DE3321921C2 - Optisch transparenter Isolator zwischen Strahlungssendern und Strahlungsempfängern in optoelektronischen Koppelelementeanordnungen - Google Patents
Optisch transparenter Isolator zwischen Strahlungssendern und Strahlungsempfängern in optoelektronischen KoppelelementeanordnungenInfo
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Abstract
Zur erheblichen Verminderung von Sicherheitsrisiken bei der elektrischen Trennung oder insbesondere bei der sicheren elektrischen Trennung von elektrischen Stromkreisen werden Potentialelektroden in optisch durchlässige Isolatoren zur Potentialsteuerung, zur dauernden Isolationsüberwachung, zum Beispiel bei Alterungen von optischen Isolatoren, und zum dauernden Isolationsschutz, eingefügt. Isolationsschädigende Teilentladungen können teils eliminiert werden oder zumindest in einem sehr frühen Stadium erkannt, überwacht und Schutzmaßnahmen gegen die Gefährdung von Sachwerten, Tieren und Menschen, rechtzeitig eingeleitet werden. Verbindet man Potentialelektroden mit dem Schutzleiter, so fließen im Isolationsfehlerfall die Ladungen von elektrischen Durchschlägen und Überschlägen oder Kriechströmen über die Potentialelektrode zum Schutzleiter nach Erde ab, so daß immer ein gesunder Isolationsteil zwischen Sender und Detektor erhalten bleibt und damit im Fehlerfall die Isolation zwischen Sender und Detektor nur zu einer einfachen Basis- oder Betriebsisolation gemindert werden kann. Die bisher üblichen optischen Isolatoren gewähren nicht diesen Schutz. Über verstärkte Isolationen von optisch-durchlässigen Isolatoren kann in vielen Fällen nicht ausgewichen werden, teils aus schaltungstechnischen Gründen, teils wegen Schutzleiteranschlußforderungen gemäß einiger VDE/IEC/CECC-Betriebsmittel-Spezifikationen und auch mangels von ...
Description
Die Erfindung geht aus von einem optisch transparenten Isolator in optoelektronischen Koppelelementeanordnungen
nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Ein solcher Isolator für optoelektronische Koppelanordnungen ist allgemein beispielsweise aus der DE-OS
23 13 288 bekannt. Er beinhaltet alle für den optischen Strahlengang eingesetzten Materialien einschließlich
der transparenten Gehäuse für den Strahlungssender und für den Strahlungsempfänger. Beim speziellen Einsatz
optoelektronischer Koppelelementeanordnungen in Bauelementen und Betriebsmitteln wie optischen
Trennverstärkern und Solid-State-Relais ist ein solcher
Isolator z.B. aus »Elektronikindustrie 9/1982, Seite27
bis 32 und »Motorola-Firmenprospekt von 1973 Opto-
couplers at work«, Seite 9 ff. bekannt
Die derzeitigen optischen Systeme verwenden verschiedenartige optische Strablungskopplungen zwischen
Sender und Empfänger, wie direkte Strahlung von gegenüberstehenden Sender und Empfänger, Reflexionssysteme,
Totalreflexionssysteme, Lichtleiter- und Lichtwellenleiter-Systeme und Mischanordnungen vornehmlich
mit zusätzlichen weißen Reflexionsschichten.
Der optisch transparente Isolator kann je nach dem verwendeten Strahlengangprinzip verschiedene Konfigurationen
und Oberflächeneigenschaften mit besonderen Maßnahmen für verlustarme Strahlungskopplung
aufweisen, die Isolatormaterialien können feste, flüssige
und gasförmige Medien sein.
Es sind auch Isolatoren in integriert hergestellten optoelektronischen
Systemen aus »Elektronik 7/1981, Seite 24«, bekannt
Bei höheren Spannungsdifferenzen zwischen dem optischen Sender und dem Empfänger treten meist am
Empfänger unerwünschte irreversible Effekte auf, wie eine Erhöhung des Sperrstromes, eine Verringerung der
Stromverstärkung, eine Veränderung des Arbeitspunktes und damit ein Ansteigen des Stromrauschens, was
letztendlich die Photoempfindlichkeit mindert. Am gravierendsten tritt dies bei der Messung der Gleichtaktunterdrückung
CMR eines optoelektronischen Koppelelementes auf. Diesen Effekten begegnet man bereits erfolgreich
durch den Einsatz von Schirmen und Guardringen auf Photodetektor-Halbleiter-Chips gemäß
EG&G-Firmendruckschrift 3/73, Fig. 1, in der der Ring als Metallisierung über einer η+-dotierten Schicht angeordnet
ist oder gemäß zum Beispiel DE-OS 25 54 626, in der die Abschirmungen flächig am Rand und außerhalb
der Strahlungsemittierenden Schicht und Fläche und im wesentlichen auch außerhalb der strahlungsabsorbierenden
Schicht und Fläche aufdiffundiert sind.
