DE3151326C2 - - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbe­ griff des Patentanspruches 1.

Aus der US-PS 39 79 632 ist es bekannt, zur Vermeidung von uner­ wünschten Aufladungen auf Glasinnenoberflächen von Elektronenröh­ ren eine hochohmige Schicht aus Chromdioxid aufzubringen.

Insbesondere bei elektronenoptischen Röhren wirken sich uner­ wünschte Potentialverteilungen störend aus. Aus der DE-AS 15 64 398 ist es weiterhin bei einer Kathodenstrahlröhre mit Bildschirm bekannt, auf zwischen der Leuchtstoffschicht und der Glaswandung eine 0,25 bis 10 µm dicke Schicht aus SiO₂ vorzu­ sehen.

Es hat sich nun gezeigt, daß das Aufbringen derartiger Chromdio­ xid-Schichten auf die Innenfläche von Glaswandungen unterschied­ liche Potentialverteilungen nicht mit hinreichender Sicherheit vermeidet.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer eingangs genannten Elektronenröhre anzugeben, mit dessen Hilfe verbesserte, definierte Potentialver­ hältnisse an der Glasinnenwandung erzielt werden.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die im Kennzei­ chen des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale.

Durch das beschriebene Verfahren zum Aufbringen einer Sperr­ schicht auf die Glasoberfläche wird mit einfachen Mitteln er­ reicht, daß definierte Glasoberflächenverhältnisse vorliegen. Es wird nämlich angenommen, daß durch Ionenwanderung aus dem Glas heraus an der Oberfläche und in der auf die Oberfläche aufge­ brachten hochohmigen Schicht Veränderungen der Leitfähigkeit ent­ stehen, die dann Ursache für Unregelmäßigkeiten in der Potential­ verteilung sind.

Anhand des in der Figur dargestellten bevorzugten Ausführungsbei­ spiels wird die Erfindung nachfolgend näher erklärt.

Die Figur zeigt ausschnittsweise im Querschnitt einen Teil einer Bildverstärkerröhre mit einer Glaswandung 1, die an beiden Enden mit metallischen Elektroden 2 und 3 vakuumdicht verschmolzen ist. Auf der Innenfläche der Glaswandung 1 befindet sich eine hochoh­ mige Chromdioxid-Schicht 4.

Gemäß der Erfindung wird nun vor Aufbringen der hochohmigen Schicht 4 auf die Glasoberfläche eine Sperrschicht 5 aufgebracht, die aus einer Siliziumdioxidschicht besteht, und die durch Auf­ dampfen, Sputtern, naß Abschleudern oder durch Abscheiden aus der Dampfphase hergestellt ist. Eine solche Schicht verhindert ein Auswandern von Glasionen, insbesondere von Alkali-Ionen, an die Oberfläche des Glases bzw. in die hochohmige Schicht 4.

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung soll diese Sperrschicht in einer Stärke von < 1 µ, ggf. sogar < 0,1 µ aufgebracht wer­ den.

Claims (5)

1. Verfahren zum Herstellen einer Elektronenröhre mit einem Wan­ dungsteil aus Glas, auf dessen Innenfläche eine hochohmige Chromdioxid-Schicht zur Vermeidung von undefinierten Potentialge­ bieten angebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf die gereinigte Glasoberfläche vor Aufbringen der hochohmigen Schicht eine eine Ionenwanderung aus der Glaswandung verhindernde dünne Sperr­ schicht aus Siliziumdioxid aufgebracht wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht durch Sputtern, Aufdampfen oder naß Abschleudern oder Abscheiden aus der Dampfphase aufgebracht wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht auf ein Wandungsteil aus alkalihaltigem Glas aufgebracht wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeich­ net, daß die Sperrschicht in einer Stärke von weniger als 10 µm oder weniger als < 0,1 µm aufgebracht wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch die Anwendung zum Herstellen von mit hohen Spannungen be­ triebenen Elektronenröhren, insbesondere Bildverstärkerröhren mit feldformenden elektronischen Feldern zur elektronenoptischen Bilddarstellung.