DE3301513C3

DE3301513C3 - Oszillatorschaltung

Info

Publication number: DE3301513C3
Application number: DE19833301513
Authority: DE
Inventors: Bernhard Dipl Ing Rall
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Conti Temic Microelectronic GmbH
Priority date: 1983-01-19
Filing date: 1983-01-19
Publication date: 1993-12-02
Anticipated expiration: 2003-01-20
Also published as: DE3301513C2; DE3301513A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Oszillatorschaltung.

In vielen integrierten Schaltungen wird ein Taktgeber benötigt, an dessen Frequenzstabilität unterschiedlich hohe Anforderungen gestellt werden. Liegt die geforderte Frequenzgenauigkeit unter 5%, so lassen sich die vielfach verwendeten RC-Oszillatoren nur schlecht integrieren. Durch automatische Wickelmaschinen können nun Festinduktivitäten zu einem sehr geringen Preis mit hoher Genauigkeit (+/-2,5% bzw. +/-5%) in ihrem Induktivitätswert hergestellt werden. Da wegen der Beziehung f=1/2 π der Frequenzfehler eines LC-Schwingkreises nur halb so groß wie der Fehler der Induktivität selbst ist, können Taktgeber mit einer Frequenzkonstanz bis zu 1% mit LC-Oszillatoren gut realisiert werden. Der Preis für einen Schwingkreis einschließlich Kondensator liegt bei ca. 25% des Preises für einen 32 kHz Uhrenquarz, dessen Frequenzkonstanz von 10^-5 für viele An wendungsfälle unnötig hoch ist und dessen Schwingfrequenz nicht den jeweiligen Erfordernissen anpaßbar ist.

In Elektor, Sep./Okt. 1970, S. 339 ist ein Hartley-Oszillator beschrieben, bei welchem ein Parallelschwingkreis aus einer Spule und einem Kondensator an einem Ende mit dem nichtinvertierenden Eingang eines Differenzverstärkers verbunden ist und zwischen dessen anderem Ende und Bezugspotential ein weiterer Kondensator liegt. Die Spule des Parallelschwingkreises weist eine Anzapfung auf, die mit dem invertierenden Eingang des Differenzverstärkers verbunden ist.

Aus "Zweipolige Oszillatorschaltungen für Parallel- und Serienresonanz" von Günter Peltz in Sonderdruck aus Funkschau 1971, Heft 15, und aus "Advanced Electronic Circuits" von Tietze/Schenk, Springer-Verlag 1978, Abschnitt 8.1.5, ist eine Oszillatorschaltung bekannt, deren Prinzipschaltung in Fig. 1 skizziert ist.

Der Parallelschwingkreis, bestehend aus einer anzapfungsfreien Spule und einem Kondensator ist durch einen strichlierten Kasten mit der Bezeichnung SK dargestellt. Er ist über einen einzigen Anschluß E an einem Differenzverstärker DV anschließbar. Der Anschluß E ist mit dem nichtinvertierenden Eingang n und über eine Stromrückführung I_r mit einem hochohmigen Ausgang A1 des Differenzverstärkers EV verbunden. Der invertierende Eingang i des Differenzverstärkers EV ist an der einen Speisespannungsleitung K1 angeschlossen. An dieser Speisespannungsleitung ist auch das andere Ende des Parallelschwingkreises SK anzuschließen. Ferner weist der Differenzverstärker DV einen Ausgangsanschluß A2 auf, der zur Abnahme impulsförmiger Ausgangssignale mit der Fre quenz des Schwingkreises SK dient.

Diese einfache Oszillatorschaltung erfordert folglich lediglich zwei Speisespannungsleitungen K1 und K2, einen Anschluß für den Schwingkreis, da das andere Endes des Schwingkreises an der Speisespannungsleitung K1 ange schlossen werden kann, und einen Ausgang A2 zur Ausgabe der impulsförmigen Ausgangssignale. Die Schaltung kann daher in einfacher Weise integriert werden und als Takt generator verwendet werden.

