DE3224835A1 - Veraenderlicher kondensator - Google Patents

Veraenderlicher kondensator

Info

Publication number
DE3224835A1
DE3224835A1 DE19823224835 DE3224835A DE3224835A1 DE 3224835 A1 DE3224835 A1 DE 3224835A1 DE 19823224835 DE19823224835 DE 19823224835 DE 3224835 A DE3224835 A DE 3224835A DE 3224835 A1 DE3224835 A1 DE 3224835A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
capacitance
area
layer
capacitor according
depletion layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823224835
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Takamasa Tokyo Sakai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP56104266A external-priority patent/JPS586181A/ja
Priority claimed from JP56104268A external-priority patent/JPS586182A/ja
Application filed by Clarion Co Ltd filed Critical Clarion Co Ltd
Publication of DE3224835A1 publication Critical patent/DE3224835A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60Capacitors
    • H10D1/62Capacitors having potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60Capacitors
    • H10D1/62Capacitors having potential barriers
    • H10D1/64Variable-capacitance diodes, e.g. varactors 
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60Capacitors
    • H10D1/62Capacitors having potential barriers
    • H10D1/66Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE19823224835 1981-07-03 1982-07-02 Veraenderlicher kondensator Withdrawn DE3224835A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56104266A JPS586181A (ja) 1981-07-03 1981-07-03 可変容量装置
JP56104268A JPS586182A (ja) 1981-07-03 1981-07-03 可変容量装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3224835A1 true DE3224835A1 (de) 1983-01-27

Family

ID=26444780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823224835 Withdrawn DE3224835A1 (de) 1981-07-03 1982-07-02 Veraenderlicher kondensator

Country Status (4)

Country Link
DE (1) DE3224835A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR2509093A1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB2103012A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL8202682A (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500552A (en) * 1993-07-26 1996-03-19 T.I.F. Co., Ltd. LC element, semiconductor device and LC element manufacturing method
US10615294B2 (en) * 2018-06-13 2020-04-07 Qualcomm Incorporated Variable capacitor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1639451C3 (de) * 1968-02-27 1979-07-12 Telefunken Patentverwertungsgesellschaft Mbh, 7900 Ulm Schaltungsanordnung mit mindestens zwei gegensinnig in Serie geschalteter Varaktoren und Varaktoranordnung
US3798508A (en) * 1969-09-18 1974-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Variable capacitance device
JPS57103368A (en) * 1980-12-18 1982-06-26 Clarion Co Ltd Variable-capacitance device

Also Published As

Publication number Publication date
GB2103012A (en) 1983-02-09
FR2509093B1 (enrdf_load_stackoverflow) 1985-01-11
NL8202682A (nl) 1983-02-01
FR2509093A1 (fr) 1983-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2542518C3 (enrdf_load_stackoverflow)
DE102008056574B4 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2933694A1 (de) Integrierter schaltkreis
DE4136827A1 (de) Solarzelle mit bypassdiode
DE19653615A1 (de) Leistungshalbleiterbauteil mit überlappender Feldplattenstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2502235A1 (de) Ladungskopplungs-halbleiteranordnung
DE2759086A1 (de) Fotodetektoranordnung
DE2531927A1 (de) Polykristallines silizium-widerstandselement fuer integrierte schaltungen
DE1639254A1 (de) Feldeffekthalbleitereinrichtung mit isoliertem Gatter und einem Durchschlagverhinderungsschaltelement sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2509530A1 (de) Halbleiteranordnung fuer logische verknuepfungsschaltungen
DE3150058A1 (de) Kondensator mit veraenderbarer kapazitaet
DE10393631T5 (de) Floatgate-Transistoren
DE1614300B2 (de) Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode
DE2634312A1 (de) Ladungsuebertragvorrichtung auf halbleiterbasis
DE69321966T2 (de) Leistungs-Halbleiterbauelement
EP1003218A1 (de) Halbleiteranordnungen mit einer Schottky-Diode und einer Diode mit einem hochdotierten Bereich und entsprechende Herstellungsverfahren
DE3226673A1 (de) Kapazitaetsvariationsvorrichtung
DE4445565C2 (de) Säulen-Bipolartransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2929869C2 (de) Monolithisch integrierte CMOS-Inverterschaltungsanordnung
DE3224835A1 (de) Veraenderlicher kondensator
DE69422252T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement ausgestaltet in einer Mesastruktur
DE3343632A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2040012A1 (de) Integrierter Schaltungswiderstand und Verfahren zur Herstellung desselben
DE2630085A1 (de) Ccd-transversalfilter
DE4036958C2 (de) Struktur zur Vermeidung von Feldkonzentrationen in einem Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Struktur

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee