DE2833891A1

DE2833891A1 - Amorphe magnetische schicht und verfahren zur aenderung der richtung leichter magnetisierung einer duennen amorphen magnetischen schicht

Info

Publication number: DE2833891A1
Application number: DE19782833891
Authority: DE
Inventors: Hubert Jouve; Ramanathan Krishnan; Robert Meyer; Gabor Suran; Jacques Sztern; Michel Tessier
Original assignee: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR; Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Current assignee: Bpifrance Financement SA; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 1977-08-04
Filing date: 1978-08-02
Publication date: 1979-02-15
Also published as: GB2002422A; US4227947A; JPS5429098A; FR2399710B1; FR2399710A1; GB2002422B

Description

1. COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, Paris

2. AGENCE NATIONALE DE VALORISATION DE LA RECHERCHE (ANVAR), Neuilly-sur-Seine

Frankreich

Amorphe magnetische Schicht und Verfahren zur Änderung der Richtung leichter Magnetisierung einer dünnen amorphen magnetischen Schicht

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf als "magnetische Schichten" bekannte Vorrichtungen und insbesondere auf solche dieser Vorrichtungen, die ein amorphes Gefüge haben und von der Fertigung her eine zur Ebene der Schicht selbst senkrechte Richtung leichter Magnetisierung aufweisen.

Es sind allgemein amorphe magnetische Schichten bekannt, die eine Dicke von meistens zwischen 0,1 und 3 /Um haben und zahlreiche Anwendungen auf magnetischem Gebiet, insbesondere in den Meß- sowie den Speichertechniken finden. Diese Schichten erhält man meistens durch Diodenzerstäubung von amorphem Material der Seltenerdelementgruppe in Legierung mit übergangsmetallen unter Argonatmosphäre, wobei

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die Abscheidung auf einem magnetisch inerten Substrat durchgeführt wird; es sind auch amorphe magnetische Schichten bekannt, die eine größere Dicke in der Größenordnung mehrerer ,um aufweisen und für die gleichen Anwendungen dienen. Diese Schichten werden in Form von Bändern 'erhalten, die durch ultrarasche Abschreckung einer geschmolzenen Legierung eines Metalls und eines Metalloids hergestellt werden. Dies gilt beispielsweise für im Handel erhältliche Bänder, die aus Eisen-Bor-Legierungen bestehen und der Formel ^pea₀ ^B20 entsprechen.

Die Größe, die eine solche magnetische Schicht unter dem Winkel ihrer magnetischen Anisotropie kennzeichnet, ist die .Anisotropieenergie Ku = 1/2 MH₀, worin M die Magnetisierung und H das Anisotropiefeld bedeuten.

Bei den gegenwärtig laufend im Handel erhältlichen magnetischen Schichten ist dai^-zeichen der Anisotropieenergie Ku Funktion des Herstellungsverfahrens und der Zusammensetzung und kennzeichnend für die Lage der Richtung leichter Magnetisierung im Verhältnis zur Ebene der Schicht. Im häufigsten Fall ist Ku negativ, und die Achse leichter Magnetisierung steht senkrecht auf der Ebene der Schicht. Nun kann es sehr vorteilhaft für eine bestimmte Zahl von Anwendungsfällen auf dem Gebiet des Meßwesens, der Speicher oder der integrierten Optik sein, über eine dünne Schicht zu verfügen, deren Achse leichter Magnetisierung direkt in der Ebene der Schicht liegt. Bisher konnte jedoch leider kein bekanntes Verfahren eine Änderung des Vorzeichens von Ku ermöglichen.

Nach dem Stand der Technik wurden Anlaß- oder Wärmebehandlungen unter Argon, Luft oder Stickstoff mit solchen

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-s-

amorphen magnetischen Schichten durchgeführt. Der einzige bisher beobachtete Effekt war der der Verringerung der Senkrechtanisotropieenergie sowie der Verringerung des Werts des Koerzitivfeldes. Es wurden auch Argonionenimplantationen durchgeführt, die gleichfalls zur Beobachtung einer Verringerung der zur Ebene der Schicht senkrechten Anisotropieenergie führten; andererseits beobachtete man in dem besonderen Fall, wo diese Implantation in Gegenwart eines zur Schicht senkrechten Magnetfeldes durchgeführt wurde, im Gegensatz dazu eine Erhöhung der Senkrechtanisotropieenergie. Alle diese Effekte wurden bisher durch die Unordnung des Atomgitters oder durch die Schaffung von Kobaltatompaaren erklärt.

Die Anmelderin fand in neuer und unerwarteter Weise, daß durch Unterwerfen einer amorphen Schicht einer Wärmebehandlung in einer sauerstofffreien Atmosphäre aus einem Edelgas der Gruppe Argon, Neon, Krypton und Xenon bei einer Temperatur unterhalb der Kristallisationstemperatur der die Schicht bildenden Legierung während einer Zeitdauer im Bereich von 10 bis 24 h eine Änderung ihrer Richtung leichter Magnetisierung und ihre Überführung in die Ebene dieser Schicht erreicht werden konnten.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine amorphe magnetische Schicht der genannten Art zu entwickeln, bei der die Achse leichter Magnetisierung wenigstens in einem Teil der Dicke der Schicht in der Ebene der Schicht liegt, und ein Verfahren zur Änderung der Richtung leichter Magnetisierung einer solchen amorphen magnetischen Schicht zwecks deren Überführung in die Ebene der Schicht anzugeben.

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Gegenstand .der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist zunächst eine amorphe magnetische Schicht aus einem Material, das eine Legierung eines ferromagnetischen Metalls mit einem Seltenerdelement oder mit einem Metalloid ist, mit dem Kennzeichen, daß die Achse leichter Magnetisierung wenigstens in einem Teil der Dicke der Schicht in der Ebene der Schicht liegt.

Nach einer Alternative kann die Legierung die allgemeine Formel AB haben, worin A ein Seltenerdelement der Gruppe X, Gd und Ho, B Kobalt und χ eine Zahl entsprechend 2<£ y «£ 3 bedeuten, wobei das Material durch Aufstäuben unter Argon auf ein Substrat erhalten ist.

Nach einer weiteren Alternative kann die Legierung aus Eisen und Bor bestehen und der Formel ^PeRQ^Bpo ^entsP^recnen·

Gegenstand der Erfindung ist außerdem ein Verfahren zur Änderung der Richtung leichter Magnetisierung einer amorphen magnetischen Schicht zwecks deren Überführung in die Ebene der Schicht, insbesondere zur Herstellung einer solchen vorstehend genannten Schicht, mit dem Kennzeichen, daß man die Schicht einer Wärmebehandlung in einer sauerstofffreien, aus einem Gas der Gruppe Argon, Neon, Krypton und Xenon bestehenden Atmosphäre bei einer Temperatur unterhalb der Kristallisationstemperatur der die Schicht bildenden Legierung unterwirft. Dieses Verfahren weist völlig unerwartet im Hinblick auf die bisher festgestellten Effekte der Wärmebehandlungen unter Argonatmosphäre eine sehr wesentliche Besonderheit auf: Man kann tatsächlich durch Beeinflussung der Parameter, die die Temperatur

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und die Dauer der Wärmebehandlung sind, beliebig die Eindringtiefe des Edelgases in die Schicht und dadurch wenigstens in einem wahlweise bestimmten Teil dieser Schicht erreichen, daß die Achse leichter Magnetisierung direkt in der Ebene der Schicht liegt. Nach den Versuchen, die durchgeführt werden konnten, ist die maximale Eindringtiefe in der Größenordnung von 0,2 ,um, und man bestimmt sie genau durch Auswahl einer mehr oder weniger hohen Temperatur und Dauer der Wärmebehandlung.

Es wurde ebenfalls experimentell festgestellt, daß die Durchführung des Verfahrens eine völlig sauerstofffreie Atmosphäre erforderte, um jede Oxydationserscheinung zu vermeiden, die die magnetischen Eigenschaften der Schicht empfindlich ändern oder sogar zerstören könnte. Zu diesem Zweck erfordert das erfindungsgemäße Verfahren entweder ein energisches und ständiges Spülen des Behälters, in dem die Reaktion stattfindet, mit dem Edelgas oder, wenn man, was häufiger ist, einen geschlossenen Behälter verwendet, in dem man das Vakuum schafft, diesen Behälter wenigstens zweimal zu evakuieren und mit dem Edelgas zu füllen, bevor man das reine Gas einführt, das schließlich verwendet wird.

Eine Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht hierzu vor, daß man das amorphe magnetische Material in einen geschlossenen Behälter einführt, in dem man zunächst ein Vakuum von wenigstens 1,3 · 10 mbar schafft, dann hier das reine Edelgas mit 1 at Druck einführt, erneut ein Vakuum der Größenordnung von 1,3 · 10 mbar schafft und wieder das reine Edelgas mit 1 at Druck einführt,

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und daß man danach das Material auf eine Temperatur im Bereich von 50 bis 220 ⁰C währent
Ordnung von 10 bis 24 h erhitzt.

Bereich von 50 bis 220 ⁰C während einer Dauer der Größen-

Das behandelte amorphe magnetische Material kann die allgemeine Formel AB aufweisen, worin A ein Seltenerdelement der Gruppe Y, Gd und Ho, B Kobalt und χ eine Zahl entsprechend 2^. χ JL3 bedeuten, und es kann . durch Aufstäuben unter Argon auf ein Substrat erhalten sein.

Das behandelte amorphe magnetische Material kann auch eine Übergangsmetall-Metalloid-Legierung sein, die in Bandform durch ultrarasche Abschreckung aus der geschmolzenen Legierung erhalten ist. Im letzteren Fall ist eine besonders vorteilhafte Legierung die Legierung von Eisen und Bor mit der Zusammensetzung FeO_nBp_n.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert, worin die Figuren mit dem Index a den Zustand der Schichten vor der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens und die Figuren mit dem Index b den Zustand dieser Schichten nach der Anwendung des Verfahrens zeigen;

Fig. 1 stellt eine Schicht dar, die man durch ihre gesamte Dicke behandelt;

Fig. 3 stellt eine Schicht dar, die man nur durch einen Teil ihrer Dicke behandelt;

Fig. 2 bezieht sich auf ein Band aus der Legierung FSg₀B₂₀

Fig. 4 bezieht sich auf einen Blasenspeicher, den man nur durch einen Teilseiner Dicke behandelt; und

Fig. 5 ■· stellt eine Schicht dar, die man in Gegenwart einer bestimmten Zahl örtlicher Masken behandelt.

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In Fig. 1 ist eine amorphe magnetische Schicht 1.dar-

el

gestellt, deren Richtung leichter Magnetisierung P.A. senkrecht auf der Ebene der Schicht 1 steht und deren Richtung schwieriger Magnetisierung D.A. beliebig zu dieser Schicht liegt. Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wandelt man diese Schicht um, um sie in den Zustand der Fig. 1, zu bringen, wo die Richtung leichter Magnetisierung in der Ebene der Schicht enthalten ist und wo die Richtung schwieriger Magnetisierung senkrecht zur Ebene dieser Schicht steht. Gleichlaufend erhält man andererseits eine wesentliche Verringerung des Koerzitivfeldes, das in der Schicht der Fig. l_b viel schwächer ist, und eine der Folgen der Behandlung ist auch, in wesentlichem Ausmaß, z. B. um 600 bis 2000 Gaus s_f das erforderliche Feld zum Erhalten der Sättigungsmagnetisierung in der Richtung schwieriger Magnetisierung zu erhöhen.

Fig. 2 bezieht sich auf ein magnetisches Band 2,

et

das durch ultrarasche Abschreckung hergestellt ist und in dem die Richtung leichter Magnetisierung/einen schwachen Winkel o6 mit der Ebene des Bandes bildet. Durch Behandlung dieses Bandes nach dem erfindungsgemäßen Verfahren gelangt man zu dem in Fig. 2, dargestellten Zustand, in dem die Richtung leichter Magnetisierung mit der Ebene des Bandes verschmolzen ist.

In den beiden vorstehenden Beispielen wurde angenommen, daß die gewählten Wärmebehandlungsbedingungen (Temperatur, Druck und Dauer) solche waren, daß das Eindringen des Argons die gesamte Dicke der Schicht beeinflußte und daß folglich diese einen Wert von praktisch gleich 0,2 ,um nicht überstieg. In den folgenden Beispielen hat dagegen die Schicht entweder eine Dicke über 0,2 /Um, oder man regelt die

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Bedingungen der Temperatur und der Dauer und ggf. des Drucks bei der Wärmebehandlung derart, daß nicht die ganze Dicke der Schicht durch die Umwandlung unter der Wirkung des Eindringens des Argons erfaßt wird.

Fig. 3„ zeigt eine magnetische Schicht 3» auf der a

entsprechend P.A. und D.A. die beiden Richtungen leichter Magnetisierung und schwieriger Magnetisierung dargestellt sind, wobei die erste als senkrecht zur Ebene der Schicht 3 angenommen ist.

Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens gelangt man zu dem in Fig. 3^ dargestellten Zustand, wo die Schicht 3 in zwei Teile 3a und 3b in der Dickenrichtung unterteilt ist. Der Teil 3b bleibt magnetisch identisch

so wie die Schicht 3 vor der Behandlung war, und nur in dem von der Wärmebehandlung unter Argon beeinflußten Teil 3a beobachtet man eine Richtung leichter Magnetisierung und eine Richtung schwieriger Magnetisierung F.A. bzw. D.A., von denen die Richtung F.A. nun in der Ebene der Schicht 3a liegt, während die Richtung D.A. darauf senkrecht steht.

Die Fig. 4 schließlich bezieht sich auf das sehr

cL

interessante Beispiel einer Schicht 4 des Blasentyps,

d. h. in der eine bestimmte Zahl von kleinen zylindrischen Zonen 5 vorliegt, dererii.Durchmesser der Größenordnung von l.bis 3 /Um ist, während ihre Höhe- gleich der Dicke der Schicht 4 in der Größenordnung von 1 bis 5 /Um liegt.

Jede dieser Zonen hat eine Richtung leichter Magnetisierung F.A.

senkrecht zur Oberfläche, die jedoch ihr eigen ist,

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während die benachbarten Zonen dazu parallele Richtungen leichter Magnetisierung, jedoch in entgegengesetzter Richtung aufweisen. Solche Schichten werden gegenwärtig in den Speichertechniken verwendet, da sie das Einschreiben einer großen Zahl von Binärziffern auf einer sehr geringen Oberfläche ermöglichen. Für bestimmte besondere Anwendungen dieser Blasenspeicher ist es vorteilhaft, sie der erfindungsgemäßen Wärmebehandlung nur durch einen Teil 4a ihrer Dicke zu unterwerfen, wobei der Teil 4b im vorherigen magnetischen Zustand bleibt. In Fig. 4b sieht man folglich das so erhaltene sehr besondere Gefüge mit einer ersten Schicht 4a, in der die Richtung leichter Magnetisierung in der Ebene der Schicht 4a liegt, während die Richtung schwieriger Magnetisierung senkrecht zu dieser Schicht steht, und mit einer zweiten Schicht 4b, die von einem identischen Gesamtgefüge wie dem der Schicht 4 vor der Anwendung der Wärmebehandlung ist.

Schließlich kann als ein weiteres interessantes Beispiel der Anwendung des Wärmebehandlungsverfahrens gemäß der Erfindung auf die Möglichkeit hingewiesen werden, in einer solchen Schicht wie der Schicht 6 in Fig. 5„ Zonen ebener Magnetisierung 7 in selektiver Weise zu erzeugen, indem man die Oberfläche der Schicht zur Zeit der Anwendung der Wärmebehandlung mittels eehr kleiner Maskierelemente 8, z. B. durch Photogravieren abgeschiedener SiOp-Elemente schützt; diese Maskierelemente 8 verhindern so das Eindringen des Argons in die darunterliegenden Zonen, die sie schützen (Fig. 5_h)₃ und lassen so diese entsprechenden Zonen im Anfangszustand, indem sie hier die Umwandlung der Richtung leichter Magnetisierung F.A. verhindern.

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Die Gegenwart einer Schicht ebener Magnetisierung an der Oberfläche eines Blasenmaterials in den nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen magnetischen Schichten ist bei drei Hauptanwendungsfällen sehr nützlich:

oberhalb

1) Im PaIl₉-WO die Ausbreitung der Blasen durch Fe-Ni-Antriebe/ des Blasenmaterialserfolgt, dient diese Schicht zur Unterdrückung der harten Blasen, die einen normalen Betrieb des Speichers verhindern.