In Fig. 2 ist die einfachste Ausführungsform einer derartigen Oszil latorschaltung dargestellt. Wie der Figur entnehmbar, ist ein Differenzverstärker mit zwei Transistoren T1 und T2 gleichen Leitfähigkeitstyps vorge sehen, deren Emitter miteinander verbunden sind und deren gemeinsame Emitterverbindung mit dem Ausgangsanschluß A2 der Oszillatorschaltung und über eine Stromquelle 1 mit der Speisespannungsleitung K1 verbunden ist. Das eine Ende des Schwingkreises SK ist mit der Basis des Transistors T1 und mit dem Kollektor des Transistors T2 verbunden. Die Basis des Transistors T2 und der Kollektor des Transistors T1 sind mit der Speisespannungsleitung K2 verbunden. Als Ausgang A1 für die Stromrückführung ist also der Kollektor des Transistors T2 wirksam. Bezüglich dieses Ausganges A1 ist die Basis des Transistors T1 der nichtinvertierende Eingang des Differenzverstärkers und die Basis des Tran sistors T2 der invertierende Eingang. Diese Oszillator schaltung ist ein Gleichstromverstärker mit positiver Rückkopplung.

In Fig. 3 ist die Steuerkennlinie der in Fig. 2 gezeigten Oszillatorschaltung dargestellt. Abzisse ist die Schwing kreisspannung U_S und Ordinate der in den Schwingkreis hineinfließende Rückführungsstrom I_r. Um den Punkt U_S=0 ist die Kennlinie linear und mit wachsender Schwingungs amplitude nimmt der vom Kollektor des Transistors T2 ge lieferte Rückführungsstrom I_r solange zu, bis der einge speiste Rückführungsstrom I_r den konstanten Stromwert I₁ der Stromquelle 1 erreicht hat. Bei negativen Schwing kreisspannungen wird der Transistor T1 zu Lasten des Transistors T2 aufgesteuert, so daß der Strom I_r abnimmt. Wird vom Schwingkreis SK der Transistor T1 soweit aufge steuert, daß er den gesamten Strom I₁ der Stromquelle 1 übernommen hat, so ist der in den Schwingkreis fließende Strom I_r auf 0 gesunken. Infolge dieses Kennlinienverlaufs schwingt die Schaltung sicher an und ist in ihrer Amplitude stabilisiert. Der Strom der Stromquelle 1 ist hierzu so zu wählen, daß der Transistor T2 durch den periodisch mit Energie versorgten Schwingkreis nicht bis in den über steuerten Zustand, bei dem der Kollektorstrom in die Basiselektrode abfließt, ausgesteuert wird.

Die Spannungsverhältnisse am Schwingkreis sollen nun an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Gegeben sei eine Schwingkreisspule mit einer Induktivität von 10 mH und einem Gleichstromwiderstand von 100 Q. Gewünscht sei eine Oszillatorfrequenz von 10 kHz. Hierzu gehört eine Schwingkreiskapazität von etwa 25,3 nF.

Bei 10 kHz ist der Resonanzwiderstand des Parallelschwing kreises Z=L/(C · R)=4 kQ. Um an diesem Widerstand eine Wechselspannung von 300 mV zu erzeugen, ist ein Wechsel strom von I=U/R=300 mV/4 kQ=75 µA erforderlich. Die Stromquelle 1 wird nun so eingestellt, daß die gewünschte Wechsel spannung von 300 mV am Schwingkreis steht. Der pulsierend in den Schwingkreis eingespeiste Strom muß einen Wechsel stromanteil der Grundwelle von 75 µA haben. Der (Gleich)- Strom der Stromquelle 1 muß also I=75 · π/2 µA=117,8 µA, also etwa 120 µA betragen.

Der mittlere Gleichstromanteil des impulsförmig fließenden Stromes I_r von etwa 60 µA verschiebt durch den Gleich stromwiderstand der Schwingkreisspule von 100 Q die Kol lektorspannung des Transistors T2 um 60 µA · 100 Q=6 mV.

Um ein Bedämpfen des Schwingkreises durch Transistoren im übersteuerten Zustand zu vermeiden, müssen die Transistoren T1 und T2 hochohmig gegen den Wechselstromwiderstand des Schwingkreises, also im Ausführungsbeispiel gegen 4 kQ sein. Diese Bedingung ist bei Strömen der Stromquelle 1 um 100 µA ohne weiteres erfüllt. Nachteilig kann bei einer Integration dieser Schaltung die Übersteuerung des Tran sistors T2 sich auswirken, weil bei gegenüber der Basis positiven Kollektorspannungen der Substrattransistor unter dem üblicherweise als Lateraltransistor ausgebildeten PNP-Transistor T2 leitend werden kann.

Dieser Nachteil wird in vorteilhafter Weise dadurch ver mieden, wenn statt der in Fig. 2 gezeigten PNP-Transistoren T1 und T2 NPN-Transistoren bei umgepolter Betriebs spannungsquelle und umgepolter Stromquelle 1 verwendet werden.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, besonders vorteilhafte Oszillatorschaltungen des vorstehend beschriebenen Prinzips anzugeben.

Erfindungsgemäße Lösungen sind in den Patentansprüchen 1, 2 und 4 beschrieben. Die Unteransprüche enthalten vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung.

Die erfindungsgemäßen Lösungen sind nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Abbildungen noch eingehend veranschaulicht. Dabei zeigt

Fig. 1 die Prinzipschaltung einer Oszillatorschaltung aus dem Stand der Technik;

Fig. 2 eine einfache Ausführung der Oszillatorschaltung nach Fig. 1;

Fig. 3 die Steuerkennlinie der Schaltung nach Fig. 2;

Fig. 4 das Ersatzschaltbild einer erfindungsgemäßen Oszillatorschaltung in I²L-Technik;

Fig. 5 das Diffusionsprofil eines Halbleiter-Chips mit der Schaltung nach Fig. 4;

Fig. 6 eine Oszillatorschaltung mit höherer Aussteuerbarkeit;

Fig. 7 eine Oszillatorschaltung mit Stromrückführung über Stromspiegel;

Fig. 8 eine Oszillatorschaltung mit zwei Emitterfolgern.

Die bekannten Schaltungen nach Fig. 1 und Fig. 2 sowie die zugehörige Steuerkennlinie in Fig. 3 sind bereits ausführlich erläutert.

Die Fig. 4 zeigt das Ersatzschaltbild einer Oszillatoranordnung in I²L-Technik. Bei Schaltungen in I²L-Technik steht oft nur eine geringe Betriebsspannung oder lediglich eine Injektorleitung zur Verfügung. Die in Fig. 4 skizzierte Schaltung nutzt den sogenannten "Current-Hogging"-Effekt aus.

Die Schaltung entspricht im wesentlichen der in Fig. 2 gezeigten. Gleiche Bauelemente sind mit gleichen Bezugs zeichen versehen. Die zusätzlichen Bezugszeichen werden weiter unten anhand der Fig. 5 erläutert.

Als Stromquelle 1 dient in diesem Ausführungsbeispiel der Transistor T6, dessen Emitter an die Injektorleitung angeschlossen ist.

Zwischen der gemeinsamen Emitterverbindung der Tranistoren T1 und T2 und dem Ausgang der Schaltung ist ein Dop pelkollektortransistor T3 vorgesehen, dessen Basis mit der gemeinsamen Emitterverbindung, dessen Emitter mit der Speisespannungsleitung K2 verbunden ist und dessen beide Kollektoren als Ausgänge A21 und A22 der Schaltung ver wendbar sind. Ein weiterer Transistor T7 symbolisiert den Injektor für den Transistor T3.

