DE3304780C2 - - Google Patents
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- DE3304780C2 DE3304780C2 DE3304780A DE3304780A DE3304780C2 DE 3304780 C2 DE3304780 C2 DE 3304780C2 DE 3304780 A DE3304780 A DE 3304780A DE 3304780 A DE3304780 A DE 3304780A DE 3304780 C2 DE3304780 C2 DE 3304780C2
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Ermittlung
einer Oberflächenstruktur, insbesondere der Rauheit
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Eine Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1 ist aus der DE-AS 22 60 090 bekannt. Bei dieser Vorrichtung
lenkt ein Abbildungs-Linsensystem ein paralleles
Strahlenbündel auf die zu untersuchende Oberfläche. Die
Flächennormale der Oberfläche schließt dabei mit der Achse
des Strahlenbündels einen Winkel ungleich 0° ein. Ferner
ist ein Linsensystem vorgesehen, daß das von der Oberfläche
reflektierte Licht auf ein Licht-Detektorarray lenkt.
Der Abstand des Licht-Detektorarrays kann gleich der
Brennweite des Linsensystems sein.
Diese bekannte Vorrichtung hat jedoch eine Reihe von Nachteilen:
Insbesondere hängt die Zuordnung zwischen dem in
einem bestimmten Raumwinkel gestreuten Licht und den einzelnen
Detektoren des Arrays sehr empfindlich vom Abstand
der Vorrichtung von der zu untersuchenden Oberfläche ab.
Darüber hinaus ist bei dieser bekannten Vorrichtung der
Meßbereich nicht besonders groß; damit ist gemeint, daß
die bekannte Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1 entweder so ausgelegt werden muß, daß sie zur
Untersuchung sehr genauer Oberflächen geeignet ist, oder so
dimensioniert werden muß, daß sie sich zur Untersuchung
sehr glatter Oberflächen eignet.
Weiter ist eine Vorrichtung zur Ermittlung einer Oberflächenstruktur
aus der DE-OS 28 20 910 bekannt. Bei dieser
Vorrichtung ist ein Laserstrahl schräg auf die zu untersuchende
Oberfläche gerichtet. Mittels einer Diodenzeile
oder eines Diodenfeldes wird die Winkelverteilung des
reflektierten Lichts für Winkel um den Reflexionswinkel
der idealen Oberfläche gemessen und aus der Winkelverteilung
die Oberflächenstruktur ermittelt.
Nachteilig bei dieser bekannten Vorrichtung ist ebenfalls,
daß die Zuordnung zwischen dem in einen bestimmten Raumwinkel
gestreuten Licht und den einzelnen Dioden des Diodenarrays
sehr empfindlich vom Abstand der Vorrichtung von
der zu untersuchenden Oberfläche sowie von der Größe des
Leuchtflecks auf der Oberfläche abhängt. Andererseits
ergeben sich - je nach verwendetem Lasertyp - insbesondere
dann, wenn die Oberfläche mit einem sehr kleinen "Leuchtfleck"
untersucht werden soll, Intensitätsprobleme.
Eine Vorrichtung anderer Art ist aus der DE-OS 30 37 622
bekannt. Bei dieser Vorrichtung wird ein paralleler Lichtstrahl
mit kleinem Querschnitt senkrecht auf die zu untersuchende
Oberfläche gerichtet und die Winkelverteilung
des reflektierten Lichts mittels einer Diodenzeile gemessen.
Aufgrund des senkrechten Einfalls wird der Lichtstrahl
im wesentlichen in sich selbst zurückreflektiert;
deshalb ist es erforderlich, im Strahlengang einen Lichtteiler
vorzusehen. Da sowohl der auftreffende Lichtstrahl
als auch das reflektierte Lichtbündel den Strahlteiler
passiert bzw. von diesem umgelenkt werden, wird die nutzbare
Intensität insgesamt etwa auf ein Viertel herabgesetzt.
Hierdurch ergeben sich insbesondere bei kritischen
Oberflächenstrukturen Intensitätsprobleme. Darüber hinaus
hängt auch bei dieser bekannten Vorrichtung anderer Art
die Zuordnung zwischen dem in einen bestimmten Raumwinkel
reflektierten Licht und den einzelnen Dioden des Diodenarrays
empfindlich vom Abstand der Vorrichtung von der zu
untersuchenden Oberfläche ab.
Eine Vorrichtung anderer Gattung zur Bestimmung von Oberflächenunebenheiten
ist aus der DE-OS 20 32 314 bekannt,
bei der die Oberfläche auf eine Bildebene abgebildet wird,
also keine Bewertung des unter einem bestimmten Winkel von
der Oberfläche ausgehenden Lichts erfolgt.
Eine Vorrichtung zur Ermittlung der Rauhigkeit von Oberflächen
ist aus der DE-OS 21 01 689 bekannt, bei der zwar
eine Bewertung des von der zu untersuchenden Oberfläche
ausgehenden Lichts in der Frequenzebene erfolgt, bei der
aber ein Strahlteiler verwendet wird, so daß die verfügbare
Intensität auf ein Viertel herabgesetzt wird.
Darüber hinaus wird auch bei dieser Vorrichtung Abstandsvariationen
keine Beachtung geschenkt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 derart weiterzubilden,
daß der Abstand zwischen der zu untersuchenden
Oberfläche und der Vorrichtung zur Ermittlung der Oberflächenstruktur
in weitem Umfange variiert werden kann,
ohne daß die Zuordnung zwischen dem in einen bestimmten
Raumwinkel reflektierten Licht und den einzelnen Meßelementen
verlorengeht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale
gelöst. Da nicht nur das Licht-Detektorarray in der hinteren
Brennebene des Linsensystems, das das von der Oberfläche
reflektierte Strahlenbündel auf das Detektorarray
lenkt, angeordnet ist, sondern sich auch die zu untersuchende
Oberfläche in der vorderen Brennebene des Detektorarrays
befindet, also ein Fouriersystem bilden, bleibt
die Zuordnung zwischen dem unter einem bestimmten Winkel
reflektierten Licht und den einzelnen Meßelementen des
Detektorarrays auch bei größeren Abstandsänderungen weitgehend
erhalten. Bei Versuchen hat sich herausgestellt,
daß der Abstand zwischen der Vorrichtung und der zu untersuchenden
Oberfläche um etwa ±30% variiert werden kann,
ohne daß die Ermittlung der Oberflächenstruktur und insbesondere
der Rauheit beeinflußt würde.
Zudem erhält man die Fokussierung eines parallelen
Strahlenbündels auf der Oberfläche eine hohe Intensität
auch bei einem kleinen "Untersuchungsfleck" (Leuchtfleck).
Dabei bleibt auch bei größeren Leuchtfleck-Durchmessern
die Zuordnung zwischen dem Licht, das von den einzelnen
Punkten des Leuchtflecks unter einen bestimmten Winkel
reflektiert wird, und den einzelnen Meßelementen des
Licht-Detektorarrays erhalten. Durch die Verwendung eines
fokussierten Strahlenbündels wird ferner der Meßbereich
der erfindungsgemäßen Vorrichtung vergrößert.
Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
angegeben.
Die Verwendung eines gemeinsamen Linsensystems für den
auftreffenden und den reflektierten Strahl gemäß Anspruch
2 führt zu einem einfacheren Aufbau der Vorrichtung.
Natürlich ist es bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung
möglich, beliebige Licht-Detektoranordnungen und Meßelemente
zur Messung der Winkelverteilung des reflektierten
Lichts zu verwenden. Beispielsweise kann das Detektorarray
ein Meßelement-Feld sein. Wenn jedoch beispielsweise aufgrund
des Bearbeitungsverfahrens der Oberfläche die Charakteristik
der Rauheit der Oberfläche überwiegend nur in
einer Richtung zu erwarten ist, ist es vorteilhaft gemäß
Anspruch 3 zeilenförmige Anordnungen von Detektoren zu
verwenden.
Als Detektoren bzw. Meßelemente können beliebige Lichtempfänger
eingesetzt werden, die das auftreffende Licht in
ein elektrisches Signal umsetzen, wie beispielsweise Phototransistoren,
Photodioden, CdS-Zellen oder dgl. Besonders
vorteilhaft ist es, als Detektorzeile eine handelsübliche
Photodiodenzeile zu verwenden.
Natürlich ist es auch möglich, mit einer zeilenförmigen
Anordnung von Meßelementen eine flächenhafte Streulichtverteilung
zu erfassen, wenn das reflektierte Strahlenbündel
gemäß Anspruch 5 oder 6 auf der zeilenförmigen Anordnung
von Meßelementen gedreht wird. Auf diese Weise wird
die flächenhafte Streulichterteilung in zeitlicher Folge
linienförmig abgefragt.
Wie bereits erwähnt hat die erfindungsgemäße Vorrichtung
den Vorteil, daß - unabhängig von der Größe des Leuchtflecks
- von beliebigen Punkten des Leuchtflecks unter
demselben Winkel ausgehende Strahlen auf das gleiche Meßelement
des Detektorarrays auftreffen. Damit ist es ohne
weiteres möglich, die Größe des Leuchtflecks bzw. des
Untersuchungsflecks dem jeweiligen Meßziel anzupassen. Zu
einer genauen Untersuchung wird man einen kleinen Leuchtfleck
wählen, während für eine Übersichtsmessung ein
Leuchtfleck mit großem Durchmesser vorteilhaft ist. Im
Anspruch 7 ist eine besonders einfache Möglichkeit zur
Änderung der Größe (Durchmesser) des Leuchtflecks gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben,
in der zeigt
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,
Fig. 2 eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Vorrichtung.
Fig. 3 einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel
einer erfindungsgemäßen Vorrichtung und
Fig. 4 eine Ansicht einer an sich bekannten optischen
Dreheinrichtung.
Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung zur Ermittlung einer Oberflächenstruktur
und insbesondere der Rauheit. Die nur schematisch dargestellte
Vorrichtung weist eine Lichtquelle (1), einen
Kollimator (2), ein Meßobjektiv (3) und eine Diodenzeile
(5) auf.
Eine zu untersuchende Oberfläche hat von der Vorrichtung
(d. h. von der vorderen Hauptebene des Meßobjektivs 3)
einen Abstand, der annähernd gleich der Brennweite f des
Meßobjektivs (3) ist.
Das von der Lichtquelle (1) ausgehende Licht wird von dem
Kollimator (2) parallelisiert und trifft außerhalb der
optischen Achse (6) des Meßobjektivs auf das Meßobjektiv
(3) auf. Der parallele Lichtstrahl wird von dem Meßobjektiv
(3) auf der Probenoberfläche (4) fokussiert. Von
nichtstreuenden Proben, wie optischen Spiegeln, geht das
"divergierend" reflektierte Lichtbündel ebenfalls durch
das Meßobjektiv (3) hindurch und wird von diesem parallelisiert.
Das parallele Lichtbündel trifft auf die Diodenzeile
(5) auf, die in der hinteren Brennebene des Meßobjektivs
liegt. An streuenden Proben werden unter gleichem
Winkel gestreute Lichtbündel auf eine diesem Winkel eindeutig
zugeordnete Stelle auf der Diodenzeile fokussiert.
Da die Diodenzeile in der Brennebene des Meßobjektivs
liegt, ändert sich die Zuordnung zwischen dem unter einen
bestimmten Winkel (Raumwinkel) reflektierten Licht und den
einzelnen Dioden der Diodenzeile auch bei größeren Änderungen
des Abstandes "Meßobjektiv (3)/Probenoberfläche
(4)" praktisch nicht. (Anders ausgedrückt bilden das Meßobjektiv
(3) und die Diodenzeile (5) ein Fouriersystem.)
In der Praxis hat es sich herausgestellt, daß Abstandsänderungen
bis zu ±30% keinen nennenswerten Einfluß auf
die Ermittlung der Oberflächenstruktur haben. Durch die
Anordnung der Diodenzeile (5) in der Brennebene des Meßobjektivs
(3) wird ferner erreicht, daß alle von den verschiedenen
Punkten des Meßflecks unter demselben Winkel
emittierte Lichtstrahlen auf die gleiche Diode der Diodenzeile
auftreffen.
Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf die erfindungsgemäße
Vorrichtung, wobei die gleichen Bezugszeichen verwendet
werden. Auf der Diodenzeile (5) ist schematisch die Verteilung
des reflektierten Lichts dargestellt.
Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung. Anstelle des gemeinsamen Meßobjektivs
(3) bei der Vorrichtung gemäß den Fig. 1 und 2
werden bei diesem Ausführungsbeispiel zwei Objektive 3′
und 3′′ verwendet. Das Objektiv (3′) fokussiert das parallele
Lichtbündel, das vom Kollimator ausgeht, auf der Probenoberfläche
(4), während das Objektiv (3′′) das reflektierte
Lichtbündel auf der Diodenzeile (5) abbildet. Ansonsten
ist der Aufbau gleich dem Aufbau des in den Fig. 1 und 2
dargestellten Ausführungsbeispiels.
Eine weitere Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung
ist in Fig. 4 dargestellt. Bei dieser Ausgestaltung
befindet sich ein an sich bekanntes Dove-Prisma (7) in dem
Strahlengang zwischen dem Meßobjektiv (3) bzw. dem Objektiv
(3′′) und der Diodenzeile (5). Dreht man das Dove-Prisma
(7), so ist es möglich, eine flächenhafte Streulichtverteilung
in zeitlicher Folge linienförmig abzufragen.
Ferner kann auch ein Schmidt-Pechan-Prisma o. dgl. verwendet
werden.
Bei einer praktischen Realisierung der in den Fig. 1 bis 4
dargestellten Ausführungsbeispiele haben das Meßobjektiv
(3) bzw. die Objektive (3′ und 3′′) eine Brennweite von ca.
25 mm. Die Diodenzeile (5) weist 20 Meßpunkte bzw. Dioden
bei einer Länge von ca. 20 mm auf. Die Achse des auf die
Probenoberfläche (4) auftreffenden fokussierten Strahls
schließt mit der Flächennormale der (idealen) Oberfläche
einen Winkel von ca. 20° ein.
Der Leuchtfleckdurchmesser ist typischerweise 2 mm. Die
spezielle Eigenschaft der erfindungsgemäßen Vorrichtung -
die strenge Zuordnung zwischen Reflexionswinkel und Meßelement
(Diode) der Diodenzeile - ermöglicht jedoch eine
Variation des Leuchtfleckdurchmessers in weiten Grenzen.
Beispielsweise kann durch Änderung der Brennweite des
Kollimators von 5 mm bis 30 mm und/oder der Art der Lichtquelle
(1) der Leuchtfleckdurchmesser zwischen 5 µm und 4 mm
geändert werden, so daß auch kleinste Meßobjekte erfaßt
werden können. Dies wird durch den telezentrischen Strahlengang
zwischen dem Kollimator (2) und dem Meßobjektiv (3
bzw. 3′) möglich. Als Lichtquellen (1) können Laserdioden,
Leuchtdioden, Glühlämpchen oder dgl. verwendet werden.
Auch ist es möglich, die Lichtquelle (1) und den Kollimator
(2) durch einen Laser zu ersetzen. Natürlich kann auch
mit Licht außerhalb des sichtbaren Bereichs gearbeitet
werden. Ferner kann die in den Ausführungsbeispielen dargestellte
Diodenzeile (5) durch ein Detektorenfeld, beispielsweise
ein Diodenfeld oder ein Phototransistorenfeld
ersetzt werden. Ein derartiges Licht-Detektorenfeld erlaubt
die sofortige Bestimmung einer flächenhaften Streulichtverteilung.
Daneben ist es bei Verwendung einer zeilenförmigen
Detektoranordnung möglich, diese zur Bestimmung
der flächenhaften Streulichtverteilung zu drehen.
Unabhängig von der speziellen Ausführungsform hat die
erfindungsgemäße Vorrichtung den Vorteil, daß auch bei
flächenhafter Probenbeleuchtung eine eindeutige Zuordnung
zwischen Streuwinkel und Abbildung auf die Diodenzeile
besteht. Ferner ist aufgrund des schrägen Einfalls auf die
Probenoberfläche die Verwendung eines Strahlteilers unnötig,
wodurch sich ein Intensitätsgewinn um den Faktor 4
ergibt. Letztlich ist durch den erfindungsgemäßen Aufbau
und gegebenenfalls durch die Verwendung eines gemeinsamen
Objektivs für die Abbildung auf die Probenoberfläche und
die Abbildung auf das Detektorarray eine kompakte Bauweise
der Vorrichtung möglich.
Diese Vorteile der erfindungsgemäßen Vorrichtung eröffnen
größere Möglichkeiten als die bekannten Vorrichtungen, aus
den Ausgangssignalen der Meßelemente Kenngrößen für die
Oberflächenstruktur und insbesondere für die Rauheit zu
ermitteln, so daß praktisch alle bekannten Auswerteverfahren
für die Ausgangssignale des Arrays verwendbar sind.
Insbesondere ist es ohne weiteres möglich, eine Auswerteschaltung
zu verwenden, die integrale Kennwerte liefert,
wie sie beispielsweise in der DE-OS 30 37 622 oder der DE-OS
23 56 535 beschrieben sind. Beispielsweise in der DE-OS
30 37 622 ist beschrieben, daß die Auswerteschaltung aus
den Ausgangssignalen der Meßelemente die Rauheit der Oberfläche
nach den Gleichungen
ermittelt, wobei
w i der von dem jeweiligen Meßelement erfaßte Winkel der Streustrahlung,
n die Anzahl der zur Auswertung herangezogenen Detektoren,
der Mittelwert aus den Werten p i und w i
p i das nach Gleichung (c) nomierte Meßsignal D i , und
g i Korrekturfaktoren für das Meßsignal D i ist.
w i der von dem jeweiligen Meßelement erfaßte Winkel der Streustrahlung,
n die Anzahl der zur Auswertung herangezogenen Detektoren,
der Mittelwert aus den Werten p i und w i
p i das nach Gleichung (c) nomierte Meßsignal D i , und
g i Korrekturfaktoren für das Meßsignal D i ist.
Claims (7)
1. Vorrichtung zur Ermittlung der Oberflächenstruktur und
insbesondere der Rauheit einer Oberfläche, bei der ein
Abbildungs-Linsensystem (3; 3′) ein Strahlenbündel auf die
zu untersuchende Oberfläche (4) lenkt, deren Flächennormale
mit der Achse des Strahlenbündels einen Winkel ungleich
0° einschließt, und ein Linsensystem (3; 3′′) das von der
Oberfläche (4) reflektierte Licht auf ein Licht-Detektorarray
(5) lenkt, dessen Abstand von dem Linsensystem
(3; 3′′) in etwa gleich der Brennweite (f; f′′) des Linsensystems
ist, und dessen Ausgangssignale an eine Auswerteschaltung
angelegt sind, die aus der vom Licht-Detektorarray
(5 ) erfaßten Winkelabhängigkeit des reflektierten
Lichts für Winkel um den Reflexionswinkel die Oberflächenstruktur
ermittelt, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale:
- - das Beleuchtungs-Strahlenbündel ist vor dem Abbildungs-Linsensystem (3; 3′) ein paralleles Strahlenbündel und nach dem Abbildungs-Linsensystem (3; 3′) ein konvergentes Bündel,
- - das Abbildungs-Linsensystem (3; 3′) hat einen Abstand von der zu untersuchenden Oberfläche (4), der näherungsweise gleich der Brennweite (f; f′) des Abbildungs-Linsensystems (3; 3′) ist,
- - das Linsensystem (3; 3′′), das das von der Oberfläche (4) reflektierte Licht auf das Detektorarray (5) lenkt, hat einen Abstand von der Oberfläche (4), der näherungsweise gleich der Brennweite (f; f′′) des Linsensystems (3; 3′′) ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß ein gemeinsames Linsensystem
(3) das Abbildungs-Linsensystem und das Linsensystem
bildet, das das reflektierte Licht auf das Detektorarray
(5) lenkt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das Detektorarray (5) eine
Detektorzeile ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Detektorzeile eine Diodenzeile
ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Detektorzeile und das
reflektierte Strahlenbündel während der Messung relativ
zueinander drehbar sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß eine optische Dreheinrichtung
(7), wie beispielsweise ein Dove-Prisma, ein Schmidt-
Pechan-Prisma, das reflektierte Strahlenbündel auf der
Detektorzeile (5) dreht.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Lichtquelle (1) und ein
Kollimator (2) das parallele Strahlenbündel erzeugen und
daß das Verhältnis der Brennweiten des Kollimators (2) und
des Abbildungs-Linsensystems (3; 3′) und/oder die Art der
Lichtquelle (1) zur Änderung der Größe des Meßflecks auf
der zu untersuchenden Oberfläche (4) änderbar sind.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE8303856U DE8303856U1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur Ermittlung einer Oberflächenstruktur, insbesondere der Rauheit |
DE19833304780 DE3304780A1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur ermittlung einer oberflaechenstruktur, insbesondere der rauheit |
JP59010917A JPS60310A (ja) | 1983-02-11 | 1984-01-24 | 表面構造、特に、荒さの測定装置 |
GB08402953A GB2135772B (en) | 1983-02-11 | 1984-02-03 | Determination of surface roughness |
US06/578,499 US4728196A (en) | 1983-02-11 | 1984-02-09 | Arrangement for determining a surface structure, especially for roughness |
FR8402024A FR2540988B1 (fr) | 1983-02-11 | 1984-02-09 | Dispositif pour la determination d'une structure de surface |
CH656/84A CH664438A5 (de) | 1983-02-11 | 1984-02-10 | Vorrichtung zur ermittlung einer oberflaechenstruktur insbesondere der rauheit. |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE8303856U DE8303856U1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur Ermittlung einer Oberflächenstruktur, insbesondere der Rauheit |
DE19833304780 DE3304780A1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur ermittlung einer oberflaechenstruktur, insbesondere der rauheit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3304780A1 DE3304780A1 (de) | 1984-08-30 |
DE3304780C2 true DE3304780C2 (de) | 1989-09-14 |
Family
ID=37808180
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19833304780 Granted DE3304780A1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur ermittlung einer oberflaechenstruktur, insbesondere der rauheit |
DE8303856U Expired DE8303856U1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur Ermittlung einer Oberflächenstruktur, insbesondere der Rauheit |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE8303856U Expired DE8303856U1 (de) | 1983-02-11 | 1983-02-11 | Vorrichtung zur Ermittlung einer Oberflächenstruktur, insbesondere der Rauheit |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4728196A (de) |
JP (1) | JPS60310A (de) |
CH (1) | CH664438A5 (de) |
DE (2) | DE3304780A1 (de) |
FR (1) | FR2540988B1 (de) |
GB (1) | GB2135772B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015114065A1 (de) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Brodmann Technologies GmbH | Verfahren und Einrichtung zur berührungslosen Beurteilung der Oberflächenbeschaffenheit eines Wafers |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3428435A1 (de) * | 1984-08-01 | 1986-02-06 | Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch | Rauheitssonde |
DE3503858A1 (de) * | 1985-02-05 | 1986-08-21 | Daimler-Benz Ag, 7000 Stuttgart | Vorrichtung zur ermittlung von gestaltsfehlern niedriger ordnung |
FR2581753B1 (fr) * | 1985-05-07 | 1993-09-03 | Roulements Soc Nouvelle | Appareil de controle de rugosite par voie optique |
DE3732934A1 (de) * | 1987-09-30 | 1989-04-20 | Heidelberger Druckmasch Ag | Sensoreinrichtung |
DE3924290A1 (de) * | 1989-07-22 | 1991-01-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur optischen abstandsmessung |
US5220360A (en) * | 1990-10-24 | 1993-06-15 | Ophthalmic Imaging Systems, Inc. | Apparatus and method for topographical analysis of the retina |
CH682698A5 (de) * | 1990-11-01 | 1993-10-29 | Fisba Optik Ag Bystronic Laser | Verfahren, bei dem mehrere, in einer oder mehreren Reihen angeordnete Strahlungsquellen abgebildet werden und Vorrichtung hierzu. |
JP3323537B2 (ja) * | 1991-07-09 | 2002-09-09 | キヤノン株式会社 | 微細構造評価装置及び微細構造評価法 |
DE4321042C1 (de) * | 1993-06-25 | 1994-09-15 | Univ Schiller Jena | Defekt-Klassifizierungs-Gerät |
WO1995001549A1 (fr) * | 1993-06-29 | 1995-01-12 | Omron Corporation | Dispositif d'examen d'un revetement routier et dispositif le mettant en oeuvre |
BE1014442A3 (nl) * | 2001-10-30 | 2003-10-07 | Lens Diamond Ind Nv | Werkwijze om de ruwheid van een edelsteen te bepalen en opstelling die zulke werkwijze toepast. |
AU2003284613A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-23 | Arkray, Inc. | Light sensor, and detecting mechanism and light-measuring mechanism in analyzing device |
TW568772B (en) * | 2002-12-31 | 2004-01-01 | Veutron Corp | Apparatus with a combination of a point light source and a single lens |
GB2407156B (en) * | 2003-10-16 | 2007-01-03 | Abington Consultants | Non-contact optical monitor providing measurement insensitive to distance between sample and device |
EP2657686B1 (de) * | 2012-04-26 | 2019-08-14 | Brodmann Technologies GmbH | Vorrichtung zum Erfassen von Streulicht mit rotierendem Prisma |
CN115930850B (zh) * | 2023-02-06 | 2023-05-30 | 宜科(天津)电子有限公司 | 一种检测物体表面粗糙度的数据处理系统 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3016464A (en) * | 1959-06-10 | 1962-01-09 | Daystrom Inc | Apparatus for determining the location and thickness of a reflecting object |
US3647961A (en) * | 1970-04-09 | 1972-03-07 | Western Electric Co | T.v. -aided flaw detection using rotating image techniques |
DE2032314A1 (de) * | 1970-06-30 | 1972-01-05 | Ibm Deutschland | Verfahren zum berührungslosen optischen Prüfen und Messen von Oberflächen und Vorrichtungen zum Durchführen dieses Verfahrens |
DE2101689A1 (de) * | 1971-01-15 | 1972-07-20 | Ibm Deutschland | Anordnung zur Durchführung eines Verfahrens zum berühungslosen optischen Prüfen und Messen von Oberflächen |
US3790287A (en) * | 1972-03-31 | 1974-02-05 | Western Electric Co | Surface inspection with scanned focused light beams |
JPS5514378B2 (de) * | 1972-10-11 | 1980-04-16 | ||
DE2256736C3 (de) * | 1972-11-18 | 1979-01-25 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Meßanordnung zur automatischen Prüfung der Oberflächenbeschaffenheit und Ebenheit einer Werkstückoberfläche |
CH552197A (de) * | 1972-11-24 | 1974-07-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | Einrichtung zum messen der rauhigkeit einer oberflaeche. |
US3857637A (en) * | 1973-01-10 | 1974-12-31 | Ppg Industries Inc | Surface distortion analyzer |
US3850526A (en) * | 1973-03-16 | 1974-11-26 | Atomic Energy Commission | Optical method and system for measuring surface finish |
FR2222917A5 (en) * | 1973-03-20 | 1974-10-18 | Cometa | Optical head with lamp and photocell - separate half lenses with one for source one for cell |
JPS60774B2 (ja) * | 1976-08-04 | 1985-01-10 | 富士通株式会社 | パターン検査方式 |
GB1592511A (en) * | 1977-05-18 | 1981-07-08 | Ferranti Ltd | Surface inspection apparatus |
US4180830A (en) * | 1977-06-28 | 1979-12-25 | Rca Corporation | Depth estimation system using diffractive effects of the grooves and signal elements in the grooves |
JPS5483854A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-04 | Canon Inc | Measuring device |
US4226541A (en) * | 1978-08-11 | 1980-10-07 | Tisue James G | Method and apparatus for suppressing the effects of surface light scatter in optical reflective scanning system |
US4204772A (en) * | 1978-09-25 | 1980-05-27 | Recognition Systems, Inc. | Optical measuring system |
US4283146A (en) * | 1978-11-30 | 1981-08-11 | Lasag S.A. | Optical detector |
JPS6049841B2 (ja) * | 1980-07-16 | 1985-11-05 | 室蘭工業大学長 | 光学式非接触型検出装置 |
JPS5737742A (en) * | 1980-08-19 | 1982-03-02 | Olympus Optical Co Ltd | Method and device for optical information recording |
DE3037622C2 (de) * | 1980-10-04 | 1987-02-26 | Theodor Prof. Dr.-Ing. 1000 Berlin Gast | Einrichtung zur Bestimmung der Oberflächengüte |
JPS57131039A (en) * | 1981-02-07 | 1982-08-13 | Olympus Optical Co Ltd | Defect detector |
SU1095036A1 (ru) * | 1983-03-31 | 1984-05-30 | Предприятие П/Я А-1705 | Однообъективный растровый микроскоп дл измерени шероховатости поверхности |
JP2621206B2 (ja) * | 1987-08-21 | 1997-06-18 | 旭硝子株式会社 | 新規な含フツ素化合物及びその用途 |
-
1983
- 1983-02-11 DE DE19833304780 patent/DE3304780A1/de active Granted
- 1983-02-11 DE DE8303856U patent/DE8303856U1/de not_active Expired
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010917A patent/JPS60310A/ja active Granted
- 1984-02-03 GB GB08402953A patent/GB2135772B/en not_active Expired
- 1984-02-09 FR FR8402024A patent/FR2540988B1/fr not_active Expired
- 1984-02-09 US US06/578,499 patent/US4728196A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-02-10 CH CH656/84A patent/CH664438A5/de not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015114065A1 (de) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Brodmann Technologies GmbH | Verfahren und Einrichtung zur berührungslosen Beurteilung der Oberflächenbeschaffenheit eines Wafers |
US10180316B2 (en) | 2015-08-25 | 2019-01-15 | Brodmann Technologies GmbH | Method and device for the contactless assessment of the surface quality of a wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4728196A (en) | 1988-03-01 |
JPH038686B2 (de) | 1991-02-06 |
DE3304780A1 (de) | 1984-08-30 |
GB2135772A (en) | 1984-09-05 |
GB2135772B (en) | 1986-03-19 |
FR2540988B1 (fr) | 1989-01-13 |
DE8303856U1 (de) | 1985-11-14 |
GB8402953D0 (en) | 1984-03-07 |
JPS60310A (ja) | 1985-01-05 |
CH664438A5 (de) | 1988-02-29 |
FR2540988A1 (fr) | 1984-08-17 |
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