DE3138175A1 - Diodenhalterung - Google Patents

Description

• Diodenhal terung
• Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode einer parametrischen Anordnung zur ErzeuRiinJ oder Verstärkung hochfrequenter Signale, die einen Pump-, einen Signal- und einen Hilfsfrequenzkreis besitzt, wobei der die Diode mit einer Vorspannung versorgende Innenleiter einer an den Hohlleiter angekoppelten koaxialen Leitung auf der Diode aufliegt und sie am Hohlleiterboden festhält.
• Beim aus der DE-OS 21 35 612 bekannten parametrischen Verstärker wird in der obengenannten Weise die Diode auf dem Boden des die Pumpenergie zuführenden Hohlleiters gehalten und zwar vom Innenleiter der das Signal an die Diode führenden koaxialen Leitung.
• Der Hohlleiter, in dem sich die Diode befindet, stellt einen Hohlraumresonator dar, dessen Resonanzfrequenz auf den Hilfsfrequenzkreis der parametrischen Anordnung abgestimmt sein soll. Die Resonanzfrequenz besitzt aber nicht, wie gewollt, einen definierten Wert, da dieser von der Lage der Diode im Hohlleiter abhängt. Das ist vor allem dann der Fall, wenn die Diode nicht vollkommen symmetrisch aufgebaut ist, d.h., wenn z.B. die Banddrähtchen, die den Kontakt des Halbleiterplättchens zum Gehäuse herstellen, unsymmetrisch angeordnet sind.
• Ein Verdrehen der frei im Hohlleiter sitzenden Diode würde daher eine andere Resonanzfrequenz des Hohlraumresonators zur Folge haben.
• Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, für die Diode im Hohlleiter einer parametrischen Anordnung eine Halterung anzugeben, die dafür sorgt, daß die Hilfskreisfrequenz unabhängig von der Lage der Diode im Hohlleiter einen definierten Wert hat.
• Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß auf dem Boden des Hohlleiters ein die Diode aufnehmender, elektriseh leitender Becher befestigt ist, der so dimensioniert ist, daß er zusammen mit der Diode für die Hilfsfrequenz der ein Hochfrequenzsignal erzeugenden oder verstärkenden Anordnung als koaxialer Resonator wirkt.
• Zweckmäßige Ausführungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
• Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird nun die Erfindung näher erläutert.
• Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt eines parametrischen Verstärkers und Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung des Diodengehäuses (Ausschnitt A der Fig. 1).
• Nachfolgend wird der Einsatz eines Diodengehäuses in einem, parametrischen Verstärker beschrieben. Selbstverständlich ist das dieser Anmeldung zugrundeliegende Didengehäuse in jeder anderen parametrischen Anordnung, einem Oszillator, Mischer, Phasenschieber oder dgl., verwendbar.
• In der Fig. 1 ist ein Ausschnitt eines parametrischen Verstärkers dargestellt. Die in einem Becher B untergebrachte Diode mit nichtlinearer Reaktanz befindet sich in einem kurzgeschlossenen Hohlleiter H, durch den die Pumpenergie zugeführt wird. Von diesem Hohlleiter zweigt eine koaxiale Signalleitung SL ab, welche das von einem hier nicht dargestellten Zirkulator kommende Eingangssignai der Diode zu-und das an ihr reflektierte Ausgangssignl ableitet Der Innenleiter der koaxialen Signalleitung besteht aus zwei Transformationsleitungsabschnitten T1 und T2, wobei der Abschnitt T1 mit Querschnittssprüngen versehen ist, die für die Hilfsfrequenz f des parametrischen Verstärkers Ä h lang sind und als Bandsperre für sie wirken. Beide Abschnitte T1 und T2 sind für die Signal frequenz fs h 5/14 lang und bilden einen Resonanzkreís. über den innenleiter erhält die Diode ihre Vorspannung und wird von ihm im Becher B festgehalten.
• Eine detailliertere Darstellung des Bechers (Ausschnitt A der Fig. 1) zeigt die Fig. 2. Der Becher B ist auf dem Boden des Hohlleiters H mittels eines Stiftes St kontaktsicher befestigt. Die Fläche im Becher, auf der die Diode D aufliegt, weist eine konische Ausfräsung K auf, die der Diode eine zentrische Lage im Becher verschafft.
• Becher und Diode bilden zusammen einen koaxialen Resonator, dessen auf die Hilfsfrequenz abgestimmte Resonanzfrequenz unabhängig ist von der Lage der Diode im Becher. Die Resonanzfrequenz ist bestimmt durch die Dimensionierung des Bechers, d.h., durch die Abmessung des Spaltes SP zwischen dem Diodengehäuse und der Becherwand. Bei einer im Verhältnis zur Hilfsfrequenz (47 GHz) kleinen Signalfrequenz (4 GHz) stellt der Spalt zwischen dem Becher und der Diode eine konzentrierte Kapazität für den Signalkreis dar.
• Vom Innenleiter der koaxialen Signalleitung wird die Diode D in den Becher B hineingedrückt. Der auf der Oberseite der Diode aufliegende Andruckteller AT bildet eine weitere konzentrierte Kapazität.

Claims (3)

1. Patentansprüche ( 1. Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode iner einer parametrischen Anordnung zur Erzeugung oder Verstärkung hochfrequenter Signale, die einen Pump-, einen Signal- und einen Hilfsfrequenzkreis besitzt, wobei der die Diode mit einer Vorspannung versorgende Innenleiter einer an den Hohlleiter angekoppelten koaxialen Leitung auf der Diode aufliegt und sie am Hohileiterboden festhält, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Boden des Hohlleiters (H) ein die Diode (D) aufnehmender, elektrisch leitender Becher (B) befestigt ist, der so dimensioniert ist, daß er zusammen mit der Diode für die Hilfsfrequenz der ein Hochfrequenzsignal erzeugenden oder verstärkenden Anordnung als koaxialer Resonator wirkt.
2. 2. Halterung nach Ansprueh 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei gegenüber der Hilfsfrequenz geringer Signalfrequenz der Becher (B) so dimensioniert ist, daß er zusammen mit der Diode (D) für die Signalfrequenz eine konzentrierte Kapazität darstellt.
3. 3. Halterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Becher (B) eine konisch ausgedrehte Auflagefläche (K) für die Diode (D) besitzt.