in jedem Fall befinden sich die Abschirmschichten und Guardringe im Stromkreis des sendenden oder
empfangenden Halbleiter-Chips und nicht innerhalb der Isolation im Sinn einer separaten Elektrode. Zwar ist in
der DE-OS 25 54 626 ausgesagt, daß es möglich sei, an den Schirme'ektroden elektrische Anschlüsse anzubringen
und isoliert aus dem Halbleiterelement herauszuführen, aber diese Maßnahme wird nur als wirtschaftlich
wenig sinnvoll dargestellt, geschweige denn, daß ein technischer Wert angedeutet wäre. Ferner ist es nur aus
der Hochspannungstechnik bekannt (DE-OS 20 34 463), nämlich bei Hochspannungsisolatoren, zur Senkung einer
ausgeprägten hohen Feldstärkebelastung auf der Isolatorobe'rfläche nabe den Polen/Armaturen, zwischen
den Polen einzelne Isolatorschirme auf den Außenumfang als elektrisch leitende Ringe oder Beläge
ohne Anschlüsse anzubringen oder im Innern des Isolators metallische Einlagen quer zur Isolatorlängsachse
derart anzuordnei;>(CH-PS 1 26 484), daß die gegenseitige
Kapazität je zweier aufeinanderfolgender Kondensatoreinlagen von den Polen des Isolators nach der Mitte
hin derart abgestuft ist, daß das Spannungsgefälle längs der Oberfläche des Isolationskörpers nahezu konstant
ist. In beiden Fällen wird auf passive Weise das Potential längs des Isolators gesteuert, um die Gefahr
eines Oberschlages oder Durchschlages zu bannen. Demgegenüber werden bei aktiver Potentialsteuerung
die elektrisch leitenden Beläge und Einlagen über Anschlüsse an ein definiertes Potential angeschlossen
(DE-PS 5 52 892).
Der Anschluß elektrischer Betriebsmittel an Erd-, Masse- und Schutzleiter ist aus VDE 0100/5.73 und VDE
0100 Teil 410/11.83 als Schutzklasse-1 -Prinzip bekannt
und dient einer bei indirekter Berührung gegen elektrischen Schlag und Sachwertgefährdung besonders sirheren
elektrischen Entkopplung des Verbrauchers von der Netzspannung. Diese Schutzmaßnahme wird in Fernmeldeanlagen,
elektrischen Haushaltsgeräten, elektronisch gesteuerten Werkzeugmaschinen und Starkstromanlagen
mit elektrischen Betriebsmitteln angewendet Das Bild 1, das aus DIN IEC380/VDE 0806, Seite 125
ίο Bild 62 und 63 entnommen ist, zeigt den Unterschied
zwischen Schutzklasse-2 und Schutzklasse-1 am Beispiel
eines Transformators/Übertragers, dem eine optoelektronische Kopplung gleichwertig ist
Während ein Schutzklasse-2-Transformator eine doppelte oder verstärkte Isolation zwischen netzseitiger Eingangswicklung und SELV-Wicklung für Sicherheitskleinspannung enthält, die analog auch für eine optoelektronische Isolation zur sicheren elektrischen Trennung gegen indirektes Berühren verwendet werden kann, enthält ein Schutzklasse-l-Transformator zwischen der netzseitigen Eingar<~;iwicklung und der SELV-Wicklung eine separate galvanisch leitende Schutzwicklung oder einen Metallschirm, der mit dem Schutzleiter aus dem Versorgungsnetz verbunden wird.
Während ein Schutzklasse-2-Transformator eine doppelte oder verstärkte Isolation zwischen netzseitiger Eingangswicklung und SELV-Wicklung für Sicherheitskleinspannung enthält, die analog auch für eine optoelektronische Isolation zur sicheren elektrischen Trennung gegen indirektes Berühren verwendet werden kann, enthält ein Schutzklasse-l-Transformator zwischen der netzseitigen Eingar<~;iwicklung und der SELV-Wicklung eine separate galvanisch leitende Schutzwicklung oder einen Metallschirm, der mit dem Schutzleiter aus dem Versorgungsnetz verbunden wird.
Die Abkürzung SELV bedeutet Sicherheitskleinspannung 1VUt sicherer elektrischer Trennung (Safety Extra
Low Voltage). Im Fehlerfall dieser Basisisolierung erfolgen Isolationsdurchschläge nicht zwischen netzseitiger
Eingangswicklung und SELV-Wicklung, sondern nur zwischen netzseitiger Eingangswicktang und Schutzwicklung.
Als Folge wird das Ansprechen einer Sicherung im Versorgungsnetz als Ansprechen einer Schutzeinrichtung
angesehen. Weitere zum Versorgungsnetz gehörende Schutzeinrichtungen zum Schutz gegen indirekte
Berührung des Transformators oder Betriebsmittels sind durch die Schutzmaßnahme Fehlerstromschutzschaitung
bei nicht zulässigen Berührungsspannungen an Schutz-, Null-, Erdungs- und Masseleitern
oder bei nicht zulässigen Isolationsleckströmen .mit einbezogen
gemäß §35.1.130 und §3.8, Seite 23 bis 25 VDE 0160/11.81. Im Fehlerfal! kann zwischen netzseitigen
primären und sekundären SELV-Stromkreisen niemals eine gefährlich leitende Verbindung auftreten, weil eben
immer eine restliche gesunde Isolationsdieke erhalten bleibt
Schaltungen zum Erkennen/Überwachen und Anzeigen des Zustandes von Isolatoren werden primär in der
Hochspannungstechnik, und zwar bei Hochspannungsisolatoren nach zum Beispiel der AT-PS 2 70 802, verwendet.
In dieser Druckschrift sind innerhalb einer festen Hochspannungsisolierung zwischen Hochspannungselektrode
und Erde zwei symmetrische Reihrnkondensatorschaltunge.! als zwei gegenseitig isolierte,
lymi/ieirische, leitende Einlagenstapel gezeigt. Im Stapel
sind die leitenden Einlagen gegeneinander isoliert und parallel zur Hochspannungselektrode ausgerichtet.
Bei Minderung des Isoliervermögens infolge Durchschlages einer Teilschicht einer Parallelkapazität
kommt eine Brückenschaltung aus dem Gleichgewicht und eine Isolationsüberwachungsschaltung spricht an.
Aber auch bei optoelektronischen Koppelelementen sind Maßnahmen zur Prüfung des isoiatiens'jvertes (Isolationswiderstand)
des optoelektronischen Isolators schon bekannt (Hewlett-Packard-Optoelectronics Applications
Manual, Vr. Graw Hill, 1977, §3.22). Darin werden
zunächst sogenannte Teilentladungsmessungen und die dabei wichtige Einsetzspannung für solche Entladungen
angesprochen. Danach wird eine Spezialbe-
handlung für alle optoelektronischen Koppelelemente eines Fertigungsloses beschrieben, wonach diese Elemente zuerst im Vakuum entgast und anschließend in
unter Druck stehendes Silikonöl gebracht werden, was bewirken solle, daß die Teileniladungseinsetzspannung
ausreichend hoch über der Nennisolationsspannung zu
liegen kommt; zuletzt wird jedoch diese Teilentladungsmessung als 100-%-Stückprüfung wegen zu hohen Aufwandes verworfen. Sie wird wohl nur als stichprobenhafte Kontrolle durchgeführt. Um dennoch sicher zu
stellen, daß in keinem Koppelelement ein von Anfang an defekter Isolator enthalten ist, wendet man eine
100-%-Stückprüfung nach der veralteten, isolatorschädigenden Weise an, indem man 3 000 V für 5 Sekunden
Dauer bei 45% relativer Luftfeuchtigkeit anlegt, als Ausschußkriterium gilt ein Leckstrom von über 1,0 μΑ.
Teilentladungsmessungen sind primär aus der Hochspannungsprüftechnik bekannt und in der Deutschen
Norm DIN 57 434 bzw. der YDE-Richtünie 0434 vom
Mai 1983 oder IEC 270 von 1981 hinsichtlich ihres Zweckes, der vorkommenden Begriffe, Definitionen der
Meßgrößen und Parameter der Prüfschaltungen, Meßmethoden, Meßgeräte und Verfahren zum Kalibrieren
festgelegt.
Demnach versteht man unter Teilentladungen elektrische Entladungen in einem Isolator, die den Isolator
zwischen zwei auf unterschiedlichem Potential liegenden Elektroden nur teilweise überbrücken. Sie können
an der Isolatoroberfläche und/oder im Innern des Isolators auftreten. Verursacht werden sie durch Stellen in-
homogenen Gefüges des Isolators, wie Lunker, Mikroporen und Dieiektrizitätssprünge, an denen sich besonders starke elektrische Feldstärken aufbauen. Bei Teilentladungsmessungen wird eine an den zu prüfenden
Isolator angelegte Meßhochspannung erhöht und erniedrigt, und es wird festgestellt, bei welcher Spannung
Teilentladungen im Isolator auftreten (Teilentladungseinsetzspannung) und bei welcher Spannung sie wieder
aufhören (Teiientladungsaussetzspannung).
Diese Messungen vor dem Einsatz eines Hochspannungsisolators bieten somit die Möglichkeit, auf seine
Lebensdauer zu schließen und über seine Einsatzmöglichkeiten zu entscheiden. Wie oben gezeigt (Hewlett
Packard Manual) wird dieses Wissen für optoelektronische Koppelelemene jedoch nicht gezielt genutzt. Dies
mag daran liegen, daß diese genormten Teilentladungsmeßmethoden allenfalls nur für aufwendige Typprüfungen an optoelektronischen Koppelelementeanordnungen geeignet erscheinen, weil dabei ähnliche Prüfbedingungen wie bei der bisherigen aufwendigen Teilentla-
dungs-Einzeiprüfun£ für jedes einzelne Hochspannungsbetriebsmittel vorliegen; jedoch ist eine vollautomatische Stückprüfung durch programmierbare Prüfautomaten an den in Massen gefertigten optoelektronischen Koppelelementeanordnungen bisher nicht reali-
siert
Sollen die in elektrischen Schaltungen eingebauten optoelektronischen Koppelelementeanordnungen auf
Teilentladungen geprüft werden, so müssen diese genauso wie die Hochspannungsbetriebsmittel erst aus er
elektrischen Schaltung ausgebaut werden.
Zwei weitere Nachteile genormter Meßmethoden sind im Versuchsaufbau begründet:
Die hochfrequenten Teilentladungsimpulse sind der Prüfwechselspannung überlagert Sie werden aus dem
Prüfkreis über einen teilentladungsfreien Kondensator und eine Meßimpedanz, wie Impulstrager oder Widerstand, ausgekoppelt Dieser Ankopplungsvierpol, der
zum Schutz des nachgeschalteten Teilentladungsmeßgerätes noch Überspannungsableiter enthält, hat den
Nachteil, daß erstens die Meßimpedanz eine Verlustleistung aufnimmt und zweitens, daß die schädlichen Kapazitäten des Überspannungsabieiters und der Meßimpedanz sowie die Art und der Wert der Meßimpedanz
eine Ankopplungsdämpfung von mindestens 2OdB bewirken (Ankopplungsvierpolprospekt der Fa. Schwarzbeck Mess-Elektronik anläßlich des 50. VDE-Seminars
1982). Da zusätzlich die Meßempfindlichkeit des Teilentladungsgerätes infolge Eigenrauschens auf 2 pC oder
1 μν beschränkt bleibt, wird in der Praxis eine Teilentladungsnachweisgrenze von nur 5 pC erreicht. Dem gegenüber wurde in wissenschaftlichen Laboratorien eine
Teilentladungsnachweisgrenze von etwa 0,01 pC erreicht (etz-a Bd. 99,1978, H. 3).
