DE3334794A1 - Thyristorschaltung - Google Patents

Thyristorschaltung

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DE3334794A1
DE3334794A1 DE19833334794 DE3334794A DE3334794A1 DE 3334794 A1 DE3334794 A1 DE 3334794A1 DE 19833334794 DE19833334794 DE 19833334794 DE 3334794 A DE3334794 A DE 3334794A DE 3334794 A1 DE3334794 A1 DE 3334794A1
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DE
Germany
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thyristor
circuit
saturation
parallel
resistance
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Withdrawn
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DE19833334794
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English (en)
Inventor
Harald Ing.(grad.) 8039 Puchheim Meissner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/0403Modifications for accelerating switching in thyristor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/73Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents
    • H03K17/731Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for dc voltages or currents with inductive load

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Description

  • Thyristorschaltunq
  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Thyristorschaltung mit einer im Lastkreis des Thyristors liegenden Sättigungsdrossel,. der ein ohmscher Widerstand parallelgeschaltet ist.
  • Bekanntlich hängt die Größe der Schaltverluste der Thyristoren wesentlich von den Thyristoreigenschaften und von der Stromsteilheit beim Zünden und Löschen ab. Diese Schaltverluste, die sich aus der Addition von Einschalt-und Ausschaltverlusten ergeben, lassen sich bekanntlich durch Sättigungsdrosseln, die auch als Stufendrosseln bezeichnet werden, erheblich herabsetzen, vergleiche dazu das Buch von M.Meyer: "Selbstgeführte Thyristor-Stromrichter", 1974, Seiten 59 und 60. Diese Drosseln müssen beim Einschaltvorgang in der Lage sein, nach dem Zusammenbruch der positiven Sperrspannung bei einem kleinen Strom, dem sogenannten Stufenstrom, die treibende Spannung des Schaltkreises für eine bestimmte Zeit, die sogenannte Stufenzeit, aufzunehmen.
  • Sobald der Kern der Stufendrossel magnetisch gesättigt ist, beginnt der Steilanstieg des Stromes. Dieser trifft gegenüber der Schaltung ohne Drosseispule auf eine größere leitende Flächeim Thyristor, also einen kleineren dynamischen Ersatzwiderstand. Die Einschaltverluste werden dadurch kleiner und die zulässige Stromanstiegsgeschwindigkeit wird größer. Für den Ausschaltvorgang benötigt der Thyristor einen gewissen Ausräumstrom, um in einer bestimmten Zeit gelöscht zu werden, d.h. die Ladungsträger müssen ausgeräumt werden. Die Sättigungsdrossel stellt nunmehr einen relativ hohen Widerstand im Stromkreis dar, so daß der Transistor nur verhältnismäßig langsam ausgeräumt werden kann und nicht rechtzeitig gelöscht wird. Wird eine Sättigungsdrossel mit einer leicht gescherten Drosselkennlinie verwendet, so wird zwar ein definierter Widerstand bereitgestellt, der gestattet, daß der notwendige Ausräumstrom für den Ausschaltvorgang fließen kann. Eine gesicherte" Drossel bewirkt aber auch im Einschaltmoment des Thyristors einen bestimmten Widerstand. Dies bedeutet, daß ein Kompromiß zwischen den Eigenschaften der Sättigungsdrossel beim Ein-und beim Ausschalten geschlossen werden muß.
  • Zur möglichst einwandfreien Funktion ist es nämlich erforderlich, die Eigenschaften einer Sättigungsdrossel möglichst gut an die Thyristorparameter anzupassen. Es ist auch bekannt, der nicht "gescherten" Sättigungsdrossel einen ohmschen Widerstand parallel zu schalten. Eine kompromißfreie Anpassung der Eigenschaften der Sättigungsdrossel sowohl an das Ein- als auch an das Ausschaltverhalten des Thyristors ist hierdurch jedoch auch nicht möglich.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Thyristor schaltung mit Sättigungsdrossel so auszulegen, daß sich eine optimale Anpassung der Eigenschaften der Sättigungsdrossel ohne Scherung an die Thyristorparameter erreichen läßt.
  • Gemäß der Erfindung, die sich auf eine Thyristorschaltung der eingangs genannten Art bezieht, wird diese Aufgabe dadurch erreicht, daß in Reihe zum ohmschen Widerstand noch eine Diode in Sperrichtung angeordnet ist und diese Reihenschaltung somit parallel zur Sättigungsdrossel liegt.
  • Durch diese Maßnahme nach der Erfindung können die Eigenschaften der Sättigungsdrossel, nämlich die Leerlaufinduktivität, die Sättigungsinduktivität, der Kernquerschnitt, die Windungszahl, der Sättigungsstrom, die Eigenverlust usw. voll dem Einschaltverhalten des Thyristors angepaßt werden, ohne daß Rücksicht auf den ohmschen Parallelwiderstand genommen werden muß. Da dieser Widerstand wegen der dazu in Reihe liegenden Diode erst in der Rückwärtsrichtung, d.h. während des Ausschaltvorgangs, wirksam wird, kann dieser Widerstand auf die Erfordernisse des Ausräumstromes dimensioniert werden.
  • Bei höheren Schaltfrequenzen ist durch den zusätzlichen Einbau der Diode in Reihe zum ohmschen Widerstand außerdem eine deutliche Verminderung der Schaltverluste möglich.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden anhand einer in einer Figur dargestellten Schaltung erläutert.
  • Die Figur zeigt eine Thyristorschaltung mit einem Thyristor Th, in dessen Laststromkreis ein Lastwiderstand RL und eine Sättigungsdrossel SD liegen. Gespeist wird dieser Laststromkreis von positiven Gleichspannungsimpulsen. . Nach jedem Impuls wird die speisende Gleichspannung U gleich Null bzw.
  • negativ. Die Impulsfolgefrequenz kann z.B. einige Kilohertz betragen. Parallel zur Sättigungsdrossel SD ist eine Serienschaltung, bestehend aus einem ohmschen Widerstand R und einer Diode D angeurdnet. Die Diode u isL so gepult, dau sie sich im Durchschaltzustand des Thyristors T., im Sperrzustand befindet. nähren des Einschaltvorgangs aes Thyristors Th Ist der Parallelzweig über den ohmschen Widerstand R und die Diode D gesperrt, so daß die Eigenschaften der Sättingungsdiossel SD ausschließlich dem Einschaltverhalten des Thyristurs lh angapaße werden könneii. Der Parallelwiderstand R ..uß in keiner Weise berücksichtigt weraen. Erst wahrend ues Ausschaltvorgangs des Thyristors Th wird der widerstand R wirksam, da der Thyristor Th dann in Rückwärtsrichtung betrieben wird und Strom über die Diode D und damit auch über den ohmschen Widerstand R fließt. Die Dimensionierung des Widerstands R erfolgt entsprechend den Erfordernissen des Ausräumstroms des Thyristors Th.
  • 1 Patentanspruch 1 Figur L e e r s e i t e

Claims (1)

  1. Patentanspruch Thyristorschaltung mit einer im Lastkreis des Thyristors liegenden Sättigungsdrossel, der ein ohmscher Widerstand parallelgeschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe zum ohmschen Widerstand (R) noch eine Diode (D) in Sperrichtung angeordnet ist und diese Reihenschaltung somit parallel zur Sättigungsdrossel (SD) liegt.
DE19833334794 1983-09-26 1983-09-26 Thyristorschaltung Withdrawn DE3334794A1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3542751A1 (de) * 1985-11-30 1987-06-04 Licentia Gmbh Schaltungsanordnung zur reduzierung der verlustleistung bei beschaltungsnetzwerken von halbleiterschaltern

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DE1213044B (de) * 1963-09-30 1966-03-24 Licentia Gmbh Schutzanordnung fuer steuerbare Siliziumzellen
DE1265205B (de) * 1966-05-28 1968-04-04 Philips Patentverwaltung Steuerschaltungsanordnung zur schnellen wechselweisen Ein- und Ausschaltung zweier Induktivitaeten
CH537672A (de) * 1971-10-29 1973-05-31 Bbc Brown Boveri & Cie Schaltungsanordnung für die Thyristorbeschaltung von Hochspannungsventilen

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