DE3217309A1

DE3217309A1 - Hochfrequenz-leistungsverstaerker

Info

Publication number: DE3217309A1
Application number: DE19823217309
Authority: DE
Inventors: Massoud Dipl.-Ing. 1000 Berlin Djamshidpour
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1982-05-05
Filing date: 1982-05-05
Publication date: 1983-11-10

Description

Hochfrequenz-Leistunqsverstärker
Die Erfindung bezieht sich auf einen HF-Leistungsverstärker im Gegentakt-AB-Betrieb.
Zweck der Erfindung ist die Verstärkung von HF-Signalen, die auf ein hohes Leistungsniveau gebracht werden müssen.
Der Leistungsverstärker soll wahlweise einen symmetrischen oder unsymmetrischen Ausgang besitzen.
Es sind HF-Verstärker im Gegentakt-AB-Betrieb bekannt, bei denen die Endstufen mit Bipolartransistoren aufgebaut sind und die Ankopplung zwischen Vor- und Endstufe mit Hilfe eines Übertragers geschieht.
Hierzu ist jedoch ein großer Aufwand erforderlich, da die Endstufe eine ziemlich große Steuerleistung braucht und zur Erzeugung der Gegentaktsteuerspannungen Ubertrager mit sekundärseitig geerdeter Mittelanzapfung benötigt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen HF-Leistungsverstärker der-eingangs beschriebenen Art anzugeben, bei dem keine Leistungsvorstufe benötigt und die zu verstärkende HF direkt, d.h. ohne Ubertrager, den Transistoren der Gegentaktverstärkerstufe, zugeführt wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemän durch die im Kennzeichen des vorliegenden Patentanspruchs 1 aufgeführten Merkmale gelöst. Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verstärkers liegen darin, daß ein geringer Aufwand (Kostenersparnis) nötig ist, daß der Aufbau klein wird (weniger Platzbedarf) und daß ein größerer Wirkungsgrad erreicht wird.
Um Exemplarstreuungen der Feldeffekt-Transistoren und sonstiger Bauelemente ausgleichen zu können, wird die Verstärkung eines Verstärkers (V1 oder V2) einstellbar gemacht. Dadurch tritt ein kleiner Klirrfaktor auf.
Der Verstärker gemäß der Erfindung wird im nachstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert.
In der Figur ist die zu verstärkende HF-Eingangsspannung mit Ue bezeichnet; sie wird zwischen den Klemmen K1 und K2 angelegt. Sie wird einerseits über einen der Gleichstromentkopplung dienenden Kondensator C1 einem invertierenden Verstärker V1, andererseits über einen dem gleichen Zweck dienenden Kondensator C2 einem nicht-invertierenden Verstärker V2 zugeführt; d,h. sie wird dem negativen Eingang des Verstärkers V1 und dem positiven Eingang des Verstärkers V2 zugeführt; dabei ist in die Zuleitung zum negativen Eingang des Verstärkers Vi noch ein einstellbarer Widerstand W eingefügt. Dieser Widerstand dient zur Einstellung der Verstärkung des Verstärkers V1, um dadurch Exemplarstreuungen der Feldeffekt-Transistoren Tl, T2 und sonstiger Bauelemente ausgleichen zu können. Der positive Eingang des Verstärkers V1 ist mit einer positiven Batteriespannung +UB/2 verbunden; mit dieser Spannung ist der negative Eingang des Verstärkers V2 über einen Widerstand R6 und der positive Eingang dieses Verstärkers über einen Widerstand R7 verbunden.
Dem Ausgang des Verstärkers V1 ist ein Widerstand R4 nachgeschaltet; am nachfolgenden Schaltungspunkt Si liegt dann eine HF-Spannung UHF1 vor.
Entsprechend ist dem Verstärker V2 ein Widerstand R5 nachgeschaltet; am nachfolgenden Schaltungspunkt 52 liegt dann eine HF-Spannung UHF2 vor.
Die Spannung U wird über einen Kondensator C3 dem HF1 Gate G1 des Feldeffekt-Transistors T1 als Steuerspannung zugeführt; entsprechend wird die Spannung UHF2 über einen Kondensator C4 dem Gate G2 des Feldeffekt-Transistors T2 zugeführt.
Die Source-Elektroden S1 und 52 der beiden Feldeffekt-Transistoren sind verbunden und auf Masse gelegt; die beiden Drain-Elektroden D1 und D2 sind an je ein Ende der Primärwicklung eines Ausgangsübertragers AUE geführt.
Diese Primärwicklung besitzt eine Mittelanzapfung, die mit der Batteriespannung +UB verbunden ist. Die Sekundärwicklung des Ausgangsübertrager$ ist mit einem Lastwiderstand RL abgeschlossen, die Ausgangsspannung (zwischen den Klemmen K3 und K4) ist mit Ua bezeichnet.
Zwischen die Gate-Zuführungsleitungen sind in Reihe zwei Widerstände R1 und R2 geschaltet; ihr Verbindungspunkt ist über eine Zenerdiode Z in Sperr-Richtung auf Masse gelegt; er ist ferner über einen Widerstand R3 mit der Batteriespannung +UB verbunden. Parallel zur Zenerdiode Z ist ein Siebkondensator C5 geschaltet.- Die stabilisierte Spannung an der Zenerdiode ist mit Uz bezeichnet. Die Gate-Spannungen der Feldeffekt-Transistoren werden durch diese stabilisierte Spannung Uz über die Widerstände R1 bzw. R2 auf die Schwellenspannung der Feldeffekt-Transistoren hochgehalten.

Claims

Patentansprüche HF-Leistungsverstärker im Gegentakt-AB-Betrieb, dadurch qekennzeichnet, daß die Gegentaktsteuerspannungen (UHF1, UHF2) fUr zwei selbstsperrende Leistungs-Feldeffekt-Transistoren (T, T2) mittels eines invertierenden Verstärkers (V1) und eines nicht-invertierenden Verstärkers (V2), deren Eingänge parallel geschaltet sind, erzeugt werden.
2. HE-beistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkung eines Verstärkers (V1 oder V2) einstellbar gemacht wird.
3. HF-Leistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch qekennzeichnet, daß die Gate-Spannungen der Feldeffekt-Transistoren mit einer stabilisierten Spannung (U ) über Widerstände (R1, R2) auf die Schwelz lenspannung der Feldeffekt-Transistoren hochgehalten werden.