DE3228586A1 - Abstimmbarer halbleiterlaser - Google Patents

Abstimmbarer halbleiterlaser

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Description

Omron ... P 149T-DE
- 5
BESCHREIBUNG
Die Erfindung bezieht sich auf einen abstimmbaren Halbleiterlaser, der für eine Laseroszillation bei einer wahlfrei veränderbaren Wellenlänge eingerichtet ist.
. Es ist eine Doppelheterostruktur-GaAs-Ga1_ Al As-Laserdiode mit verteilter Rückkopplung als einer der Halbleiterlaser für Monolongitudinalmode-OsziUation bekannt, die für optische Übertragungen über gro.ße Entfernungen entwickelt worden sind. Die Laserdiode enthält eine aktive Schicht, die mit einem Gitter versehen ist, das durch äquidistante parallele Kerben gegeben ist. Die Laserdiode bewirkt eine stabile Oszillation bei einer ausgewählten Wellenlänge , die durch folgende Gleichung
Λ = 2nA/m (D
gegeben ist, wobei η der Brechungsindex der aktiven Schicht, Λ der Abstand zwischen den Kerben des Gitters und m die Ordnung der Bragg-Beugung ist. Die Gleichung (1) gibt an, daß die Wellenlänge Λ des abgegebenen Laserstrahls und damit die stabile Oszillation von dem Abstand Λ des Gitters abhängt, während andererseits die Diode das Problem beinhaltet, daß die Schwingungswellenlänge nicht geändert werden kann. Die Laserdiode läßt sich wellenlängenabstimmbar machen, indem man die Tatsache ausnutzt, daß sich der Brechungsindex η mit der Temperatur ändert, das Verändern der Temperatur über einen größeren Bereich erfordert jedoch eine Heiz- oder Kühlvorrichtung, wobei sich die Notwendigkeit der Verwendung einer Temperaturkonstanzkammer oder eines Thermostaten ergibt, um die Diode konstant auf der gewünschten Temperatur zu halten. Die Verwendung einer solchen Vorrichtung ist nicht wünschenswert, wenn die Diode in Form einer integrierten Einheit vorliegt, die auch eine optische Schaltung und andere Elemente enthält. Da ferner die Ga1- Al As-Überzugschicht nach Ausbildung des Gitters auf der aktiven Schicht aufgewachsen werden muß, läßt sich die Diode nur mit Schwierigkeiten herstellen, wobei sie mit hoher Wahrscheinlichkeit Defekte am
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übergang zwischen aktiver Schicht und Uberzugschicht aufweist.
Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines abstimmbaren Halbleiterlasers, der für eine stabile Monolongitudinalmode-Oszillation eingerichtet ist und dessen Schwingungswellenlänge über einen weiten Bereich veränderbar ist.
Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines abstimmbaren Halbleiterlasers, der sich mit einer optischen Schaltung und anderen Elementen integrieren und ohne Schwierigkeiten herstellen läßt.
Der abstimmbare Halbleiterlaser gemäß der Erfindung weist eine aktive Schicht und eine Einrichtung zur selektiven Reflexion von Licht einer bestimmten innerhalb der aktiven Schicht ausgestrahlten Wellenlänge auf, wobei die Reflexionseinrichtung in der Lage ist, die Wellenlänge des reflektierten Lichts zu ändern und auf oder über einem Teil der aktiven Schicht vorgesehen ist. Beispiele für brauchbare Lichtreflexionseinrichtungen sind Einrichtungen zur Erzeugung einer akustischen Oberflächenwelle (im folgenden als "SAW" (surface acoustic wave) bezeichnet)mit variabler Frequenz, etwa ein Interdigitalwandler (Doppelkammwandler) (im folgenden als "IDT" (interdigital transducer) bezeichnet)und Einrichtungen zur Erzeugung von SAWs unterschiedlicher Frequenzen an unterschiedlichen Orten, etwa ein IDT mit linearen Elektroden in unterschiedlichen Abständen, oder eine Anzahl von Gunn-Dioden, die sich im Abstand der Elektroden unterscheiden und deshalb für eine Schwingung an unterschiedlichen Wellenlängen eingerichtet sind. Weitere Beispiele für Lichtreflexionseinrichtungen werden unter Bezugnahme auf die Ausführungsformen beschrieben werden.
Das Vorhandensein der SAW erzeugt auf der aktiven Schicht 0 eine Verteilung von Brechungsindizes, die sich in einem bestimmten Abstand wiederholen, wobei ausschließlich Licht derjenigen Wellenlänge, die durch diesen Abstand bestimmt wird, selektiv reflektiert wird, so daß die Laserschwingung bei der einzigen ausgewählten Wellenlänge auftritt. Da die Frequenz der SAW abstimmbar ist und sich von Ort zu Ort unterscheidet, läßt sich ein Laserstrahl der gewünschten Wellenlänge erzielen. Da der IDT bzw. die Gunn-
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Dioden nur auf oder über der aktiven Schicht des Halbleiterlasers vorgesehen zu werden brauchen, läßt sich ein solcher Laser leicht herstellen und in Form einer integrierten Einheit vorsehen.
Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung beschrieben. Auf dieser zeigt bzw. zeigen
Fig. 1 eine Ausführungsform der Erfindung in schematischer perspektivischer Darstellung,
Fig. 2 eine weitere Ausführungsform der Erfindung in schematischer perspektivischer Darstellung,
Fig. 3 eine Abwandlung der Ausführungsform der Fig. 1 in schematischer perspektivischer Darstellung,
Fig. 4 die Art und Weise der Ausbreitung einer SAW,
Fig. 5 eine weitere Ausführungsform in schematischer perspektivischer Darstellung,
Fig. 6 eine vergrößerte Schwingungsfrequenz-Bandbreite,
Fig. 7 Draufsichten weiterer Abwandlungen, bis 9
Fig.10 Eine weitere Ausführungsform der Erfindung in schematischer perspektivischer Darstellung,
Fig.11 eine wiederum weitere Ausführungsform der Erfindung in schematischer perspektivischer Darstellung, und
Fig. 12 ein Blockschaltbild eines Wellenlängenmultiplex-Nachrichten-Übertragungssystems -
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Fig. 1 zeigt einen Doppelheterostruktur-(DH-Struktur-)Laser, der die Erfindung verkörpert. Der DH-Struktur-Laser wird, dies ist bekannt, hergestellt, indem auf einem n-GaAs-Einkristallsubstrat 1 eine n-Ga1_ Al As-Überzugsschicht 2 , eine als aktiver Bereich dienende p-GaAs-Schicht 3, eine P-Ga1-Al As-Überzugsschicht 4 und eine p-GaAs-Schicht 5 durch ein Flüssigphasen-Epitaxialverfahren aufgewachsen werden, Kontakte 6 auf der Ober- und Unterseite des sich ergebenden Aufbaus durch Aufdampfen im Vakuum ausgebildet werden und der Aufbau auf eine geeignete Größe gespalten oder geschnitten wird. Bei dieser Laserdiode schaffen die Spaltflächen an entgegengesetzten Enden einen optischen Resonator, so daß, wenn ein Durchlaßstrom durch die Diode geschickt wird und dieser einen Schwellenwert überschreitet, die p-GaAs-Schicht 3 als aktive Schicht zur Eingrenzung von Licht und Ladungsträgern in dieser dient und ein Laserstrahl A abgegeben wird.
Ein Teil der DH-Struktur wird etwa durch Ätzen ausgeschnitten, um die p-GaAs-Schicht 3 freizulegen. Auf dem freigelegten Teil der Schicht 3 wird ein Isolationsfilm 8 aus piezoelektrischem Material ausgebildet und ein IDT 9 auf dem Film 8 beispielsweise photolithographisch vorgesehen.
