DE3335598A1 - Verfahren zur herstellung einer elektrodenplatte, danach hergestellte elektrodenplatte und ihre verwendung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer elektrodenplatte, danach hergestellte elektrodenplatte und ihre verwendung

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DE3335598A1
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Willy Dipl.-Phys. 8000 München Bosch
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/02Details
    • H01J17/04Electrodes; Screens
    • H01J17/12Control electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J17/00Gas-filled discharge tubes with solid cathode
    • H01J17/38Cold-cathode tubes
    • H01J17/48Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
    • H01J17/49Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current
    • H01J17/498Display panels, e.g. with crossed electrodes, e.g. making use of direct current with a gas discharge space and a post acceleration space for electrons
    • HELECTRICITY
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    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Description

  • Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenplatte, danach hergestellte Elektrodenplatte und ihre Verwendung.
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Herstellungsverfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 Eine danach gefertigte, in einem Flachbildschirm verwendete Ablenkplatte wird.in der älteren, noch nicht veröffentlichten l\nmeldung P 32 35 894.6 beschrieben.
  • Bei dem Display der zitierten Anmeldung werden Elektronen in einer rückwärtigen Gasentladung erzeugt, durch ausgewählte Löcher einer Steuer scheibe nach vorn in einen plasmafreien Raum gezogen9 dort auf einige kV nachbeschleunigt und schließlich auf einen Leuchtschirm geschickt. Der Nachbeschleunigung ist eine Nachablenkung überlagert, so daß die einzelnen Elektronenstrahlen nacheinander mehrere Bildpunkte abtasten. Die erforderlichen Ablenkfelder werden in Kondensatoren erzeugt, die jeweils einem der Steuerscheibenlöcher zugeordnet sind. Gemäß der erwähnten Anmeldung können diese blenkkondensatoren unter anderem die orm von streifenförmigen Schichtelekti>oden haben, die sich auf der Vorderseite einer weiteren Lochplatte befinden und in deren Löcher hineinreichen. Offen bleibt dabei allerdings, wie man eine solche Leiterstruktur in der Praxis realisieren könnte.
  • In der älteren, ebenfalls noch unveröffentlichten Patentanmeldung P 32 41 605o9 ist davon die Rede, die Ablenkelektroden in einer Dünnschichttechnik zu erzeugen. Es hat sich jedoch herausgestellt, daß man auf diesem Wege nicht ohne weiteres zum Ziel kommt. Benutzt man nämlich, wie dies bei bis zu etwa 0,2mm dicken Dünnglasscheiben üblich geworden ist, die Leitschicht als Ätzmaske für die e Plattenlöcher (DE-PS 28 02 976), so ist zwar das Lochmuster exakt zur Elektrodenstruktur ausgerichtet. Die Löcher sind jedoch leiterfrei und lassen sich auch nicht nachträglich metallisieren, weil ihre Wandungen durch eine praktisch unvermeidliche Unterätzung der Leitschicht abgeschattet werden. Möglich wird eine Lochmetallisierung eigentlich srst dann, wenn man eine bereits vorgelochte Scheibe beschichtet. Dann kann man in den einzelnen Durchtrittskanälen auch noch - zumindest bei relativ dicken, fotoätzbaren Platten (DE-OS 31 18 535) -schichtfreie Isolierringe schaffen. Es gelingt aber nicht, die Lochwandungen längs achsparalleler Streifen leiterfrei zu halten.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Herstellungsverfahren der eingangs genannten Art so weiterzuentwickeln, daß die Schichtelektroden auf der Plattenoberfläche sauber konfiguriert sind und auch in den Durchbrüchen des Substrats Kondensatoren mit definierten Feldverhältnissen bilden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Fertigungstechnik mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Der Lösungsvorschlag geht von dem Befund aus, daß man mit einem Siebdruck hochfeine Elektrodenmuster zustandebringen kann, bei denen vor allem die kritisiste Größe, der isolierabstand zwischen benachbarten Elektroden, sowohl auf der bedruckten Fläche als auch in den Flächenausnehmungen präzise, das heißt mit einer Toleranz <'10,ym, eingehalten wird. Auch andere maßgebliche Schichtabmessungen wie Eindringtiefe und Dicke lassen sich eng tolerieren. Diese Ergebnis ist durchaus überraschend, zumal es ungewiß war, ob eine aufgedruckte Siebdruckmaske überhaupt einen haftfesten, geschlossenen Lochwandbelag bilden kann und nicht etwa nur die Löcher durchfließt oder verstopft. Wichtig ist dabei allerdings, daß bestimmte Siebdruckparameter, insbesondere die Viskosität 7> der Siebdruckpaste, richtig eingestellt sind.
  • Ist F darüber hinaus auch noch in der erfindungsgemäß vorgeschriebenen Weise mit der Plattendicke korreliert, so dringt die Leitschicht stets so tief ein, daß man auch noch bei relativ dicken Schieben keine den Elektronendurchgang störenden Wandaufladungen befürchten muß.
  • Im Ergebnis steht somit eine sehr einfache, serienfertigungsgerechte Methode zur Verfügung, mit der sich homogene, reproduzierbare Ablenkbedingungen herstellen lassen.
  • Es ist an sich bekannt, daß Dickschichtelektroden auch in relativ enge Kanäle mit einstellbarer Eindringtiefe hineinreichen können; vgl. hierzu die ältere, noch nicht veröffentlichte Patentanmeldung P 33 19 750.4. Dort geht gs allerdings nur um eine in Umfangsrichtung durchgehende Wandbeschichtung ohne Isolierstreifen.
  • Soll die Ablenkung in zwei Richtungen - horizontal und vertikal - erfolgen, so wird man die Platte beidseitig beschichten. Dabei genügt es, die Elektroden nur von der einen Plattenseite her in die Platenlöcher hineinragen zu lassen. Eine solche Konfiguration entsteht schon dann, wenn man bei sonst richtig gewählten Einflußgrößen die beiden Beschichtungen mit einem geänderten Abstand Sieb/ Substrat durchführt.
  • Das vorgeschlagene Verfahren läßt sich auch dann anwenden, wenn die Lochwandungen nicht parallel zur Plattennormalen verlaufen, sondern dagegen um Winkel geneigt sind, wie sie satz sich bei üblichen Ätzverfahren einstellen.
  • Auch der Lochquerschnitt spielt keine wesentliche Rolle.
  • Arbeitet man mit länglichen Querschnitten, so empfiehlt es sich allerdings, die Isolier'treifen, wenn möglich, in die beiden Schmalseiten des Querschnitts zu legen.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand zusätzlicher Ansprüche.
  • Der Lösungsvorschlag soll nun anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert werden. In den Figuren der Zeichnung sind einander entsprechende Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es zeigen: Fig. 1 in einem vereinfachten Seitenschnitt einen Flachbildschirm, in dem eine erfindungsgemäß hergestellte Elektrodenplatte eingebaut ist, und Fig. 2 die Elektrodenplatte der Fig. 1 in einer perspektivischen Ansicht.
  • Das Display der Fig. 1 enthält eine Vakuumhülle mit einem wannenartigen Rückteil 1 und einer Frontplatte 2. Das Hülleninnere wird durch eine Steuerstruktur, bestehend aus einer Steuerscheibe 3 und einer Ablenkplatte 4, in einen hinteren Gasentladungsraum 5 und einen vorderen Nachbeschleunigungsraum 6 unterteilt. Der Abstand zwischen der Ablenkplatte und der Frontplatte wird durch einen Abstandsrahmen 7 definiert.
  • Das wannenartige Rückteil 1 ist mit einer Reihe von streifenförmigen, zueinander parallelen Kathoden 8 versehen, die jeweils durch den Wannenboden geführt sind.
  • Die Steuerscheibe 3 trägt rückseitig kathodenparallele Zeilenleiter 9 und vorn Spaltenleiter 10. Diese Leiter bilden eine Steuermatrix mit einzeln ansteuerbaren Elementen, in denen die Matrixleiter und die Platte durchbrochen sind (Öffnungen 11). Die Ablenkplatte 4 ist auf ihrer Rückseite mit zeilenleiterparallelen Streifenleitern (Vertikal-Ablenkelektroden) 12 und auf ihrer Vorderseite mit spaltenleiterparallelen Streifenleitern (Horizontal-Ablenkelektroden) 14 beschichtet. Auch diese Elektrodenplatte ist gelocht (Kanäle 13), und zwar in einem mit dem Lochraster der Steuerscheibe deckungsgleichen Muster.
  • Der Fig. 2 entnimmt man, daß die Horizontal-Ablenkelektroden 14 in die Kanäle 13 hineinreichen und die Vertikal-Ablenkelektroden 12 sich nur auf der Plattenrückseite befinden. Die Platte ist eine etwa 150µm dicke Glasscheibe; ihre Löcher, die durch beidseitige Ätzung entstanden sind, haben ein Rasterformat von 400µm.320µm und einen (größten) Querschnitt von 220µm.160µm.
  • Die Ablenkelektroden sind in einer Siebdrucktechnik hergestellt worden. Beim Siebdrucken muß man im wesentlichen folgende Einflußgrößen berücksichtigen: Die Oberflächenbeschaffenheit, insbesondere die Oberflächenspannung des Substrats (I); das Verhältnis zwischen Querschnitt und Tiefe der Löcher (II), das letztlich den Ätzwinkel bestimmt; die Viskosität der Siebdruckpaste (III), Rakeldruck und -geschwindigkeit (IV, V) und schließlich den Abstand zwischen dem Substrat und dem Sieb (VI). In der Praxis sind allerdings einige dieser Größen fest vorgegeben oder festlegbar: 1 ist für alle Geometrien der Platte gleich, II hat einen bestimmten Wert, und Vi wird konstant gehalten. Als Variable verbleiben somit die Geräteparameter IV und V sowie - innerhalb relativ enger Grenzen-der Pastenparameter III. Bei richtiger Abstimmung dieser drei Größen erhält man dann das gewünschte Leitermuster.
  • Wie die Größen I bis VI im konkreten Fall einzustellen sind, muß dem Fachmann überlassen bleiben. Im folgenden sei ein konkretes Beispiel gegeben: Die Dünnglasplatte wird in einem Aceton-Alkoholgemisch mit Ultraschallunterstützung gereinigt, zwischengetrocknet5 in der von Dupont unter der Bezeichnung "Prinar# 9125" vertriebenen Lösung gespült, zwischengetrocknet, in Prinar( 9126" von Dupont gespült und endgetrocknet.
  • Dieser Prozeß dient dazu, die normalerweise zu geringe Oberflächenspannung der Scheibe auf einen Wert anzuheben, bei dem die aufgebrachte Siebdruckmasse gut benetzt, aber noch nicht verläuft. Sollte die Oberflächenspannung einmal zu hoch sein, so kann man sie durch eine Zwischenreinigung in vollentsalztem Wasser erniedrigen. Dann druckt man die Dickschichtpaste Nicyl 9531" von Dupont auf. Der zu -Wert dieser Masse liegt, wenn man ihn mit dem Gerät "Rheomat 30 der Firma Contraves bei 210C und 102,5U/min. mißt, zwischen 14Pas für 1mm dicke, fotoätzbare Scheiben und 42Pas für 0,1mm starke Dünnglasscheiben. Rakeldruck und -geschwindigkeii sind maschinenspezifische Größen und müssen an jeder Siebdruckmaschine neu ermittelt werden. Verwendet man das Gerät SVECIA Semimatik PC, so sollte der Druck zwischen 15 und 21 Scalenteilen liegen und die Geschwindigkeit zwischen 20cm/sec 40cm/sec betragen. Der Abstand zwischen dem Substrat und dem Sieb hat einen festen Wert zwischen 0,8mm und 1,2mm.
  • Das Sieb selbst ist relativ feinmaschig, da die Kantenschärfe der Schichten von der Maschengröße abhängt; bei hochfeinen Strukturen sollte man mit einem 35O-mesh-Sieb arbeiten.
  • Die Erfindung beschränkt sich nicht nur auf das ausführlich dargestellte Ausführungsbeispiel. So ist es zunächst ohne Belang, auf welche Weise die Elektronen erzeugt werden; dementsprechend kommen neben Plasmakathoden auch andere Elektronenquellen, etwa die in der DE-OS 27 42 555 vorgesehenen Heißkathoden, in Frage. Davon abgesehen kann man auch mit Elektrodenplatten arbeiten, die aus einem anderen Isoliermaterial als Glas, etwa einer (fotoätzbaren) Keramik, bestehen. Im übrigen läßt sich auch noch die Leiterstruktur abwandeln: zwischen benachbarten Lochreihen können sich auch zwei Streifen befinden, und bei einer beidseitigen Plattenbeschichtung ist es durchaus möglich, die Leiter beider Seiten in die Löcher hineinreichen zu lassen.
  • 7 Patentansprüche 2 Figuren

Claims (7)

  1. Patentansprüche 1. Verfahren zur Herstellung einer für eine Anzeigevorrichtung vorgesehenen Elektrodenplatte, bei dem man 1) zunächst eine Trägerpiatte aus isolierendem Material mit einem regelmäßigen Flächenraster aus Durchtrittslöchern versieht und 2) anschließend auf der Platte ein Muster aus streifenförmigen, zueinander parallelen und voneinander beabstandeten Schichtelektroden (Streifenelektroden) erzeugt, wobei benachbarte Streifenelektroden eine Lochreihe zwischen sich einschließen und in die Löcher dieser Reihe hineinreichen, dadurch g e k e n n z e i c h n e t, daß 3) die Streifenelektroden (14) in einer Siebdrucktechnik aufgebracht werden, wobei gilt: 0,1#d#1 und#min##max, mit #max=-27,8d + 47,8 und#min=-22,2d + 32,2 (d = Dicke der Platte, gemessen in mm, und Viskositat der Siebdruckpaste, gemessen in Pa s ).
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß gilt: 0,1 # d # 0,2, #max=-50d + 45 und #min=-20d + 34.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n -z e i c h n e t, daß gilt: 0,7 # d # 1,# max=-23d + 37 und #min=-23d + 35.
  4. 4. Leiterplatte, die nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellt ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Plattenlöcher (1 einen länglichen, insbesondere ovalen Querschnitt haben und längs oder quer zur Erstreckungsrichtung der Streifenleiter (14) verlaufen.
  5. 5. Leiterplatte, die nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellt ist, dadurch gekennz e i c h n e t, daß die Trägerplatte (4) beidseitig mit Streifenleitern (12, 14) versehen ist, daß die Streifenleiter (12) auf der einen Plattenseite senkrecht zu den Streifenleitern (14) der anderen Plattenseite verlaufen und daß nur die Streifenleiter (14) einer der beiden Plattenseiten in die Plattenlöcher (13) hineinreichen.
  6. 6. Leiterplatte, die nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3 hergestellt ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Raster der Plattenlöcher (13) eine Schrittweite a von höchstens 400imhat und der Abstand zwischen benachbarten Ablenkelektrodend höchstens 120µm beträgt, insbesondere daß gilt: a#320µm und d#100µm.
  7. 7. Verwendung einer Leiterplatte gemäß einem der Ansprüche 4 bis 6 zur Elektronenablenkung in einer Anzeigevorrichtung, bei der Elektronen aus einer rückwärtigen, vorzugsweise von einem Plasma gebildeten Elektronenquelle durch ausgewählte Löcher einer Steuermatrix nach vorn in einen plasmafreien Raum gelangen, dort beschleunigt abgelenkt und zugleich/werden und schließlich auf Phosphorpunkte einer Frontplatte treffen
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