DE3138175C2 - Diodenhalterung - Google Patents
DiodenhalterungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F7/00—Parametric amplifiers
- H03F7/04—Parametric amplifiers using variable-capacitance element; using variable-permittivity element
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halterung (B) für die in einem Hohlleiter (H) angeordnete Diode (D) einer parametrischen Anordnung. Die Halterung ist becherförmig und so dimensioniert, daß sie zusammen mit der Diode für die Hilfsfrequenz der parametrischen Anordnung als koaxialer Resonator wirkt.
Description
Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit einer Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete
Diode einer parametrischen Anordnung zur Erzeugung jo oder Verstärkung hochfrequenter Signale, die einen
Pump-, einen Signal- und einen Hilfsfrequenzkreis besitzt, wobei der die Diode mit einer Vorspannung
versorgende Innenleiter einer an den Hohlleiter angekoppelten koaxialen Leitung auf der Diode aufliegt π
und sie am Hohlleiterboden festhält.
Beim aus der DE-OS 21 35 612 bekannten parametrischen
Verstärker wird in der obengenannten Weise die Diode auf dem Boden des die Pumpenergie zuführenden
Hohlleiters gehalten, und zwar vom Innenleiter der das «"
Signal an die Diode führenden koaxialen Leitung.
Aus den Druckschriften DE-OS 18 16 079, US-PS 37 18 866 und CH-PS 4 13 007 sind ebenfalls nach dem
eingangs genannten Prinzip aufgebaute parametrische Verstärker bekannt. Diesen parametrischen Verstärkern
ist gemeinsam, daß ein Ende des Diodengehäuses in eine becherförmige Aufnahme hineingreift. Die
Aufnahme hat hier lediglich die Funktion einer rein mechanischen Diodenhalterung. Gemäß der DE-OS
18 16 079 hat die Aufnahme weiterhin die Aufgabe, zusammen mit der Diode eine zusätzliche Kapazität zu
erzeugen, die zur Abstimmung des Idling-Kreises benutzt werden kann.
Der Hohlleiter, in dem sich die Diode befindet, stellt einen Hohlraumresonator dar, dessen Resonanzfrequenz
auf den Hilfsfrequenzkreis der parametrischen Anordnung abgestimmt sein soll. Die Resonanzfrequenz
besitzt aber nicht, wie gewollt, einen definierten Wert, da dieser von der Lage der Diode im Hohlleiter abhängt.
Das ist vor allem dann der Fall, wenn die Diode nicht b0
vollkommen symmetrisch aufgebaut ist, d. h, wenn z. B. die Bonddrähtchen, die den Kontakt des HalbleiterplSttchens
zum Gehäuse herstellen, unsymmetrisch angeordnet sind. Ein Verdrehen der frei im Hohlleiter sitzenden
Diode würde daher eine andere Resonanzfrequenz des ^ Hohlraumresonators zur Folge haben.
Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, für die Diode im Hohlleiter einer parametrischen Anordnung
eine Halterung anzugeben, die dafür sorgt daß die Resonanzfrequenz des Hilfskreises unabhängig von der
Lage der Diode im Hohlleiter einen definierten Wert hat
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst daß die Diode in einem auf dem Boden des Hohlleiters
befestigten, elektrisch leitenden Becher untergebracht ist
Zweckmäßige Ausführungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird nun die Erfindung näher
erläutert
F i g. 1 zeigt einen Ausschnitt eines parametrischen Verstärkers und
F i g. 2 eine vergrößerte Darstellung des Diodengehäuses (Ausschnitt A der F i g. 1).
Nachfolgend wird eine Halterung für eine Diode in einem parametrischen Verstärker beschrieben. Selbstverständlich
ist die erfindungsgemäße Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode in jeder
anderen parametrischen Anordnung, einem Oszillator, Mischer, Phasenschieber oder dgl., verwendbar.
In der Fig. 1 ist ein Ausschnitt eines parametrischen
Verstärkers dargestellt Die in einem Becher B untergebrachte Diode mit nichtlinearer Reaktanz
befindet sich in einem kurzgeschlossenen Hohlleiter H, durch den die Pumpenergie zugeführt wird. Von diesem
Hohlleiter zweigt eine koaxiale Signalleitung SL ab, welche das von einem hier nicht dargestellten Zirkulator
kommende Eingangssignal der Diode zu- und das an ihr reflektierte Ausgangssignal ableitet. Der Innenleiter der
koaxialen Signalleitung besteht aus zwei Transformationsleitungsabschnitten 7Ί und T2, wobei der Abschnitt
Ti mit Querschnittssprüngen versehen ist, die für die
Hilfsfrequenz /Ή des parametrischen Verstärkers λ#/4
lang sind und als Bandsperre für sie wirken. Beide Abschnitte Γι und Ti sind für die Signalfrequenz /j XJ*,
lang und bilden einen Resonanzkreis. Über den Innentoiter erhält die Diode ihre Vorspannung und wird
von ihm im Becher B festgehalten.
Eine detailliertere Darstellung des Bechers (Ausschnitt A der F i g. 1) zeigt die F i g. 2. Der Becher B ist
auf dem Boden des Hohlleiters H mittels eines Stiftes Si
kontaktsicher befestigt Damit die Diode im Becher zentrisch ausgerichtet ist besitzt der Becher B am
Boden eine konisch ausgedrehte Auflagefläche K für die Diode D.
Becher und Diode bilden zusammen einen koaxialen Resonator, dessen auf die Hilfsfrequenz abgestimmte
Resonanzfrequenz unabhängig von der Lage der Diode im Becher ist Die Resonanzfrequenz ist bestimmt durch
die Dimensionierung des Bechers, d. h, durch die Abmessung des Spaltes SPzwischen dem Diodengehäuse
und der inneren Becherwand. Bei einer im Verhältnis zur Hilfsfrequenz (47 GHz) kleinen Signalfrequenz
(4 GHz) stellt der Spalt zwischen dem Becher und der Diode eine konzentrierte Kapazität für den Signalkreis
dar.
Vom Innenleiter der koaxialen Signalleitung wird die
Diode D in den Becher B hineingedrückt. Der auf der Oberseite der Diode aufliegende Andruckteller AT
bildet eine weitere konzentrierte Kapazität.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Halterung für eine in einem Hohlleiter angeordnete Diode einer parametrischen Anordnung
zur Erzeugung oder Verstärkung hochfrequenter Signale, die einen Pump-, einen Signal- und einen
Hilfsfrequenzkreis aufweist, wobei der die Diode mit
einer Vorspannung versorgende Innenleiter einer an den Hohlleiter angekoppelten koaxialen Leitung auf
der Diode aufliegt und sie am Hohlleiterboden ι ο festhält, dadurch gekennzeichnet, daß die
Diode (D) in einem auf dem Boden des Hohlleiters (H) befestigten, elektrisch leitenden Becher (B)
untergebracht ist.
2. Halterung nach Anspruch I, dadurch gekenn- π zeichnet, daß bei gegenüber der Hilfsfrequenz
geringer Signalfrequenz der 3echer (B) so -iimensionier:
ist, daß er zusammen mit der Diode (D) für die Signalfrequenz eine konzentrierte Kapazität darstellt.
3. Halterung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Becher (B) eine konisch ausgedrehte
Auflagefläche (K) für die Diode (D) besitzt
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813138175 DE3138175C2 (de) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | Diodenhalterung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813138175 DE3138175C2 (de) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | Diodenhalterung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3138175A1 DE3138175A1 (de) | 1983-05-05 |
DE3138175C2 true DE3138175C2 (de) | 1984-04-19 |
Family
ID=6142584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813138175 Expired DE3138175C2 (de) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | Diodenhalterung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3138175C2 (de) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3195063A (en) * | 1962-11-21 | 1965-07-13 | Itt | Parametric amplifier with lumped constant turnable resonant loop in idler cavity |
US3229215A (en) * | 1962-12-11 | 1966-01-11 | Hazeltine Research Inc | Parametric amplifier with pump feed across capacitive gap |
GB1092214A (en) * | 1965-01-13 | 1967-11-22 | Bradley Ltd G & E | Improvements in parametric amplifiers incorporating varactor diodes |
US3443244A (en) * | 1967-08-23 | 1969-05-06 | Varian Associates | Coaxial resonator structure for solid-state negative resistance devices |
DE2135612A1 (de) * | 1971-07-16 | 1973-01-25 | Licentia Gmbh | Parametrischer verstaerker mit einer kapazitaetsdiode |
US3718866A (en) * | 1972-03-22 | 1973-02-27 | Us Navy | Non-degenerative parametric amplifier |
-
1981
- 1981-09-25 DE DE19813138175 patent/DE3138175C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3138175A1 (de) | 1983-05-05 |
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D2 | Grant after examination | ||
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