DE3213768C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Her­ stellung einer magnetischen Granatschicht für einen Magnetblasenspeicher gemäß dem Oberbegriff des Patent­ anspruchs 1. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus "IEEE Transactions on Magnetics", Vol. MAG-13 (1977), S. 1744- 1764 bekannt.

Der aus dieser Druckschrift bekannte Magnetblasenspeicher weist einen zusammenhängenden Magnetblasenausbreitungskreis auf, der durch Implantieren von Ionen in einem Magnetgranatfilm für Magnetblasen gebildet ist, d. h. der Magnetblasenspeicher ist mit einem spaltfreien Magnetblasenausbreitungskreis versehen. Daher eignet sich ein derartiger Magnetblasenspeicher gut zur Verbesserung der Bitdichte.

Gemäß Fig. 1 ist ein solcher Magnetblasenausbreitungskreis der zusammenhängenden Bauart derart ausgebildet, daß eine Maske 2, etwa ein lichtfester Film oder Metallfilm, auf einem monokristallinen Magnetgranatfilm 1 für Magnetblasen aufgebracht wird. Der Magnetgranatfilm 1 wird mit Ionen 3, etwa Wasserstoffionen oder Ne⁺-Ionen, zur Erzeugung einer Spannung in einer ionenimplantierten Schicht 4 implantiert. Die auf diese Weise erzeugte Spannung erzeugt durch den Umkehreffekt der Magnetostriktion in der Schicht 4 ein innerebeniges Anisotropiefeld. Die Richtung M der Magnetisierung des Magnetgranatfilms 1, die zur Oberfläche des Magnetgranatfilms senkrecht ist, wird nämlich aufgrund der Ionenimplantation parallel zur Filmoberfläche gemacht, vergl. Fig. 1 und 2.

Ein Magnetblasenausbreitungskreis 5 ist ein Bereich, der die Form von zusammenhängenden Scheiben hat und nicht mit dem Ion implantiert ist. Am Umfang des Magnetblasenausbrei­ tungskreises 5 ist eine geladene Wand mit magnetischen La­ dungen ausgebildet, die eine Magnetblase 6 anzieht, vergl. Fig. 2.

Bei Aufbringung eines rotierenden Felds 7 wird die geladene Wand längs des Außenumfangs des Magnetblasenausbreitungs­ kreises 5 bewegt, wodurch die Magnetblase 6 verlagert wird.

Wie oben angegeben, ist ein Magnetblasenspeicher mit einem spaltfreien Magnetblasenausbreitungskreis versehen. Demnach ist zu erwarten, daß ein Magnetblasenspeicher, dessen Bit­ dichte wenigstens viermal größer als bei einem herkömmli­ chen Magnetblasenspeicher ist, das ist eine Bitkapazität von über 4Mb, durch die Photolithographietechnik gebildet wird. Ferner ist zu erwarten, daß ein Magnetfeld zum Antrei­ ben von Magnetblasen durch Verwendung eines zusammenhängen­ den Magnetblasenausbreitungskreises stark verringert werden kann.

In einem Magnetblasenspeicher spielt eine in einem Magnet­ granatfilm gebildete ionenimplantierte Schicht, nämlich eine Spannungsschicht, eine sehr bedeutende Rolle. Die beiden folgenden Zustände müssen erfüllt sein, um eine günstige Vorspannungsfeldrandbegrenzung im Magnetblasenspeicher zu erzielen.

• 1. Ein Anisotropiefeld H _K im Magnetgranatfilm für Magnet­ blasen ist positiv, während ein Anisotropiefeld H _K in der ionenimplantierten Schicht negativ ist.
• 2. Eine Spannungsverteilung in Richtung der Tiefe ist über einen weiten Bereich in der ionenimplantierten Schicht gleichmäßig, vergl. Fig. 3.

Zur Erfüllung der Bedingung (1) müssen zur Bildung der ionen­ implantierten Schicht Wasserstoffionen in den Magnetgranat­ film implantiert werden. Zur Erfüllung der Bedingung (2) muß der implantierte Magnetgranatfilm getempert werden, oder es muß zur Bildung der ionenimplantierten Schicht eine Mehrfach­ ionenimplantation unter Verwendung einer Vielzahl von Arten von Ionen, etwa H₂⁺-Ionen und He⁺-Ionen, ausgeführt werden.

Für den Fall, daß Wasserstoffionen (H⁺-, H₂⁺- oder D₂⁺-Ionen) zur Erzielung eines großen innerebenigen Aniso­ tropiefelds in den Magnetgranatfilm implantiert werden, wurde jedoch gefunden, daß das Anisotropiefeld (H _K -4 π M _S ) bei Ver­ änderungen der Tempertemperaturen mit der Zeit stark abnimmt, vergl. Fig. 4. In Verbindung hiermit zeigtz Fig. 4 die Ab­ hängigkeit des Anisotropiefelds über der Temperzeit bei ver­ schiedenen Temperaturen T _a für den Fall, daß H⁺-Ionen mit einer Implantationsenergie von 100 KeV bei einer Ionen­ dosis von 2 × 10¹⁶ cm^-2 in den Magnetgranatfilm implantiert werden.

In Anbetracht der Tatsache, daß das Spannungsverteilungs­ muster durch das Tempern zur Oberfläche des Magnetgranat­ films gemäß Fig. 5 verschoben wird, beruht die Abnahme des Anisotropiefelds auf der Erscheinung, daß H⁺-Ionen aus dem Magnetgranatfilm durch dessen Oberfläche hindurch entwei­ chen. In Fig. 5 zeigt eine Kurve a eine Spannungsverteilung in Tiefenrichtung im Magnetgranatfilm für den Fall, daß H⁺-Ionen mit einer Implantationsenergie von 60 KeV bei einer Inendosis von 2 × 10¹⁶ cm^-2 in den Magnetgranatfilm implantiert werden, während eine Kurve b eine Spannungsver­ teilung für den Fall zeigt, daß H⁺-Ionen in derselben Weise wie oben implantiert werden, wonach der Magnetgranatfilm bei 320°C drei Stunden lang getempert wird. Der in einem Granat­ film erzeugte Spannungsgrad entspricht einer Ätzrate, bei der der Granatfilm durch ein Ätzmittel geätzt wird. Dem­ nach wird in Fig. 3 und 5 die Spannung als Ätzrate ausge­ drückt.

Gemäß Fig. 5 wird die im Granatfilm durch Ionenimplantation erzeugte Spannung zur Oberfläche des Films hin verschoben, d. h. das Spannungsverteilungsmuster wird beim Tempern des Films zu einem seichten Bereich verlagert. Darüber hinaus wird die Gleichmäßigkeit der Spannungsverteilung durch das Tempern erhöht. Jedoch ist die Gleichmäßigkeit der Span­ nungsverteilung durch alleiniges Tempern unzureichend, und ist eine größere Gleichförmigkeit erforderlich. Eine derar­ tige Änderung der Spannungsverteilung wird durch die Bewe­ gung von H⁺-Ionen von einer tiefen Position im Granatfilm zu einer seichten Position beim Tempervorgang verursacht. Ferner verdampft ein ziemlicher Betrag an H⁺-Ionen beim Tempervor­ gang aus dem Granatfilm.

Bei der Bildung eines Magnetblasenspeichers erfolgt die Ionenimplantation zur Bildung einer ionenimplantierten Schicht, wonach ein gewisses Tempern erfolgt. Zum Beispiel wird der implantierte Granatfilm auf eine Temperatur von 350°C er­ hitzt, wenn zur Bildung eines Detektors eine Permalloy- Schicht durch eine Verdampfungstechnik auf einem isolieren­ den Film niedergeschlagen wird.

Demnach wird die Spannungsverteilung in der ionenimplantier­ ten Schicht durch die nach der Ionenimplantation ausgeführte Wärmebehandlung gleichmäßig gemacht. Auf diese Weise wird die angegebene Bedingung (2) erfüllt. Um jedoch einen derartigen Magnetblasenspeicher in praktischen Gebrauch zu bringen, ist es erwünscht, die Gleichförmigkeit der Spannungsverteilung in der ionenimplantierten Schicht größer zu machen. Ferner entweicht ein ziemlicher Betrag an H⁺-Ionen während der Wärmebehandlung aus der ionenimplantierten Schicht, weshalb die angegebene Bedingung (1) nicht erfüllt werden kann. Folglich wird das innerebenige Anisotropiefeld (H _K - 4 π M _S ) geschwächt, und ist es schwie­ rig, die Stärke des rotierenden Felds in einem hohen Ausmaß zu verringern.

Nach der genannten Druckschrift ("IEEE . . .") wird nun ggf. nach der Implantierung der Wasserstoffionen ein Goldfilm auf die Granatschicht aufgebracht, die einen späteren Austritt von Wasserstoff beim Tempern verhindern kann, so daß die angegebene Bedingung (1) erfüllt bleibt. Trotzdem läßt aber die Gleichmäßigkeit der Verunreinigungs­ konzentratinsverteilung in der Tiefenrichtung der magne­ tischen Granatschicht noch sehr zu wünschen übrig.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs vorausgesetzten Art dahingehend zu verbessern, daß man eine gleichmäßigere Verunreinigungs­ konzentrationsverteilung in der Tiefenrichtung der magnetischen Granatschicht erhält, in der das Anisotropiefeld H _K negativ und die Spannungsverteilung gleichförmig sind.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeich­ nenden Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegen­ stände der Unteransprüche.

Da erfindungsgemäß die Implantierung der Wasserstoffinen durch den für diese durchlässigen Abdeckfilm erfolgt, nimmt die Verunreinigungskonzentrationsverteilung in Tiefen­ richtung des Magnetgranatfilms nicht die sonst auftretende Gauss'sche Verteilung, sondern eine sehr gleichmäßige Verteilung an, so daß die Spannungsverteilung in der ionen­ implantierten Schicht gleichmäßig wird und bleibt, da beim Tempern dank des Abdeckfilms keine Wasser­ stoffionen aus der Schicht entweichen.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung beispielsweise be­ schrieben. Es zeigen

Fig. 1 und 2 schematische Ansichten zur Erläu­ terung des Verfahrens zur Her­ stellung eines herkömmlichen Mag­ netblasenspeichers und dessen Betriebs;

Fig. 3 eine graphische Darstellung einer Spannungsverteilung in Tiefenrich­ tung in einer ionenimplantierten Schicht;

Fig. 4 eine graphische Darstellung der Beziehungen zwischen dem Anisotro­ piefeld und der Temperzeit;

Fig. 5 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Spannungs­ verteilung und dem Tempern;

Fig. 6 bis 8 schematische Ansichten zur Erläu­ terung des Wesens der Erfindung; und

Fig. 9 eine graphische Darstellung einer Wirkung der Erfindung.

Fig. 6 zeigt das Wesen der Erfindung. Ein (YSmLuCa)₃(FeGe)₅O₁₂- Film ist ein Magnetgranatfilm 1 für Magnetblasen und wird durch das in flüssiger Phase erfolgende epitaxiale Aufwachs­ verfahren auf einer (111)-orientierten Ebene eines mono­ kristallinen nichtmagnetischen Substrats 8 gebildet, das aus einem Gadolinium-Gallium-Granat hergestellt ist. Ein Abdeck­ film 9, beispielsweise ein isolierender Film, etwa ein SiO₂- Film, wird auf dem Magnetgranatfilm 1 gebildet. Danach er­ folgt unter Anwendung einer Maske 2 eine Wasserstoffionen­ implantation, wonach ein Tempern zur Bildung einer ionenimplantierten Schicht 4 in einem Ober­ flächenbereich des Magnetgranatfilms 1 durchgeführt wird.

Wenn die Wasserstoffionen 3 (H⁺-, H₂⁺- oder D₂⁺-Ionen) durch den Abdeckfilm 9 hindurchtreten, werden sie durch ihn gestreut, d. h. die Bewegungsrichtung der Ionen 3 wird durch den Abdeckfilm 9 gemäß Fig. 7 unregelmäßig geändert, wobei die gestreuten Ionen in den Magnetgranatfilm eindringen und die ionenimplantierte Schicht 4 bilden.

Wenn die Ionen in den Magnetgranatfilm ohne Durchtritt durch den isolierenden Film (nämlich dem Abdeckfilm) in bekannter Weise implantiert werden, nimmt die Verunreinigungskonzen­ trationsverteilung in Tiefenrichtung des Magnetgranatfilms eine Gauss'sche Verteilung an.

Nach der Erfindung dringen jedoch die Ionen 3 in den Magnet­ granatfilm 1 ein, nachdem sie durch den isolierenden Film 9 ge­ streut wurden. Daher nimmt die Verunreinigungskonzentrations­ verteilung in Tiefenrichtung des Magnetgranatfilms keinerlei Gauss'sche Verteilung an. Wenn demnach bei einem späteren Schritt zur Vereinheitlichung der Verunreinigungskonzentra­ tionsverteilung das Tempern erfolgt, wird eine sehr gleich­ mäßige Verteilung der Verunreinigungskonzentration erzielt. Als Ergebnis wird die Spannungsverteilung in der ionenimplan­ tierten Schicht 4 gleichmäßig und die für die ionenimplantierte Schicht erforderliche Bedingung (2) weitaus mehr als beim herkömmlichen Verfahren erfüllt.

Auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleitervorrichtungen erfolgt ferner die Ionenimplantation derart, daß eine Ober­ fläche eines Halbleitersubstrats nach der Beschichtung mit einem isolierenden Film mit Ionen, etwa Arsen- oder Borionen, implantiert wird, um eine Verunreingung auf der Oberfläche des Substrats zu verhindern.

In diesem Fall jedoch haben die Implantationen ein hohes Atomgewicht und einen großen Atomradius, und wird daher die Bewegungsrichtung der Ionen durch den isolierenden Film nur ein wenig geändert. Demnach wird die Konzentrationsvertei­ lung der Verunreinigung (implantiertes Ion) in der Tiefen­ richtung des Substrats durch die Anwesenheit des auf dem Substrat aufgebrachten isolierenden Films kaum beeinflußt, d. h., es kann nicht erwartet werden, daß die Verunreini­ gungskonzentrationsverteilung in der Tiefenrichtung durch den isolierenden Film gleichmäßig gemacht wird.

Andererseits haben die auf den Magnetgranatfilm 1 nach der Erfindung gerichteten und darin implantierten Wasserstoff­ ionen ein kleines Atomgewicht und einen kleinen Atomradius, weshalb die Bewegungsrichtung der Wasserstoffionen durch einen Abdeckfilm 9 stark verändert wird. Demnach wird die Verunreinigungskonzentrationsverteilung in der Tiefenrich­ tung im Magnetgranatfilm 1 in hohem Ausmaß verändert und durch den Abdeckfilm 9 gleichmäßig gemacht.

Wenn ferner nach einem herkömmlichen Verfahren ein Magnetgra­ natfilm nach dem Implantieren mit Wasserstoffionen getempert wird, verdampft eine Anzahl von Wasserstoffionen aus dem Magnetgranatfilm, weshalb das Problem entsteht, daß das inner­ ebenige Anisotropiefeld stark verringert wird.

Nach der Erfindung ist gemäß Fig. 6 auf dem Magnetgranat­ film 1 ein Abdeckfilm 9 vorgesehen. Wenn der Magnetgranatfilm 1 getempert wird, hindert der Abdeckfilm 9 die Wasserstoff­ ionen 3 in der ionenimplantierten Schicht 4 am Entweichen aus dieser, vergl. Fig. 8.

In dem Fall, wo ein Magnetgranatfilm, der mit keinem Ab­ deckfilm versehen ist und mit Wasserstoffionen implantiert wurde, bei einer Temperatur von 320°C getempert wird, wird das innerebenige Anisotropiefeld schnell verringert, was durch eine Kurve 10 in Fig. 9 angegeben ist. In dem Fall, wo ein Magnetgranatfilm 1 mit dem Abdeckfilm 9 nach der Erfindung bei derselben Temperatur getempert wird, wird das innerebe­ nige Anirostropiefeld nur ein wenig verringert, was durch eine Kurve 11 in Fig. 9 angegeben ist, weshalb die angegebe­ ne Bedingung (1) erfüllt ist. Fig. 9 zeigt im einzelnen die für den Fall erzielten Ergebnisse, wo die Ionenimplantation viermal derart ausgeführt wurde, daß Wasserstoffionen mit einer Implantationsenergie von 100 KeV, Wasserstoffionen mit einer Energie von 85 KeV, Wasserstoffionen mit einer Energie von 70 KeV und Wasserstoffionen mit einer Energie von 50 KeV in Dosen von 2,5 × 10¹⁶, 2,3 × 10¹⁶, 2,3 × 10¹⁶ bzw. 2,1 × 10¹⁶ cm^-2 in eine (YSmLuCa)₃(FeGe)₅O₁₂-Film implan­ tiert wurden, wonach der Film getempert wurde. Ferner zeigt die Kurve 11 in Fig. 9 die Ergebnisse in dem Fall, daß ein SiO₂-Film 9 mit einer Dicke von 100 nm als Abdeckfilm verwen­ det wurde.

Wie oben angegeben, hat ein Abdeckfilm nach der Erfindung zwei Wirkungen, d. h., eine Wirkung derart, daß bei Ausfüh­ rung der Ionenimplantation der Abdeckfilm als Streumittel für Wasserstoffionen wirkt, wodurch die Ionenkonzentrations­ verteilung in Tiefenrichtung in einem Magnetgranatfilm gleichmäßig gemacht wird, und eine andere Wirkung derart, daß bei einem Tempervorgang der Abdeckfilm die Wasserstoff­ ionen am Verdampfen aus dem Magnetgranatfilm hindert, wo­ durch eine Abnahme des innerebenigen Anisotropiefelds ver­ hindert wird.

Ein Abdeckfilm, der derartige charakteristische Wirkungen erzeugen kann, ist nicht auf einen SiO₂-Film beschränkt, sondern kann aus einem der folgenden isolierenden Filme ge­ wählt werden: TiO₂-, SiO-, Al₂O₃-, Cr₂O₃- und SiN₄-Filme und ein Phosphorsilikatglasfilm, verschiedene leitende Fil­ me, wie Au-, Mo- und Cr-Filme und ein Au-Cu-Legierung-Film, und halbleitende Filme, wie ein Film aus amorphem Silizium und ein Film aus poylkristallinem Silizium. Der Abdeckfilm kann ferner aus zwei oder mehr Arten von Filmen gebildet werden, die aus der oben angegebenen Gruppe ausgewählt werden.

Die angegebenen isolierenden Filme haben bei Verwendung als Abdeckfilm eine Dicke von etwa 50 bis 600 nm.

Wenn die Dicke eines isolierenden Films kleiner als 50 nm ist, kann der isolierende Film diejenige Wirkung nicht aus­ reichend aufweisen, daß auftreffende Wasserstoffionen durch ihn gestreut werden, weshalb die Ionenkonzentrationsvertei­ lung in der Tiefenrichtung in einem Magnetgranatfilm gleich­ mäßig wird. Wenn die Dicke des isolierenden Films größer als 600 nm ist, ist zum Implantieren von Wasserstoffionen in den Magnetgranatfilm eine Implantationsenergie von über 400 KeV erforderlich. Eine derartige Ionenimplantation ist schwer auszuführen. Aus denselben Gründen haben die angegebenen leitenden und halbleitenden Filme bei Verwendung als Abdeck­ film vorzugsweise eine Dicke von 50 bis 300 nm.

Um andererseits die Wasserstoffionen während des Temperns am Verdampfen aus einem Magnetgranatfilm wirksam zu hindern, haben die isolierenden, leitenden und halbleitenden Filme bei Verwendung als Abdeckfilm eine Dicke von über etwa 50 nm. Aus diesen Tatsachen ist ersichtlich, daß ein als Abdeckfilm nach der Erfindung verwendeter isolierender Film vorzugsweise eine Dicke von etwa 50 bis 600 nm hat, während ein als Abdeck­ fim verwendeter leitender oder halbleitender Film eine Dicke von etwa 50 bis 300 nm hat.

Wenn ein isolierender Film mit einer Dicke von etwa 50 bis 300 nm als Abdeckfilm verwendet wird, muß der isolierende Film nach dem Tempern nicht entfernt werden, sondern kann, so wie er ist, als ein isolierender Film (Abstandselement) des Magnetblasenspeichers verwendet werden. Demnach wird ein derartiger isolierender Film vorteilhaft aus praktischen Gesichtspunkten verwendet. Die angegebene Ionenimplantation wird vorzugsweise bei einer Beschleunigungsenergie von 25 bis 400 KeV ausgeführt. Bei einer Energie von weniger als 25 KeV wird die Ionenimplantation nicht wesentlich bewirkt und wird keine Spannungsschicht gebildet, während eine Ener­ gie von über 400 KeV eine größere Implantationsvorrichtung erfordert, was unpraktisch ist.

Bei der obigen Erläuterung wird ein Film aus (YSmLuCa)₃- (FeGe)₅O₁₂ als Magnetgranatfilm für Magnetblasen verwendet. Dieses Material ist eines der Materialien, die zur Herstel­ lung des Magnetgranatfilms verwendet werden, der auch aus anderen Materialien hergestellt werden kann.

Wie oben angegeben, wird der Magnetgranatfilm nach der Aufbringung des Abdeckfilms mit Wasserstoff­ ionen implantiert und dann getempert. Somit wird die Span­ nungsverteilung im Magnetgranatfilm gleichmäßig gemacht und werden im Magnetgranatfilm implantierte Wasserstoffionen am Verdampfen in einen Außenraum gehindert.

Selbstverständlich sind die angegebenen Wirkungen der Erfin­ dung unabhängig von der Art des Magnetgranatfilms. Demnach sind günstige Ergebnisse erzielbar, wenn die Erfindung bei verschiedenen Arten von Magnetgranatfilmen angewendet wird, von denen jeder auf der (111)-orientierten Ebene oder einer andersartigen Ebene eines monokristallinen nichtmagneti­ schen Granatsubstrats aus beispielsweise Ga₃Gd₅O₁₂ epitaxial aufgewachsen ist.

Wie sich aus der obigen Erläuterung ergibt, kann eine ionen­ implantierte Schicht, in der die Ionenkonzentrationsvertei­ lung in der Tiefenrichtung gleichmäßig ist, ohne Verringerung des innerebenigen Anisotropiefelds gebildet werden.

Ferner sind Wasserstoffionen die günstigsten der verschiede­ nen Arten von Ionen, die in einem Magnetgranatfilm implan­ tiert werden, um darin eine ionenimplantierte Schicht zu bil­ den.

Aus der obigen Beschreibung ist ersichtlich, daß die Erfin­ dung bei der Herstellung eines hervorragenden Magnetblasen­ speichers sehr wirksam ist.

Wenn ferner ein Magnetblasenspeicher hergestellt wird, wird er in einem nachfolgenden Schritt, etwa einem Schritt zur Bildung eines Detektors, d. h. eines Permalloy-Musters, er­ hitzt.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Granat­ schicht (1) für einen Magnetblasenspeicher, wobei in einem oberen Teil (4) der Granatschicht (1) durch Im­ plantation von Wasserstoffionen (3) ein innerebeniges Anisotropiefeld ausgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Granatschicht (1) ein für Wasserstoffionen durchlässiger Abdeckfilm (9) aufgebracht wird, die Implantierung der Wasserstoffionen (3) durch den Ab­ deckfilm (9) hindurch vorgenommen wird und die Granat­ schicht (1, 4) danach getempert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Abdeckfilm (9) ein isolierender, halbleitender oder leitender Film verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als isolierender Film wenigstens einer der folgenden Filme verwendet wird: SiO₂-, TiO₂-, SiO-, Al₂O₃-, Si₃N₄-, Cr₂O₃- und Phosphorsilikatglas-Film.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der isolierende Film mit einer Dicke im Bereich von 50 bis 600 nm aufgebracht wird.

5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als halbleitender oder leitender Film einer der folgenden Filme verwendet wird: polykristalliner Silizium-, amorpher Silizium-, Au-, Mo-, Cr und Au-Cu-Legierung-Film.

6. Verfahren nach Anspruch 2 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der halbleitende oder leitende Film mit einer Dicke im Bereich von 50 bis 300 nm aufgebracht wird.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Implantieren der Wasserstoffionen (3) mit einer Beschleunigungsenergie von 25 bis 400 keV erfolgt.