DE3114309C2 - Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen

Info

Publication number
DE3114309C2
DE3114309C2 DE3114309A DE3114309A DE3114309C2 DE 3114309 C2 DE3114309 C2 DE 3114309C2 DE 3114309 A DE3114309 A DE 3114309A DE 3114309 A DE3114309 A DE 3114309A DE 3114309 C2 DE3114309 C2 DE 3114309C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
etching
semiconductor
solution
spray
etching process
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3114309A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3114309A1 (de
Inventor
Johann Dipl.-Ing. 7100 Heilbronn Ziegler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH
Telefunken Electronic GmbH
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH, Telefunken Electronic GmbH, Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Telefunken Electronic 7100 Heilbronn GmbH
Priority to DE3114309A priority Critical patent/DE3114309C2/de
Publication of DE3114309A1 publication Critical patent/DE3114309A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3114309C2 publication Critical patent/DE3114309C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/465—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H01L31/02966—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe including ternary compounds, e.g. HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H01L31/1832—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von HgCdTe, PbSnTe oder InSb. Das bisher übliche chemomechanische Ätzverfahren wird durch ein Sprühätzverfahren ersetzt.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen aus Quecksilber-Cadmium-Tellurid, Blei-Zinn-Tellurid oder Indium-Antimonid durch abschließendes Sprühätzen der Halbleiterkörper unter Vermeidung gleichzeitiger mechanischer Beanspruchung.
Für Infrarotlicht hochempfindliche Detektorzellen bestehen aus Photowiderständen oder Photodioden auf der Basis von HgCdTe-, PbSnTe- oder InSb-Halbleitermaterial. Die Halbleiterkörper aus den genannten Materialien müssen im Verlauf der Fertigung in der Regel mehreren Ätzschritten unterzogen werden, wobei an den Ätzvorgang sehr hohe Anforderungen zu stellen sind. Bisher wurde zum großflächigen Abtragen des Halbleitermaterials üblicherweise ein chemomechanisches Ätzverfahren verwendet, bei dem unter Mitwirkung eines mechanischen Hilfsmittels, z. B. eines Poliertuches, mit einer geeigneten Ätzlösung die erforderliche Materialabtragung stattfindet Dieses Verfahren führt jedoch zur teilweisen Zerstörung der Oberfläche, woraus eine relativ geringe Minoritätsladungsträger-Lebensdauer und Quantenausbeute resultiert, verbunden mit einer niedrigen spektralen Responsivität des Detektorelements.
Das partielle Ätzen, bei dem der Halbleiterkörper in zahlreiche Einzelbereiche unterteilt wurde, erfolgte bisher meist mit Hilfe des Ionenätzverfahrens. Auch dieses Verfahren führt jedoch zu einer gewissen Oberflächenzerstörung.
Auch durch das Eintauchen des maskierten Halbleiterkörpers in eine Ätzlösung werden keine optimalen Ergebnisse erzielt, da in der Folge des ungleichmäßigen Ätzangriffs Strukturen mit bestimmten kleinen Abmessungen und engen Toleranzen nicht mehr verwirklicht werden können.
Aus Wj1VaC ScL TechnoL « 17(5) Sept/Oct 1980 S. tö67—1Ö73 ist ein Verfahren der eingangs genannten Art bekannt, bei dem ein Halbleiterkörper aus HgCdTe zunächst chemisch abgeläppt und dann einen», abschüeßenden Sprühätzen unterworfen wird. Bei der Abtragung dünner Schichten durch Sprühätzen wird jedoch eine zu geringe effektive Minoritätsladungsträger-Lebensdauer erreicht
Aus dem Buch »Semiconductors and Smimetals« von R- K. Willardson, AC Beer, VoL 5 »Infrared Detectors« Academic Press, New York, 1970, S. 244-246 ist bekannt, daß auf einem Träger aufgebrachte Halbleiterkörper aus HgCdTe durch Läppen und Ätzen auf eine Restdicke von 5—20 um gebracht werden.
Aus »Solid State Technology« VoL 19, Nr. 2,1976, S. 1 und aus der DE-AS 1248 169 sind Sprühätzmaschinen zum gleichmäßigen Abtragen bekannt, bei denen das Halbleitermaterial während des Ätzvorgangs rotieren kann. Aus der EP-OS 00 07 668 ist als Halbleitermaterial für Detektoren neben Quecksilbei Cadmium-Tellurid auch Blei-Zinn-Tellurid und Indium-Antimonid bekannt
Aus der US-PS 41 97 633 ist ein Verfahren bekannt
bei dem das vorher chemisch freigeätzte Substrat durch
Sprühätzen in einzelne Detektorelemente aufgeteilt
wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß auf möglichst einfache Weise gleichmäßig dünne Halbleiterbereiche kleiner Dimensionen mit hoher effektiver Minoritätsladungsträger-Lebensdauer hergestellt werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine 50— ΙΟΟμπΊ dicke Halble'terscheibe durch Sprühätzen bis auf eine Restdicke zwischen 7—ΙΟμπι großflächig abgetragen wird, und daß danach Teile der Halbleiteroberfläche mit einer ätzbeständigen Schicht abgedeckt und die zwischen diesen abgedeckten Teilen freiliegenden Halbleiterbereiche vollständig durch einen weiteren Sprühätzprozeß entfernt werden.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist ein großflächiges Abätzen von Detektormaterial mit reproduzierbarer Restdicke bei geringen Dickenschwankungen über die Oberfläche möglich. Beim Strukturätzen können in Folge des senkrecht zur Halbleiteroberfläche
verlaufenden Ätzangriffs geringe, gleichmäßige und dadurch tolerierbare Unterätzungen festgestellt werden.
Eine oder mehrere Halbleiterscheiben werden während des Sprühätzverfahrens vorzugsweise auf einer ro-
3 4
tiarsnden Unterlage befestigt Die Ätzflüssigkeit wird in einer Achse senkrecht zur Oberfläche der Halbleiter-
mit Hilfe eines Inertgasstromes auf die Halbleiterober- scheiben mit einer konstanten Umdrehungszahl, z. B.
fläche aufgestäubt 6000 U/min, rotieren. Die verbrauchte Ätzlösung fließt
Es hat sich gezeigt, daß mit Hilfe des erfindungsgemä- von den Halbleiterscheiben nach außen weg und wird in ßen Verfahrens die spektrale Responsivität Rx der pho- 5 einen Auffangbehälter abgeleitet Bei der genannten
toleitenden Infrarotdetektoren, die das Verhältnis der O.·5 VoL%igen Br^Methanollösung ergeben sich beim
Photospannung JV zur eingestrahlten Strahlungslei- Ätzen von Hg!_xCdxTe bei Raumtemperatur reprodu-
stung zf0 wiedergibt, erheblich gesteigert weiden zierbare Ätzraten von 10 μπι je Minute. Der Ätzprozeß
konnte. Die spektrale Responsivität ist ein direktes Maß wird so lange fortgesetzt, bis gemäß der F i g. 2 die ur-
für die Güte des Detektors. Die Verbesserung der spek- io sprünglich dicke Halbleiterscheibe auf eine Restdicke
tralen Responsivität ist darauf zurückzuführen, daß bei 4a von ca. 10 um abgetragen ist
der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens die Ein Vergleich des Sprühätzverfahrens mit einem cheäußere Quantenausbeute und die effektive Minoritätsla- momechanischen Ätzen ergab beim Sprühätzen eine dungsträger-Lebensdauer aufgrund der verbesserten Verbesserung der effektiven Minoritätsladungsträger-Oberflächen des Halbleitermaterials erheblich gestei- 15 Lebensdauer um den Faktor 4. Die beim Abtragen des gert werden konnten. Halbleitermaterials reproduzierbar erreichten Abwei-
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausge- chungen in der Restdicke des Halbleiterkörpers betru-
staJtungöOll nachstehend anhand eines Ausführungsbei- gen absolut als auch relativ über die gesamte Oberflä-
spieles noch näher erläutert werden. ehe des Haibleiterkörpers ca. ± 1 μπι.
In der Fig. 1 ist im Schnitt eine Halbleiterscheibe 4 20 Die in d«r Fig.2 dargestellte Halbleiteranordnung dargestellt, die beispielsweise aus einkristallinem mit einem ca. 10 um dicken Halbleierkörper 4a wird HgogCduiTe besteht Die Halbleiterscheibe 4. ist durch zur Unterteilung der Halbleiterscheibe L· einzelne Bauherkömmliche Methoden, z. B. durch mechanisches elemente mit einer ätzbeständigen Passivierungsschicht Läppen und Polieren auf die Dicke von ca. 50—100 μπι 5 versehen, die beispielsweise aus Fotolack besteht und abgedünnt worden und weist auf ihrer Unterseite eine 25 auf den einzelnen, vom Ätzprozeß auszunehmenden Passivierungsschicht 3 auf. Mit dieser Passivierungs- HalbleLurbereichen auf dem Halbleiterkörper 4a belasschicht wurde der Halbleiterkörper mit Hilfe einer dün- sen wird. Die zwischen diesen geschützten Bereichen nen Klebeschicht 2 auf einen Trägerkörper 1 aufge- liegenden Teile des Halbleiterkorpers werden sodann in klebt Die Rückseite des Haibleiterkörpers wird vor- einem weiteren Sprühätzprozeß in der bereits beschriezugsweise vor dem Passivieren und Aufkleben auf den 30 benen Ätzanlage bis zur Klebeschicht 2 entfernt Die Substratkörper durch chemisches Sprühätzen vorbe- sich dann ergebende Halbleiteranordnung mit den Einhandelt zelhalbleiterbereichen 6a und 66 ist in der F i g. 3 darge-
Die zwischen 50 und 100 μπι dicke Halbleiterscheibe stellt. Durch den überwiegend senkrechten Ätzangriff
4 gemäß der F i g. 1 muß bis auf eine relativ geringe beim partiellen Ätzen wurden seitliche Unterätzungen
Restdicke zwischen ca. 7—20 μπι, vorzugsweise 10 μπι, 35 von maximal nur 5 μπι bei einer Gesamtmaterialdicke
abgeätzt werden. Dies geschieht mit Hilfe der in der von 10 μπι.festgestellt, so daß Strukturen sehr kleiner
F i g. 4 dargestellten Sprühätzanlage. Eine oder mehrere Dimensionen in die Halbleiterscheibe eingeätzt werden Halbleiterscheiben 4, die auf einem Substrat 1 befestigt können.
sind, werden in der Sprühätzanlage auf einem drehba- Neben HgCdTe-Halbleitermaterial eignet sich »ias er-
ren Auflage'sller 10 befestigt Der Auflageteller, an dem 40 findungsgemäße Verfahren auch insbesondere für
die die Halbleiterkörper tragenden Substrate durch An- PbSnTe und InSb. Dabei wird PbSnTe vorzugsweise mit
saugen mittels einer Vakuumpumpe befestigt sind, ist einer Lösung aus KOH, Glycerin, H2O2 und Wasser ge-
innerhalb eines Behälters 7 angeordnet und um seine ätzt, während InSb vorzugsweise mit einer Lösung aus
Achse 9 drehbar gelagert Diese Achse 9, durch die auch HF, H2O2 und H2O geätzt wird. Die Ätziösung für
vorzugsweise die für die Halterung der Substrate erfor- 45 PbSnTe besteht beispielsweise aus If ml H2O, 10 g
derliche Szugluft abgeführt wird, wird über einen Motor KOH, 1 ml Glycerin, 0,5 ml H2O2. In Sb wird vorzugs-
8 angetrieben. Während des Sprühätzverfahrens rotiert weise mit einer Lösung aus 1 ml HF, 1 ml H2O2 und
dieser Auflageteller beispielsweise mit einer Drehzahl 40 ml H2O geätzt
von 6000 U/min.
Ober dem Auflageteßsr ist die Sprühvorrichtung an- 50 Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
geordnet Ein Inertgasstrom, beispielsweise Stickstoff,
durchströmt das Zuführungsrohr 11 und tritt über dem
Auflageteller mit einem Druck von ca. 0,4 bar aus einer
Düsenöffnung aus. Unmittelbar an der Düsenöffnung
für den Stickstoff ist die Düse 13 eines Zuführungsroh- 55
res 12 für die Ätzflüssigkeit angeordnet Die Ätzflüssigkeit 15, die in einem Vorratsbehälter 14 angeordnet ist,
in den das Zuführungsrohr 12 mündet besteht bei einem
Halbleiterkörper aus Hgt-,CdxTe beispielsweise aus einer 0,5 VoL-%igen BrrMethanollösung. Diese Ätzflüs- 60
sigkeit wird durch den im Rohr 12 aufgrund des durch
den an der Düsenöffnung 13 vorbeiströmenden Stickstoffstroms entstehenden Unterdrucks angesaugt und
tritt in Form eines fein verteilten Flüssigkeitsnebels 16
aus der Sprühvorrichtung in den Aufnahmebehälter 7 65
aus. Die Atzlösung wird über die gesamte Oberfläche
der Halbleiterscheiben τι it konstanten Druck gleichmäßig aufgesprüht wobei öle Halbleiterscheiben zugleich

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen aus Quecksilber-Cadmium-Tellurid, Blei-Zinn-Tellurid oder Indium-Antimonid durch abschließendes Sprühätzen der Halbleiterkörper unter Vermeidung gleichzeitiger mechanischer Beanspruchung, dadurch gekennzeichnet, daß eine 50—100 um dicke Halbleiterscheibe (4 ) durch Sprühätzen bis auf eine Restdicke (4a) zwischen 7—20 um großflächig abgetragen wird und daß danach Teile der Halbleiteroberfläche mit einer ätzbeständigen Schicht (5) abgedeckt und die zwischen diesen abgedeckten Teilen freiliegenden Halbleiterbereiche vollständig durch einen weiteren Sprühätzprozeß entfernt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere Halbleiterscheiben (4) während des Sprühätzverfahrens auf einer rotierenden Unterlage (1) befestigt sind und daß jeweils die ÄtzfiOssigkeit (15, ib) mit Krife eines inertgasstromes auf die Halbleiteroberfläche derart aufgestäubt wird, daß sie im wesentlichen senkrecht auftrifft
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Inertgas Stickstoff verwendet wird, der mit einem Druck von ca. 0,4 bar an einer Düsenöffnung (13) derart vorbeiströmt, daß durch den in der Düse (13) entstehenden Unterdruck die Ätzlösung (15,16) aus einem mit der Düse in Verbindung stehenden Vorratsbehälter (14) angesaugt und durch den Stickstoff strom zerstäubt Hrd.
4. Verfahren nach Ansoruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage *1) mit den Halbleiterscheiben (4) während des Ätzvorgangs mit einer konstanten Drehzahl von ca. 6000 U/min rotiert
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen von HgI-Xd1Te eine ca. 0,5 Vol.-%ige BrrMethanol-Lösung verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 —4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen von PbSnTr eine Lösung aus 10 ml H20,10 g KOH, 1 ml Glycerin und 0,5 ml H2O2 verwendet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 —4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Ätzen von InSb eine Lösung aus 1 ml HF, 1 ml H2O2 und 40 ml H2O verwendet wird.
DE3114309A 1981-04-09 1981-04-09 Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen Expired DE3114309C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3114309A DE3114309C2 (de) 1981-04-09 1981-04-09 Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3114309A DE3114309C2 (de) 1981-04-09 1981-04-09 Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3114309A1 DE3114309A1 (de) 1982-10-28
DE3114309C2 true DE3114309C2 (de) 1986-01-02

Family

ID=6129741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3114309A Expired DE3114309C2 (de) 1981-04-09 1981-04-09 Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3114309C2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0288792A1 (de) * 1983-08-31 1988-11-02 Texas Instruments Incorporated Methode zum Erzeugen von Kontaktöffnungen in HgCdTe
FR2579832B1 (fr) * 1985-03-26 1987-11-06 Centre Nat Etd Spatiales Procede d'allegement de cellules solaires et cellules ainsi obtenues
TW263531B (de) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
WO2001034877A1 (en) * 1999-11-10 2001-05-17 Memc Electronic Materials, Inc. Alkaline etching solution and process for etching semiconductor wafers
US6714017B2 (en) * 2000-11-30 2004-03-30 Candescent Technologies Corporation Method and system for infrared detection of electrical short defects

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL239732A (de) * 1958-06-18
US4048535A (en) * 1976-05-04 1977-09-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Lead-tin-telluride photodetector array
US4197633A (en) * 1977-09-01 1980-04-15 Honeywell, Inc. Hybrid mosaic IR/CCD focal plane
GB2027556B (en) * 1978-07-31 1983-01-19 Philips Electronic Associated Manufacturing infra-red detectors

Also Published As

Publication number Publication date
DE3114309A1 (de) 1982-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2160283B2 (de) Verfahren zur Hersellung einer fotoempfindlichen Maskierungsschicht auf einem Halbleitersubstrat
DE68910368T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers.
DE69835469T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines geklebten Substrates
DE10056541B4 (de) Verfahren zum Reinigen von Quarzsubstraten unter Verwendung von leitenden Lösungen
DE3145879C2 (de) Verfahren zur Meniskusbeschichtung eines Gegenstandes
DE2614951C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Zelle
DE60033084T2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung einer Metallschicht auf die Oberfläche einer Keimschicht eines Halbleiterwafers
DE69832567T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von einer Flüssigkeit von der Oberfläche eines rotierenden Substrats
DE68921878T2 (de) Verwendung von bestimmten Mischungen von Ethyllactat und Methylethylketon zur Entfernung unerwünschten Randmaterials (z.B.Randwulsten) von Photolack-beschichteten Substraten.
DE3856135T2 (de) Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens
DE112011102435B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zusammenbonden von zwei Wafern durch Molekularadhäsion
WO1996010463A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum feinstreinigen von oberflächen
DE10019472A1 (de) Reinigungsvorrichtung
DE102012214817B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE102007055284A1 (de) Laserstrahlbearbeitungsanlage
DE3114309C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Infrarot-Detektorelementen
DE69409655T2 (de) Herstellung von mikrolinsen auf festkörper-bildaufnehmer
DE2226237B2 (de) Verfahren zur Behandlung der einen Oberfläche eines plattenförmigen Werkstücks und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE2637754A1 (de) Verfahren zur herstellung einer kathodenstrahlroehre mit einem inneren leitenden ueberzug, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren hergestellte roehre
DE3903699C2 (de)
DE112015001629T5 (de) Sensorelement, Verfahren zum Herstellen eines Sensorelements, Detektionseinrichtung sowie Verfahren zum Herstellen einer Detektionseinrichtung
DE2442694C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines mit einem Elektronenstrahl abzutastenden Ladungsspeicherschirms einer Farbaufnahmeröhre
DE102004063066B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Waferplanierung
EP2635936B1 (de) Anordnung zur herstellung von strukturierten substraten
DE102023205221A1 (de) Verfahren zum Handhaben von Wafern

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH, 6000 FRANKFURT,

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-GMBH, 6000 FRANKFURT,

8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee