des Halbleiterbauteils gemäß einem bekannten Verfahren,
Pig. 7 das Plättchenelement nach Pig. 6, nachdem der Aluminiumkontakt mit Fickel überzogen und mit Gold überzogen und von dem Oxid abgehoben wurde, wobei die Kanten des Halbleiterbauteils geschliffen und die obere Oberfläche des Halbleiterbauteils mit einem Wachs besprüht wurde,
o 8 das Halbleiterbauteil nach Pig. 7 nach den bekannten Schritten der Abschrägung, des Ätzens, des Entfernens des Wachses und des Aufbringens eines Überzuges auf den Außenumfang des
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Bauteils,
Fig. 9 das Halbleiterplättchen nach Fig. 2 nach, einem photolithographischen Maskier- und Oxid-Ätzverfahren des unzerteilten Plattchens und nach der Durchführung des erfindungsgemäßen Silizium-Ätzverfahrens zur Vorbereitung der Oberfläche für die Metallisierung,
Fig. 10 eine stark vergrößerte Ansicht eines Teils des vollständigen Plattchens nach Fig. 9 nach der Metallisierung mit vier aufeinanderfolgenden Metallschichten, wobei diese Metallisierung fest an der behandelten Siliziumoberfläche anhaftet,
Fig. 11 die Struktur nach Fig. 10 nach einem Sinter- und Abhebevorgang, bei dem sich die Metallisierung von dem Oxidüberzug des Siliziumplättchens abhebt ,
Fig. 12 ein von dem Plättchen nach den Figg. 2, 9, 10 und 11 durch ein Laser-Schneidverfahren abgetrenntes Plättchenelement, das einen Molybdän-Kontakt aufweist, der nachfolgend an dem Plättchenelement anlegiert wird,
Fig. 13 das Halbleiterbauteil nach Fig. 12 nach dem Abschrägen und der Behandlung mit einem heißen kaustischen Ätzmittel und dem Aufbringen einer PassivierungsbescHichtung auf den Außenumfang des Bauteils.
In den Figg«. 1 und 2 ist ein übliches Siliziumplätteben 20 gezeigt, das irgendeine gewünschte Form aufweisen kann und das aus Gründen der Klarheit mit stark vergrößerter Dicke dargestellt ist. Das Plättchen 20 kann typischerweise einen Durchmesser von 101,6 mm (4 Zoll) und eine Stärke von 0,254- bis 1,016 mm und typischerweise von 0,381 mm aufweisen. Das Plättchen wird in einer geeigneten Plättchenfabrikationsanlage behandelt, die äußerst saubere Bedingungen für die Verarbeitung des Plättchens in irgendeiner gewünschten Weise ergibt. Beispielsweise wurde das Plättchen nach den Figg. 1 und 2 so behandelt9 daß Grenzschichtmuster für eine Vielzahl von gesteuerten Gleichrichtern oder Thyristoren gebildet werden. Entsprechend weist das gesamte Plättchen 20 eine Schicht 21 vom P-Leitfähigkeitstyp auf, auf die eine Schicht 22 vom li-Leitfähigkeitstyp folgt, auf die wiederum eine Schicht 23 vom P-Leitfähigkeitstyp folgt. Die Vielzahl der gebildeten gesteuerten Gleichrichter weist eine Form mit in der Mitte liegender Gate-Elektrode auf und alle gesteuerten Gleichrichter sind mit einem kreisringförmigen Eathodenbereich 24 vom N-Leitfähigkeitstyp versehen. Die darunterliegende P-Leitfähigkeitstyp-Schicht 23? die den Gate-Bereich für jedes Bauteil bildet, liegt am Mittelbereich jedes kreisringförmigen Bereiches 24 frei.
Der abschließende Schritt bei der Halbleiterplättchen-Fabrikation bei den bekannten Verfahren für das Gesamtplättchen 20 besteht in der Ausbildung der Kathodenbereiche 24» Während dieses Schrittes, der üblicherweise durch einen Diffusionsvorgang gebildet wird, wächst eine Oxidschicht 26 auf der Oberfläche des Plättchens 20. Diese Oxidschicht 26 kann ein© Stärke von typischerweise
1,27 Tausendstel mm (0,05 Mil) aufweisen und wird bei der nachfolgenden Behandlung des Bauteils verwendet.
Es wäre wünschenswert, die Arbeitsschritte zur Vervollständigung der Halbleiterelemente, die in dem Halbleiterplättchen nach den Figg. 1 und 2 ausgebildet werden sollen, in der Plättchen-Fabrikationsanlage fortzusetzen, die am besten dazu geeignet ist, die Schritte wie beispielsweise Maskierung, Oxid-Ätzen 'und dergleichen auszuführen. Weiterhin wäre es wünschenswert, die verschiedenen P- und N-Bereiche an der Oberfläche des Halbleiterplättchens nach Fig. 2, die Kontakte oder Elektroden aufnehmen sollen, zu metallisieren, während sich das Plättchen in der Plättchen-Fabrikationsanlage befindet. Dies konnte bei vorhandenen Kontaktsystemen wie beispielsweise Aluminium nicht durchgeführt werden, weil das Aluminium während der nachfolgenden Legierungsschritte, die zur Befestigung der Kontakte vom Ausdehnungsplattentyp an der unteren Oberfläche der Plättchenelemente erforderlich sind, in das Silizium eindiffundieren würde. Entsprechend wurden bei dem bekannten Verfahren die Plättchen 20 in dem in den Figg. 1 und 2 gezeigten Fabrikationszustand aus der Plättchen-Fabrikationsanlage entfernt.
Plättchenelemente, wie beispielsweise das Element 25 nach Fig. 3» wurden von dem Plättchen 20 in einer geeigneten Weise, beispielsweise durch einen Laser-Ritzvorgang, getrennt. Sieben einzelne kreisförmige Plättchenelemente 251 die jeweils einen Durchmesser von beispielsweise 19j05 mm (0,75 Zoll) aufweisen, werden von dem Plättchen 20 in den Beispielen nach den Figg. 1, 2 und 3 abgetrennt. Die Plättchenelemente 25 werden nach Beendigung
β (Κι
ihrer Verarbeitung in gesteuerten Siliziumgleichrichtern verwendet', die Sperrspannuiigswerte von "bis zu 5OOO V und Durchlaßstromwerte von mehr als 50 A aufweisen. Es können auch andere Zahlen von Plättchenelementen von dem Plättchen 20 abgetrennt werden, und zwar in Abhängigkeit von den Nennwerten der zu bildenden Halbleiterbauteile« Es ist weiterhin darauf hinzuweisen, daß die folgende Beschreibung als Beispiel einen gesteuerten Siliziumgleichrichter verwendeto Das beschriebene Verfahren ist jedoch auf irgendein Bauteil anwendbar, das in dem Siliziumplättchen ausgebildet wird, und zwar unabhängig von der Anzahl der Grenzschichten oder der Grenzschichtmuster, wobei sich das Verfahren auch genauso auf die Herstellung eines einzigen Halbleiterbauteils in einem einzigen Plättchen beziehen kann.
Alle Schritte, die auf die Laser-Abtrennschritte nach Fig. 3 folgen, können üblicherweise in einem Montagebereich ausgeführt werden, der nicht so sauber oder so genau gesteuert ist wie die Plättchen-Fabrikationsanlage ο Die Bedingungen in dem Montagebereich weisen jedoch normalerweise eine ausreichende Qualität auf, um die Durchführung der nachfolgenden Schritte zu ermöglichen, die anhand der Figg. 4 bis 8 für das bekannte System beschrieben werden.
Bei dem ersten auszuführenden Schritt werden, wie dies in Fig.» 4- für ein einzelnes Plättchenelement 25 gezeigt ist, eine Anzahl von getrennten Elementen 25 an Ausdehnungsplatten-Eontakten anlegiert, wie beispielsweise an den Kontakt 30? der aus Molybdän oder Wolfram oder dergleichen bestehen kann. Typischerweise ist der Kontakt 30 ein
Molybdänkontakt mit dem gleichen Durchmesser wie das Plättchenelement 25 "und mit einer Stärke von 0,762 bis 3,048 mm (30 bis 120 Mil), typischerweise von 1,524 mm (60 Mil). Es sei darauf hingewiesen, daß die relativen Abmessungen des Plättchens und des Kontaktes aus Gründen der Klarheit in den Figg. 4 bis 8 verzerrt wiedergegeben sind. Das Anlegieren des Kontaktes 30 an dem Plättchen erfolgt bei einer relativ hohen Temperatur. Daher wurde der bekannte Legiervorgang vor dem Aufbringen von Aluminiumkontakten auf die Bereiche 23 "und 24 des Plättchens 25 ausgeführt, weil ein Aluminiumkontakt bei den Legierungstemperaturen in diese Bereiche eindiffundieren und einen P-Typ-Bereich in dem IT-Typ-Bereich 24 bilden würde.
Danach wird gemäß Fig. 5 die obere Oberfläche der einzelnen Plättchenelemente 25 photolithographisch maskiert oder abgedeckt und die Oxidschicht 26 wird geätzt, um ein kreisringförmiges Fenster 31 über dem kreisringförmigen Bereich 24 vom N-Leitfähigkeitstyp zu öffnen und um ein in der Mitte liegendes Fenster 32 in der Mitte jedes Plättchenelementes 25 zu öffnen. Das Fenster 31 nimmt nachfolgend einen Kathodenkontakt für den gesteuerten Gleichrichter auf, während das in der Mitte liegende Fenster 32 einen Gate-Kontakt aufnimmt.
Wie dies in Fig. 6 gezeigt ist, wird als nächstes eine Aluminiumkontaktschicht 33 auf die obere Oberfläche jedes Plättchenelementes 25 aufgedampft oder auf andere Weise aufgebracht, wobei die ätzbeständige photoempfindliche Beschichtung auf dem Oxid an ihrem Platz verbleibt. Die Kontaktschicht 33 tritt in die Fenster 31 "und 32 ein, um
einen Kontakt mit den Kathoden- und Gate-Bereichen der Plättchenelemente 25 zu bilden. Die Aluminiumschicht 33 weist typischerweise eine Stärke von 0,127 mm (5 Mil) auf.
Das Plättchenelement 25 nach Fig. 6 wird dann in einen Ofen eingebracht und in einer neutralen oder reduzierenden Atmosphäre einer erhöhten Temperatur ausgesetzt, um die Aluminiumschicht in die Siliziumoberfläche einzusintern und um die lichtempfindliche Beschichtung (photoresist) zu zersetzen« Das Aluminium haftet nicht an der darunterliegenden Oxidschicht 33 an, haftet jedoch an der darunterliegenden zersetzten photoempfindlichen Beschichtung« Daher kann nach dem Sintervorgang das Aluminium, das über dem Oxid 33 liegt, leicht abgehoben werden, und Aluminium verbleibt lediglich in den Fenstern 31 und 32, wobei es an der Siliziumoberfläche des Plättchenelementes 25 anhaftet.
Danach wird gemäß Fig« 7 die obere Oberfläche des Plättchens mit Nickel überzogen, wobei der Nickelüberzug an der oberen Oberfläche des Aluminiumkontaktes 33 anhaftet«. Der Nickelüberzug weist eine Stärke von ungefähr 7962 Tausendstel mm (0,03 Mil) auf und ist mit nachfolgend angebrachten Leitungen verlötbar. Nach dem Nickelplattierungsschritt nach Fig» 7 wird ein Goldüberzug auf dem Nickelmaterial mit einer Stärke von 3OOO A aufgebracht« Die Nickel- und Goldschichten sind insgesamt mit der Bezugsziffer 35 bezeichnet. Der Goldüberzug wird zum Schutz des darunterliegenden Nickel- und Aluminiummaterials gegenüber einem nachfolgenden Säure-Ätzmittel verwendet. Die obere Oberfläche des Plättchenelementes
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wird danach mit einem geeigneten Wachsüberzug 36 überzogen, beispielsweise mit einem Apezion-Wachs, das die beschichteten Oberflächen gegen einen Angriff des Säure-Itzmittels schützt, das nachfolgend verwendet wird.
Danach wird gemäß Fig. 8 der Außenumfang des Halbleiterplättchens 25 beispielsweise durch Schleifen abgeschrägt. Die Abschrägung gemäß Fig. 8 weist eine erste konische Oberfläche 40 auf, die einen ersten Schnittwinkel von ungefähr 35 ° sai der Schnittstelle der Plattchenelement-TJmgrenzung und der Sperrschicht zwischen den Bereichen 21 und 22 bildet. Eine zweite konische Oberfläche 41 wird ebenfalls angeschliffen, wobei diese Oberfläche einen zweiten Schnittwinkel zwischen dem Außenumfang des Plattchenelernentes und der in Durchlaßrichtung getriebenen Trennschicht zwischen den Bereichen 22 und 23 von 2 bis 10 °, typischerweise 4 , aufweist. Es sei darauf hingewiesen, daß diese Winkel nicht maßstäblich gezeigt sind,weil die Abmessungen des Halbleiterbauteils aus Gründen der Klarheit stark übertrieben sind.
Das Halbleiterbauteil wird als nächstes einen Säure-Ätzmittel ausgesetzt, das den Außenumfang des Bauteils ätzt. Dieses Säure-Ätzmittel kann den verbleibenden nickelplattierten Aluminiumkontakt nicht angreifen, weil dieser durch die darüberliegende Goldschicht und die Wachsschicht geschützt ist. Wie dies in Fig. 8 gezeigt ist, wird die Wachsbeschichtung 36 dann abgezogen, und das Bauteil wird einem leichten Polier-Ätzmittel ausgesetzt. Eine Überzugsschicht 50 wird dann auf dem Außenumfang des Plättchenelementes 25 aufgebracht, um die geätzten Trennschichtkanten zu passivieren. Ein geeignetes
Silikongummimaterial (silastic) kann ebenfalls auf das Plättcheneleraent aufgebracht werden.
Das gesamte Bauteil nach Fig. 8 kann dann in geeigneter Weise in einem Bauteilgehäuse befestigt werden. Elektrische Kontakte können mit den Kathoden- und Gate-Kontaktschichten hergestellt werden,, die durch die Fenster 31 und 32 freiliegenο
Das erfindungsgemäße Verfahren, das das anhand der Figg. 3 bis 8 erläuterte Verfahren ersetzt, wird anhand der Figg« 9 bis 13 erläutert. Wie dies in Fig. 9 gezeigt ist, die sich auf dem die Figg. 1 und 2 enthaltenden Zeichnungsblatt befindet, wird das Halbleiterplättchen nach Fig.. 2 vor dem Laser-Schneidvorgang einem einzigen photolithographischen Maskier- und Ätzschritt unterworfen, bei dem die Fenster in der Oxidschicht 26 geöffnet werden, um die Kathoden- und Gate-Bereiche jedes der einzelnen Plattchenelemente 25 freizulegen, bevor diese Plättchenelemente von dem Plättchen 20 abgetrennt werden. Wie dies in Fig„ 9 gezeigt ist, liegen die Fenster 60 und 61, die kreisringförmige bzw« in der Mitte liegende Fenster sind, über jeweiligen kreisringförmigen Kathodenbereichen 24- und in der Mitte liegenden Gate-Bereichen jedes der Plattchenelemente 25 5 die in dem Plättchen 20 ausgebildet sind«, Beispielsweise kann der Oxid-Ätzvorgang zum Öffnen der Fenster 60 und 61 ein übliches gepuffertes Oxid-Ätzmittel verwenden. Dieses Verfahren wird in der Plättchen-Fabrikationsanlage ausgeführt, die für die Durchführung eines derartigen Verfahrens ausgelegt ist. Es sei bemerkt, daß das äquivalente Maskierungs- und Ätzverfahren bei bekannten Verfahren in dem Schritt nach Fig. 5 für
334U62 .
jedes der einzeln abgetrennten Plättchenelemente 25 und in einer Plattchen-Montageanlage durchgeführt wurde.
Nach dem öffnen der Fenster 60 und 61 wird die freiliegende Oberfläche des Siliziumplättchens 20 in einer neuartigen Weise behandelt, die ein zähes Anhaften von wünschenswerten Kontaktmetallen an dem behandelten Silizium, nicht jedoch an dem umgebenden Oxid ermöglicht. So würde es wünschenswert sein, ein Nickel-Chrom-Nickel-Silber-Kontaktmetallisierungssystem für Hochleistungs-Siliziumbauteile zu verwenden (für Bauteile mit einem Nenn-Durchlaßstrom von mehr als ungefähr 50 A), wenn die Kontaktmetalle in zuverlässiger Weise an der darunterliegenden Siliziumoberfläche nach den nachfolgenden Hochtemperatur-Yerfahrensschritten anhaften würden, wie sie beispielsweise für das Anlegieren von Ausdehnungsplatten an die einzelnen Bauteile verwendet werden. Bisher war das Anhaften der Metalle in einem derartigen System nicht zuverlässig., weil sich häufig eine Schichttrennung der oberen Silberschicht von der unter dem Silber liegenden Nickelschicht in einer unkontrollierten und scheinbar willkürlichen Weise ergab. Weiterhin ergab sich in vielen Fällen eine Blasenbildung der unteren Nickelschicht gegenüber der darunterliegenden Siliziumoberfläche.
Um sicherzustellen, daß das Metallisierungssystem zuverlässig an dem darunterliegenden Silizium anhaftet, wird erfindungsgemäß die folgende Vorbehandlung der Siliziumoberfläche verwendet, die durch die Fenster 60 und 61 freiliegt. Es wurde bisher angenommen, daß nach dem öffnen der Fenster 60 und 61 durch Entfernen des Oxids nach Fig. 9 die freiliegende Oberfläche des Siliziums oxidfrei
■fl * 13 O
- 23
ist ο Tatsächlich lag eine sauerstoffgesättigte Schicht des Siliziums unter der Silizium-Siliziumdioxid-Grenzschicht vor. Entsprechend wird eine ausreichende Sauerstoffmenge von den obersten Oberflächenschichten des Siliziumsubstrats freigegeben^, um eine Aufhebung des Anhaftens und eine Sntschichtung der Metallisierungsschichten während eines nachfolgenden Sinterschrittes hervorzurufen« Erfindungsgemäß wird ein neuartiges Ätzverfahren zur Beseitigung einer ausreichenden Stärke der freiliegenden Silisiumoberflache verwendet, um sicherzustellen, daß die freiliegende Oberfläche vollständig sauerstofffrei ist. Es hat sich als ausreichend herausgestellt, zwischen 1 und 3 Mikron der polierten Oberfläche zu entfernen, die durch die Fenster 60 und 61 freiliegte Vorzugsweise sollten ungefähr 2 Mikron entfernt werden.
Es wurde festgestellt, daß Entschichtungsprobleme auftreten, wenn 1 Mikron oder weniger der Oberfläche entfernt wird. Wenn mehr als ungefähr 3 Mikron entfernt werden, so werden die Gate-Spannungs- und Gate-Strom-Charakteristiken in unannehmbarer Weise beeinflußt.
Der Silizium-Ätzvorgang verwendet vorzugsweise eine Ätzlösung, die aus 2 Teilen Fluorwasserstoffsäure, 9 Teilen Salpetersäure und 4 Teilen Essigsäure besteht und die durch die Fenster 60 und 61 auf die freiliegende Siliziumoberfläche des Plättchens 20 für ungefähr 15 see aufgebracht wird. Danach wird das Plättchen 20 für ungefähr 5 min in ein Spülbecken gebracht, um die Säure fortzuspüleno
Nach dem Spülen in dem Spülbecken wird das Plättchen 20
für ungefähr 30 sec einem leichten Ätzmittel ausgesetzt, das aus 50 Teilen von entionisiertem Wasser und einem Teil Fluorwasserstoffsäure besteht. In diesem Schritt werden alle chemischen Oxide entfernt, die nach dem anfänglichen Ätzvorgang verbleiben, bei dem Salpetersäure als ein Bestandteil verwendet wurde. Das Plättchen 20 wird dann in einem Spülbecken für ungefähr 5 min. gespült und dann in der üblichen Weise trockengeschleudert.
Die Metallschichten 70 bis 73 nach Fig. 10 werden danach auf die behandelte Oberfläche im Vakuum mit Hilfe einer Verdampfungstechnik aufgebracht. Beispielsweise wird das Substrat nach dem Pumpen eines Vakuums für ungefähr 15 min auf ungefähr 125 °C erwärmt. Wenn der Druck auf ungefähr 5 x 10" Torr abgefallen ist, wird eine erste Nickelschicht 70 mit einer Dicke von 125 bis 1000 £, vor-
o
zugsweise 200 A, auf die Oberfläche aufgedampft. Die Nickelschicht 70 sollte eine Dicke aufweisen, die ihre Umwandlung in ein Nickelsilizid während des Abscheidungsvorgangs zuläßt. Das Substrat sollte sich auf einer Temperatur von 100 G oder mehr während der Abscheidung des Nickels befinden, um dessen Umwandlung in ein Silizid zu begünstigen.
Der Zweck des Silizium-Ätzschrittes besteht in der Entfernung aller Sauerstoffquellen in der behandelten Oberfläche. Es wird angenommen, daß sich normalerweise eine sauerstoffgesättigte Schicht von Silizium unmittelbar unterhalb der SiO2/Si-Grenzflache befindet. Wenn diese Schicht während der Silizid-Bildung ungestört bleibt, so wird angenommen, daß Sauerstoffatome in dem betreffenden Bereich äußerst beweglich werden und nach oben
diffundieren„ so daß sie-in der zu bildenden Nickel-Silber-Grenzschicht eingefangen werden. Das abschließende Ergebnis besteht in einem oxidierenden Film, der die Nickel-Silber-Grenzflache zerstört, wodurch sich eine Schichttrennung ergibt.
Zusätzlich löst sich die Nickelschicht 60 blasenförmig von dem Substrat ab, wenn irgendwelcher Sauerstoff in dem Substrat unterhalb des Nickels vorhanden ist, nachdem das Metallisierungssystem fertiggestellt wurde. Durch das Ätzen des Siliziums werden jedoch alle Spuren von Sauerstoff aus der freiliegenden monokristallinen Siliziumplättchen-Ob erf lache entfernt, wodurch das Problem der Schichtablösung an der Nickel-Silber-Grenzschicht und das Problem der Trennung der Nickelschicht von dem Silizium gelöst wird.
Die Chrom-, Nickel- und Silberschichten 71, 72 bzw. 73 werden dann getrennt auf die Schicht 70 gemäß Fig.10 aufgedampft. Das Plättchen läßt man danach auf Raumtemperatur abkühlen.
Die Chromschicht 71 weist eine Stärke auf, die ausreicht, um als Diffusionssperre zu wirken, sie kann beispielsweise eine Dicke von 500 bis 3000 A, vorzugsweise 15ΟΟ A, aufweisen. Die Nickelschicht 72 weist eine Stärke auf3 die ausreicht, um ein Auslaugen des Silbers aus der Schicht 73 in die Schicht 71 zu verhindern, wobei diese Dicke beispielsweise zwischen 1000 und 6000 A und vorzugsweise 4000 1 betragen kann. Die Silberschicht 73 ist stark genug, um Lötverbindungen aufzunehmen, so daß diese Schichtdicke größer als ungefähr 1 Mikron sein sollte und
beispielsweise 6 Mikron betragen kann.
Fach dem Metallabscheidungsvorgang erfolgt ein Abhebevorgang, bei dem die Nickelschicht 70 und die Metallschichten 715 72 und 73? die über der darunterliegenden Oxidschicht 26 angeordnet sind, von dem Oxid abgehoben werden, wie dies in Fig. 11 gezeigt ist.
Um diesen Abhebevorgang durchzuführen, wird das Plättchen 20 in entionisiertes Wasser eingetaucht, das ein Reinigungsmittel enthält, und das Plättchen wird Ultraschallenergie für ungefähr 15 min ausgesetzt, um das Metall auf der Isolierschicht 26 zu lockern. Die Plättchen werden dann einem Strahl von entionisiertem Wasser ausgesetzt, der das gesamte lose Metall wegspült, das über der Siliziumdioxidschicht 26 liegt. Das Plättchen wird dann in einem Spülbecken gespült und trockengeschleudert und auf Restmetallbereiche überprüft. Irgendwelche Restmetalle können mit Hilfe eines Stickstoffgasstrahls fortgeblasen werden.
Das Plättchen 20 weist dann das allgemeine Aussehen nach Fig. 11 auf, wobei die Schichten 70, 71, 72 und 73 fest an den in den Fenstern 60 und 61 freiliegenden Bereichen anhaften. Die Metallisierung übersteht Temperaturen, denen das Bauteil nachfolgend während der Legierungs- oder anderer Verarbextungsschritte ausgesetzt ist. Weiterhin ist die Metallisierung gegenüber bestimmten chemischen Ätzmitteln widerstandsfähig, die nachfolgend auf die Plättchenelemente 25 aufgebracht werden. Weiterhin bildet die Metallisierung eine Verbindung mit niedrigem Widerstand zu Silizium vom P- oder N-Leitfähigkeitstyp und die
ILontakte sind lötbar, weisen eine niedrige laterale Impedanz auf und sind gegenüber thermischer Ermüdung widerstandsfähig«.
Das Metallisierungssystem ermöglicht weiterhin ein neuartiges verbessertes Verfahren zur Vervollständigung der Struktur des Plättchens 25 gemäß den Figg. 12 und 13° Im einzelnen ermöglicht das neuartige Metallisierungssystem die Vakuumlegierung einzelner Plättchenelemente an Ausdehnungsplatten nach dem Metallisieren. Dies ergibt sich daraus, daß keine nachteilige Kontaktmetall-Diffusion oder eine Beschädigung während des Legierungsvorgangs auftritt und weil die Kante der Grenzschicht mit Hilfe eines kaustischen Ätzmittels geätzt werden kann, das das darüberliegende Silber des Metallisierungssystems nicht angreift.
Entsprechend werden bei dem nächsten Schritt des erfindungsgemäßen Gesamtverfahrens einzelne metallisierte Plättchenelemente 25 nach Fig. 1 beispielsweise durch einen Laser-Schneidvorgang von dem Plättchen 20 nach den Eiggo 99 10 und 11 abgetrennt« Jedes einzelne Plättchenelement 25 wird dann an einer Ausdehnungsplatte, wie beispielsweise der Platte 80 nach Fig. 12, anlegiert. Die Ausdehnungsplatte 80 kann beispielsweise eine Molybdänscheibe mit einer Dicke von 1,524 mm (60 Mil) sein. Der Vakuum-Legiervorgang erfolgt in Stickstoff bei einem Druck von ungefähr A- χ 10""-^ Torr, bei einer Temperatur von etwa 650 0O und über einen Zeitraum von etwa 30 min. Eine große Anzahl von Plättchenelementen 25 wird gleichzeitig verarbeitet. Weil der Vakuum-Legierungsvorgang nach Fig=, 12 nach dem Aufbringen der Kontaktmetalle
erfolgt, können die vielen Schritte des bekannten Verfahrens nach den igg. 5» 6 und 7 entfallen.
Nach dem Legierungsschritt wird die äußere Umfangsfläche der einzelnen Plättchenelemente 25 beispielsweise auf einer Diamantscheibe geschliffen, um eine erste geschliffene konische Oberfläche 90 gemäß Fig. 13 zu bilden. Die Oberfläche 90 kann einen Winkel von 35 ° gegenüber der Grenzschicht zwischen den Bereichen 21 und 22 bilden. Danach wird eine zweite konische Oberfläche 91 geschliffen, die einen Winkel von ungefähr 4- gegenüber der Grenzschicht zwischen den Bereichen 22 und 23 aufweist. Diese Winkel sind in Fig. 13 nicht maßstäblich gezeigt. Die Plattchenelemente 25 werden dann mit entionisiertem Wasser gespült und in einem Ultraschall-Reinigungsbad gereinigt.
Danach wird der äußere geschliffene Umfang des Plättchenelementes 25 einem neuen kaustischen Ätzmittel ausgesetzt, das die Schäden beseitigt, die durch den Schleif-Vorgang am Außenumfang hervorgerufen wurden. Der neue kaustische Ätzschritt kann ausgeführt werden, ohne daß es erforderlich ist, einen schützenden Goldüberzug oder Wachs oder dergleichen auf die Metallisierungsschicht aufzubringen, weil die Silberschicht 73 gegenüber dem kaustischen Ätzmittel widerstandsfähig ist. Die kaustische Ätzflüssigkeit ist vorzugsweise Kaliumhydroxid.
Im einzelnen werden erfindungsgemäß ungefähr 80 g Kaliumhydroxid in ungefähr 1 1 entionisiertem Wasser auf ungefähr 95 0C bis 100 0C erwärmt. Eine Lösung von 80 g Zitronensäure in ungefähr 1 1 entionisiertem Wasser bei
Raumtemperatur wird ebenfalls zubereitet« Die Plättchenelemente 25 werden zunächst für ungefähr 1 min in heißes fließendes entionisiertes Wasser gebracht. Danach werden sie für ungefähr 3 min in die Kaliumhydroxidlösung gebracht, wobei das Halterungsgestell, das die Plättchenelemente 25 trägt, dauernd in Bewegung versetzt wird· Die Plättchenelemente werden dann aus der Kaliumhydroxiälösung entfernt und für ungefähr 3 min in heißes fließendes entionisiertes Wasser gebracht.
Danach werden die Plättchenelemente für ungefähr 30 see in die Zitronensäurelösung gebracht, während sie dauernd in Bewegung versetzt werden«, Die Plättchenelemente werden dann für ungefähr 2 min in heißes fließendes entionisiertes Wasser eingetaucht und dann in geeigneter Weise getrocknet, beispielsweise mit Hilfe einer Bestrahlung unter einer Infrarot-Lampe.
Die Plattchenelemente 25 x^erden dann in eine Beschichtungsschale geladen und ihre Oberflächen werden mit einer geeigneten Passivierungsbeschichtung 100 überzogen, wie dies in Fig. 13 gezeigt ist» Die Beschichtung 100 kann von irgendeiner gewünschten Art sein. Vorzugsweise ist die Beschichtung ein Silikongummi-Material (silastic), wie es beispielsweise unter der Typenbezeichnung Q 1-4935 von der Firma Dow-Corning Company vertrieben wird. Nach der Beschichtung mit dem Silikongummi-Mittel werden die Plättchenelemente 25 für ungefähr 10 min in eine Vakuumkammer gebracht und danach für ungefähr 20 min auf ungefähr 325 0C erwärmte Die fertigen Plättchenelemente können dann in einem geeigneten Gehäuse befestigt oder auf andere Weise weiterbearbeitet werden.
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Claims (12)

  1. Patentanwälte 33444.52- Dj pi-lag..Curt Wallach Europäische Patentvertreter : V*i ' D?PJ-L'^ Qünther Koch
    European Patent Attorneys *' " * Dlplt-Phys. Dr.Tino Haibach
    Dipl.-Ing. Rainer Feld kam ρ
    D-8000 München 2 · KaufingerstraSe 8 · Teiefon (0 89) 2 60 80 78 · Telex 5 29 513 wakai d
    Datum: 8· Dezember !983
    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP. Unser Zeichen: 1? 828
    Patentansprüche
    hj. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen, bei dem ein Oberflächenteil eines monokristallinen Siliziumplättchens metallisiert wird, gekennzeichnet durch einen Anfangsschritt der Entfernung von zumindest einem Mikron der Dicke des Oberflächenteils zur Sicherstellung einer Beseitigung einer unerwünschten Säuerstoffverunreinigung in diesem Oberflächenteil, den nachfolgenden Schritt der Abscheidung einer dünnen Nickelschicht auf dem Oberflächenteil und der Umwandlung zumindest einen Teils der Stärke der Nickelschicht in Nickelsilizid und der dann folgenden Abscheidung von zumindest einer Schicht eines Eontaktmaterials auf die Nickel™ schicht, wobei die Kontaktmetallschicht zäh haftend an dem Oberflächenteil befestigt ist.
  2. 2. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen, bei dem eine Vielzahl von freiliegenden Oberflächenteilen eines Siliziumplättchens, die für jeweilige nachfolgend voneinander zu trennende identische Plättchenelemente bestimmt sind, metallisiert werden,
    3 4 4 4 6 - 2 -
    wobei die Metallisierungsoberfläche Verfahrenstemperaturen von mehr als 650 G überstehen kann., einen Ohmschen Kontakt mit Silizium vom N- oder P-Leitfähigkeitstyp ergibt, gegenüber einer großen Vielzahl von chemischen Ätzmitteln beständig ist und leicht lötbar ist, und wobei das Verfahren die Schritte des Aufbringens einer Isolierbeschichtung auf eine Oberfläche des Siliziumplättchens, der photolithographischen Maskierung und des Ätzens durch die Maske hindurch zum Freilegen von zumindest einem vorgegebenen Oberflächenteil der Oberfläche durch die Isolierschicht hindurch umfaßt, dadurch gekennzeichnet , daß danach eine Stärke von zumindest einem Mikron von dem Oberflächenteil entfernt wird, während die Isolierschicht intakt gelassen wird, um eine Entfernung von unerwünschter Säuerstoffverunreinigung in dem Oberflächenteil sicherzustellen, daß eine dünne kontinuierliche Schicht eines ein Silizid bildenden Metalls auf dem Oberflächenteil und über benachbarten Oberflächen der Isolierschicht abgeschieden und zumindest ein Teil der Stärke des silizid-bildenden Metalls in ein Metallsilizid umgewandelt wird, daß zumindest eine Schicht von Kontaktmetall über der Schicht aus dem silizid-bildenden Metall abgeschieden wird, daß eine Entschichtungsbeanspruchung auf die Metallschichten ausgeübt wird, um die das Silizid bildende Schicht und die Kontaktmetallschicht von der Oberseite der Isolierschicht zu entfernen, wobei die das Silizid bildende Schicht und die Kontaktschicht fest an dem Oberflächenteil des Siliziumplättchens anhaften, daß das Siliziumplättchen in eine Anzahl von
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    Plättchenelementen zerteilt wird, die alle zumindest eine der Anzahl von freiliegenden Oberflächenteilen aufweisen, und daß danach jedes der Anzahl von Plättchenelementen weiterverarbeitet wird, um geweilige Halbleiterbauteile fertigzustellen.
  3. 3«. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke von zumindest einem Mikron von der Oberfläche mit Hilfe eines Säureätzmittels entfernt wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3? dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des von dem Oberflächenteil entfernten Materials im Bereich von 1 bis 3 Mikron liegt.
  5. 5· Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Säure-Ätzmittel aus einer Mischung von Fluorwasserstoffsäure, Salpetersäure und Essigsäure besteht, die auf dem Oberflächenteil für ungefähr 15 Sekunden aufgebracht wird.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Nickelschicht eine Dicke im Bereich von 125 bis ungefähr 1000 £ aufweist.
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die
    Kontaktmetallschicht aus einem Material "besteht, das gegenüber einem kaustischen Ätzmittel beständig ist.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktmetallschicht aus Silber besteht.
  9. 9- Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von identischen Halbleiterbauteilen, die gleichzeitig bearbeitet und mit mehreren Metallisierungsschichten metallisiert werden, während sie Teile eines gemeinsamen dünnen ebenen Siliziumplättchens sind, das im wesentlichen parallele erste und zweite Oberflächen aufweist, wobei die Metallisierung innig in Ohmschem Kontakt mit einer Vielzahl von mit Abstand angeordneten !Teilen der ersten Oberfläche befestigt ist und Temperaturen widerstehen kann, die bei nachfolgenden Bearbeitungsschritten auftreten, und wobei die Metallisierung ein keine Grenzschicht bildendes Material in Berührung mit der ersten Oberfläche des Plättchens und eine äußere Metallschicht einschließt, die mit einem kaustischen Ätzmittel nicht reagiert, dadurch gekennzeichnet, daß das Verfahren die Schritte der Zerteilung des HaIbleiterplättchens in eine Vielzahl von Plättchenelementen, die zumindest einen jeweiligen Metallisierungsbereich auf zumindest einem Teil ihrer ersten Oberfläche aufweisen, der Befestigung eines jeweiligen Ausdehnungsplattenkontaktes an der zweiten Oberfläche jedes der Plattchenelemente und des Ätzens des
    * O Λ *■ * *
    Außenumfange© jedes der Plattchenelernente mit einem kaustischen Ätzmittel umfaßt.
  10. 10«, Verfahren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch den Schritt des Fortspülens des kaustischen Ätzmittels mit einer schwachen Säure.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 9? dadurch gekennzeichnet , daß das kaustische Ätzmittel aus Kaliumhydroxid besteht und daß das Verfahren den weiteren Schritt des Spülens mit Zitronensäure umfaßt, nachdem das Kaliumhydroxid mit dem Außenumfang jedes der Plattchenelemente für eine vorgegebene Zeit in Kontakt stand.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 9? 10 und 11, dadurch gekennzeichnet , daß jede der Ausdehnungsplatten an den jeweiligen Plattchenelernenten durch ein Vakuumlegierungsverfahren bei Temperaturen von ungefähr 650 0C befestigt wird.
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