DE3028735C2 - Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung - Google Patents
Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur SpeicheradressierungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Halteschaltung zur definierten Polentialfestlepung ve-, Decodergatterausgängen
zur Speicheradressierung.
Halteschaltungen dienen dazu, S'örsignale während
der Speicheroperation der Signale auf den Wort- bzw.
Bitlcitungen auszuschließen. Dies geschieht dadurch, daß die Ausgänge des Wort- bzw. Bitdecoders auf ein
festes Bezugspotential gelegt werden. Dieses Bezugspo- !cntial ist bei ausgewählten Leitungen die Betriebsspannung,
bei nicht ausgewählten das Massepotential (vgl. z. B. DE-AS 23 24 300).
Eine bekannte Halteschaltung, eine sogenannte rückgekoppelte Niederhalteschaltung mit flip-flop-artiger
Struktur ist in Fi g. 1 gezeigt. Sie besteht aus einem Flip-Flop mit zwei Transistoren und einem weiteren
Transistor. Sie wird über einen Schalttransistor S angesteuert und über die ausgewählte Leitung umgeworfen,
was bei langen widerstandsbehafteten Leitungen zu Geschwindigkeitsverlusten bei der Speicheroperation
führt. Wegen der Flip-Flop-Struktur weist sie eine kreuzkoppelnde Leitungsführung auf.
Eine vom Platzaufwand her günstigere Lösung ist in der DE-OS 23 31 442 gezeigt. Bei dieser Halteschaltung
wird ein Quertransistor zwischen Decodergatter und Decoderausgangsleitung benutzt. Diese Lösung bietet
jedoch weniger Sicherheit, da die nicht ausgewählten Leitungen relativ hochohmig (Serienschaltung dreier
Transistoren) an Masse geklemmt werden und die ausgewählten Leitungen bei ungünstigen Flankensteil- ι
heiten des Auswahltaktes nicht den geforderten Pegel erreichen können. Außerdem wird der Quertransistor
am Ende des Speicheraufrufs, wenn der Decoderauswahltakt WA abgeschaltet wird, unwirksam. Die
Leitungen können danach frei »schwimmen«. >
Fine andere Lösung, wie in der DE-OS 24 43 490
gezeigt, benutzt ebenfalls nur einen Haltetransistor pro Decoclcrausgang. Da er jedoch nicht vom Decodergatter
her, sondern durch einen eigenen Takt 53 gesteuert wird, läßt er sich ohne großen Verdrahtungsaufwand auf
engerem Platz als die vorher beschriebene Schaltung unterbringen. Der Ansteuertakt S3 ist für alle
Haltetransistoren und damit sowohl für ausgewählte als auch nicht ausgewählte Decoderausgänge gemeinsam.
Nachteilig bei dieser Lösung wirkt sich aus, daß sowohl die nicht ausgewählten als auch die ausgewählten
Leitungen hochohmig (Ansteuertakt S3 auf niedrigem Potential) während der Speicheroperation an Masse
geklemmt sind. Dies führt dazu, daß im Falle der Nichtauswahl schnelle Störungen nicht abgeblockt im
Falle der Auswahl die Leitungen durch einen Gleichstrom belastet werden (Geschwindigkeit Verlustleistung).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halteschaltung zu schaffen, die bei rascher Schaltgeschwindigkeit
eine niedrige Verlustleistung aufweist
Zur Lösung dieser Aufgabe ist die Halteschaltung derart ausgebildet daß sie aus einem volldynamisch
arbeitenden Inverter für das decodierte Signal und je zwei Haitetransistoren besteht, denen je ein Schaittransistor
zugeordnet ist
Dabei ist es vorteilhaft, daß der Inverter aus einer UND-Verknüpfung besteht der das decodierte Signal
und ein von der Decoderentladung gesteuertes Taktsignal zugeführt wird.
Dieses Signal ist bei heutigen Speicher-Bausteinen in den Peripherieschaltungen immer vorhanden, da es zur
Ansteuerung der Wortauswahlflanke notwendig ist. Der " Inverter besteht aus insgesamt drei Transistoren und
läßt sich bei entsprechender Organisation der Decoder platzsparender als eine rückgekoppelte Niederhalteschaltung
(mit einem Flip-Flop) auslegen. Da der Halteschalter bereits bei Beginn des Wortauswahltaktes
gesetzt ist. tritt nicht wie bei jener ein Geschwindigkeitsverlust auf die Wortleitung ein.
Eine andere Ausführungsform sieht vor. daß die UND-Verknüpfung aus nur einem Transistor besteht,
dessen Torelektrode das decodierte Signal und dessen Senkenelektrode das Taktsignal zugeführt ist.
Dabei kann die UND-Verknüpfung aus nur einem Transistor bestehen, in dessen Torelektrode das
decodierte Signal und dessen Senkenelektrode das Taktsignal zugeführt ist.
Da der Inverter nur aus einem Transistor besteht, läßt sich diese Halteschaltung noch platzsparender auslegen
als die vorhergenannte. Auch bei dieser Halteschaltung wird die Anstiegsflanke des Wortleitungssignales bzw.
des Bitleilungssignales nicht beeinflußt
Die Halteschaltung nach der Erfindung ist insbesondere
auch für den Einsatz in Decodiereinrichtungen besonders vorteilhaft, bei denen jeweils einem Decoder
zwei Halteschaltungen zugeordnet sind, weil durch ihre platzsparende Ausführung die Aufweitung des Zellenfeldrasters
in engen Grenzen gehalten werden kann.
Anhand der Fig. 2 bis 5 wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 2 eine erste Ausführungbfortn der Halteschaltung
nach der Erfindung,
Fig.3 das Taktdiagramm für die Anordnung nach
F i g. 2.
Fig. 4 eine zweite Ausführungsform der Halteschaltung
nach der Erfindung,
Fig. 5 das Taktdiagramm nach einer Anordnung nach F i g. 4.
Eine vereinfachte Halteschaltung ist in F i g. 2 gezeigt.
Dem Decoder 1. dem (n — 1)-Adrcssen zugeführt
sind, ist ein Inverter, der aus zwei Transistoren Tl, TI
besteht, wobei der zweite Transistor 72 über einen dritten Transistor 73 mit dem decodierten Signal
angesteuert wird, nachgeschaltet. Der Inverterausgang führt an die Torelektroden zweier Haltetransistoren H,
deren Quellenelektroden an Masse und deren Senkenelektroden mit den Wortleitungen WL0 und WL]
verbunden sind. Die Quellenelektroden zweier Schalttransistoren 5 sind ebenfalls mit den Wortleitungen
WL0 und WL] verbunden, während an deren Senkenelektroden
die Wonauswahltakte WA0 und WA] geführt
werden, die wiederum von dem noch verbleibenden Adressen-Signal AN bzw. AN gesteuert werden. Das
decodierte Signal wird außerdem über zwei weitere Transistoren T9, TlO an die Torelektroden der
Schalttransistoren 5 geführt. Die vorgeschlagene Halteschaltung 2 besteht somit aus einem volldynamisch
arbeitenden Inverter für das decodierte Signal DECund einem Haltetransistor H pro Schalttransistor S.
Angesteuert wird dieser Inverter mit einem Taktsignal WDK, das aus der abfallenden Flanke der Decoderentladung
gewonnen wird.
Das zugehörige Taktdiagramm ist aus Fig.3 zu
entnehmen. Die strichlierte Linie zeigt den Verlauf bei Adressierung.
Eine weitere Möglichkeit der Ausbildung der Halteschaltung 2 ist in F i g, 4 gezeigt. Sie unterscheidet
sich von der Anordnung nach F i g. 2 lediglich im Aufbau des Inverters, der im vorliegenden Fall aus einer
volldynamisch arbeitenden UND-Verknüpfung zwischen
dem decodierten Signal DEC und einem
komplementären Takt WDR sowie einem Haltetransistor H pro Schalttransistor S besteht Für die richtige
Funktion der Halteschaltung muB die abfallende Flanke des komplementären Taktes WDR von der Decoderentladung
gesteuert werden.
Da der Inverter nur aus einem Transistor besteht, läßt sich diese Haiteschaltung noch platzsparender als die
vorhergehende Schaltung auslegen. Wie bei der vorhergehenden Schaltung wird die Ansttegsflanive des
Wortleitungssignals WL nicht beeinflußt
Der zeitliche Verlauf der einzelnen Takte ist aus dem Taktdiagramm nach Fig.5 zu entnehmen. Dabei stellt
die strichlierte Linie den Verlauf bei vorhandener Adressierung dar.
Die Decoderorganisation nach der Erfindung und die entsprechenden Halteschaltungen sind anhand von
Wortdecodern beschrieben, sie lassen sir'; aber analog und sinngemäß auf Bitdecoder und B'tlcitungen
anwenden. Die Anordnung nach der Erfindung läßt sich bei allen bekannten Technologien, z. B. Al-Gate,
SI2-Gate, V-MOS und dergleichen durchführen.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung,
dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einem volldynamisch arbeitenden Inverter für das decodierte Signal und je zwei
Haltetransistoren (H) besteht, denen je ein Schalttransistor
^zugeordnet ist
2. Halteschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus zwei in Reihe
geschalteten Transistoren (Tl, T2) besteht, von denen die Torelektrode des einen von einem ersten
Takt (PR) und die Torelektrode des anderen über einen dritten Transistor (Td) von einem aus der
abfallenden Flanke des Decodersignals gewonnenen zweiten Taktsignal angesteuert wird.
3. Halteschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus einer UND-Verknüpfumr
besteht, der das decodierte Signal und ein von der Decoderentladung gesteuertes Taktsignal
zugeführt ist
4. Halteschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die UND-Verknüpfung aus nur
einem Transistor besteht dessen Torelektrode das decodierte Signal und dessen Senkenelektrode das
Taktsignal zugeführt ist
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803028735 DE3028735C2 (de) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803028735 DE3028735C2 (de) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3028735A1 DE3028735A1 (de) | 1982-02-25 |
DE3028735C2 true DE3028735C2 (de) | 1983-06-16 |
Family
ID=6108382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19803028735 Expired DE3028735C2 (de) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3028735C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0508652A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-10-14 | Nec Corporation | Halbleiterspeicherschaltung |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2443490A1 (de) * | 1974-09-11 | 1976-03-25 | Siemens Ag | Schalter aus mos-transistoren |
-
1980
- 1980-07-29 DE DE19803028735 patent/DE3028735C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0508652A1 (de) * | 1991-03-26 | 1992-10-14 | Nec Corporation | Halbleiterspeicherschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3028735A1 (de) | 1982-02-25 |
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