DE3223664A1 - Messanordnung fuer duenne schichten und duennschichtbauelemente auf scheibenfoermigen substraten - Google Patents
Messanordnung fuer duenne schichten und duennschichtbauelemente auf scheibenfoermigen substratenInfo
- Publication number
- DE3223664A1 DE3223664A1 DE19823223664 DE3223664A DE3223664A1 DE 3223664 A1 DE3223664 A1 DE 3223664A1 DE 19823223664 DE19823223664 DE 19823223664 DE 3223664 A DE3223664 A DE 3223664A DE 3223664 A1 DE3223664 A1 DE 3223664A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- measuring
- contact
- grid
- conductor track
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/34—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/06—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a liquid
- G01N27/07—Construction of measuring vessels; Electrodes therefor
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Description
-
- Meßanordnung für dünne Schichten und Dünnschicht-
- bauelemente auf scheibenförmiaen Substraten.
- Die Erfindung betrifft eine Anordnung zum Messen der elektrischen Parameter von dünnen Schichten und Dünnschichtbauelementen auf scheibenförmigen Substraten während der Herstellung ihrer, die Parameter beeinflussenden geometrischen Strukturen in diesen Substraten, bei der die zu messende Stelle des Substrats mit Meßkontakten nach dem Prinzip der Spitzenmeßmethode mit einer Meßstelle eines Referenzsubstrates definierter Probengeometrie verglichen wird.
- Zur Qualitätssicherung von Dünnschichtbauelementen ist ein hoher Prüfaufwand erforderlich, der die Wirtschaftlichkeit der Fertigung empfindlich herabsetzt.
- In vielen Fällen beschränkt man sich deshalb auf bestimmte Prüfverfahren, z. B. optische Kontrolle der Schichten, Dickenmessungen usw.. Lokale Schwachstellen werden dabei nur gelegentlich erkannt. Sie führen erst nach einer Vielzahl weiterer Prozeßschritte und Fertigstellung der Bauelemente zu erkennbaren Mangelerscheinungen. Zur Klärung der Ursache dieser Mangelerscheinungen ist dann meist ein relativ großer analytischer Aufwand erforderlich.
- Es ist bekannt, während bzw. zwischen den Fertigungsschritten optische Kontrollen, Schichtdicken- und Widerstandsmessungen, sowie Funktionsprüfungen der fertigen Bauelementstrukturen an Spitzenmeßplätzen durchzuführen.
- Eine solche Messung ist beispielsweise aus dem Bild 21b auf Seite 38/39 der Siemens Informationsschrift MOS-Technologien, Design und Anwendungen von Günter Katholing zu entnehmen.
- Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegt, besteht nun in der Schaffung einer Meßanordnung, die es ermöglicht, die Prüfung von Teilschritten einer Fertigung von Dünnschichtbauelementen vorzunehmen, wobei einzelne Schichten oder auch Schichtpakete vor oder nach der Strukturierung gleichzeitig an zahlre-ichen Stellen auf Parameter wie z. B. Übergangswiderstände, Durchschlagsfestigkeit, Dicke, Rauhigkeit, geprüft werden.
- Weiterhin ist es Aufgabe der Erfindung, fertige Bauelemente auf einem Substrat zu prüfen, Mängel zu lokalisieren und zu markieren.
- Die erfindungsgemäße Aufgabe wird durch eine Anordnung der eingangs genannten Art gelöst, die durch folgende Merkmale gekennzeichnet ist: a) das scheibenförmige Substrat ist auf einer Auflageplatte in einem Halterahmen, der eine Durchführung für einen Vakuumanschluß aufweist, angeordnet, b) als Meßkontakte ist über dem Halterahmen eine mit einem Raster von Kontaktbuckeln versehene mehrlagige, flexible Leiterbahnfolie angeordnet, wobei das Raster der Kontaktbuckel dem jeweils beabsichtigten Meßvorhaben angepaßt ist und c) die Kontaktbuckel bestehen zumindest an der Oberfläche aus einem Material, das einen zuverlässigen Kontakt gibt und praktisch keinem Abrieb unterliegt, d) die Leiterbahnfolie ist durch Vakuum in engem Kontakt mit dem zu prüfenden scheibenförmigen Substrat und e) die Ausgänge der flexiblen Leiterbahnfolie sind über Steckverbindungen mit einer Stromversorgung und einer elektronischen Auswertung verbunden.
- In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, die elektronische Auswertung mit einem Prozeßrechner zu koppeln, der eine Toleranzvorgabe erlaubt und einen Monitor anzuschließen, der das Überschreiten der Grenze der Toleranzvorgabe durch Ausfall des entsprechenden Bildpunktes oder durch Farbänderung anzeigt.
- Dadurch ist eine sofortige Lokalisierung des Fehlers möglich. Gegebenenfalls kann die Stelle (das Bauelement) gleichzeitig oder in einem nachfolgenden Arbeitsgang durch ein Zeichen auf dem Substrat, z. B. einem Farbtupfer, markiert werden. Zu diesem Zweck weist die Leiterbahnfolie rasterförmig angeordnete Löcher auf.
- Es liegt auch im Rahmen der vorliegenden Erfindung, das Einjustieren der Kontaktbuckel (bumps) auf bestimmte Stellen des Substrats, z. B. Leiterbahnen, über mechanische oder optische Justiermarken vorzunehmen.
- Die als Meßkontakte dienende, mit einem Raster von Kontaktbuckeln versehene mehrlagige flexible Leiterbahnfolie wird nach einem Verfahren hergestellt, das aus der Zeitschrift "Feinwerktechnik und Meßtechnik 85 (1977) auf den Seiten 29 bis 34 aus einem Aufsatz von G.
- Szolniki zu entnehmen ist.
- Im folgenden soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der Figuren 1 bis 5, aus denen weitere Einzelheiten und Vorteile hervorgehen, noch näher erläutert werden. Dabei zeigt die Figur 1 schematisch die erfindungsgemäße Meßanordnung (ohne Stromversorgung und Auswerteelektronik), die Figur 2 im Schnittbild eine mehrlagige Leiterbahnfolie mit Kontaktbuckeln und die Figuren 3 bis 5 verschiedene Anordnungen der Metallbahnen in der mehrlagigen Meßfolie.
- In allen Figuren sind gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
- Figur 1: Das mit einer durchgehenden oder bereits strukturierten Schicht versehene Substrat 1 (Siliziumkristall scheibe) wird in einen Halterahmen 2 auf einer Auflegeplatte 3 mittels Vakuum (siehe Pfeil 4) in engen Kontakt mit einer flexiblen Mehrschicht (multilayer)-Leiterbahnfolie 5 gebracht. Zur besseren Kontaktgabe (z. B. um störende Bahnwiderstände innerhalb der Si-Scheibe zu vermeiden) kann man auf der Rückseite des Substrates 1 eine flexible Metallfolie 6 einlegen.
- Wie aus Figur 2 ersichtlich ist, besteht die Multilayer-Leiterbahn-Testfolie 5 aus in Isolationsmaterial 7 befindlichen Metallbahnen 8 mit nach außen geführten Kontaktbuckeln 9, sogenannten bumps. Das Raster dieser bumps 9 ist dem jeweils beabsichtigten Meßvorhaben angepaßt.
- Die in Figur 3 bis 5 veranschaulichten Anordnungen der Metallbahnen in der Multilayer-Testfolie 5 entsprechen verschiedenen Meßverfahren: Figur 3 Einfach-Kontakte z. B. zur Messung von Durchgangswiderständen, Durchschlagsfestigkeiten, Figur 4 Zweifach-Kontakte z. B. zur Messung von Bahnwiderständen, Figur 5 Dreifach-Kontakte z. B. zur Messung von Transistorkennlinien.
- Die Zahl der Meßstellen hängt von verschiedenen Para- metern ab, wie Platzbedarf der Leiterbahnen in der Testfolie, kapazitive Einflüsse, Aufwand für die Elektronik usw.
- Das geschilderte Prüfverfahren hat folgende Vorteile: 1. Eine genauere Kontrolle einzelner Schichten läßt (z. B. vor und nach dem Strukturieren) Mängel frühzeitig erkennen.
- 2. Die Prüfung der Einzelschichten erlaubt eine sofortige Lokalisierung von Schwachstellen.
- 3. Das Prüfverfahren läßt sich beliebig variieren, da die Testfolien nach gut beherrschbaren Standardverfahren herstellbar sind. Dadurch kann das Prüfprogramm auf entscheidende Bereiche begrenzt werden (Randpartien, Engstellen usw.).
- 4. Das Verfahren läßt sich auch zur rationellen Kontrolle von fertigen Bauelementen auf einem Substrat heranziehen (Widerstände, Transistoren, Schaltkreise, usw.).
- 6 Patentansprüche 5 Figuren Leerseite
Claims (6)
- Patentansprüche Anordnung zum Messen der elektrischen Parameter von dünnen Schichten und Dünnschichtbauelementen auf scheibenförmigen Substraten während der Herstellung ihrer, die Parameter beeinflussenden geometrischen Strukturen in diesen Substraten, bei der die zu messende Stelle des Substrates mit Meßkontakten nach dem Prinzip der Spitzenmeßmethode versehen, mit einer Meßstelle eines Referenzsubstrates definierter Probengeometrie verglichen wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t , daß a) das scheibenförmige Substrat (1) auf einer Auflageplatte (3) in einem Halterahmen (2), der eine Durchführung für einen Vakuumanschluß (4) aufweist, angeordnet ist, b) über dem Halterahmen (2) eine als Meßkontakte dienende, mit einem Raster von Kontaktbuckeln (9) versehene mehrlagige, flexible Leiterbahnfolie (5) angeordnet ist, wobei das Raster der Kontaktbuckel (9) dem jeweils beabsichtigten Meßvorhaben angepaßt ist c) die Kontaktbuckel (9) zumindest an der Oberfläche aus einem Material bestehen, das einen zuverlässigen Kontakt gibt und praktisch keinem Abrieb unterliegt, d) die Leiterbahnfolie (5) durch Vakuum (4) in engem Kontakt mit dem zu prüfenden scheibenförmigen Substrat (1) ist und e) die Ausgänge der flexiblen Leiterbahnfolie (5) über Steckverbindungen mit einer Stromversorgung und einer elektronischen Auswertung verbunden sind.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die elektronische Auswertung mit einem Prozeßrechner gekoppelt ist, der eine Toleranzvorgabe erlaubt.
- 3. Anordnung nach Anspruch 2, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß ein Monitor vorgesehen ist, der das Überschreiten der Grenzen der Toleranzvorgabe durch Ausfall des entsprechenden Bildpunktes oder durch Farbänderung anzeigt.
- 4. Anordnung nach Anspruch 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Leiterbahnfolie (5) rasterförmig angeordnete Löcher zur Markierung spezieller Stellen des Substrats aufweist.
- 5. Anordnung nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf dem Substrat (1) und der Leiterbahnfolie (5) zum Einjustieren der Kontaktbuckel (9) auf bestimmte Stellen des Substrats (1) mechanische und/oder optische Justiermarken angeordnet sind.
- 6. Anordnung nach Anspruch. 1 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zur Vermeidung störender Bahnwiderstände auf der Rückseite des Substrates (1) eine flexible Metallfolie (6) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823223664 DE3223664A1 (de) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | Messanordnung fuer duenne schichten und duennschichtbauelemente auf scheibenfoermigen substraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823223664 DE3223664A1 (de) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | Messanordnung fuer duenne schichten und duennschichtbauelemente auf scheibenfoermigen substraten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3223664A1 true DE3223664A1 (de) | 1983-12-29 |
Family
ID=6166778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823223664 Withdrawn DE3223664A1 (de) | 1982-06-24 | 1982-06-24 | Messanordnung fuer duenne schichten und duennschichtbauelemente auf scheibenfoermigen substraten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3223664A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0487302A2 (de) * | 1990-11-22 | 1992-05-27 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Verfahren zur Feststellung der elektrischen Eigenschaften eines Silizium-Monokristalles |
DE19500492A1 (de) * | 1994-03-25 | 1995-09-28 | Hewlett Packard Co | Testvorrichtung für die Lötmittelerhebungs-Technologie mit gesteuert kollabiertem Chip-Anschlußkontakt |
DE4426225A1 (de) * | 1994-07-23 | 1996-01-25 | Robert Griebel | Vorrichtung zur Überprüfung der Porosität von dünnen Gummiprodukten |
US5844406A (en) * | 1995-08-23 | 1998-12-01 | Gormley; Gregory J. | Method and apparatus for testing and measuring for porosity and anomalies of materials using electron beams |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2360801A1 (de) * | 1972-12-26 | 1974-06-27 | Ibm | Pruefeinrichtung mit kontaktiereinrichtung |
DE2557621A1 (de) * | 1974-12-30 | 1976-07-08 | Ibm | Elektrisches pruefsystem |
DE2608642A1 (de) * | 1975-03-06 | 1976-09-16 | Ibm | Einrichtung zum pruefen integrierter schaltungen |
DE2364786C2 (de) * | 1972-12-26 | 1982-05-27 | International Business Machines Corp., 10504 Armonk, N.Y. | Elektromechanische Tastsonde mit parallelen Kontaktnadeln |
-
1982
- 1982-06-24 DE DE19823223664 patent/DE3223664A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2360801A1 (de) * | 1972-12-26 | 1974-06-27 | Ibm | Pruefeinrichtung mit kontaktiereinrichtung |
DE2364786C2 (de) * | 1972-12-26 | 1982-05-27 | International Business Machines Corp., 10504 Armonk, N.Y. | Elektromechanische Tastsonde mit parallelen Kontaktnadeln |
DE2557621A1 (de) * | 1974-12-30 | 1976-07-08 | Ibm | Elektrisches pruefsystem |
DE2608642A1 (de) * | 1975-03-06 | 1976-09-16 | Ibm | Einrichtung zum pruefen integrierter schaltungen |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP-Patents Abstracts of Japan, E-88, Dez. 25, 1981Vol.5, No. 20556-124240 * |
US-Z: IBM technical Disclosure Bulletin, Vol.14,0 No.1, June 1971, S.217 und 218 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0487302A2 (de) * | 1990-11-22 | 1992-05-27 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Verfahren zur Feststellung der elektrischen Eigenschaften eines Silizium-Monokristalles |
EP0487302A3 (en) * | 1990-11-22 | 1993-11-18 | Shinetsu Handotai Kk | Method for testing electrical properties of silicon single crystal |
US5534112A (en) * | 1990-11-22 | 1996-07-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for testing electrical properties of silicon single crystal |
US5688319A (en) * | 1990-11-22 | 1997-11-18 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for testing electrical properties of silicon single crystal |
DE19500492A1 (de) * | 1994-03-25 | 1995-09-28 | Hewlett Packard Co | Testvorrichtung für die Lötmittelerhebungs-Technologie mit gesteuert kollabiertem Chip-Anschlußkontakt |
DE4426225A1 (de) * | 1994-07-23 | 1996-01-25 | Robert Griebel | Vorrichtung zur Überprüfung der Porosität von dünnen Gummiprodukten |
DE4426225B4 (de) * | 1994-07-23 | 2005-08-04 | Robert Griebel | Vorrichtung zur Überprüfung der Porosität von dünnen Gummiprodukten |
US5844406A (en) * | 1995-08-23 | 1998-12-01 | Gormley; Gregory J. | Method and apparatus for testing and measuring for porosity and anomalies of materials using electron beams |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10125345B4 (de) | Prüfkontaktsystem mit Planarisierungsmechanismus | |
DE69228369T2 (de) | Berührungslose Testsonde | |
DE2360801C2 (de) | Schaltungsprüfeinrichtung für integrierte Schaltkreise auf Schichtschaltungsträgern | |
DE102006010777B4 (de) | Vorrichtung zum Überprüfen eines Feuchtigkeitssensors und Verfahren zum Einstellen von Sensorcharakteristiken eines Feuchtigkeitssensors | |
EP2174151B1 (de) | Kontaktloses messsystem | |
DE2421111A1 (de) | Anordnung und verfahren zum feststellen und messen der ausrichtung oder fehlausrichtung zwischen zwei gegenstaenden | |
DE602004010116T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum testen elektrischer eigenschaften eines zu prüfenden objekts | |
DE19529489A1 (de) | Kalibrierungsplatine für eine Testeinrichtung für elektronische Schaltungen | |
EP0382868B1 (de) | Schaltung zum Messen von Widerständen von Prüflingen | |
DE60017016T2 (de) | Datenoptimierungsverfahren für Sondenkartenanalyse und Riebmarkanalyse | |
DE10255378B4 (de) | Teststruktur zum Bestimmen der Stabilität elektronischer Vorrichtungen die miteinander verbundene Substrate umfassen | |
DE68914005T2 (de) | Leitende Muster für den elektrischen Test von Halbleiterbausteinen. | |
DE3223664A1 (de) | Messanordnung fuer duenne schichten und duennschichtbauelemente auf scheibenfoermigen substraten | |
DE19708053B4 (de) | Verfahren und Sensoranordnung zur Dedektion von Kondensationen an Oberflächen | |
DE4406674A1 (de) | Verfahren zum Prüfen einer zu prüfenden Elektrodenplatte | |
DE69833087T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dickfilmschaltungen | |
DE10043193B4 (de) | Prüfgerät für Halbleitersubstrate | |
DE3031103A1 (de) | Verfahren zur pruefung des lageversatzes bei mehrlagenleiterplatten | |
DE19728171A1 (de) | Halbleiterteststruktur zur Bewertung von Defekten am Isolierungsrand sowie Testverfahren unter Verwendung derselben | |
DE102005022884B4 (de) | Verfahren zur Inspektion einer Leiterbahnstruktur | |
DE102008014774B4 (de) | Halbleiteranordnung mit Testanschlüssen und Verfahren zur Messung eines Widerstandes zwischen zwei Anschlüssen eines Wafer-Level-Packages | |
DE4234856A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung von Nadelkarten für die Prüfung von integrierten Schaltkreisen | |
DE102006021569A1 (de) | Prüfsystem für einen Schaltungsträger | |
DE60124053T2 (de) | Verfahren zur Inspektion einer elektrischen Trennung zwischen Schaltungen | |
DE19506720C1 (de) | Verfahren zum Prüfen des Kontaktes zwischen Anschlußstiften und Leiterbahnen sowie Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |