DE3228586C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen abstimmbaren Halb­ leiterlaser gemäß dem Oberbegriff der Patentansprüche 1, 5 bzw. 6.

Es ist eine Doppelheterostruktur-GaAs-Ga₁_-x Al _x As-Laser­ diode mit verteilter Rückkopplung als einer der Halbleiterlaser für Monolongitudinalmode-Oszillation bekannt, die für optische Übertragungen über große Entfernungen entwickelt worden sind. Die Laserdiode enthält eine aktive Schicht, die mit einem Gitter versehen ist, das durch äquidistante parallele Kerben gegeben ist. Die Laserdiode bewirkt eine stabile Oszillation bei einer ausgewählten Wellenlänge, die durch folgende Gleichung

λ = 2n Λ /m (1)

gegeben ist, wobei n der Brechungsindex der aktiven Schicht, Λ der Abstand zwischen den Kerben des Gitters und m die Ordnung der Bragg-Beugung ist. Die Gleichung (1) gibt an, daß die Wellen­ länge λ des abgegebenen Laserstrahls und damit die stabile Oszillation von dem Abstand Λ des Gitters abhängt, während andererseits die Diode das Problem beinhaltet, daß die Schwingungswellenlänge nicht geändert werden kann. Die Laserdiode läßt sich wellenlängen­ abstimmbar machen, indem man die Tatsache ausnutzt, daß sich der Brechungsindex n mit der Temperatur ändert, das Verän­ dern der Temperatur über einen größeren Bereich erfordert je­ doch eine Heiz- oder Kühlvorrichtung, wobei sich die Notwendigkeit der Verwendung einer Temperaturkonstanzkammer oder eines Thermostaten ergibt, um die Diode konstant auf der gewünschten Temperatur zu halten. Die Verwendung einer solchen Vorrichtung ist nicht wünschenswert, wenn die Diode in Form einer integrierten Einheit vorliegt, die auch eine optische Schaltung und andere Elemente enthält. Da ferner die Ga₁_-x Al _x As-Überzugschicht nach Ausbildung des Gitters auf der aktiven Schicht aufgewachsen werden muß, läßt sich die Diode nur mit Schwierigkeiten herstellen, wobei sie mit hoher Wahrscheinlichkeit Defekte am Übergang zwischen aktiver Schicht und Überzugschicht aufweist.

Aus Applied Physics Letters 33 (1978), Nr. 3, S. 251-253 ist ein abstimmbarer Halbleiterlaser gemäß dem Ober­ begriff der Patentansprüche 1, 5 bzw. 6 bekannt, bei welchem die Reflexionseinrichtung in der aktiven Schicht ausgebildet ist und aus zwei Bragg-Reflektoren und einem auch auf der aktiven Schicht ausgebildeten akustischen Modenwandler besteht, der aus einer Volumenwelle eine akustische Ober­ flächenwelle erzeugt. Abstimmbarkeit wird erzielt, indem eine sich räumlich verändernde Gitterstruktur erzeugt wird.

Das Ausbilden der Gitterstruktur in bzw. auf der aktiven Schicht bringt Schwierigkeiten bei der Herstellung des Lasers mit sich.

Aus der US-PS 42 16 440 ist ein auf einem piezoelektrischen Material ausgebildeter Interdigitalwandler bekannt, jedoch ist dieser auf einem gesondert vom Lasermedium vorgesehenen Prisma vorhanden.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen abstimmbaren Halbleiter­ laser der eingangs genannten Art mit vereinfachter Herstell­ barkeit zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen abstimmbaren Halbleiterlaser, wie er in den Patentansprüchen 1, 5 bzw. 6 gekennzeichnet ist.

Das Vorhandensein der akustischen Oberflächenwelle (SAW (surface acoustic wave)) erzeugt auf der aktiven Schicht eine Verteilung von Brechungsindizes, die sich in einem bestimmten Abstand wiederholen, wobei ausschließlich Licht derjenigen Wellenlänge, die durch diesen Abstand bestimmt wird, ausgewählt reflektiert wird, so daß die Laserschwingung bei der einzigen ausgewählten Wellenlänge auftritt. Da die Frequenz der SAW abstimmbar ist und sich von Ort zu Ort unterscheidet, läßt sich ein Laserstrahl einer gewünschten Wellenlänge erzielen. Da der Interdigitalwandler (IDT (interdigital transducer)) bzw. die Gunn-Dioden bzw. das Gitter mit den seitlich angeordneten Elektroden nur auf einem piezoelektrischen bzw. elektrooptischen Isolationsfilm, der auf oder über der aktiven Schicht vorgesehen ist, aufgebracht zu werden braucht, läßt sich ein solcher Laser leicht herstellen und auch leicht in Form einer integrierten Einheit vorsehen.

Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung in Ver­ bindung mit der Zeichnung beschrieben. Auf dieser zeigt bzw. zeigen

Fig. 1 eine Ausführungsform der Erfindung in schematischer per­ spektivischer Darstellung,

Fig. 2 eine weitere Ausführungsform der Erfindung in schemati­ scher perspektivischer Darstellung,

Fig. 3 eine Abwandlung der Ausführungsform der Fig. 1 in sche­ matischer perspektivischer Darstellung,

Fig. 4 die Art und Weise der Ausbreitung einer SAW,

Fig. 5 eine weitere Ausführungsform in schematischer perspek­ tivischer Darstellung,

Fig. 6 eine vergrößerte Schwingungsfrequenz-Bandbreite,

Fig. 7 bis 9 Draufsichten weiterer Abwandlungen,

Fig. 10 eine weitere Ausführungsform der Erfindung in schematischer perspektivischer Darstellung,

Fig. 11 eine wiederum weitere Ausführungsform der Erfindung in schematischer perspektivischer Darstellung, und

Fig. 12 ein Blockschaltbild eines Wellenlängenmultiplex-Nachrichten­ übertragungssystems.

Fig. 1 zeigt einen Doppelheterostruktur-(DH-Struktur-)Laser, der die Erfindung verkörpert. Der DH-Struktur-Laser wird, dies ist bekannt, hergestellt, indem auf einem n-GaAs-Einkristall­ substrat 1 eine n-Ga₁_-x Al _x As-Überzugsschicht 2, eine als aktiver Bereich dienende p-GaAs-Schicht 3, eine p-Ga₁_-x Al _x As- Überzugsschicht 4 und eine p-GaAs-Schicht 5 durch ein Flüssig­ phasen-Epitaxialverfahren aufgewachsen werden, Kontakte 6 auf der Ober- und Unterseite des sich ergebenden Aufbaus durch Aufdampfen im Vakuum ausgebildet werden und der Aufbau auf eine geeig­ nete Größe gespalten oder geschnitten wird. Bei dieser Laserdiode schaffen die Spaltflächen an entgegengesetzten Enden einen optischen Resonator, so daß, wenn ein Durchlaßstrom durch die Diode geschickt wird und dieser einen Schwellenwert überschreitet, die p-GaAs-Schicht 3 als aktive Schicht zur Eingrenzung von Licht und Ladungsträgern in dieser dient und ein Laserstrahl A abge­ geben wird.

Ein Teil der DH-Struktur wird etwa durch Ätzen ausgeschnitten, um die p-GaAs-Schicht 3 freizulegen. Auf dem freigelegten Teil der Schicht 3 wird ein Isolationsfilm 8 aus piezoelektri­ schem Material ausgebildet und ein IDT 9 auf dem Film 8 bei­ spielsweise photolithographisch vorgesehen.

An den IDT 9 wird mittels eines frequenzvariablen Oszilla­ tors 10 ein elektrisches Hochfrequenzfeld angelegt. Dieses er­ zeugt am IDT 9 eine SAW, die sich auf dem Isolations­ film 8 in Emissionsrichtung des Laserstrahls A ausbreitet.

Die SAW verleiht dem Isolationsfilm 8 eine Verteilung von Bre­ chungsindizes, die sich in einem bestimmten Abstand in Richtung der Ausbreitung des Strahls wiederholen. Nur Licht einer Wellen­ länge, die durch den durch die Verteilung gegebenen Abstand be­ stimmt wird, wird reflektiert, mit dem Ergebnis, daß eine Mono­ longitudinalmode-Laseroszillation bei einer ausgewählten Wellen­ länge auftritt. Wenn man die Wellenlänge der SAW zu Λ annimmt, erhält man einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge λ, die durch die Gleichung (1) gegeben ist. Ferner ist die Wellenlänge Λ der SAW durch Veränderung der Frequenz des an den IDT 9 zu legenden elektrischen Feldes veränderbar, so daß die ausgewählte Wellen­ länge ebenfalls veränderbar ist.

Es sei angenommen, daß die Frequenz f des an den IDT 9 ge­ legten elektrischen Feldes zur Erzeugung einer Variation ΔΛ der Wellenlänge Λ der SAW um Δ f variiert wird. Nach Gleichung (1) beträgt die sich ergebende Variation Δλ der Schwingungs­ wellenlänge

Δλ = 2n ΔΛ /m (2)

Wenn V die Ausbreitungsgeschwindigkeit der SAW ist, dann gilt

V = f Λ (3)

deshalb ist

Aus Gleichungen (4) und (2) ergibt sich

Wenn beispielsweise m gleich 1, V gleich 3300 m/s, n gleich 3,37, f gleich 20 GHz und Δ f gleich 2 GHz in Gleichung (4) ist, dann ergibt sich

Δλ = 0,11 µm.

Es sei angenommen, daß der IDT 9 eine Schwingungsfrequenz von 20 GHz hat und damit einen Laserstrahl einer Wellenlänge von 1 µm er­ gibt. Wen die Frequenz dann um 2 GHz variiert wird, ändert sich die Wellenlänge des Laserstrahls um 0,11 µm=110 nm.

Fig. 2 zeigt eine integrierte Zwillingswellenleiter-(ITG-(in­ tegrated twin guide)) Laserdiode, die die Erfindung verkörpert. Die Diode umfaßt Ga₁_-x Al _x As-Überzugsschichten 12, 14 und 16, als aktive Schichten dienende GaAs-Schichten 13 und 15 und eine p-GaAs-Schicht 17, die auf einem n-GaAs-Substrat 11 ausgebildet sind. Auf der Ober- und Unterseite des Aufbaus werden durch Aufdampfen im Vakuum Kontakte 18 ausgebildet. An beiden Enden des Lasers sind die Überzugsschicht 14 und die darüberliegenden Schichten ausgeschnitten, wobei der freigelegte Teil mit einem Isolationsfilm 19 abgedeckt ist. Wenigstens einer der beiden parallel zu GaAs-Schicht 13 verlaufenden Teile des Films 19 wird mit einem IDT 9 versehen. Wie der in Fig. 1 gezeigte DH-Struktur- Laser ist der ITG-Laser durch Veränderung der Frequenz des an den IDT 9 gelegten elektrischen Treiberfeldes wellenlängen­ abstimmbar.

Fig. 3 zeigt einen modifizierten DH-Struktur-Laser, der die Erfindung verkörpert und einen IDT 20 aufweist, der sich von dem in Fig. 1 gezeigten IDT 9 im Aufbau unterscheidet. Der IDT 9 um­ faßt eine große Anzahl paralleler Linearelektroden 9 a und zwei parallele gemeinsame Elektroden 9 b, die jeweils übernächste Elek­ troden 9 a miteinander verbinden. Der IDT 20 umfaßt Linearelek­ troden 20 a in Form eines Kreisbogens und gemeinsame Elektroden 20 b, die nicht parallel, sondern gegeneinander geneigt verlaufen. Die Kreisbogenanordnung der Linearelektroden 20 a des IDT dient dazu, ein Ausbreiten des Schwingungsmodes und des ausge­ henden Laserstrahls nach der Seite zu hemmen.

Mit dem in Fig. 4, Abschnitt a gezeigten IDT 9 mit seinen geraden Linearelektroden 9 a breitet sich wegen eines Beugungs­ effekts die erzeugte SAW unter Verbreitung über einen Winkel R aus, was eine Verbreiterung des Laserschwingungsmodes bzw. Laser­ strahls zur Folge hat. Mit dem in Fig. 4, Abschnitt b gezeigten IDT 20 mit seinen kreisbogenförmigen Linearelektroden 20 a je­ doch breitet sich die SAW konvergierend und folglich im wesent­ lichen ohne Verbreiterung aus, selbst wenn man den Verbreiterungs­ winkel R mitberücksichtigt. Dies verhindert eine Verbreite­ rung des Laserstrahls A und führt zu einem stabilen Schwingungs­ mode. Das Licht läßt sich wirksam eingrenzen, was eine verbesserte Laserschwingungsfrequenz sicherstellt und damit die Leistung für das an den IDT 20 zu legende elektrische Hochfrequenz­ feld vermindert.

Fig. 5 zeigt eine weitere Abwandlung. Ein auf einem Isola­ tionsfilm 8 vorgesehener IDT 21 umfaßt gerade Elektroden 21 a, wobei sich der Abstand zwischen mit einer gemeinsamen Elektrode 21 b verbundenen benachbarten Elektroden 21 a in Ausbreitungsrich­ tung der erzeugten SAW ändert. Wenn der Abstand aller Linearelek­ troden 9 a wie im Falle des in Fig. 1 gezeigten IDT 9 stets der gleiche ist, beschränkt sich das abstimmbare Wellenlängenband auf einen engen Bereich, da die Mittellängenwelle der SAW von diesem Abstand abhängig ist. Im Falle des in Fig. 5 gezeigten IDT 21 jedoch sind die Abstände zwischen mit der gleichen Elek­ trode 21 b verbundenen Elektroden 21 a in Entsprechung zu den ver­ schiedenen Wellenlängen Λ 1 bis Λ j der SAW verschieden. Dement­ sprechend läßt sich die Wellenlänge der mit dem IDT 21 erzeugten SAW um Δ1 mit Mittelpunkt an allen Wellenlängen Λ1 bis Λ j variieren. Ausgedrückt in der Frequenz f des an den IDT 21 gelegten elektrischen Feldes läßt sich mit den Frequenzen, die den Wellenlängen Λ1 bis Λ j entsprechen und durch f1 bis fj dargestellt sind, die Frequenz um Δ f mit Mitte an allen Frequenzen f1 bis fj variieren. Wenn also die Abstände Λ1 bis Λ j geeignet festgelegt sind, beträgt die Bandbreite F der abstimmbaren Frequenzen j-mal die Bandbreite des Falles, in dem die Abstände gleich sind, nämlich F=j · Δ f, wie dies in Fig. 6 dargestellt ist. Daraus er­ gibt sich, daß, wenn die Schwingungswellenlängen des DH-Struktur-Lasers λ1 bis λ j in Entsprechung zu den Frequenzen f1 bis fj sind, die Laser-Schwingungswellenlänge um Δλ aus Gleichung (5) mit Mitte an allen Wellenlängen λ1 bis λ j variiert werden kann. Die Schwingungswellenlänge des abstimmbaren Halbleiterlasers ist also über den weiten Bereich von j · Δλ veränderbar.

Fig. 7 zeigt eine weitere Abwandlung, bei der zur Bildung eines IDT 22 Linearelektroden 22 a bis 22 c mit unterschiedlichen Abständen im rechten Winkel zur Ausbreitungsrichtung des Laser­ strahls angeordnet sind. Der Laser erzeugt Strahlen verschiedener Wellenlängen λ1 bis λ j (j=3) an verschiedenen Strahlen­ emissionsstellen.

Fig. 8 zeigt eine weitere Abwandlung, bei welcher drei Arten von kreisbogenförmigen Linearelektroden 23 a bis 23 c, die in verschiedenen Abständen liegen, einen IDT 23 bilden. Die Elek­ troden sind miteinander verbunden. Da solche kreisbogenförmigen Linearelektroden, wie bereits ausgeführt, dazu führen, daß die SAWs konvergieren, ist verhindert, daß sich der ausgehende Laser­ strahl nach der Seite verbreitet.

Fig. 9 zeigt eine wiederum weitere Abwandlung, nach welcher ein IDT 24 kreisbogenförmige Linearelektroden mit sich kontinu­ ierlich ändernden Abständen aufweist. In diesem Fall variiert die Wellenlänge des emittierten Laserstrahls mit der Emissionsstelle, und der Strahl konvergiert auf einen Punkt. Dies erleichtert die optische Kopplung beispielsweise mit einer optischen Faser.

Bei den Abwandlungen der Fig. 5 und 7 bis 9 kann eine Gleichspannung an den IDT angelegt werden, weil dann Brechungsindex­ verteilungen unmittelbar darunter erzeugt werden.

Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform. Der gezeigte DH-Struktur-Laser ist mit einem Feld 25 aus Gunn-Dioden 25 c ver­ sehen, die auf einem Isolationsfilm 8 ausgebildet und voneinander isoliert in einer zur Emissionsrichtung eines Laserstrahls senkrechten Reihe angeordnet sind. Der Abstand zwischen Elek­ troden 25 a und 25 b unterscheidet sich von Diode zu Diode. Jeweils eine der Gunn-Dioden 25 c des Feldes 25 wird ausgewählt über einen Umschalter 26 angesteuert, womit die ausgewählte Gunn-Diode eine SAW erzeugt wird, die sich auf dem Film 8 in der Emissions­ richtung ausbreitet. Wie bereits ausgeführt, tritt eine Monomode-Laseroszillation bei einer Wellenlänge auf, die im Einklang mit der Wellenlänge der SAW ausgewählt ist. Die Wellen­ länge der SAW wird ausgewählt bestimmt, indem ausgewählt eine der Gunn-Dioden, die sich hinsichtlich des Abstandes der Elek­ troden und damit der Schwingungswellenlänge unterscheiden, ange­ steuert wird. Natürlich können auch alle Gunn-Dioden gleichzeitig angesteuert werden.

Im allgemeinen bewirkt eine Gunn-Diode eine Oszillation bei einer Frequenz f die durch

ausgedrückt wird, wobei Vd die Elektronendriftgeschwindigkeit (ungefähr 10⁷ cm/s) und L der Elektrodenabstand der Gunn-Diode ist. Wenn beispielsweise L 10 µm ist, so ist f 10 GHz. Da die Gunn-Dioden 25c des Feldes 25 unterschiedliche Abstände zwischen den Elektroden 25a und 25b von L1 bis L5 haben, erzeugt eine der Gunn-Dioden, wenn sie für die Schwingung ausgewählt wird, eine SAW mit einer durch Gleichung (6) unter Verwendung des betreffenden Abstands gegebenen Frequenz. Wenn die Periode der SAW Λ ist, wird die Laser-Schwingungswellenlänge λ durch Gleichung (1) ausgedrückt. Die Laserschwingung tritt also bei der einen der Wellenlängen λ1 bis λ5 auf, die dem Elektrodenabstand der ausgewählten Gunn-Diode entspricht.

Fig. 11 zeigt eine wiederum weitere Ausführungsform. Der DH-Struktur-Laser enthält eine aktive Schicht 3, wobei ein Film 29 aus einem einen elektrooptischen Effekt zeigenden Material, beispielsweise BaTiO₃, auf einem freigelegten Teil der Schicht 3 ausgebildet ist. Auf dem Film 29 ist ein periodisches Gitter 27, beispielsweise durch die Kombination einer Elektronenstrahl- oder holographischen Belichtung mit einer Ionenstrahlätztechnik, ausgebildet. Auf den beiden gegenüberliegenden Seiten des Gitters 27 sind auf dem BaTiO₃-Film 29 entgegengesetzte Elektroden 28 vorgesehen.

Wenn mittels einer Spannungsquelle 30 eine Gleich- oder Wechselspannung zwischen den Elektroden angelegt wird, verändert der sich ergebende elektrooptische Effekt den Brechungsindex n des mit dem Gitter 27 versehenen Films 29 und damit die Schwingungswellenlänge. Wenn die Spannung E, der Abstand zwischen den Elektroden 28d und die elektrooptische Konstante des Films 29 q ist, dann wird die Variation Δn des Brechungsindex ausgedrückt durch

Δ ∝ γ n³E/d (7)

Dementsprechend ergibt sich die Variation Δλ der Laser-Schwingungswellenlänge aus Gleichung (1) zu

Δλ = 2ΔnΛ/m ∝ 2n³EΛ/dm (8)

Wenn also die Spannung E variiert wird, wird die Laser-Schwingungswellenlänge um Δλ variiert. Da BaTiO₃ eine große elektrooptische Konstante hat (γ₄₂= 8 · 2 · 10^-10³m/V) erhält man mit der Verwendung dieses Materials große Variationen des Brechungsindex, was die Bandbreite der abstimmbaren Wellenlängen vergrößert.

Die Ausführungsformen der Fig. 3 bis 11 sind alle die Erfindung enthaltende DH-Struktur-Laser, die Erfindung ist natürlich aber auch auf Halbleiterlaser anderer Arten anwendbar.

Der abstimmbare Halbleiterlaser gemäß der Erfindung ist mit Vorteil für ein Wellenlängenmultiplex-Nachrichtenübertragungssystem verwendbar. Gemäß Fig. 12 werden ansprechend auf Steuersignale einer Zentraleinheit 31 Laserstrahlsignale unterschiedlicher Wellenlängen über eine Lichtleitfaser 33 von einem abstimmbaren Halbleiterlaser 32 gemäß der Erfindung auf eine Lichtwellenverzweigungseinheit 34 gegeben. Die Verzweigungseinheit 34 ist mit Lichtleitfasern 35 für Kanäle 1, 2, . . ., i verbunden. Die Laserstrahlsignale verschiedener Wellenlängen werden auf die Lichtleitfasern 35 durch Realzeitübertragung mit Schalten gegeben. Der abstimmbare Halbleiterlaser gemäß der Erfindung gibt, auch wenn er allein verwendet wird, Laserstrahlsignale verschiedener Wellenlängen in Ansprechung auf Steuersignale ab und bietet daher ein Wellenlängenmultiplex-Übertragungssystem einfachen Aufbaus.

Claims (9)

1. Abstimmbarer Halbleiterlaser mit einer aktiven Schicht und einer Einrichtung zur Erzeugung einer Reflexion von Licht einer bestimmten Wellenlänge des in der aktiven Schicht erzeugten Lichts, wobei die Reflexionseinrichtung für eine Veränderung der Wellenlänge des reflektierten Lichts vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Isolationsfilm (8) aus einem piezoelektrischen Material auf oder über mindestens einem Teil der aktiven Schicht (3, 13) vorgesehen ist und daß die Reflexionseinrichtung ein auf dem Isolationsfilm ausgebildeter Interdigitalwandler ist.

2. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (9, 20, 21, 22, 23, 24) zur Erzeugung einer akustischen Oberflächenwelle veränderbarer Frequenz ausgebildet ist.

3. Halbleiterlaser nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (22, 23, 24) zur Erzeugung von akustischen Oberflächenwellen verschiedener Frequenzen an verschiedenen Stellen ausgebildet ist.

4. Halbleiterlaser nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (9, 20, 21, 22, 23, 24) durch einen frequenzvariablen Hochfrequenzoszillator (10) angesteuert wird.

5. Abstimmbarer Halbleiterlaser mit einer aktiven Schicht und einer Einrichtung zur Erzeugung einer Reflexion von Licht einer bestimmten Wellenlänge des in der aktiven Schicht erzeugten Lichts, wobei die Reflexionseinrichtung für eine Veränderung der Wellenlänge des reflektierten Lichts vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Isolationsfilm (8) aus einem piezoelektrischen Material auf oder über mindestens einem Teil der aktiven Schicht (3) vorgesehen ist und daß die Reflexionseinrichtung durch eine Anzahl von Gunn-Dioden (25c) gebildet ist, die sich zur Bewirkung von akustischen Oberflächenwellen bei verschiedenen Frequenzen im Abstand ihrer Elektroden (25a, 25b) unterscheiden und ausgewählt steuerbar sind.

6. Abstimmbarer Halbleiterlaser mit einer aktiven Schicht und einer Einrichtung zur Erzeugung einer Reflexion von Licht einer bestimmten Wellenlänge des in der aktiven Schicht erzeugten Lichts, wobei die Reflexionseinrichtung für eine Veränderung der Wellenlänge des reflektierten Lichts vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Isolationsfilm (29) aus einem elektrooptischen Material auf oder über mindestens einem Teil der aktiven Schicht (3) vorgesehen ist und daß die Reflexionseinrichtung durch ein Gitter (27) und ein Paar von Elektroden (28), die auf gegenüberliegenden Seiten des Gitters angeordnet sind, gebildet ist.

7. Halbleiterlaser nach mindestens einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (22, 23, 24) eine Anzahl von Linearelektroden aufweist, die zur Verhinderung einer seitlichen Ausbreitung der akustischen Oberflächenwelle in der Form eines Kreisbogens ausgebildet sind.

8. Halbleiterlaser nach mindestens einem der Ansprüche 3, 4 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (21, 22, 23) eine Anzahl von Linearelektroden aufweist, deren Abstand sich von Ort zu Ort unterscheidet.

9. Halbleiterlaser nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Spannungsquelle (30) zur Aufgabe einer Gleich- oder Wechselspannung auf das Paar von Elektroden (28) vorgesehen ist.