DE3028735C2 - Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung - Google Patents

Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung

Info

Publication number
DE3028735C2
DE3028735C2 DE19803028735 DE3028735A DE3028735C2 DE 3028735 C2 DE3028735 C2 DE 3028735C2 DE 19803028735 DE19803028735 DE 19803028735 DE 3028735 A DE3028735 A DE 3028735A DE 3028735 C2 DE3028735 C2 DE 3028735C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
decoder
holding circuit
transistor
inverter
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19803028735
Other languages
English (en)
Other versions
DE3028735A1 (de
Inventor
David Dr. Edwards
Rüdiger Dr.rer.nat. 8000 München Hofmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6108382&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE3028735(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19803028735 priority Critical patent/DE3028735C2/de
Publication of DE3028735A1 publication Critical patent/DE3028735A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3028735C2 publication Critical patent/DE3028735C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/08Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10Decoders

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Halteschaltung zur definierten Polentialfestlepung ve-, Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung.
Halteschaltungen dienen dazu, S'örsignale während der Speicheroperation der Signale auf den Wort- bzw. Bitlcitungen auszuschließen. Dies geschieht dadurch, daß die Ausgänge des Wort- bzw. Bitdecoders auf ein festes Bezugspotential gelegt werden. Dieses Bezugspo- !cntial ist bei ausgewählten Leitungen die Betriebsspannung, bei nicht ausgewählten das Massepotential (vgl. z. B. DE-AS 23 24 300).
Eine bekannte Halteschaltung, eine sogenannte rückgekoppelte Niederhalteschaltung mit flip-flop-artiger Struktur ist in Fi g. 1 gezeigt. Sie besteht aus einem Flip-Flop mit zwei Transistoren und einem weiteren Transistor. Sie wird über einen Schalttransistor S angesteuert und über die ausgewählte Leitung umgeworfen, was bei langen widerstandsbehafteten Leitungen zu Geschwindigkeitsverlusten bei der Speicheroperation führt. Wegen der Flip-Flop-Struktur weist sie eine kreuzkoppelnde Leitungsführung auf.
Eine vom Platzaufwand her günstigere Lösung ist in der DE-OS 23 31 442 gezeigt. Bei dieser Halteschaltung wird ein Quertransistor zwischen Decodergatter und Decoderausgangsleitung benutzt. Diese Lösung bietet jedoch weniger Sicherheit, da die nicht ausgewählten Leitungen relativ hochohmig (Serienschaltung dreier Transistoren) an Masse geklemmt werden und die ausgewählten Leitungen bei ungünstigen Flankensteil- ι heiten des Auswahltaktes nicht den geforderten Pegel erreichen können. Außerdem wird der Quertransistor am Ende des Speicheraufrufs, wenn der Decoderauswahltakt WA abgeschaltet wird, unwirksam. Die Leitungen können danach frei »schwimmen«. >
Fine andere Lösung, wie in der DE-OS 24 43 490 gezeigt, benutzt ebenfalls nur einen Haltetransistor pro Decoclcrausgang. Da er jedoch nicht vom Decodergatter her, sondern durch einen eigenen Takt 53 gesteuert wird, läßt er sich ohne großen Verdrahtungsaufwand auf engerem Platz als die vorher beschriebene Schaltung unterbringen. Der Ansteuertakt S3 ist für alle Haltetransistoren und damit sowohl für ausgewählte als auch nicht ausgewählte Decoderausgänge gemeinsam. Nachteilig bei dieser Lösung wirkt sich aus, daß sowohl die nicht ausgewählten als auch die ausgewählten Leitungen hochohmig (Ansteuertakt S3 auf niedrigem Potential) während der Speicheroperation an Masse geklemmt sind. Dies führt dazu, daß im Falle der Nichtauswahl schnelle Störungen nicht abgeblockt im Falle der Auswahl die Leitungen durch einen Gleichstrom belastet werden (Geschwindigkeit Verlustleistung).
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halteschaltung zu schaffen, die bei rascher Schaltgeschwindigkeit eine niedrige Verlustleistung aufweist
Zur Lösung dieser Aufgabe ist die Halteschaltung derart ausgebildet daß sie aus einem volldynamisch arbeitenden Inverter für das decodierte Signal und je zwei Haitetransistoren besteht, denen je ein Schaittransistor zugeordnet ist
Dabei ist es vorteilhaft, daß der Inverter aus einer UND-Verknüpfung besteht der das decodierte Signal und ein von der Decoderentladung gesteuertes Taktsignal zugeführt wird.
Dieses Signal ist bei heutigen Speicher-Bausteinen in den Peripherieschaltungen immer vorhanden, da es zur Ansteuerung der Wortauswahlflanke notwendig ist. Der " Inverter besteht aus insgesamt drei Transistoren und läßt sich bei entsprechender Organisation der Decoder platzsparender als eine rückgekoppelte Niederhalteschaltung (mit einem Flip-Flop) auslegen. Da der Halteschalter bereits bei Beginn des Wortauswahltaktes gesetzt ist. tritt nicht wie bei jener ein Geschwindigkeitsverlust auf die Wortleitung ein.
Eine andere Ausführungsform sieht vor. daß die UND-Verknüpfung aus nur einem Transistor besteht, dessen Torelektrode das decodierte Signal und dessen Senkenelektrode das Taktsignal zugeführt ist.
Dabei kann die UND-Verknüpfung aus nur einem Transistor bestehen, in dessen Torelektrode das decodierte Signal und dessen Senkenelektrode das Taktsignal zugeführt ist.
Da der Inverter nur aus einem Transistor besteht, läßt sich diese Halteschaltung noch platzsparender auslegen als die vorhergenannte. Auch bei dieser Halteschaltung wird die Anstiegsflanke des Wortleitungssignales bzw. des Bitleilungssignales nicht beeinflußt
Die Halteschaltung nach der Erfindung ist insbesondere auch für den Einsatz in Decodiereinrichtungen besonders vorteilhaft, bei denen jeweils einem Decoder zwei Halteschaltungen zugeordnet sind, weil durch ihre platzsparende Ausführung die Aufweitung des Zellenfeldrasters in engen Grenzen gehalten werden kann.
Anhand der Fig. 2 bis 5 wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 2 eine erste Ausführungbfortn der Halteschaltung nach der Erfindung,
Fig.3 das Taktdiagramm für die Anordnung nach F i g. 2.
Fig. 4 eine zweite Ausführungsform der Halteschaltung nach der Erfindung,
Fig. 5 das Taktdiagramm nach einer Anordnung nach F i g. 4.
Eine vereinfachte Halteschaltung ist in F i g. 2 gezeigt.
Dem Decoder 1. dem (n — 1)-Adrcssen zugeführt
sind, ist ein Inverter, der aus zwei Transistoren Tl, TI besteht, wobei der zweite Transistor 72 über einen dritten Transistor 73 mit dem decodierten Signal angesteuert wird, nachgeschaltet. Der Inverterausgang führt an die Torelektroden zweier Haltetransistoren H, deren Quellenelektroden an Masse und deren Senkenelektroden mit den Wortleitungen WL0 und WL] verbunden sind. Die Quellenelektroden zweier Schalttransistoren 5 sind ebenfalls mit den Wortleitungen WL0 und WL] verbunden, während an deren Senkenelektroden die Wonauswahltakte WA0 und WA] geführt werden, die wiederum von dem noch verbleibenden Adressen-Signal AN bzw. AN gesteuert werden. Das decodierte Signal wird außerdem über zwei weitere Transistoren T9, TlO an die Torelektroden der Schalttransistoren 5 geführt. Die vorgeschlagene Halteschaltung 2 besteht somit aus einem volldynamisch arbeitenden Inverter für das decodierte Signal DECund einem Haltetransistor H pro Schalttransistor S. Angesteuert wird dieser Inverter mit einem Taktsignal WDK, das aus der abfallenden Flanke der Decoderentladung gewonnen wird.
Das zugehörige Taktdiagramm ist aus Fig.3 zu entnehmen. Die strichlierte Linie zeigt den Verlauf bei Adressierung.
Eine weitere Möglichkeit der Ausbildung der Halteschaltung 2 ist in F i g, 4 gezeigt. Sie unterscheidet sich von der Anordnung nach F i g. 2 lediglich im Aufbau des Inverters, der im vorliegenden Fall aus einer volldynamisch arbeitenden UND-Verknüpfung zwischen dem decodierten Signal DEC und einem
komplementären Takt WDR sowie einem Haltetransistor H pro Schalttransistor S besteht Für die richtige Funktion der Halteschaltung muB die abfallende Flanke des komplementären Taktes WDR von der Decoderentladung gesteuert werden.
Da der Inverter nur aus einem Transistor besteht, läßt sich diese Haiteschaltung noch platzsparender als die vorhergehende Schaltung auslegen. Wie bei der vorhergehenden Schaltung wird die Ansttegsflanive des Wortleitungssignals WL nicht beeinflußt
Der zeitliche Verlauf der einzelnen Takte ist aus dem Taktdiagramm nach Fig.5 zu entnehmen. Dabei stellt die strichlierte Linie den Verlauf bei vorhandener Adressierung dar.
Die Decoderorganisation nach der Erfindung und die entsprechenden Halteschaltungen sind anhand von Wortdecodern beschrieben, sie lassen sir'; aber analog und sinngemäß auf Bitdecoder und B'tlcitungen anwenden. Die Anordnung nach der Erfindung läßt sich bei allen bekannten Technologien, z. B. Al-Gate, SI2-Gate, V-MOS und dergleichen durchführen.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus einem volldynamisch arbeitenden Inverter für das decodierte Signal und je zwei Haltetransistoren (H) besteht, denen je ein Schalttransistor ^zugeordnet ist
2. Halteschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus zwei in Reihe geschalteten Transistoren (Tl, T2) besteht, von denen die Torelektrode des einen von einem ersten Takt (PR) und die Torelektrode des anderen über einen dritten Transistor (Td) von einem aus der abfallenden Flanke des Decodersignals gewonnenen zweiten Taktsignal angesteuert wird.
3. Halteschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Inverter aus einer UND-Verknüpfumr besteht, der das decodierte Signal und ein von der Decoderentladung gesteuertes Taktsignal zugeführt ist
4. Halteschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die UND-Verknüpfung aus nur einem Transistor besteht dessen Torelektrode das decodierte Signal und dessen Senkenelektrode das Taktsignal zugeführt ist
DE19803028735 1980-07-29 1980-07-29 Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung Expired DE3028735C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803028735 DE3028735C2 (de) 1980-07-29 1980-07-29 Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803028735 DE3028735C2 (de) 1980-07-29 1980-07-29 Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3028735A1 DE3028735A1 (de) 1982-02-25
DE3028735C2 true DE3028735C2 (de) 1983-06-16

Family

ID=6108382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803028735 Expired DE3028735C2 (de) 1980-07-29 1980-07-29 Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3028735C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0508652A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-14 Nec Corporation Halbleiterspeicherschaltung

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2443490A1 (de) * 1974-09-11 1976-03-25 Siemens Ag Schalter aus mos-transistoren

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0508652A1 (de) * 1991-03-26 1992-10-14 Nec Corporation Halbleiterspeicherschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
DE3028735A1 (de) 1982-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68912617T2 (de) Spannungsseitige MOS-Treiberschaltung.
DE2625007C3 (de) Adressenpufferschaltung für Halbleiterspeicher
DE2635028C2 (de) Auf einem Halbleiterplättchen integriertes Speichersystem
DE2639555C2 (de) Elektrische integrierte Schaltung
DE2708702A1 (de) Selektionstreiberschaltung
DE3618572A1 (de) Halbleiterspeicherelement
DE1959870C3 (de) Kapazitive Speicherschaltung
DE2146905C3 (de) Datenspeicher, insbesondere monolithisch integrierter Halbleiter-Datenspeicher
DE2165445C3 (de) Logikschaltung
DE4117882C2 (de)
DE3042323C2 (de) Schwingkreis
DE2825444C2 (de) Schaltungsanordnung zur Phasenaufspaltung eines Binärsignals
EP0822496A2 (de) Fuse-Refresh-Schaltung
DE3028735C2 (de) Halteschaltung zur definierten Potentialfestlegung von Decodergatterausgängen zur Speicheradressierung
DE3028778C2 (de) Decodiereinrichtung
DE3323284C2 (de) Verzögerungsschaltung
DE2307295C2 (de) Logikschaltung
EP0905892B1 (de) RS-Flip-Flop mit Enable-Eingängen
DE2618760C3 (de) Halbleiter-Speichervorrichtung
DE2840329A1 (de) Adresspuffer fuer einen mos-speicherbaustein
DE2132560C3 (de)
DE2620188C3 (de) Bistabile Multivibratorschaltung
DE3634332C2 (de)
DE2136771C3 (de) Nach dem dynamischen Prinzip arbeitende Schaltungsanordnung aus MOS-Transistoren zur Decodierung der Adressen für einen MOS-Speicher
DE3030347A1 (de) Auffrischungszaehler

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8310 Action for declaration of annulment
8313 Request for invalidation rejected/withdrawn