DE3236469A1

DE3236469A1 - Nichtfluechtiger speicher

Info

Publication number: DE3236469A1
Application number: DE19823236469
Authority: DE
Inventors: Masaaki Kamiya; Yoshikazu Tokyo Kojima
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 1981-10-01
Filing date: 1982-10-01
Publication date: 1983-04-21
Also published as: JPS649741B2; US4794433A; JPS5857750A; GB2107119A; GB2107119B; DE3236469C2

Description

dipl.-phys. f. endlich, postfach, d-«>34 qermerinq

Anmelderin: Kabushiki Kaisha Daini Seikosha,31-1,Kameido, Koto-ku, Tokyo,Japan

' Nichtflüchtiger Speicher

Die Erfindung betrifft einen nichtflüchtigen Speicher aus Halbleitermaterial.

Bekannte nichtflüchtige Speicher aus Halbleitermaterial der in Fig. 1 dargestellten Art weisen den Nachteil auf, daß ihre Schreib-Leistungsfähigkeit verhältnismäßig gering ist und daß für Schreibvorgänge verhältnismäßig große Stromstärken und Spannungen erforderlich sind. Der Grund für Nachteile dieser Art soll in Verbindung mit dem bekannten Speicher in Fig. 1 erläutert werden, der ein p-leitendes Halbleitersubstrat 5, einen η -leitenden Source-Bereich 3 und einen Drain-Bereich in der Nähe der Oberfläche aufweist. Eine Isolierschicht 7,die beispielsweise aus Siliziumoxid oder einem Nitrid besteht, ist auf einem Kanal zwischen dem Source-Bereich 3 und dem Drain-Bereich 4 ausgebildet. Eine Fließ-Gate-Elektrode 2 zur Speicherung elektrischer Ladung als Information ist auf der Isolierschicht 7 ausgebildet. Eine Isolierschicht 6 ist auf der Gate-Elektrode 2 und eine Steuer-Gate-Elektrode 1 auf der Isolierschicht 6 ausgebildet. Wenn bei einem derartigen nichtflüchtigen η-Kanal- Speicher eine gegenüber dem Substrat 5 positive Spannung VCG an die Steuer-Gate-Elektrode 1 angelegt wird, um die Oberfläche des Substrats 5 zu invertieren, und wenn eine positive Spannung an den Drain-Bereich 4 angelegt wird, werden' Elektronen e"~ in der Nähe des Drain-Bereichs 4 beschleunigt, wie in Fig. 1 dargestellt ist. Wenn die Energie

der Elektronen so groß wird, daß sie die Potentialschwelle der Isolierschicht 7 überwinden können, können die Elektronen in die Fließ-Gate-Elektrode 2 injiziert werden. Die Elektronen fließen mehr zur Innenseite des Halbleiters als zu der Drain-Elektrode. Die in die Gate-Elektrode 2 injizierten Elektronen sind ein Teil der Elektronen mit hoher Energie, die durch Kollision mit den beschleunigten Elektronen in dem elektrischen Feld der Sperrschicht erzeugt werden, vergrößert um die Drainspannung VD in der Nähe des Drain-Bereichs mit Siliziumatomen in dem Siliziumkristall. Von den durch die Kollision erzeugten Elektronen mit hoher Energie können nur die Elektroden,' die in Richtung der Gäte-Elektrode 2 gestreut werden, in die Gäte-Elektrode 2 injiziert werden. Die anderen Elektronen mit hoher Energie gelangen in den Drain-Bereich 4, der kein niedriges Energieniveau gegenüber den Elektronen aufweist. Deshalb werden eine sehr geringe Anzahl von Elektronen in die Gate-Elektrode aus dem Kanalstrom durch den Source-Bereich injiziert. Die Rate der injizierten Elektronen beträgt im

—10 —8 ■

allgemeinen 10 ' bis 10 . Um den geringen Injektionswirkungsgrad bei dem bekannten nichtflüchtigen Speicher in Fig. 1 zu kompensieren, sind folgende Verfahren bekannt:

1. Vergrößerung des Kanalstroms, um mehr Elektronen zu injizieren/

2. Erhöhung der Drain-Spannung,um das elektrische Feld in der Sperrschicht in der Nähe des Drain-Bereichs und die Stoßionisation zu erhöhen, .

3. Verlängerung der Injektionsdauer,um die erforderlichen Elektronen in die Gate-Elektrode 2 zu injizieren.

Bei diesen drei bekannten Verfahren ist es jedoch schwierig, den Integrationsgrad des Speichers zu verbessern und mit hoher Geschwindigkeit zu schreiben, da bei einem bekannten Speicher dieser Art eine hohe Stromstärke, eine hohe Spannung und eine verhältnismäßig lange Zeit zum Einschreiben von Informationen in den Speicher erforderlich ist;

Es ist deshalb Aufgabe der Erfindung, einen nichtflüchtigen Speicher aus Halbleitermaterial anzugeben, der für eine Großintegration und eine hohe Schnittgeschwindigkeit geeignet ist,

-6-indem der Injektionswirkungsgrad der Elektronen in eine Fließ-Gate-Elektrode erhöht wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Anhand der Zeichnung soll die Erfindung beispielsweise näher erläutert werden. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht eines bekannten nichtflüchtigen Speichers/

Fig. 2a und Fig. 3 bis 5 Ausführungsbeispiele eines nichtflüchtigen Speichers gemäß der Erfindung,

Fig. 2b ein Potentialverteilungsdiagramm auf einer Kanaloberfläche zur Erläuterung des Schreibprinzips bei dem nichtflüchtigen Speicher in Fig. 2a; und

Fig. 6a bis Fig. 6d unterschiedliche Schnittansichten eines weiteren Ausführungsbeispiels.

Im folgenden soll die Struktur, Schreib-, Lese- und Löschverfahren bei Ausführungsbeispielen eines Speichers gemäß der Erfindung beschrieben werden.

Bei dem in Fig. 2a dargestellten Äusführungsbeispiel eines nichtflüchtigen Speichers gemäß der Erfindung ist ein η Source-Bereich 3 und ein Drain-Bereich 4 in der Nähe der Oberfläche eines p-leitenden Halbleitersubstrats 5 vorgesehen, Ein Gate-Isolator mit unterschiedlicher Dicke (dessen . Kapazität pro Einheitsfläche unterschiedlich ist) ist auf einem Kanalbereichszwischen dem Source- und dem Drain-Bereich ausgebildet.

Eine dünne Isolierschicht 107 ist auf einem Kanalbereich in Berührung mit dem Drain-Bereich 4 und einer dickeren Isolierschicht 71 .auf einem Kanalbereich ausgebildet, der nicht in Berührung mit dem Drain-Bereich 4 steht. Die Kapazität pro Einheitsfläche der Gate-Isolierschicht 107 auf dem Kanalbereich in Berührung mit dem Drain-Bereich 4 ist größer als die Kapazität pro Flächeneinheit der Gate-Isolierschicht 71 auf dem übrigen Kanalbereich.

Wenn die Gate-Isolierschichten aus demselben Material wie beispielsweise Siliziumdioxid bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 2a hergestellt sind,, muß die Dicke der Gate-Isolierschicht 107 geringer als die Dicke der Gate-Isolierschicht 71 sein. Für die Gate-Isolierschichten können Materialien mit unterschiedlichen Dielektrizitätskonstanten verwandt werden. Beispielsweise.kann die Isolierschicht 107 eine Nitrierungsschicht sein und die Isolierschicht 71 eine Schicht aus Siliziumdioxid. Danach wird eine Fließ-Gate-Elektrode 21 (im allgemeinen Polysilizium) auf den Isolierschichten 71 und 107 ausgebildet. Ferner wird eine Steuer-Gate-Elektrode 11 auf der Gate-Elektrode 21 über einer Gate-Isolierschicht 61 ausgebildet. Die Isolierschicht 71 steht mit der Isolierschicht 107 an einer Stelle in einem Abstand von der Breite der Sperrschicht (Verarmungsschicht) in Berührung, die zwischen dem Substrat 5 und dem η -Bereich unter dem Drain-Bereich 4 (betrachtet von dem Drain-Bereich) ausgebildet ist.

Das Verfahren-der Injektion von Elektronen in die Gate-Elektrode bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 2a soll in Verbindung mit Fig. 2b erläutert werden. Die graphische Darstellung zeigt die Potentialverteilung in der Siliziumdioxidschicht bei einer Störstellendichte des Substrats 5 von 5 χ 10 Atomen pro cm , wobei die Dicke der Isolierschichten 71 und 107 800 beziehungsweise 60 A* gegen die Elektronen beträgt, im Falle des elektrischen Potentials der Gate-Elektrode 21 und des Drain-Bereichs 4 von 6V. Wie aus Fig. 2b ersichtlich ist, ist ein scharfer Potentialanstieg auf der Halbleiteroberfläche vorhanden, auf der die Isolierschicht 71 mit der Isolierschicht 107 in Berührung steht. Das Oberflächenpotential φεε des Kanalbereichs unter der Isolierschicht 71 ändert sich stark in dem Bereich 108, im Berührungsbereich mit dem Oberflächenpotential <t>SD des Kanalbereichs unter der Isolierschicht 107. .

Die aus dem Source-Bereich 3 austretenden Elektronen werden durch das elektrische Feld mit der Differenz des Oberflächenpotentials Λφ3 (=φ3ΐ»-φ8δ) zwischen Source und Drain beschleunigt. Wenn die Differenz des Oberflächenpotentials ApS größer als die Differenz der Arbeitsfunktion $C zwischen dem Substrat 5 und der Isolierschicht 107 ist, kann ein Teil der

aus dem Source-Bereich austretenden Elektronen in die Gate-Elektrode 21 aus dem Bereich J08 eintreten. Wenn die Isolierschicht 107 aus Siliziumdioxid besteht, beträgt PC= 3,7 V. Deshalb wird ein Teil des Kanalstroms in die Gate-Elektrode 21 durch die Drain-Spannung VD und die Steuer-Gate-Spannung VCG von A4>S>3,2V injiziert. Da das beschleunigende elektrische Feld, das durch die Feldstärke erzeugt wird, das der Differenz 4<t>S zwischen dem Oberflächenpotential des Kanalbereichs unter der Isolierschicht 71 und dem Oberflächenpotential des Kanalbereichs unter der Isolierschicht 107 entspricht, eine von dem Siliziumsubstrat 5 zu der Gate-Elektrode gerichtete Komponente enthält, wird ein Teil der Elektronen zu dem Drain-Bereich in die Gate-Elektrode injiziert. Deshalb beträgt' der Injektions-Wirkungsgrad in Abhängigkeit von dem

-7 -4
Kanalstrom zwischen 10 und 10 .Da der Drain-Bereich 4 mit geringerem Energieniveau gegen die Elektronen von dem Injektionsbereich getrennt ist, werden die Elektronen besser in die Gate-Elektrode injiziert. Daraus ist ersichtlich, daß bei einem Speicher gemäß der Erfindung entsprechend dem beschriebenen Injektionsverfahren Informationen mit niedriger Stromstärke, bei niedriger Spannung und innerhalb einer kurzen Zeitspanne geschrieben werden können.

Bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 2a steuert die Gate-Elektrode 11 das elektrische Potential der Gate-Elektrode 21. Der Drain-Bereich 4 kann auch als Steuer-Gate-Elektrode 11 dienen.

Fig. 3 zeigt eine Schnittansicht eines Ausführungsbeispiels, bei dem ein Drain-Bereich 42 die Fließ-Gate-Elektrode 21 in entsprechender Weise wie die Steuer-Gate-Elektrode 11 steuert. Das Potential V 'der Gate-Elektrode wird durch die Drain-Spannung V gesteuert. Ferner kann der Drain-Bereich 4 vollständig als Steuer-Gate-Elektrode 11 dienen, so daß der Drain-Bereich 4. auch als Steuer-Gate-Elektrode bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 5 dient. Wie aus diesem abgewandelten Ausführungsbeispiel in Fig. 5 ersichtlich ist, überlappt der Drain-Bereich 4 weitgehend die Gate-Elektrode 23, um die Kopplung des Drain-Bereichs 4 mit der Gate-Elektrode 2 3 zu verstärken, wodurch die

Gate-Spannung V_ß durch die Drain*-Spannung Vj₅ gesteuert wird". · ·■

Im folgenden sollen Verfahren zum Freisetzen (erasing) von Elektronen aus der gefloateten Gate-Elektrode erläutert werden. Diese Verfahren können grob in zwei Gruppen eingeteilt werden. Im einen Fall Werden die Elektronen in der Gate-Elektrode durch ultraviolette Strahlung erregt, so daß sie in das Siliziumsubstrat gelangen können. Im anderen Fall werden die Elektronen elektrisch freigesetzt.

Bei einem nichtflüchtigen Speicher gemäß der Erfindung können die Elektronen wie bei bekannten Verfahren durch ultra-: violette Strahlung freigesetzt werden. Deshalb sollen im folgenden Verfahren zum elektrischen Freisetzen von Elektronen beschrieben werden. "

Die in Pig. 2a dargestellte Struktur zeigt ein Ausführungsbeispiel zum Injizieren der. Elektronen aus der Gate-Elektrode in dem Drain-Bereich 4. Wenn die Spannung, durch die der Kanal zwischen dem Source- und Drain-Bereich nicht invertiert wird, als Steuer-Gate-Spannung VCG zugeführt wird, und wenn die Spannung V . zürn Freisetzen als Drain-Spannung erzeugt wird, wird durch die Spannung V„ ein starkes elektrisches Feld in der Isolierschicht 107 zwischen der Gate-Elektrode und dem Drain-BeEeich 4 erzeugt. Durch das starke elektrische Feld in der Isolierschicht 107 wird ein Tunnelstrom verursacht. Die Elektronen in der Gate-Elektrode 21 können dadurch in den Drain-Bereich 4 gelangen. Wenn die Elektronen in den Drain-Bereich 4 gelangen und das elektrische Potential der Gate-Elektrode 21 höher ist, wird der Tunnelstrom gesperrt.

•i . ■ - ' . . Die Spannung zum Freisetzen kann verringert werden, wenn die Kopplungskapazität der Gate-Elektrode 11 mit der Gate-Elektrode 21 groß ist, und wenn die Kopplungskapazität des Drain-Bereichs 4 mit"der Gate-Elektrode klein ist. Wenn die Dicke der Isolierschicht 80S beträgt, können die Elektronen durch die Spannung V- - 8 V freigesetzt werden.

Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die in der gefloateten Gate-Elektrode freigesetzten Elektronen in den Source-Bereich. 3 gelangen. Wenn Spannungen, welche den Kanal zwischen dem Source-,und dem Drain-Bereich nicht invertieren, an die Steuer-Gate-Elektrode beziehungsweise den Drain-Bereich angelegt werden, und wenn die Spannung V_n an den reich 3 angelegt wird, wird durch die Spannung V_ ein starkes

Et

Feld in der Isolierschicht 73 zwischen der Gate-Elektrode und dem Source-Bereich 3 erzeugt. Das an die dünne Isolierschicht 73 angelegte starke elektrische Feld verursacht einen Tunnelstrom, so daß Elektronen aus der Gate-Elektrode 23 in den Source-Bereich 3 gelangen. In diesem Fall ist eine starke Kopplung der Gate-Elektrode 23 mit der Steuer-Elektrode 11 oder dem Drain-Bereich 42 vorhanden, sowie eine schwache Kopplung mit dem Source-Bereich 3. Wenn die dünne Isolierschicht 73 aus Siliziumdioxid mit einer Schichtstärke von 8θδ besteht, werden die Elektronen durch eine Spannung V =8V freigesetzt. Wie bei dem Speicher in Fig. 4, bei dem die Elektronen in den Source-Bereich 3 gelangen, wenn die Spannung nicht an den Source-Bereich 3 während des Lesevorgangs angelegt wird, ist das in der Isolierschicht 73 anliegende elektrische Feld schwach. Dadurch wird die Speicherzeit des Halbleiterspeichers verringert.

Im folgenden soll ein Lesevorgang bei einem nichtflüchtigen Halbleiterspeicher gemäß der Erfindung beschrieben werden.Wenn bei einem Speicher der in Fig. 2a dargestellten Art eine Lesespannung V_ an die Steuer-Gate-Elektrode 11 angelegt wird, die größer als die Source-Spannung ist, wird der Kanal zwischen Source- und Drain-Bereich invertiert oder nicht invertiert gegen die Menge von Elektronen in der Gate-Elektrode 21. Der Kanal wird nicht ohne weiteres invertiert, wenn die Elektronendichte· in der Gate-Elektrode .21 groß ist, während der Kanal leicht invertiert wird, wenn die Elektronendichte in der Gate-Elektrode 21 klein ist. Wenn deshalb eine gegenüber dem Source-Bereich 3 positive Spannung an den Drain-Bereich 4 angelegt wird, fließt ein Kanalstrom in Abhängigkeit von der Elektronen-

dichte in der Gate-Elektrode 23. Deshalb kann ein Lesevorgang entsprechend der Größe des Kanalstroms erfolgen.

Bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 5/ bei dem der Drain-Bereich 4 auch als Steuer-Gate-Elektrode dient, die Lesespannung V_ der Drain-Spannung zugefügt wird, fließt ein Kanalstrom in Abhängigkeit von der Elektronendichte in der Gate-Elektrode 23, so daß ein Lesevorgang durchgeführt werden kann.

Bei einem Halbleiterspeicher gemäß der Erfindung ist die Inversionsspannung (die Schwellenwertspannung) des Kanals auf dem Source-Bereich (des Kanals 7 unter der Isolierschicht 71) größer, da die statische Kapazität der Isolierschicht 71 klein ist. Dadurch wird die Lesespannung V₀ größer, was für die Be-

nutzung eines Halbleiterspeichers im allgemeinen nicht wünschenswert ist. ·

Bei dem in Fig. 6a und 6b dargestellten Ausführungsbeispiel ist die elektrische Spannung V_n verringert. Fig. 6a zeigt eine Schnittansicht entlang der Linie B-B¹ in Fig. 6b (Draufsicht), Fig. 6c eine Schnittansicht entlang der Linie C-C von Fig. 6b, und Fig. 6d eine Schnittansicht entlang der Linie A-A¹ von Fig. 6b. Bei dem nicht—flüchtigen Halbleiterspeicher in Fig. 6 ist ein Injektionsbereich und ein Lesebereich vorhanden. Der Injektionsbereich und der Lesebereich werden durch Erweiterung der gefloateten GatecElektrode des Lesetransistors gebildet, dessen Lesebereich eine niedrige Stellenwertspännung aufweist (die Kapazität pro Flächeneinheit der Gate-Isolierschicht ist groß). Auf diese Weise wird eine neue Drain-Elektrode 8 zum Lesen gebildet. ...

Die Gate-Isolierschicht 107 auf dem Kanalbereich zwischen dem Source-Bereich 3 und der Drain-Elektrode 8 ist dünner als die andere Gate-Isolierschicht 71. "Die Schwellenwertspannung des Kanals zwischen dem Source-Bereich und der Drain-Elektrode 8 gegen die Gate-Elektrode 24 ist niedriger als in dem anderen Kanalbereich (dem Kanal unter der Isolierschicht 71). Die Elektronendichte in der Gate-Elektrode 24 kann mit der niedrigen Lesespannung V_ nachgewiesen (gelesen) werden. Die Elektronen werden in die Gate-Elektrode 24 in einem Bereich

108 in einem Abstand von dem Drain-Bereich 4 injiziert/ der auch als Steuer-Gate-Elektrode dient, und zwar an einer Stelle, wo die Isolierschicht 71 an die Isolierschicht 107 wie bei den vorher beschriebenen Ausführungsbeispielen angrenzt.

Obwohl der Drain-Bereich 4 ebenfalls als Steuer-Gate-Elektrode bei dem Ausführungsbeispiel in Fig. 6 dient, ist eine getrennte Steuer-Gate-Elektrode vorgesehen. Obwohl eine dünne Isolierschicht als Gate-Isolierschicht 107 verwandt werden kann, um die Schwelleriwertspannung des Lesetransistors zu verringern, ist eine Isolierschicht aus einem Material mit einer hohen Dielektrizitätskonstanten vorzuziehen. Ferner kann die Schwellenwertspannung des Lesetransistors dadurch verringert werden, daß die Dichte des Substrats des Lesetransistors verringert wird (Kanal-Ionen können injiziert werden).

Der Injektions-Wirkungsgrad eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers gemäß der Erfindung ist etwa 1000 mal so groß wie derjenige.bekannter Halbleiterspeicher, weil der Injektionsbereich für Elektronen in die Gate-Elektrode weiter entfernt von dem Drain-Bereich als bei bekannten Halbleiterspeichern ist, und weil die Richtung des elektrischen Felds zur Beschleunigung der Elektronen eine gerichtete Komponente zum Injizieren der Elektronen enthält. Deshalb ist es mit einem derartigen nichtflüchtigen Halbleiterspeicher möglich, bei niedrigerer Spannung, bei niedrigerer Stromstärke sowie mit höheren Geschwindigkeiten als bei bekannten Halbleiterspeichern zu schreiben.

Obwohl die beschriebenen Ausführungsbeispiele einen n—Halbleiterspeicher betreffen, ist die Erfindung auch auf p-Halbleiterspeicher anwendbar. Anstelle eines Silizium-Substrats können auch andere Halbleiter-Substrate Verwendung finden.

13- Leerseite

Claims

Patentansprüche .

1./Nichtflüchtiger Speicher aus Halbleitermaterial, der mindestens einen Source-Bereich (3) und einen Drain-Bereich (4) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, welche Bereiche in einem Abstand angrenzend an eine Oberfläche eines Substrats (5) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet sind, sowie mit einer gefloateten Gate-Elektrode, die über einer Isolierschicht auf einem Kanalbereich zwischen dem Source- und Drain-Bereich vorgesehen ist, dadurch gekenn zeichnet, daß die Isolierschicht (71,107) derart ausgebildet ist, daß elektrische Lädungen von dem Kanalbereich in die Gate-Elektrode (21) in einem Oberflächenbereich des Halbleitersubstrats (5) injiziert werden, der entfernter von dem Drain-Bereich (4) als die Breite einer Verarmungsschicht unter dem Drain-Bereich zwischen diesem und dem Substrat ist.

Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanal einen ersten Kanalbereich in Berührung mit dem Drain-Bereich (4) und einen zweiten Kanalbereich neben dem erstenpCanalbereich aufweist, daß im Bereich der ersten Isolierschicht (107) die Kapazität pro Flächeneinheit größer als die Kapazität pro Flächeneinheit im Bereich der zweiten Isolierschicht (71) ist, und daß die Elektronen in die Gate-Elektrode (21)aus einem dem Drain-Bereich (4) benachbarten Bereich (108) injiziert werden,in welchem Bereich der erste Kanalbereich an den zweiten Kanalbereich angrenzt.

BAD ORIGINAL

Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g'ekennzeichne t,daß eine Steuer-Gate -Elektrode (11)über einer Isolierschicht (61) auf der Gate-Elektrode (21) angeordnet ist, daß eine erste, zu dem Substrat entgegengesetzte Spannung an den Drain-Bereich (4) angelegt wird, daß eine zweite Spannung mit derselben Polarität wie die erste Spannung an die Steuer-Gate-Elektrode (11) angelegt wird, und daß dadurch die beiden Kanalbereiche zumindest schwach invertiert werden, um aus dem Source-Bereich (3)- austretende Träger zu beschleunigen und einen Teil der Träger in die Gate-Elektrode (21) zu injizieren.

Nichtflüchtiger Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine.Spannung, die kleiner als die zweite Spannung ist oder eine entgegengesetzte Polarität aufweist, an die Steuer-Gate-Elektrode (11) angelegt wird, daß eine Spannung mit derselben Polarität wie diejenige der ersten Spannung an den Drain-Bereich angelegt wird, und daß dadurch in der Gate-Elektrode (21) gespeicherte Ladung entladen wird.

Nichtflüchtiger Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (21) sich über dem Drain-Bereich (4) erstreckt, und daß dazwischen die erste Isolierschicht (107) vorgesehen ist.

Nichtflüchtiger Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 3 oder 5, d a d u r c h gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (23) über einer vierten Isolierschicht (73) angeordnet ist, die über dem Source-Bereich (3) vorgesehen ist und dünner als die erste Isolierschicht ist, daß eine Spannung an die Steuer-Gate-Elektrode (11) angelegt wird, die kleiner als die zweite Spannung ist oder die entgegengesetzte Polarität aufweist, daß eine Spannung von der gleichen Polarität wie die erste Spannung an den Source-Bereich angelegt wird, und daß^durch in der Gate-Elektrode (23) gespeicherte elektrische Ladungen entladen werden.

7. Nichtflüchtiger Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
der Drain-Bereich als einzige Steuer-Gate-Elektrode vorgesehen ist.

8. Nichtflüchtiger Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, d adur ch ge ke nn ζ eichn et, daß ein getrennter Kanalbereich entlang dem Kanal und ein getrennter Drain-Bereich (8) vorgesehen sind, und daß die Gate-Elektrode (24) auf einer dünnen Isolierschicht über dem anderen Kanalbereich angeordnet ist.