Das Teilentladungsmeßverfahren ist nur in einer abgeschirmten Kabine mit Hochspannungs- oder Stoßspannungsgenerator, Ankcppiungsvicrpo!, Fünksiörmeßempfänger und Prüfling benutzbar; daher ist sein
Meßaufbau sehr teuer, sehr voluminös und zur Eliminierung externer Störquellen, wie Störsender oder an der
Kabineninnenwand lehnende Gegenstände, auch sehr zeitaufwendig.
Die oszillographische Anzeige äußerer und innerer Teilentladungsmessungen ist beispielsweise aus dem
Manuskript zum 50. VDE-Seminar über Teilentladungen in Be'iiebsmitteln der Energietechnik, Bezirksverein Südbayern e.V. München vom 30.11.1982 aus dem
Beitrag 1.1 mit den Fig. 10a, b, 11a, b, bekannt.
In Power conversion international Februar 1982, Seite 24 bis 28 ist der Vorteil der Verwendung einer oszillografischen Anzeige (Kathodenstrahloszillograph) genannt, nämlich, daß durch die Anzeige der zeitlichen
Zuordnung des Entladungsverlaufes auf einem Bildschirm viel mehr Informationen über das physikalische
Verhalten des Isolators gewonnen werden als nur die Teüentladungseinsetz- und -aussetzspannung.
Alle Teilentladungsmeßverfahren messen den Ladungsfluß an den äußeren Anschlüssen des Isolators, so
daß nur ein scheinbarer Teilentladungswert zur Anzeige kommt
Weiterhin wird nach allen oben angegebenen Teilentladungsnormen nur schmalbandig und nur bis zu einer
Mittenfrequenz von etwa 10 MHz gemessen, selbst wenn Breitbandverstärker bis 10 MHz zum Einsatz
kommen, so daß die Impulsform aller Teilentladungsimpulse gravierend verfälscht ist und also nur ein relativer
Teilentladungswert angezeigt wird, der fälschlich als absoluter Wert wegen der vorkalibrierten Meßschaltung
angesehen wird.
Der Informationsverlust der Teilentladungsimpulsform wurde bisher hingenommen.
Aus der DE-AS 27 21 353 ist es bekannt, zwischen inneren und äußeren Teilentladungen zu unterscheiden;
in ihr ist gezeigt, wie man innere Teilentladungen im Prüfling erfassen kann, wenn die am Prüfling angelegte
Prüfwechselspannung bei der Entladungsmessung bereits äußere Entladungen am Prüfling oder im Prüfkreis
hervorruft Dies erfolgt dadurch, daß die elektrischen Teilentladungsimpulse vor dem Zuleiten an Auswertbzw. Anzeigevorrichtungen, in einem Zeitbereich der
Prüfwechselspannungskurve kurzgeschlossen sind, in
dem äußere Entladungen auftreten.
Diesem Stand der Technik gegenüber liegt nun der Erfindung die Aufgabe zugrunde, einen optisch transparenten Isolator in einer optoelektronischen Koppelelementeanordnung zu schaffen.
— dessen innerer und äußerer Potentialverlauf gesteuert werden kann,
— der eine sichere elektrische Trennung entsprechend deffi zum Beispiel bei Werkzeugmaschinen
geforderten Schutzerdungsprinzip zum Anschluß eines Schutzleiters gemäß Schutzklasse 1 ermöglicht
und
— -Jer eine starke Verringerung des meßtechnischen
Aufwandes bei Isolationsprüfungen hervorruft, so daß auch eine 100%-Stückprüfung möglich wird.
Lösung
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt mit den im Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen. Mit den optisch
transparenten, elektrisch leitfähigen Zonen (LZ) lassen sich die Potentialverteilung längs des Isolators (I) steuern,
Isolationsdurch- und Überschläge zwischen Strahlungssender (S) und Strahlungsempfänger (D) verhindern,
weil sie die gefährlichen Durch- und Überschlagsladungen sowie Kriechströme gegen Schutzerde ableiten,
und schädliche Teilentladungsimpulse kapazitiv aus dem Isolator an die äußere Isolator-Überwachungsschaltung
koppeln.
Die Weiterbildungen des Gegenstandes des Anspruchs 1, welche in den Unteransprüchen angegeben
sind, berücksichtigen den Strahlengang in unterschiedlichen optischen Systemen, wie das direktstrahlende System,
Reflexionssystem, Totalreflexionssystem, Lichtleitersystem, Lichtwellenleitersystem, multiples System
um', integriertes System.
Vorteile
Mit dem optisch transparenten Isolator nach der Erfindung wird die vorher erwähnte Gleichtaktunterdrükkung
wesentlich verbessert, so daß der Guardring auf dem Chip des optischen Strahlungsempfängers eingespart
werden kann. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen beschrieben. Mit der Ausgestaltung
des Isolators nach Anspruch 2 wird eine wahlweise manuelle oder automatische Herstellung der leitfähigen
Zone auf dem Isolatorformteil erreicht. Die zwei separaten Anschlüsse einer stromtragfähigen Zone tragen
zur sicheren elektrischen Trennung bei. Bei der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 3 werden zwei Isolatorformteile
mit unterschiedlichen Dielektrizitätskonstanten elektrisch verbunden, so daß keine Teilentladungen
auftreten können. Die elektrisch leitfähige Zone kann bestimmte spektrale Transmissionseigenschaften
aufweisen um verschiedene Senderstrahlungswellenlängen, aber auch Umgebungsstrahlungen, zu selektieren.
Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 4 werden in ein und dem selben Herstellungsverfahren die
leitfähige Zone und die Kontaktierungsfläche für Schweiß-, Klebe- und Lötanschlüsse auf das Isolatorformteil
gebracht Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 5 wird durch ein symmetrisches oder
unsymmetrisches Diffusionsprofil und nach Anspruch 6 durch ein scharfkantiges Diffusionsprofil eine präzise
Dimensionierung der leitfähigen Zone für kleine Isolationsformteile
erreich L Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 7 wird eine sehr geringe Änderung
des Brechungsindexes und der Dielektrizitätskonstante zwischen leitfähiger und isolierender Halbleiterschicht
erreicht. Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch
8 wird eine einfache Herstellung leitfähiger Zonen an einzelnen Isolatorformteilen des Isolators erreicht.
Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 9 wird in Leiterbandtechnologie die Loch- oder
Schlitzblende ohne zusätzliche Fertigungsschritte und damit ohne zusätzliche Kosten hergestellt. Mit der Ausgestaltung
des Isolators nach Anspruch 10 wird nur ein einfaches Blech als stromtragfähige Elektrode zwischen
Strahlungssender und Strahlungsempfänger angeordnet. Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch
11 werden durch die neue Einchipanordnung
ίο sehr kleine äußere Bauelementeabmessungen bei verringerten
Montagekosten erzielt. Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 12 wird erstmals eine isolierte
Ankopplung an die Teilentladungsmeßanordnung erzielt, wobei der vorher erwähnte voluminöse Ankopplungsvierpol
eingespart wird. Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 13 wird die Gefährdung
von Personen und Sachwerten durch elektrischen Schlag und Brand verhindert. Mit der Ausgestaltung des
Isolators nach Anspruch 54 wachsen Teileniiädüngen
an geminderten Isolatorstellen nicht weiter. Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 15 werden
Isolationsminderungen durch Teilentladungen an DieleiUrizitätssprüngen
des Isolators verhindert. Mit der Ausgestaltung des Isolators nach Anspruch 16 werden
durch Potentialsteuerung die äußeren Isolatorabmessungen verringert. Mit der Ausgestaltung des Isolators
nach Anspruch 17 werden im Isolationsfehlerfall elektrische Durch- und Überschläge gegen Schutzleiter und
Erde abgeleitet, wobei immer ein gesundes Isolationsteil entweder zwischen Sender und Schutzleiterelektrode
oder zwischen Empfänger und Schutzleiterelektrode erhalten bleibt.
Darstellung der Erfindung
Die neue transparente elektrisch leitfähige Zone ist eine Metallisierungs-, Diffusions- oder Epitaxie-Schicht
oder ein Loch-, Ring- oder Schlitzblenden-Blech oder ein hochstehendes Blech. Diese Zone ist auf und in dem
transparenten Isolator, der zwischen Strahlungssender und -Empfänger liegt, angeordnet. Ein solcher Isolator
kann sowohl aus einem oder mehreren beliebig geformten Lichtleiter-Formteilen (LL), Rohren (U) und zusätzlichem
Reflektor (R) als auch aus Lichtwellenleitern (LWL) bestehen, wobei das Gehäuse oder die eigene
Isolation (SI) des Senders (S) sowie die eigene Isolation (DI) des Empfängers (D) mit eingeschlossen sind. Die
Isolatormaterialien sind feste, flüssige oder gasförmige Medien. Die festen Medien sind Glas, Keramik, Kunststoffe
und reine Halbleiter, die gasförmigen sind Luft oder Isolier- und Schutzgase wie SF6 und die flüssigen
sind zum Beispiel Isolieröl.
Die Erfindung wird im folgenden durch ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel erläutert.
Der oben beschriebene Isolator (I) enthält im Bild 2 den Sender (S) mit einer Isolierung (SI) und den gegenüberstehenden
Empfänger (D) mit seiner Isolierung (DI) und dem dazwischen eingefügten Lichtleiter (LL). Der
Isolator bekommt zwischen Sender (S) und Empfänger
(D) die optisch transparenten und leitfähigen Zonen (LZ) in und an das Lichtleiterformteil (LL) eindiffundiert,
aufgewachsen, aufgedampft oder aufmetallisiert, wobei an die metallisierte Lichtleiteroberfläche ein Anschlußkontakt
(A) geschweißt, gelötet, geklebt, gepreßt oder angedrückt wird.
Der Sender liegt auf dem Hochspannungspotential (HV), ihm gegenüber liegt der Empfänger auf dem wesentlich
niedrigeren Netzspannungspotential (VAC)
oder auf dem noch niedrigeren berührbaren Schutzkleinspannungspotential
mit sicherer elektrischer Trennung (SELV). Zur Steuerung des inneren und äußeren
Potentialverlaufes längs des Isolators (I) werden leitfähige
Zonen (LZ) als Potentialsteuerelektroden (PS) an ein Steuerpotential, welches den Wert oder einen
Bruchteil des Hocnspannungspotentials aufweist, angelegt. Zur Schutzerdung des Isolators wird eine leitfähige
Zone als Schutzlcüerelektrode (SL) an einen Erd- oder
Schutzleiter (SE) angeschlossen. Damit wird die sichere elektrische Trennung bei indirekter Berührung gegen
elektrischen Schlag und Sachwertgefährdungen nach Schutzklasse 1 erreicht, zur Isolationsprüfung- und
Überwachung des Isolators wird eine leitfähige Zone als Teilentladungsankopplungselektrode (TA) an Teilentladungs-Detcktierungsschaltungen
angeschlossen. Diese Teilentladungsankopplungselektrode, welche von allen
Stromkreisen des Isolators (I) isoliert ist, koppelt die Teilentladungsimpulse kapazitiv aus dem Isolator auf
einen preiswerten rauscharmen und sehr kleinen 300 MHz-Breitbandverstärker der Teilentladungsmeßschaltung
(Bild 2) oder der Isolationsüberwachungsschaltung (Bild 3). Dabei bleibt der ursprüngliche
scheinbare Teilentladungsimpuls mit seiner vollen Energie und Pulsform zur direkten Auswertung in Picocoulomb
und zur oszillografischen Messung erhalten.
Zusätzlich sind mit der typisch sehr geringen 1 pF-Isolationskapazität
von Optokopplern scheinbare Teilentladungsimpulse mit sehr kleinen Werten von etwa
0,01 pC erstmals visuell am Oszillografen mit einer Amplitude
nahe dem theoretischen Wert von 10 mV zu beobachten und auszuwerten. Außerdem liegt innerhalb
des Isolators (I) die Ankopplungskapazität der Teilentladungsankopplungselektrode
(TA) örtlich näher am Teilentiadungsursprungsort als bei bisher bekannten
Meßmethoden, bei deren an den äußeren Isolatorpolen gemessen wird, so daß bei gleicher Ursprungsteilentladung
die scheinbare Teiientiadung an der Teiientiadungskopplungselektrode
(TA) höher ist
Diese Isolationsüberwachung ermöglicht fortlaufende Teilentladungsdetektierung ohne jegliche Unterbrechung
des Betriebs des Betriebsmittels, weil die leitfähige Zone mit dem Anschluß für die Teilentladungsdetektierung
von den äußeren Stromkreisen isoliert ist (Bild 3). Damit ist bei einer drastischen Meßaufwandverringerung
erstmals eine 100% Stückprüfung möglich.
Zur Eliminierung von Teilentladungen wird der Isolator an gestörten Isolatorstellen (GI) und an den Dielektrizitätssprüngen
(DS) überbrückt, indem die jeweils benachbarten leitfähigen Zonen miteinander verbunden
werden (Bild 2) und indem die sendernahe leitfähige Zone mit dem Sender und die empfängernahe mit dem
Empfänger verbunden werden (Bild 2).
Die leitfähigen Zonen sind zum einen auf der Oberfläche eines oder mehrerer hintereinander verbundener
Isolatorformteile angeordnet, wodurch keine Erhöhung sondern eine Verringerung der Übertragungsdämpfung
im Isolator hervorgerufen wird. Solche Isolatorumhüllungen (LH) sind gezeigt für Lichtleiterformteile in den
Bildern 15,18 und 26 bis 32, für Lichtwellenleiterformteile
in den Bildern 16,19 und 22 und für Rohrformteile in den Bildern 17, 20, 23 und 24, weiterhin sind gezeigt
innere und äußere Mantelflächen (LM) für Lichtleiterformteile in den Bildern 4b, 9,12,15,18,21,24a, 25a und
33, für Lichtwellenleiterformteile in den Bildern 5, 10, 13,16,19 und 22 und für Rohrformteile in den Bildern 6,
11,14,17,20,23,246 und 256.
Zum anderen sind die leitfähigen Zonen direkt im Strahlengang eines oder mehrerer hintereinander verbundener
Isolato.'iOrmteile angeordnet, wodurch eine
geringfügige optische Übertragungsdämpfungserhöhung bewirkt wild. Dafür in den Isolator eingefügte
transparente leitfähige Folien (F), siehe Bilder 7 und 8, sind gezeigt bei Isolatorformteilverbindungen für Lichtleiter
in den Bildern 18 und 21, für Lichtwellenleiter in den Bildern 19 und 22 und für Rohrformteile in den
Bildern 20 und 23.
ίο In den Isolator eingefügte leitfähige Stirnflächen (LS)
sind gezeigt für Lichtleiter in den Bildern 4a, 12,15 und 18, für Lichtwellenleiter in den Bildern 5, 13,16 und 19
und für Rohrformteile in den Bildern 6, 14, 17 und 20. Weiterhin in den Isolator eingefügte aus Blech geätzte
is oder gestanzte Loch-, Ring- und Schlitzblenden (LB)
sind in gegenüberstehenden Leiterbändern gezeigt in dem Fall einer geteilten Ringblende mit jeweils einem
Anschluß (LB \A) und (LB 2A) in den Bildern 38 und 39 und in dem Fall einer einstückigen Ringblende mit zwei
separaten Anschlüssen in den Bildern 40 und 41. In optischen Reflexionssystemen ist die leitfähige Zone als eine
in die Höhe stehende Blechlasche ausgebildet und für planare Leiterbänder in den Bildern 42, 43 und 44, für
multiple Systeme in den Bildern 45 und 46 und für planare und hybride Substrate in den Bildern 47 und 48 gezeigt.