Fig. 5 zeigt die Realisierung der in Fig. 4 gezeigten Schaltung auf einem Halbleiterchip in I²L-Technik. In Fig. 5 ist ein Querschnitt durch die Transistoren des Halbleiterchips dargestellt. Wie ersichtlich, ist auf einem p-Substrat 30 eine n-Epitaxieschicht aufgebracht, die zwischen den p⁺-Isolationen 13 und 15 mit 12, zwischen der p⁺-Isolation 15 und der tiefen n⁺-Diffusion mit An schluß 721 mit 62=22 und zwischen dem Anschluß 721 und der p⁺-Isolation 311 mit 72=31 bezeichnet ist. Diese unterschiedliche Bezeichnung der n-Schicht wurde deshalb gewählt, weil sie in den drei genannten Gebieten unter schiedlichen Transistoren zugeordnet ist. Die n-Schicht 12 bildet die Basis des Transistors T1 mit Emitter-p⁺-Wanne 11 und Basisanschluß 121. Als Kollektor wirkt das Substrat 30 mit Anschluß über die p⁺-Separationen 13 und 15. Tran sistor T1 ist also als Substrattransistor realisiert.

Im in Fig. 4 gezeigten Ersatzschaltbild der I²L-Schaltung sind die sich entsprechenden Elektroden und Anschlüsse mit gleichen Bezugszeichen versehen wie in Fig. 5. Vom Tran sistor T2 ist die Emitter-p-Wanne mit 21, die zugehörige n-Basisschicht mit 22 und die Kollektor-p-Wanne mit 23 bezeichnet. Als Basisanschluß dient die n⁺-Wanne 721, die auch den Transistoren T6 und T7 als Basisanschluß und dem Transistor T3 als Emitteranschluß dient.

Die als Injektorelektrode vorgesehene Emitter-p-Wanne 61 des Transistors 6 ist von einem ringförmig die Emitter- p-Wanne 61 umschließende Kollektor-p-Wanne 63 umgeben, die gleichzeitig Emitter-p-Wanne 21 für den Transistor T2 ist. Ebenso ist die Emitter-p-Wanne 21 des Transistors 2 von einem den Emitter-p-Wannenring 21 umschließender Kollek tor-p-Wannenring 23 umgeben. Der Transistor T6 wirkt durch diese Anordnung über Anschluß 61 als Injektor auf die Emitter-p-Wanne 21 des Transistors T2 nach dem Current- Hogging-Effekt (IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-10, Okt. 1975, Seiten 348-352). Er ersetzt hier die in Fig. 2 gezeigte Stromquelle 1, ohne eine durch eine Sepa ration getrennte Struktur zu erfordern.

Weiter rechts in Fig. 5 ist im n-Gebiet 72 ein größeres p-dotiertes Gebiet 32 als Basis für den Ausgangstransistor T3 eingebracht. Es enthält zwei n⁺-Gebiete 33 für den Ausgang A21 und 34 für den Ausgang A22. Als Emitter 31 dieses Transistors T3 dient das n-Gebiet 72 mit Anschluß 721 über die n⁺-Diffusion. Die p-Wanne 71 bildet mit der sie umgebenden n-Schicht 72 und der p-Wanne 32 mit An schluß 73 Emitter, Basis bzw. Kollektor des Injektortran sistors T7. Dabei ist der Kollektor-p-Wannenanschluß 73 identisch mit dem Basisanschluß des Transistors T3.

In Fig. 6 ist eine weitere erfin dungsgemäße Oszillatorschaltung dargestellt, bei dem die impulsmäßige Speisung des Schwingkreises SK durch den Strom I_r, der gleich dem Kollektorstrom des Transistors T2 ist, so erfolgt, daß der Transistor T2 im linearen Aus steuerbereich betrieben wird. Hierzu ist das eine Ende des Schwingkreises über eine Diode D1 mit der Basis des Tran sistors T1 und die Basis des Transistors T1 über eine Stromquelle 2 mit der Speisespannungsleitung K2 verbunden. Die Basis des Transistors T2 ist über eine weitere Diode D2 an der Speisespannungsleitung K1 angeschlossen und zwischen Basis des Transistors T2 und der Speisespannungs leitung K2 ist eine dritte Stromquelle 3 geschaltet. Zwischen der gemeinsamen Emitterverbindung und dem Ausgang A2 ist, wie in Fig. 4, ein Transistor T3 vorgesehen, des sen Basis mit der gemeinsamen Emitterverbindung, dessen Emitter über einen Widerstand R1 mit der Basis des Tran sistors T2 und dessen Kollektor mit dem Ausgang A2 und über eine Stromquelle 4 mit der Speisespannungsleitung K2 verbunden ist.

Diese Schaltung unterscheidet sich von dem der Fig. 2 im wesentlichen durch die an den Basen der Transistoren T1 und T2 angeschlossenen Dioden D1 und D2, die von den Stromquellen 2 und 3 stets in Durchlaßrichtung betrieben werden und somit das Basispotential der Transistoren T1 und T2 um einen nahezu konstanten Spannungsabfall an den Dioden erhöht, womit der Aussteuerbereich der Transistoren T1 und T2 an ihren Kollektoren vergrößert wird.

Die Schaltung des Transistors T2 zeigt, wie in einfacher Weise die bei der Schwingkreisspeisung entstehenden Span nungsimpulse an der gemeinsamen Emitterverbindung der Transistoren T1 und T2 verstärkt und ausgekoppelt werden können. Hierbei ist zu beachten, daß im Ausführungsbei spiel der Transistor T3 vom entgegengesetzten Leitfähig keitstyp sein muß wie die Transistoren T1 und T2.

Bei hohen Güten des Schwingkreises kann der erforderliche Strom I_r zur Deckung der Verluste des Schwingkreises sehr klein sein. Dadurch muß auch ein sehr kleiner Stromquel lenstrom I₁ eingestellt werden, wodurch die Schaltung sehr hochohmig wird und eine betriebssichere Auskopplung der Schwingungsimpulse an der gemeinsamen Emitterverbindung der Transistoren T1 und T2 nicht immer möglich ist.

In Fig. 7 ist eine Oszillatorschaltung ge zeigt, bei der die Schwierigkeit dadurch behoben ist, daß der Transistor T2 als Stromspiegeldiode ausgebildet ist.

Es sind wiederum zwei Transistoren T1 und T2 vorgesehen vom gleichen Leitfähigkeitstyp, deren Emitter miteinander verbunden sind und deren gemeinsame Emitterverbindung über eine Stromquelle 1 mit der Speisespannungsleitung K2 verbunden ist. Zwischen Ausgang A2 und gemeinsamer Emit terverbindung ist wiederum ein Transistor T3 vorgesehen, dessen Basis mit der gemeinsamen Emitterverbindung, dessen Emitter mit der Speisespannungsleitung K1 und dessen Kollektor mit dem Ausgang A2 und über eine Stromquelle 4 mit der Speisespannungsleitung K2 verbunden sind.

Ferner ist die Basis des ersten Transistors T1 über den Schwingkreis SK und die Basis des zweiten Transistors T2 direkt mit der Speisespannungsleitung K1 verbunden. Des weiteren ist an der gemeinsamen Emitterverbindung ein Transistor T4 mit seiner Basis angeschlossen, dessen Emitter über einen Widerstand R2 mit der Speisespannungs leitung K1 und dessen Kollektor mit einem, als Diode geschalteten Transistor T51 verbunden ist. Der als Diode geschaltete Transistor T51 ist mit seinem Emitter an der Speisespannungsleitung K2 angeschlossen. Der mit dem Transistor T4 verbundene Verbindungspunkt von Kollektor und Basis des Transistors T51 liegt zusätzlich an der Basis eines Transistors T5, dessen Emitter an der Speise spannungsleitung K2 und dessen Kollektor an der Basis des Transistors T1 angeschlossen sind.

Bei dieser Schaltung fließt also der Strom I_r nicht vom Kollektor des Transistors T2 in den Schwingkreis, sondern wird in den Transistor T4 gespiegelt und über den weiteren, aus den Transistoren T51 und T5 bestehenden Stromspiegel auf den Schwingkreis SK geleitet. Damit kann der Schwingkreis über den Transistor T1 einen wesentlich höheren Strom I₁ der Stromquelle 1 steuern, der nunmehr in der einen Schwingungshalbwelle über den als Diode geschalteten Transistor T2 zur Speisespannungsleitung K1 abfließen kann. Dadurch erhält man am gemeinsamen Emitterpunkt der Transistoren T1 und T2 eine ausreichend niederohmige Spannungsquelle, die nicht nur den Ausgangstransistor T3 steuert, sondern auch über den durch den Widerstand R2 gegengekoppelten Transistor T4 in erforderlicher Weise abgeschwächt werden kann. Eine weitere Abschwächung des zur Anfachung erforderlichen Stromes I_r läßt sich auch durch die Wahl des Flächenverhältnisses der Stromspiegel- Transistoren T51 und T5 in an sich bekannter Weise erzielen.

In dieser Schaltung arbeitet lediglich der Transistor T1 zeitweise mit geringer Kollektor-Emitter-Spannung. Be grenzt man jedoch durch die Wahl des Stromes I₁ bzw. des Widerstandes R2 die Schwingamplitude am Schwingkreis SK auf 700-900 mV_SS, so erhält man einen sehr stabilen und gegen Toleranzen der Halbleiterparameter weitgehend un empfindlichen Oszillator.

In Fig. 8 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfin dungsgemäßen Oszillatorschaltung dargestellt. Dieses Beispiel ist eine Weiterbildung der in den Fig. 6 und 7 gezeigten Ausführungsbeispiele. Hier ist zwischen der Basis des Transistors T1 und dem Eingang E ein Transistor T8 im Emitterfolgerschaltung geschaltet und zwischen der Basis des Transistors T2 und der Speisespannungsleitung K1 ein weiterer Transistor T9 ebenfalls in Emitterfolger schaltung. Ferner ist der Kollektor des Transistors T2 mit dem Eingang eines an der Speisespannungsleitung K1 ange schlossenen Stromspiegels verbunden, dessen als Diode geschalteter Transistor T41 an der Basis des als Strom spiegeltransistor vorgesehenen Transistors T4 angeschlossen ist.

Zur Abnahme der impulsförmigen Ausgangssignale ist wieder um der Transistor T3 vorgesehen, dessen Basis mit der Basis des Transistors T4, dessen Emitter mit der Speise spannungsleitung K1 und dessen Kollektor mit dem Ausgangs anschluß A2 verbunden ist.

Durch die beiden Emitterfolgertransistoren T8 und T9 wird, wie in Fig. 6 durch die Dioden D1 und D2, die Spannungs differenz zwischen Emitter und Kollektor der Transistoren T1 und T2 vergrößert, so daß es nunmehr auch möglich ist, den Kollektorstrom des Transistors T2 über den als Diode geschalteten Transistor T41 in den Kollektor des Tran sistors T4 zu spiegeln und von dort über den als Diode geschalteten Transistor T51 in den Kollektor des Tran sistors T5, wobei über das Flächenverhältnis der Strom spiegeltransistoren der rückgeführte Strom I_r in gewünschter Weise abgeschwächt wird, so daß der Schwingkreis durch den Strom I_r nicht zu stark erregt wird und die Tran sistoren T1 und T2 des Differenzverstärkers dennoch mit ausreichend hohem Strom betrieben werden können.

Der besondere Vorteil der erfindungsgemäßen Schaltung ist ihre Unempfindlichkeit gegenüber Änderungen der Schal tungsparameter. Digital verwertbare Ausgangssignale erhält man bei Schwingungsamplituden von 100 mV bis 500 mV, ohne daß durch die Begrenzung durch die Transistoren die Fre quenz verworfen wird.

Claims

1. Oszillatorschaltung mit einem Differenzverstärker und einem aus einer Spule und einem Kondensator bestehenden Parallel schwingkreis, der mit einem Ende mit dem nichtinvertierenden Eingang (n) des Differenzverstärkers verbunden ist, wobei

- die Spule des Parallelschwingkreises anzapfungsfrei ist,
- der nichtinvertierende Eingang (n) des Differenzver stärkers (DV) über eine Stromrückführung (I_r) mit einem Ausgang (A1) des Differenzverstärkers verbunden ist,
- der invertierende Eingang (i) des Differenzverstärkers (DV) an der einen Speisespannungsleitung (K1) angeschlossen ist, an der auch das andere Ende des Parallelschwingkreises (SK) anzuschließen ist,
- der Differenzverstärker (DV) einen Ausgangsanschluß (A2) zur Abnahme impulsförmiger Ausgangssignale aufweist.
- der Differenzverstärker (DV) einen ersten Transistor (T1) und einen zweiten Transistor (T2) gleichen Leitfähigkeits typs enthält, deren Emitter miteinander verbunden sind und deren gemeinsame Emitterverbindung über eine erste Strom quelle (1) mit der anderen Speisespannungsleitung (K2) verbunden ist,
- die Basis des ersten Transistors (T1) der nichtinver tierende Eingang und die Basis des zweiten Transistors (T2) der invertierende Eingang des Differenzverstärkers (DV) sind und
- als Ausgang (A1) für die Stromrückführung der Kollek tor des zweiten Transistors (T2) vorgesehen ist, so daß der Kollektor des zweiten Transistors (T2) mit der Basis des ersten Transistors (T1) direkt verbunden ist,

dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltung in I²L-Technik realisiert ist in der Form, daß der erste Transistor (T1) als Substrat-Transistor ausgebildet ist und der zweite Transistor (T2) als lateraler pnp-Ringtransistor mit einem Emitterring (21) und einem, den Emitterring (21) umschließenden Kollektorring (23) und die Injektorleitung (Inj) an eine innerhalb des Emitterrings (21) vorgesehene p-Zone (61) angeschlossen ist (Current-Hogging-Effekt) (Fig. 5).

2. Oszillatorschaltung mit einem Differenzverstärker und einem aus einer Spule und einem Kondensator bestehenden Parallel schwingkreis, der mit einem Ende mit dem nichtinvertierenden Eingang (n) des Differenzverstärkers verbunden ist, wobei

- die Spule des Parallelschwingkreises anzapfungsfrei ist,
- der nichtinvertierende Eingang (n) des Differenzver stärkers (DV) über eine Stromrückführung (I_r) mit einem Ausgang (A1) des Differenzverstärkers verbunden ist,
- der invertierende Eingang (i) des Differenzverstärkers (DV) an der einen Speisespannungsleitung (K1) angeschlossen ist, an der auch das andere Ende des Parallelschwingkreises (SK) anzuschließen ist,
- der Differenzverstärker (DV) einen Ausgangsanschluß (A2) zur Abnahme impulsförmiger Ausgangssignale aufweist,
- der Differenzverstärker (DV) einen ersten Transistor (T1) und einen zweiten Transistor (T2) gleichen Leitfähigkeits typs enthält, deren Emitter miteinander verbunden sind und deren gemeinsame Emitterverbindung über eine erste Strom quelle (1) mit der anderen Speisespannungsleitung (K2) verbunden ist,
- die Basis des ersten Transistors (T1) der nichtinver tierende Eingang und die Basis des zweiten Transistors (T2) der invertierende Eingang des Differenzverstärkers (DV) sind und
- als Ausgang (A1) für die Stromrückführung der Kollek tor des zweiten Transistors (T2) vorgesehen ist, so daß der Kollektor des zweiten Transistors (T2) mit der Basis des ersten Transistors (T1) direkt verbunden ist (Fig. 2),

dadurch gekennzeichnet,
daß der eine Anschluß (E) über eine erste Diode (D1) mit der Basis des ersten Transistors (T1) und die Basis des ersten Transistors (T1) über eine zweite Stromquelle mit der anderen Speisespannungsleitung (K2) verbunden sind,
daß die Basis des zweiten Transistors (T2) über eine zweite Diode (D2) an der einen Speisespannungsleitung (K1) angeschlossen ist und zwischen Basis des zweiten Transi stors (T2) und der anderen Speisespannungsleitung (K2) eine dritte Stromquelle (3) geschaltet ist (Fig. 6).

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen gemeinsamer Emitterverbindung und Ausgangsanschluß (A2) ein dritter Transistor (T3) vorgesehen ist, dessen Basis mit der gemeinsamen Emitterverbindung, dessen Emit ter über einen ersten Widerstand (R1) mit der Basis des zweiten Transistors (T2) und dessen Kollektor mit dem Ausgangsanschluß (A2) und über eine vierte Stromquelle (4) mit der anderen Speisespannungsleitung (K2) verbunden sind (Fig. 6).

4. Oszillatorschaltung mit einem Differenzverstärker und einem aus einer Spule und einem Kondensator bestehenden Parallel schwingkreis, der mit einem Ende mit dem nichtinvertierenden Eingang (n) des Differenzverstärkers verbunden ist, wobei

- die Spule des Parallelschwingkreises anzapfungsfrei ist,
- der nichtinvertierende Eingang (n) des Differenzver stärkers (DV) über eine Stromrückführung (I_r) mit einem Ausgang (A1) des Differenzverstärkers verbunden ist,
- der invertierende Eingang (i) des Differenzverstärkers (DV) an der einen Speisespannungsleitung (K1) angeschlossen ist, an der auch das andere Ende des Parallelschwingkreises (SK) anzuschließen ist,
- der Differenzverstärker (DV) einen Ausgangsanschluß (A2) zur Abnahme impulsförmiger Ausgangssignale aufweist,
- der Differenzverstärker (DV) einen ersten Transistor (T1) und einen zweiten Transistor (T2) gleichen Leitfähigkeits typs enthält, deren Emitter miteinander verbunden sind und deren gemeinsame Emitterverbindung über eine erste Strom quelle (1) mit der anderen Speisespannungsleitung (K2) verbunden ist,
- die Basis des ersten Transistors (T1) der nichtinver tierende Eingang und die Basis des zweiten Transistors (T2) der invertierende Eingang des Differenzverstärkers (DV) sind,

dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des zweiten Transistors (T2) mit der einen Speisespannungsleitung (K1) verbunden ist und daß als Ausgang (A1) für die Stromrückführung eine an der anderen Speisespannungsleitung (K2) angeschlossene Stromspiegelschaltung (T51, T5) vorgesehen ist, dessen Eingang am Kollektor eines in Emitterschaltung geschalteten vierten Transistors (T4) angeschlossen ist und die Basis des vierten Transistors (T4) mit der gemeinsamen Emitterverbindung des Differenzverstärkers verbunden ist (Fig. 7).

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der Basis des ersten Transistors (T1) und dem einen Eingang (E) und zwischen der Basis des zweiten Tran sistors und der einen Speisespannungsleitung (K1) jeweils ein Transistor (T8 bzw. T9) in Emitterfolgerschaltung ge schaltet sind,
daß der Kollektor des zweiten Transistors (T2) mit dem Eingang eines an der einen Speisespannungsleitung (K1) angeschlossenen Stromspiegels (T41, T4) verbunden ist, dessen als Diode geschalteter Transistor (T41) an der Basis des als Stromspiegeltransistor vorgesehenen vierten Transistors (T4) angeschlossen ist (Fig. 8).

6. Schaltung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeich net, daß zur Abnahme der impulsförmigen Ausgangssignale ein dritter Transistor (T3) vorgesehen ist, dessen Basis mit der Basis des vierten Transistors (T4), dessen Emitter mit der einen Speisespannungsleitung (K1) und dessen Kol lektor mit dem Ausgangsanschluß (A2) verbunden sind (Fig. 7 und 8).