An den IDT 9 wird mittels eines frequenzvariablen Oszillators 10 ein elektrisches Hochfrequenzfeld angelegt. Dieses erzeugt am IDT 9 eine SAW, die sich auf dem Isolationsfilm 8 in Emissionsrichtung des Laserstrahls A ausbreitet.
Die SAW verleiht dem Isolationsfilm 8 eine Verteilung von Brechungsindizes, die sich in einem bestimmten Abstand in Richtung der Ausbreitung des Strahls wiederholen. Nur Licht einer Wellenlänge, die durch den durch die Verteilung gegebenen Abstand bestimmt wird, wird reflektiert, mit den Ergebnis, daß eine Monolongitudinalmode-Laseroszillation bei einer ausgewählten Wellenlänge auftritt. Wenn man die Wellenlänge der SAW zu Λ annimmt, erhält man einen Laserstrahl mit einer Wellenlänge A , die durch die Gleichung (1) gegeben ist. Ferner ist die Wellenlänge A der
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■_. 9 _
SAW durch Veränderung der Frequenz des an den IDG? 9 zu legenden elektrischen Feldes veränderbar, so daß die ausgewählte Wellen länge ebenfalls veränderbar ist.
Es sei angenommen, daß die Frequenz f des an den IDT 9 gelegten elektrischen Feldes zur Erzeugung einer Variation ΑΛ der Wellenlänge Λ der SAW um Af variiert wird. Nach Gleichung (1) beträgt die sich ergebende Variation ÄA· der Schwingungswellenlänge
Δλ = 2nZWm (2)
Wenn V die Ausbreitungsgeschwindigkeit der SAW ist, dann gilt
V = fA (3)
Deshalb ist
Δί =ΔΑ(^|-) (4)
aus Gleichungen (4) und (2) ergibt sich
4
fm
Wenn beispielsweise m gleich 1, V gleich 3300m/s, η gleich 3--,37, f gleich 20 GHz und Af gleich 2 GHz in Gleichung (4) ist, dann ergibt sich
=0,11 um.
Es sei angenommen, daß der IDT 9 eine Schwinungsfrequenz von 20 GHz hat und damit einen Laserstrahl einer Wellenlänge von 1 μΐη er gibt. Wenn die Frequenz dann um 2 GHz variiert wird, ändert sich die Wellenlänge des Laserstrahls um 0,99 μπι = 1100 nm.
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Fig. 2 zeigt eine integrierte Zwillingswellenleiter-(ITG- (integrated twin guide)) Laserdiode, die die Erfindung verkörpert. Die Diode umfaßt Ga1 Al As-Uberzugsschichten 12, 14 und 16, als aktive Schichten dienende GaAs-Schichten 13 und 15 und eine p-GaAs-Schicht 17, die auf einem n-GaAs-Substrat 11 ausgebildet sind. Auf der Ober- und Unterseite des Aufbaus werden durch Aufdampfen im Vakuum Kontakte 18 ausgebildet. An beiden Enden des Lasers sind die Uberzugsschicht 14 und die darüberliegenden Schichten ausgeschnitten, wobei der freigelegte Teil mit einem Isolationsfilm 19 abgedeckt ist. Wenigstens einer der beiden parallel zu GaAs-Schicht 13 verlaufenden Teile des Films 19 wird mit einem IDT 9 versehen. Wie der in Figur 1 gezeigte DH-Struktur-Laser ist der ITG-Laser durch Veränderung der Frequenz des an den IDT 9 gelegten elektrischen Treiberfeldes wellenlängenabstimmbar.
Fig. 3 zeigt einen modifizierten DH-Struktur-Laser, der die Erfindung verkörpert und einen IDT 20 aufweist, der sich von dem in Fig. 1 gezeigten IDT 9 im Aufbau unterscheidet. Der IDT 9 umfaßt eine große Anzahl paralleler Linearelektroden 9a und zwei parallele gemeinsame Elektroden 9b, die jeweils übernächste Elektroden 9a miteinander verbinden. Der IDT 20 umfaßt Linearelektroden 20a in Form eines Kreisbogens und gemeinsame Elektroden 20b, die nicht parallel, sondern gegeneinander geneigt verlaufen. Die Kreisbogenanordnung der Linearelektroden 20a des IDT dient dazu, ein Ausbreiten.des Schwingungsmodes und des ausgehenden Laserstrahls nach der Seite zu hemmen.
Mit dem in Fig. 4, Abschnitt a gezeigten IDT 9 mit seinen geraden Linearelektroden 9a breitet sich wegen eines Beugungseffekts die erzeugte SAW unter Verbreitung über einen Winkel θ aus, was eine Verbreiterung des Laserschwingungsmodes bzw. Laserstrahls zur Folge hat. Mit dem in Fig. 4,Abschnitt b gezeigten IDT 20 mit seinen kreisbogenförmigen Linearelektroden 20a jedoch breitet sich die SAW konvergierend und folglich im wesentlichen ohne Verbreiterung aus, selbst wenn man den Verbreiterungswinkel θ mitberücksichtigt. Dies verhindert eine Verbreite-
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rung des Laserstrahls A und führt zu einem stabilen Schwingungsmode. Das Licht läßt sich wirksam eingrenzen, was eine verbesserte Laserschwingungsfrequenz sicherstellt und damit die Leistung für das an den IDT 20 zu legende, elektrische Hochfrequenzfeld vermindert.
Fig. 5 zeigt eine weitere Abwandlung. Ein auf einem Isolationsfilm 8 vorgesehener IDT 21 umfaßt gerade Elektroden 21a, wobei sich der Abstand zwischen mit einer gemeinsamen Elektrode 21b verbundenen benachbarten Elektroden 21a in Ausbreitungsrichtung der erzeugten SAW ändert. Wenn der Abstand aller Linearelektroden 9a wie im Falle des in Fig. 1 gezeigten IDT 9 stets der gleiche ist, beschränkt sich das abstimmbare Wellenlängenband auf einen engen Bereich, da die Mittellängenwelle der SAW von diesem Abstand abhängig ist. Im Falle des in Fig. 5 gezeigten IDT 21 jedoch sind die Abstände zwischen mit der gleichen Elektrode 21b verbundenen Elektroden 21a in Entsprechung zu den verschiedenen Wellenlängen Λ1 bis Aj der SAW verschieden. Dementsprechend läßt sich die Wellenlänge der mit dem IDT 21 erzeugten SAW um ΔΑ mit Mittelpunkt an allen Wellenlängen A 1 bis A j variieren. Ausgedrückt in der Frequenz f des an den IDT 21 gelegten elektrischen Feldes läßt sich mit den Frequenzen, die den Wellenlängen Λ1 bis Aj entsprechen und durch f1 bis fj dargestellt sind, die Frequenz um Af mit Mitte an allen Frequenzen f1 bis fj variieren. Wenn also die Abstände Λ1 bis A.j geeignet festgelegt sind, beträgt die Bandbreite F der abstimmbaren Frequenzen jmal die Bandbreite des Falles, in dem die Abstände gleich sind, nämlich F = j«Af, wie dies in Fig. 6 dargestellt ist. Daraus ergibt sich, daß, wenn die Schwingungswellenlängen des DH-Struktur-Lasers Λ1 bis Aj in Entsprechung zu den Frequenzen f1 bis fj sind, die Laser-Schwingungswellenlänge um ΔΛ aus Gleichung (5) mit Mitte an allen Wellenlängen Λ1 bis Aj variiert werden kann. Die Schwingungswellenlänge des abstimmbaren Halbleiterlasers ist also über den weiten Bereich von j ·ΛΛ veränderbar.
Fig. 7 zeigt eine weitere Abwandlung, bei der zur Bildung eines IDT 22 Linearelektroden 22a bis 22c mit unterschiedlichen
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Abständen im rechten Winkel zur Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls angeordnet sind. Der Laser erzeugt Strahlen verschiedener Wellenlängen Al bis >j ( j = 3) an verschiedenen Strahlenemissionssteilen.
Fig. 8 zeigt eine weitere Abwandlung, bei welcher drei Arten von kreisbogenförmigen Linearelektroden 23a bis 23c, die in verschiedenen Abständen liegen, einen IDT 23 bilden. Die Elektroden sind miteinander verbunden. Da solche kreisbogenförmigen Linearelektroden, wie bereits ausgeführt, dazu führen, daß die SAWs konvergieren, ist verhindert, daß sich der ausgehende Laserstrahl nach der Seite verbreitet.
Fig. 9 zeigt eine wiederum weitere Abwandlung, nach welcher ein IDT 24 kreisbogenförmige Linearelektroden mit sich kontinuierlich ändernden Abständen aufweist. In diesem Fall variiert die Wellenlänge des emittierten Laserstrahls mit der Emissionsstelle, und der Strahl konvergiert auf einen Punkt. Dies erleichtert die optische Kopplung beispielsweise mit einer optischen Faser.
Bei den Abwandlungen der Fig. 5 und 7 bis 9 kann eine Gleichspannung an den IDT angelegt werden, weil dann Brechungsindexverteilungen unmittelbar darunter erzeugt werden.
Fig. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform. Der gezeigte DH-Struktur-Laser ist mit einem Feld 25 aus Gunn-Dioden 25c versehen, die auf einem Isolationsfilm 8 ausgebildet und voneinander isoliert in einer zur Emissionsrichtung eines Laserstrahls senkrechten Reihe angeordnet sind. Der Abstand zwischen Elektroden 25a und 25b unterscheidet sich von Diode zu Diode. Jeweils eine der Gunn-Dioden 25c des Feldes 25 wird ausgewählt über einen Umschalter 26 angesteuert, womit die ausgewählte Gunn-Diodeeine SAW erzeugt wird, die sich auf dem Film 8 in der Emissionsrichtung ausbreitet. Wie bereits ausgeführt, tritt eine Monomode-Laseroszillation bei einer Wellenlänge auf, die im Einklang mit der Wellenlänge der SAW ausgewählt ist. Die Wellenlänge der SAW wird ausgewählt bestimmt, indem ausgewählt eine der Gunn-Dioden,die sich hinsichtlich des Abstandes der Elektroden und damit der Schwingungswellenlänge unterscheiden, angesteuert wird. Natürlich können auch alle Gunn-Dioden
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gleichzeitig angesteuert werden.
Im allgemeinen bewirkt eine Gunn-Diode. eine Oszillation bei einer Frequenz f die durch
ausgedrückt wird, wobei Vd die Elektronendriftgeschwindigkeit (ungefähr 10 cm/s) und L der Elektrodenabstand der Gunn-Diode ist. Wenn beispielsweise L 10 pm ist, so ist f 10 GHz. Da die Gunn-Dioden 25c des Feldes 25 unterschiedliche Abstände zwischen den Elektroden 25a und 25b von L1 bis L5 haben, erzeugt eine der Gunn-Dioden, wenn sie für die Schwingung ausgewählt wird, eine SAW mit einer durch Gleichung (6) unter Verwendung des betreffenden Abstands gegebenen Frequenz. Wenn die Periode der SAW A ist, wird die Laser-Schwingungswellenlänge Λ durch Gleichung (1) ausgedrückt. Die Laserschwingung tritt also bei der einen der Wellenlängen ,M bis >»5 auf, die dem Elektrodenabstand der ausgewählten Gunn-Diode entspricht.
Fig. 11 zeigt eine wiederum weitere Ausführungsform. Der DH-Struktur-Laser enthält eine aktive Schicht 3, wobei ein Film 29 aus einem einen elektrooptischen Effekt zeigenden Material, beispielsweise BaTiO3, auf einem freigelegten Teil der Schicht 3 ausgebildet ist. Auf dem Film 29 ist ein periodisches Gitter 27, beispielsweise durch die Kombination einer Elektronenstrahl- oder holographischen Belichtung mit einer Ionenstrahlätztechnik, ausgebildet. Auf den beiden gegenüberliegenden Seiten des Gitters 27 sind auf dem BaTiO3-FiIm 29 entgegengesetzte Elektroden 28 vorgesehen.
Wenn mittels einer Spannungsquelle 30 eine Gleich- oder Wechselspannung zwischen den Elektroden angelegt wird, verändert der sich ergebende elektrooptische Effekt den Brechungsindex η des mit dem Gitter 27 versehenen Films 29 und damit die Schwingungswellenlänge. Wenn die Spannung E, der Abstand zwischen den Elek-
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troden 28 d und die elektrooptische Konstante des Films 29 υ ist, dann wird die Variation Δη des Brechungsindex ausgedrückt durch
Δ OC χ n3E/d (7)
Dementsprechend ergibt sich die Variation der Laser-Schwingungswellenlänge aus Gleichung (1) zu
nh = 2AnA/m
ot 2 η Ε /dm
Wenn also die Spannung E variiert wird, wird die Laser-Schwingungswellenlänge um ΔΛ variiert. Da BaTiO-. eine große
-10 elektrooptische Konstante hat (y42 = 8*2 ' ^® WV) erhält man mit der Verwendung dieses Materials große Variationen des Brechungsindex, was die Bandbreite der abstimmbaren Wellenlängen vergrößert.
Die Ausführungsformen der Fig. 3 bis 11 sind alle die Erfindung enthaltende DH-Struktur-Laser, die Erfindung ist natürlieh aber auch auf Halbleiterlaser anderer Arten anwendbar.
Der abstirnmbare Halbleiterlaser gemäß der Erfindung ist mit Vorteil für ein Wellenlängenmultiplex-Nachrichtenübertragungssystem verwendbar. Gemäß Fig. 12 werden ansprechend auf Steuersignale einer Zentraleinheit 31 Laserstrahlsignale unterschiedlicher Wellenlängen über eine Lichtleitfaser 33 von einem abstimmbaren Halbleiterlaser 32 gemäß der Erfindung auf eine Lichtwellenverzweigungseinheit 34 gegeben. Die Verzweigungseinheit 34 ist mit Lichtleitfasern 3 5 für Kanäle 1, 2, ..., i verbunden. Die Laserstrahlsignale verschiedener Wellenlängen werden auf die Lichtleitfasern 35 durch Realzeitübertragung mit Schalten gegeben. Der abstimmbare Halbleiterlaser gemäß der Erfindung gibt, auch wenn er allein verwendet wird, Laserstrahlsignale verschiedener Wellenlängen in Ansprechung auf Steuersignale ab und bietet daher ein Wellenlängenmultiplex-Ubertragungssystem einfachen Aufbaus.
Ki/s/vm
Leerseite

Claims (19)

Priorität: 31. Juli 1981 - JAPAN - Nr. 120852/81 Patentansprüche
1. Abstimmbarer Halbleiterlaser, g e k e η η zeichnet durch eine aktive Schicht (3; 13, 15) und eine Einrichtung zur ausgewählten Reflexion von innerhalb der aktiven Schicht emittiertem Licht einer bestimmten Wellenlänge, wobei die Reflexionseinrichtung die Wellenlänge des zu reflektierenden Lichts variierend eingerichtet und auf oder über einem Teil der aktiven Schicht vorgesehen ist.
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2. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Lichtreflexionseinrichtung eine Einrichtung zur Erzeugung einer akustischen Oberflächenwelle mit veränderbarer Frequenz ist.
3. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Lichtreflexionseinrichtung eine Einrichtung zur Erzeugung von akustischen Oberflächenwellenlängen verschiedener Frequenzen an verschiedenen Stellen ist.
4. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Lichtreflexionseinrichtung ein Interdigitalwandler (9, 20, 21, 22, 23, 24) zur Erzeugung einer akustischen Oberflächenwelle veränderbarer Frequenz ist.
5. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Lichtreflexionsein- richtung ein Interdigitalwandler (22, 23, 24) zur Erzeugung von akustischen Oberflächenwellen verschiedener Frequenzen an verschiedenen Stellen ist.
6. Halbleiterlaser nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (9, 20, 21, 22, 23, 24) durch einen frequenzvariablen Hochfrequenzoszillator (10) angesteuert wird.
7. Halbleiterlaser nach Anspruch 5, dadurch g e -
kennzeichnet, daß der Interdigitalwandler (21,
22, 23, 24) durch eine Gleichspannungsquelle angesteuert wird.
8. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß die Lichtreflexionsein-
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richtung eine Anzahl von Gunn-Dioden (25c) umfaßt, die sich zur Bewirkung von Oszillation an verschiedenen Frequenzen im Abstand ihrer Elektroden (25a, 25b) unterscheiden.
9. Halbleiterlaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Lichtreflexionseinrichtung ein Gitter (27) und ein Paar von Elektroden (28) , die auf gegenüberliegenden Seiten des Gitters angeordnet sind, aufweist.
10
10. Abstimmbarer Halbleiterlaser, gekennzeichnet durch eine aktive Schicht (3, 13, 14), einen auf oder über einem Teil der aktiven Schicht angeordneten Isolationsfilm (8) aus piezoelektrischem Material und einen auf dem Isolationsfilm vorgesehenen Interdigitalwandler (9, 20, 21, 22, 23, 24) zur Erzeugung einer akustischen Oberflächenwelle.
11. Halbleiterlaser nach Anspruch 10, dadurch g e kennzeichnet, daß der Interdigitalwandler
(20, 23, 24) eine Anzahl von Linearelektroden aufweist, die in der Form eines Kreisbogens ausgebildet sind, um ein seitliches Ausbreiten der akustischen Oberflächenwelle zu verhindern.
25
12. Halbleiterlaser nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Interdigitalwandler
(22, 23) akustische Oberflächenwellen verschiedener Frequenzen an verschiedenen Stellen erzeugt. 30
13. Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet , daß der Interdigitalwandler (21, 22, 23) eine Anzahl von Linearelektroden aufweist, deren Abstand sich von Ort zu Ort unterscheidet.
Omron ... τ? 14 91-DE
14. Halbleiterlaser nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet , daß der Interdigitalwandler (9, 20, 21, 22, 23, 24) mit einem abstimmbaren Oszillator (10) zur Aufgabe eines elektrisehen Hochfrequenzfeldes versehen ist.
15. Halbleiterlaser nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet , daß eine Spannungsquelle zur Aufgabe einer Gleichspannung auf den Interdigitalwandler (21, 22, 23, 24) vorgesehen ist.
16. Abstimmbarer Halbleiterlaser, gekennzeichnet durch eine aktive Schicht (3), einen auf oder über einem Teil der aktiven Schicht ausgebildeten Isolationsfilm (8) aus einem piezoelektrischen Material, und eine Anzahl von auf dem Isolationsfilm angeordneten Gunn-Dioden (25c) , die sich im Abstand ihrer Elektroden (25a, 25b) unterscheiden.
17. Halbleiterlaser nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , daß er eine Einrichtung zur ausgewählten Ansteuerung der Gunn-Dioden (25c) aufweist.
1 8. Abstimrabarer Halbleiterlaser, gekennzeichnet durch eine aktive Schicht (3), einen auf einem Teil der aktiven Schicht ausgebildeten Film (29) aus einem elektrooptischen Material, ein auf dem Film vorgesehenes Gitter (27) und ein Paar von auf entgegengesetzten Seiten des Gitters angeordneten Elektroden (28). 30
19. Halbleiterlaser nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet , daß eine Spannungsquelle (30) zur Aufgabe einer Gleich- oder Wechselspannung auf das Paar von Elektroden (28) vorgesehen ist. 35
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