2) Im Fall der Vorrichtung mit Blasennetz dient diese Schicht dazu, den Zustand der Wände zu steuern, was

das Codieren der Information ermöglicht. ■ .-

3) Im Fall schließlich, wo die Ausbreitung um zusammenhängende Scheiben erfolgt, unter denen die Schichtbildung mit ebener Magnetisierung verhindert ist, ermöglicht diese Schicht die Bildung von geladenen Wänden, die die Blasen verschieben.

Für alle diese Versuche wurde die Anisotropie der Proben vor und nach der Behandlung unter Anwendung der bekannten ferromagnetischen Resonanztechnik gemessen. Hierzu mißt man das Feld senkrechter Resonanz H nach der Richtung, die senkrecht auf der Ebene des Films oder des Bandes steht, und das Feld paralleler Resonanz H nach der Richtung, die parallel zur Ebene des Films liegt. Für alle Proben erfolgte der Wärmebehandlungsvorgang in folgender Weise: Die Probe wurde in einen Glasbehälter gegeben, in dem es möglich ist, den Druck auf einen Wert von wenigstens 1,3.10 mbar zu senken. Wenn ein solcher Druck erreicht ist, führt man reines Argon mit 1 at Druck ein.

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Man senkt diesen Druck dann erneut auf einen Wert von 1,3 · 10 mbar und füllt den Behälter schließlich mit reinem Argon, das mit einem Druck von 1 at eingeführt wird, wobei diese Vorgänge bezwecken sicherzustellen, daß die Atmosphäre im Inneren des Glasbehälters absolut von jeder Spur von Sauerstoff befreit ist. Die eigentliche Wärmebehandlung kann dann durch Erhitzen der Probe auf eine Temperatur vorgenommen werden, die allgemein im Bereich von 50 bis 220 ⁰C liegt, wobei die maximale Temperatur stets sehr unterhalb derjenigen der Kristallisation gewählt wird, um den amorphen Charakter des die dünne Schicht bildenden Materials zu bewahren. Die Wärmebehandlungsdauer liegt im Bereich von 10 bis 24 h, doch zeigt die Erfahrung, daß eine Verlängerung dieser Dauer keinen merklichen Einfluß auf den Wert der endgültigen Anisotropie hat, was wahrscheinlich andeutet, daß nach Ablauf von 24 h sämtliches Argon, das in die Schicht einzudringen vermochte, auch bereits eingedrungen ist. Die folgende Tabelle zeigt die in 10 erg/cm ausgedrückte Anisotropieenergie Ku. Die drei ersten Proben sind Legierungen von Seltene Erden und Kobalt, die durch Zerstäuben unter Argonatmosphäre mit einer Polarisationsspannung von -100 V, d. h. unter vergleichbaren Bedingungen erhalten wurden. Lediglich die Dicken unterscheiden sich, wie die erste Spalte angibt, und man sieht die sehr erhebliche für den Wert von Ku erhaltene Änderung nach dem Wärmebehandlungsvorgang unter Argon. Man stellt fest, daß diese Wärmebehandlung zur Wirkung hat, die Richtung leichter Magnetisierung zu ändern, da der Ku-Wert, der vor der Behandlung positiv war, anschließend negativ wird, und man stellt auch eine Verringerung der Resonanzstreifenbreite für einen senkrechten Δ Η-Wert und einen parallelen fest. Gleichzeitig beobachtet man eine Verminderung

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des Koerzitivfeldes um einen Faktor 2 oder 3. Bei Überprüfung der Filme verschiedener Dicken (von 0,2 bis 1 ,um) konnte man die maximale Eindringtiefe des Argons mit etwa 0,2 ,um unter den vorgenannten ■Versuchsbedingungen auswerten. Dies weist einen großen Vorteil auf, da man, wie die Fig. 1 bis 5 zeigen, erreichen kann, durch Regulierung eines mehr oder weniger weit reichenden Eindringens des Argons in die Schicht ein verschiedene Formen bedeckendes Endprodukt zu erhalten.

In der folgenden Tabelle bezieht sich das vierte Beispiel auf ein Bandmaterial einer Dicke von 20 ,um, dessen Werte des Anisotropiefeldes H von -1000 Gauss bis +500 Gauss

unter der Wirkung der erfindungsgemäßen Wärmebehandlung reichen.

4 Anisotropieenergie Ku in 10 erg/cm

Film	Dicke in ,um	Ku vor der Be handlung	iu nach der flfärmebehand- lung unter Argon	Polarisations spannung (bei der Herstellung)	ISS
YCo,	0,2	+ 7,6	- 44,7	- 100 V
		+ 7,6	- 38,6
YCo,	1,0	+'4,8	- 5^,7	- 100 V
		+ 4,8	- 53,2
GdCo,	0,7	+ 3,9	- 15,1	- 100 V
^Pe80^B20	Band ( ~ 20 ^,um	H = -1000 Gauss	H = +500 Gat

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Die folgenden Ergebnisse wurden auf einem anderen YCo,-Film einer Dicke von 0,5 /Um erhalten, der 24 h bei 200 ⁰C unter Neon, Krypton, Xenon und Argon wärmebehandelt wurde:

Ku vor der Wärmebe handlung	Ku in erg/cm nach Wärmebehandlung bei 200 ⁰C während 2k h unter:	Kr -55.1O⁴	Xe -53.1O²¹	Ar - 50.ΙΟ⁴
+ 7.10¹¹	Ne - 50.10⁴

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Claims

Patentansprüche

Amorphe magnetische Schicht aus einem Material, das eine Legierung eines ferromagnetischen Metalls mit einem Seltenerdelement oder mit einem Metalloid ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Achse leichter Magnetisierung wenigstens in einem Teil der Dicke der Schicht in der Ebene der Schicht liegt.

2. Dünne Schicht nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierungdie allgemeine Formel AB hat, worin A ein Seltenerdelement der Gruppe Y, Gd und Ho, B Kobalt und χ eine 2ahl entsprechend 2 <~. χ ^- 3 bedeuten, und das Material durch Aufstäuben unter Argon auf ein Substrat erhalten ist.

3. Schicht nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung aus Eisen und Bor besteht und der Formel Fe₀Q B^q entspricht.

h. Verfahren zur Änderung der Richtung leichter iiagnetisierung einer amorphen magnetischen Schicht zwecks deren Überführung in die Ebene der Schicht, insbesondere zur Herstellung einer Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß man die Schicht einer Wärmebehandlung in einer sauerstofffreien, aus einem Gas der Gruppe Argon, Neon, Krypton und Xenon bestehenden Atmosphäre

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ORiGlNAL

bei einer Temperatur unterhalb der Kristallisationstemperatur der die Schicht bildenden Legierung unterwirft.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man die Eindringtiefe des Edelgases in die Schicht durch Variation der Temperatur- und Wärmebehandlungsdauer-Parameter zwecks Erhaltens einer Änderung der Richtung leichter Magnetisierung in einer mehr oder weniger großen Tiefe der Schicht reguliert.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß man das amorphe magnetische Material in einen geschlossenen Behälter einführt, in dem man zunächst ein Vakuum von

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wenigstens 1,3.10 ' mbar schafft, dann hier das reine Edelgas mit 1 at Druck einführt, erneut ein Vakuum der

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Größenordnung von 1,3 . 10 mbar schafft und wieder das reine Edelgas mit 1 at Druck einführt, und daß man danach das Material auf eine Temperatur im Bereich von 50 bis 220 ⁰C während einer Dauer der Größenordnung von 10 bis 24 h erhitzt.

7. Verfahren nach Anspruch ^l\ oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß man die Wärmebehandlung in einem Behälter durchführt, der ständig vom reinen Edelgas durchspült wird.

8. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß das behandelte amorphe magnetische Material die allgemeine Formel AB aufweist, worin A ein Seltenerdelement der Gruppe Y, Gd und Ho, B Kobalt und χ eine Zahl entsprechend

2c χ -3 bedeuten, und das Material durch Aufstäuben unter Argon auf ein Substrat erhalten ist.

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9. Verfahren nach Anspruch ¹J oder 5 ₃ dadurch gekennzeichnet, daß das behandelte amorphe magnetische Material eine Übergangsmetall-Metalloid-Legierung ist, die in Bandform durch ultrarasche Abschreckung aus der geschmolzenen Legierung erhalten ist.

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