Weiterhin können leitfähige Zonen entweder als leitfähige Diffusionsprofile (LDP) in reinen Halbleitern,
siehe Bilder 35 und 36, oder als wechselweise aufgewachsene leitfähige (LZ) oder isolierende (H) Epitaxieschichten
in Halbleiterisolatoren hergestellt sein, Bild 34. Zu einem Isolator (I) gewünschter Spannungsfestigkeit
werden mehrere Isolatorformteile mit leitfähigen Zonen verbunden, indem sie in Reihe geklebt, gepreßt,
geschweißt, gelötet, gesteckt, angedrückt oder angeschmolzen werden (Bild 24). Dagegen sind mehrere leitfähige
Zonen an und in einem einteiligen Isolatorformteil aufgewachsen, aufgedampft, diffundiert oder metallisiert
(Bild 25).
Leitfähige Zonen sind erstmals in einem integrierten Halbleiter-Einchip-Optokoppelelement, zum Beispiel in GaAs-Technologie, zwischen Sender (S) und Enpfänger (D) angeordnet, (Bild 37).
Leitfähige Zonen sind erstmals in einem integrierten Halbleiter-Einchip-Optokoppelelement, zum Beispiel in GaAs-Technologie, zwischen Sender (S) und Enpfänger (D) angeordnet, (Bild 37).
Bezugszeichen für Zeichnungen
A | ·= Anschlußkontakt | |
AKV | = Ankopplungsvierpol | |
B | = Ballbondung | |
D | = optoelektronischer Strahlungsempfän | |
50 | ger/Detektor | |
DI | = eigene Isolation des Strahlungsempfän | |
gers | ||
DS | = Dielektrizitätssprung | |
E | = Elektrode als leitfähige Zone | |
55 | EiA | = Anschluß der Elektrode 1 |
ElA | = Anschluß der Elektrode 2 | |
E3A | = Anschluß der Elektrode 3 | |
EiAa | = Anschluß der Elektrode 1 auf Seite a | |
EXAb | = Anschluß der Elektrode 1 auf Seite b | |
60 | E2Aa | = Anschluß der Elektrode 2 auf Seite a |
E2Ab | = Anschluß der Elektrode 2 auf Seite b | |
E3Aa | = Anschluß der Elektrode 3 auf Seite a | |
E3Ab | = Anschluß der Elektrode 3 auf Seite b | |
Ep | = Epoxidharz | |
65 | F | = optisch transparente und elektrisch leitfä |
hige Folie | ||
GI | = gestörte Isolatorstelle | |
H | = reiner Halbleiter/Halbleiterschicht |
HV | = Hochspannung/Hochspannungspotential | 5 |
I | = optisch transparenter Isolator | |
K | = Kontakt/Kontaktstreifen | |
L | — elektrischer Leiter | |
LB | = elektrisch leitfähige Loch-, Ring- und | |
Schlitzblenden | 10 | |
LBXA | = Anschluß 1 der Blende (LB) | |
LB 2A | = Anschluß 2 der Blende (LB) | |
LDP | = elektrisch leitfähiges Diffusionsprofil | |
LH | = elektrisch leitfähige Umhüllung | |
LL | = Lichtleiter | 15 |
LM | = elektrisch leitfähige innere und äußere | |
Mantelflächen | ||
LS | = elektrisch leitfähige Stirnflächen | |
LWL | «■» Lichtwellenleiter | |
LZ | = elektrisch leitfähige Zonen | 20 |
MS | = Metallisationsschicht | |
PS | = Potentialsteuerelektrode | |
R | = Reflektor | |
S | = optoelektronischer Strahlungssender | |
SE | = Schutz- oder Erdleiter | 25 |
SELV | = Sicherheitskleinspannung mit sicherer | |
elektrischer Trennung (Safety Extra Low | ||
Voltage) | ||
SI | = eigene Isolation des Strahlungssenders | |
SL | = Schutzleiterelektrode | 30 |
SO | = Silikon | |
T | = Keramiksubstrat oder Basismaterial für | |
gedruckte Schaltungen | ||
TA | = Teilentladungsan*.opplungselektrode | |
U | = Rohr | 35 |
V | = Passivierung mit Glas oder SiO2 oder Sili | |
ziumnitrid | ||
VAC | = Netzspannung | |
WS | = weißes Silikon. | |
Hierzu 13 Blatt Zeichnungen | ||
40
50
Claims (17)
1. Optisch transparenter Isolator (1) zwischen einem oder mehreren Strahlungsendern (S) und einem
oder mehreren Strahlungsempfängern (D) in optoelektronischen Koppelelementeanordnungen, mit
zum Strahlungssender und Strahlungsempfänger gehöriger Ansteuer- und Ausgangselektronik, zur Informationsübertragung
durch Strahlung im optischen Spektralbereich, dadurch gekennzeichnet,
daß der Isolator an seiner Oberfläche und/oder im Innern optisch transparente, elektrisch
leitfähige Zonen (LZ) aufweist, die mit Kontaktierungen und Anschlüssen (A) zum Anschluß an Isolationssteuerpotentiale,
an Erd-, Masse- und Schutzleiter und zur Ankopplung an Teilentladungserkennungsschaltungen
und Meßinstrumente versehen sind.
Z Isolator (!) nach Anspruch 1, welcher mit Isolationsformtetfen
aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Zone (LZ) auf einem
Isolationsformteil mit einer leitfähigen Umhüllung (LH), zum Beispiel Schelle oder durch Umwickeln
mit leitfähigen Draht, Folie und Bändern derart angebracht ist, daß sie eine Elektrode hoher Stromtragfähigkeit
wird (Bilder 26—32).
3. Isolator nach Anspruch 1, welcher mit Lichtleiter (LL)-, Lichtwellenleiter (LWL)- und Rohr
fL^-Isolationsformteilen aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet,
deß die elektrisch leitfähige Zone durch eine transparente leitfähige Folie (F) und/oder
leitfähigen Umhüllung (LH) zwei Isolationsformteile verbindet (Bilder 18-23).
4. Isolator nach Anspruch 1, dacljrch gekennzeichnet,
daß die elektrisch leitfähige Zone auf das Isolationsformteil durch Metallisierungsverfahren aufgebracht
ist.
5. Isolator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Zone in und an das
Isolationsformteil durch Diffusionsverfahren eindiffundiert ist.
6. Isolator nach Anspruch 1, daurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitfähige Zone in und an das
Isolationsformteil durch Gas- und Flüssigkeitsepitaxieverfahren
aufgewachsen ist.
7. Isolator nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiter-Isolationsformteil mit elektrisch
leitfähigen Zonen im Epitaxieverfahren durch wechselweises Aufwachsen einer leitfähigen und einer
isolierendenHalbleiterschicht hergestellt ist (Bild 34).
8. Isolator nach Anspruch 1, welcher mit Lichtleiter (LL)-, Lichtwellenleiter (LWL)- und Rohr
(i/Msolationsformteilen aufgebaut ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrisch leitfähigen Zonen an Stirnflächen (LS) und inneren und äußeren Mantelflächen
(LM) angeordnet sind (Bilder 4,5 und 6).
9. Isolator nach Anspruch 1, welcher die vom Sender abgestrahlte optische Strahlung direkt auf den
gegenüberstehenden Empfänger fallen läßt, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen Sender und Empfänger
angeordnete elektrisch leitfähige Zone eine Lochblenden- oder Schlitzblenden-Offnung (LB)
enthält (Bilder 38-41).
10. Isolator nach Anspruch 1, welcher die vom Sender abgestrahlte optische Strahlung indirekt,
über einen Reflexionsweg, auf den Empfänger fallen läßt, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Verbindungslinie
zwischen Sender und Empfänger eine elektrisch leitfähige Zone (E) senkrecht angeordnet
ist (Bilder 42-48).
11. Isolator nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß auf und in ein und dem selben Halbleitersubstrat optoelektronische
Sender und Empfänger, die durch Halbleiterisolation mit einer oder mehreren partiellen leitfähigen
Zonen elektrisch isoliert sind, zu einem Halbleiter-Einchip-Optokoppler
integriert sind (Bild 37).
12. Isolator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Prüfung und zur Überwachung seiner Isolationseigenschaften die elektrisch leitfähige
Zone (LZ) als Teilentladungsankopplungselektrode (TA) an Teilentladungsankopplungselement (TA)
an Teilentladungs-Detektierungsschaltungen angeschlossen ist (Bild 3).
13. Verwendung des Isolators nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß zur dauerhaften Überwachung
seiner IsclatioRScigenschafien die Tei'entladungsdetektierung
ohne Unterbrechung des Betriebs des optoelektronischen Koppelelementes oder Betriebsmittels fortlaufend erfolgt
14. Isolator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Eliminierung von Trilentladungen
an einer geschädigten Isolatorstelle deren benachbarten elektrisch leitfähigen Zonen miteinander verbunden
werden (Bild 2).
15. Isolator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Eüminierung von Teilentladungen
an Dielektrizitätssprüngen die dem Sender nahe elektrisch leitfähige Zone mit dem Sender und die
dem Empfänger nahe mit dem Empfänger verbunden ist (Bilder 2-3).
16. Isolator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Vergleichmäßigung des Potentialverlaufs
und damit zur Senkung der Wahrscheinlichkeit des Auftretens von Teilentla;''jiigen längs des
Isolators die elektrisch leitfähige Zone (LZ) als Potentialsteuerelektrode
(PS) an ein vorgegebenes Steuerpotential angeschlossen ist
17. Isolator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schutz gegen indirektes Berühren
gefährlicher spannungsführender Teile und zur Einbeziehung der im Versorgungsnetz installierten
Schutzorgane Überstromsicherung und Fehlerstromschutzschalter
die elektrisch leitfähige Zone (LZ) als Schutzleiterelektrode (SL) fest an Schutz-,
Erdungs- und Masseleiter angeschlossen ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19833321921 DE3321921C2 (de) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Optisch transparenter Isolator zwischen Strahlungssendern und Strahlungsempfängern in optoelektronischen Koppelelementeanordnungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19833321921 DE3321921C2 (de) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | Optisch transparenter Isolator zwischen Strahlungssendern und Strahlungsempfängern in optoelektronischen Koppelelementeanordnungen |
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DE3321921A1 DE3321921A1 (de) | 1984-12-20 |
DE3321921C2 true DE3321921C2 (de) | 1986-09-11 |
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ID=6201735
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H04B 9/00 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |