DE3138175C2 - Diodenhalterung - Google Patents

Diodenhalterung

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DE3138175C2
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Günter Dipl.-Ing. 7000 Stuttgart Bertsch
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F7/00Parametric amplifiers
    • H03F7/04Parametric amplifiers using variable-capacitance element; using variable-permittivity element

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halterung (B) für die in einem Hohlleiter (H) angeordnete Diode (D) einer parametrischen Anordnung. Die Halterung ist becherförmig und so dimensioniert, daß sie zusammen mit der Diode für die Hilfsfrequenz der parametrischen Anordnung als koaxialer Resonator wirkt.

Description

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode einer parametrischen Anordnung zur Erzeugung jo oder Verstärkung hochfrequenter Signale, die einen Pump-, einen Signal- und einen Hilfsfrequenzkreis besitzt, wobei der die Diode mit einer Vorspannung versorgende Innenleiter einer an den Hohlleiter angekoppelten koaxialen Leitung auf der Diode aufliegt π und sie am Hohlleiterboden festhält.
Beim aus der DE-OS 21 35 612 bekannten parametrischen Verstärker wird in der obengenannten Weise die Diode auf dem Boden des die Pumpenergie zuführenden Hohlleiters gehalten, und zwar vom Innenleiter der das «" Signal an die Diode führenden koaxialen Leitung.
Aus den Druckschriften DE-OS 18 16 079, US-PS 37 18 866 und CH-PS 4 13 007 sind ebenfalls nach dem eingangs genannten Prinzip aufgebaute parametrische Verstärker bekannt. Diesen parametrischen Verstärkern ist gemeinsam, daß ein Ende des Diodengehäuses in eine becherförmige Aufnahme hineingreift. Die Aufnahme hat hier lediglich die Funktion einer rein mechanischen Diodenhalterung. Gemäß der DE-OS 18 16 079 hat die Aufnahme weiterhin die Aufgabe, zusammen mit der Diode eine zusätzliche Kapazität zu erzeugen, die zur Abstimmung des Idling-Kreises benutzt werden kann.
Der Hohlleiter, in dem sich die Diode befindet, stellt einen Hohlraumresonator dar, dessen Resonanzfrequenz auf den Hilfsfrequenzkreis der parametrischen Anordnung abgestimmt sein soll. Die Resonanzfrequenz besitzt aber nicht, wie gewollt, einen definierten Wert, da dieser von der Lage der Diode im Hohlleiter abhängt. Das ist vor allem dann der Fall, wenn die Diode nicht b0 vollkommen symmetrisch aufgebaut ist, d. h, wenn z. B. die Bonddrähtchen, die den Kontakt des HalbleiterplSttchens zum Gehäuse herstellen, unsymmetrisch angeordnet sind. Ein Verdrehen der frei im Hohlleiter sitzenden Diode würde daher eine andere Resonanzfrequenz des ^ Hohlraumresonators zur Folge haben.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, für die Diode im Hohlleiter einer parametrischen Anordnung eine Halterung anzugeben, die dafür sorgt daß die Resonanzfrequenz des Hilfskreises unabhängig von der Lage der Diode im Hohlleiter einen definierten Wert hat
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst daß die Diode in einem auf dem Boden des Hohlleiters befestigten, elektrisch leitenden Becher untergebracht ist
Zweckmäßige Ausführungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird nun die Erfindung näher erläutert
F i g. 1 zeigt einen Ausschnitt eines parametrischen Verstärkers und
F i g. 2 eine vergrößerte Darstellung des Diodengehäuses (Ausschnitt A der F i g. 1).
Nachfolgend wird eine Halterung für eine Diode in einem parametrischen Verstärker beschrieben. Selbstverständlich ist die erfindungsgemäße Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode in jeder anderen parametrischen Anordnung, einem Oszillator, Mischer, Phasenschieber oder dgl., verwendbar.
In der Fig. 1 ist ein Ausschnitt eines parametrischen Verstärkers dargestellt Die in einem Becher B untergebrachte Diode mit nichtlinearer Reaktanz befindet sich in einem kurzgeschlossenen Hohlleiter H, durch den die Pumpenergie zugeführt wird. Von diesem Hohlleiter zweigt eine koaxiale Signalleitung SL ab, welche das von einem hier nicht dargestellten Zirkulator kommende Eingangssignal der Diode zu- und das an ihr reflektierte Ausgangssignal ableitet. Der Innenleiter der koaxialen Signalleitung besteht aus zwei Transformationsleitungsabschnitten 7Ί und T2, wobei der Abschnitt Ti mit Querschnittssprüngen versehen ist, die für die Hilfsfrequenz /Ή des parametrischen Verstärkers λ#/4 lang sind und als Bandsperre für sie wirken. Beide Abschnitte Γι und Ti sind für die Signalfrequenz /j XJ*, lang und bilden einen Resonanzkreis. Über den Innentoiter erhält die Diode ihre Vorspannung und wird von ihm im Becher B festgehalten.
Eine detailliertere Darstellung des Bechers (Ausschnitt A der F i g. 1) zeigt die F i g. 2. Der Becher B ist auf dem Boden des Hohlleiters H mittels eines Stiftes Si kontaktsicher befestigt Damit die Diode im Becher zentrisch ausgerichtet ist besitzt der Becher B am Boden eine konisch ausgedrehte Auflagefläche K für die Diode D.
Becher und Diode bilden zusammen einen koaxialen Resonator, dessen auf die Hilfsfrequenz abgestimmte Resonanzfrequenz unabhängig von der Lage der Diode im Becher ist Die Resonanzfrequenz ist bestimmt durch die Dimensionierung des Bechers, d. h, durch die Abmessung des Spaltes SPzwischen dem Diodengehäuse und der inneren Becherwand. Bei einer im Verhältnis zur Hilfsfrequenz (47 GHz) kleinen Signalfrequenz (4 GHz) stellt der Spalt zwischen dem Becher und der Diode eine konzentrierte Kapazität für den Signalkreis dar.
Vom Innenleiter der koaxialen Signalleitung wird die Diode D in den Becher B hineingedrückt. Der auf der Oberseite der Diode aufliegende Andruckteller AT bildet eine weitere konzentrierte Kapazität.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 Patentansprüche:
1. Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode einer parametrischen Anordnung zur Erzeugung oder Verstärkung hochfrequenter Signale, die einen Pump-, einen Signal- und einen Hilfsfrequenzkreis aufweist, wobei der die Diode mit einer Vorspannung versorgende Innenleiter einer an den Hohlleiter angekoppelten koaxialen Leitung auf der Diode aufliegt und sie am Hohlleiterboden ι ο festhält, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (D) in einem auf dem Boden des Hohlleiters (H) befestigten, elektrisch leitenden Becher (B) untergebracht ist.
2. Halterung nach Anspruch I, dadurch gekenn- π zeichnet, daß bei gegenüber der Hilfsfrequenz geringer Signalfrequenz der 3echer (B) so -iimensionier: ist, daß er zusammen mit der Diode (D) für die Signalfrequenz eine konzentrierte Kapazität darstellt.
3. Halterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Becher (B) eine konisch ausgedrehte Auflagefläche (K) für die Diode (D) besitzt
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