DE3020251A1

DE3020251A1 - Lichtaussendende halbleitereinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number: DE3020251A1
Application number: DE19803020251
Authority: DE
Inventors: Yukihiro Sasatani
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1979-05-30
Filing date: 1980-05-28
Publication date: 1980-12-04
Also published as: GB2053564A; FR2458149A1; JPS55158691A; FR2458149B1; GB2053564B; DE3020251C2; US4333061A; US4599787A

Description

B e s c h r e i b u η g

Die Erfindung betrifft eine lichtaussendende Halbleitereinrichtung mit streifenförmiger, doppelter Heterostruktur, die Schwingungen in einem einzelnen, seitlichen Modus ausführen kann.

Bei einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung mit streifenförmiger, doppelter Heterostruktur kann eine aktive Schicht Laserschwingungen durchführen, die' zwischen Überzugsschichten angeordnet ist, welche eine kleinere, verbotene Bandbreite und einen kleineren Brechungsindex als die aktive Schicht haben. Bei einer solchen Halbleitereinrichtung kann das ausgesandte Licht zufriedenstellend senkrecht zu der Ebene der aktiven Schicht wegen des Vorhandenseins von Überzugsschichten begrenzt werden. Das heißt, die Halbleitereinrichtung kann in einem einzelnen Nodus betrieben werden. Jedoch gibt es in der lateralen bzw. seitlichen Richtung, das heißt in der Richtung parallel zu der Ebene der aktiven Schicht, keine Struktur, um das Licht zu begrenzen, und deshalb kann der Betrieb in dem seitlichen Modus der Hälbleitereinrichtung nicht vereinheitlicht werden. Im Hinblick darauf ist eine Vielzahl von lichtaussendenden Halbleitereinrichtungen mit verschiedenen Streifenausbildungen auf diesem Gebiet der Technik vorgeschlagen worden, um die Lichtstreuung in der Richtung der Halbleitergrenzschicht zu verhindern und dadurch den Betrieb im seitlichen Modus zu vereinheitlichen.

Fig. 1 bis 3 zeigen Schnittbilder von Beispielen her- . kömmlicher, lichtaussendender Halbleitereinrichtungen mit streifenförmiger, doppelter Heterοstruktur. In diesen Figuren bezeichnet ^O ein Substrat aus η-leitendem GaAs, 11 eine Überzugsschicht aus η-leitendem GaAlAs, 12 eine

030049/0913

aktive Schicht aus p- oder η-leitendem GaAs, 13 eine tiberzugsschicht aus p-leitendem GaAlAs, 14 eine Ohm'sche Kontaktschicht aus p-leitendem GaAs, 15 eine p-seitige Elektrode, 16 eine n-s ei t ige Elektrode, 17 einen ρ Diffusionsbereich, 18 eine Schicht aus p-leitendem GaAlAs und 19 eine Oxidisolationsschicht.

Das in Fig. 1 dargestellte Beispiel ist eine lichtaussendende Halbleitereinrichtung vom sogenannten "oxidbegrenzten/Streifen"-Typ, bei der die p-seitige Elektrode 15 streifenfÖrinig ausgebildet ist. Diese Einrichtung hat eine relativ einfache Struktur. Der Abstand zwischen der aktiven Schicht 12 und der p-seitigen Elektrode 15 beträgt 4 bis 6 lim. Bedauerlicherweise ist es schwierig, wenn die Breite der streifenförmigen Elektrode kleiner als 10 um ist, den. Strom in der aktiven Schicht 12 ausreichend zu konzentrieren, und der Betrieb neigt dazu, instabil zu sein, was ein bedeutender Nachteil des Beispiels gemäß Fig. 1 ist«;; ~

In Fig. 2 ist eine liehtaussendende Halbleitereinrichtung vom sog. "Diffusionsstreifen"-T3rp dargestellt, bei der beispielsweise Zn nahe der Sperrschicht der aktiven Schicht 12 und der UberZugsschicht 11 diffundiert ist, um einen p-leitenden Diffustionsbereich 1? hoher Dichte auszubilden. Diese Halbleitereinrichtung ist der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung im Hinblick auf ihre Värmestrahlungseigenschaften überlegen. Jedoch weist sie den Nachteil auf, daß es schwierig ist, die Diffusionstiefe zu steuern ,und ihre Betriebseigenschaften sind wegen Fehler schlechter bzw. niedriger, die den Kristallstörungen aufgrund der ; Fremädiffusion hoher Dichte zuzuordnen sind. Ferner wird dieDiffusion inder seitlichen Sichtung im wesentlichen über die gleiche Strecke wie die Tiefe der Diffusion durchgeführt, wodtirch es schwierig wird, einen streifenförmigen Diffusionsbereich 17 mit kleiner Breite auszubilden.

030049/0913

Die lichtaussendende Haitieitereinrichtung gemäß Pig» 3 weist eine Struktur von der Art mit einem eingeschlossenen Streifen auf. Bei der Herstellung einer solchen Einrichtung ist kein Diffusionsschritt erforderlich. Jedoch ist diese Einrichtung im Hinblick auf die folgenden Punkte nach- . teilig» Außerhalb einer mehrschichtigen Struktur, welche streifenförmig ist und welche durch Laserätzen hergestellt wurde, wächst die Schicht 18 aus p-leitendem GaAlAs erneut durch Aufwachsen. Es ist somit erforderlich, das Aufwachsen zweimal durchzuführen, währenddessen die Grenzschicht zwischen der aktiven Schicht 12 und der Schicht 18 aus pleitendem GaAlAs der Atmosphäre ausgesetzt ist. Somit besteht die Gefahr, daß die derart ausgesetzte Grenzschicht fehlerhaft wird. Ferner ist es schwierig, eine mehrschichtige Struktur in der. Form eines Streifens mit ausreichend kleiner Breite mittels der Laser-A'tztechnik herzustellen.

Aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt sich ohne weiteres, daß herkömmliche, lichtaussendende Halbleitereinrichtungeii mit streifenförmiger, doppelter HeteroStruktur eine Vielzahl von Nachteilen bezüglich ihrer Struktur und Herstellung aufweisen und häufig keinen zufriedenstellenden Betrieb ermöglichen.

Es ist deshalb eine Zielsetzung der Erfindung, die vorhergehend beschriebenen Schwierigkeiten zu beheben, die bei herkömmlichen, lichtaussendenden Halbleitereinrichtungen mit streifenförmiger, doppelter Heterostruktur auftreten. Eine besondere Zielsetzung der Erfindung besteht darin, eine lichtaussendende Halbleitereinrichtung mit streifenförmiger, doppelter Heterostruktur zu schaffen, bei der eine Schwingung in einem einzelnen seitlichen Modus stabil/ durchgeführt werden kann, um die Lichtaussendüngseigenschaften der Einrichtung zu verbessern. .

Gemäß der Erfindung wird die Erscheinung, daß die Geschwindigkeit der .Epitaxie bzw. des Aufwachsens an einer

030049/0913

konvexen Stelle Null oder negativ wird, so ausgenützt, daß ein Teil einer Strotnsperrschicht zwischen einem Halbleitersubstrat und einer unteren Überzugsschicht durch einen Endbereich, nämlich die obere Kante einer schwellenfÖrmigen Stufe aufgeschnitten oder unterbrochen wird, die an der Hauptoberfläche des Substrats ausgebildet ist, um einen Bruchbereich in der Stromsperrschicht in der Porm eines Streifens auszubilden. Der Strom wird in dem so gebildeten Bruchbereich konzentriert, so daß die Laserschwingung auf einen kleinen Bereich in der aktiven Schicht beschränkt wird.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Pig. 1- Schnittansichten von Beispielen herkömmlicher, bis 5 lichtaussendender Halbleitereinrichtungen mit streifenförmiger, doppelter Heterostruktur, und

Pig. 4 Schnittansichten von Beispielen einer lichtaus- und 5 sendenden Halbleitereinrichtung nach der Erfindung.

Bevorzugte Ausführungsformen nach der Erfindung werden unter Bezugnahme auf die Pig. 4 und 5 näher erläutert.

Pig. 4 zeigt eine Schnittansieht einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung, die nach der Erfindung ausgebildet ist. In Pig. 4 bezeichnet 20 eine Unterlage aus n-leitendem GaAs, 21 eine Stromsperrschicht aus p-leitendem Ga^, Al As, 22 eine Überzugsschicht aus η-leitendem Ga. Al As, 23 eine aktive Schicht aus η-leitendem oder p-leitendem GaAs, 24 eine Überzugsschicht aus p-leitendem Ga„ „Al As,

_■-_-*" I "~X X

25 eine ohmische Kontaktschicht aus p-leitendem GaAs,

030049/0913

26 eine p-seitige Elektrode, 27 eine n-seitige Elektrode, 28 einen treppenförmigen Stufenabschnitt, 29 einen Bruchbereich und 50 einen lichtaussendenden Bereich.

Bei der in 3?ig. 4 dargestellten lichtäussendenden Halbleitereinrichtung ist der treppenförmige Stufenbereich 28 auf der Unterlage 20 aus η-leitendem GaAs in der Form eines sich senkrecht zur Zeichenebehe erstreckenden Streifens ausgebildet. Die Stromsperrschicht 21 aus p-leitendem Ga^__xAl_xAs ist über der gesamten Oberfläche der Unterlage

20 aus η-leitendem GaAs ausgebildet, wobei der Bruchbereich 29 in der Form eines Streifens am Ende des treppenförmigen Stufenbereichs 28 auftritt. Die Überzugsschicht aus η-leitendem Ga,. Al As, die aktive Schicht 23 aus η-leitendem oder p-leitendem GaAs, die Überzugsschicht 24 aus p-leitendem Ga,- Al As und die ohmische Eontakt schicht 25 aus p-leitendem GaAs sind auf der Stromsperrschicht 21 in der angegebenen Reihenfolge ausgebildet. Die p-seitige Elektrode 26 ist auf der Ohm'sehen Kontaktschicht 25 ausgebildet und die n-seitige Elektrode 27 ist auf der anderen Oberfläche der Unterlage 20 ausgebildet. Der treppenförmige Stufenbereich 28 hat vorzugsweise eine Höhe von mehr als 3 pm» Die Dicke der Stromsperrschicht

21 beträgt weniger als ein Viertel der Höhe der Stromsperrschicht 21 an einer Stelle, die mehr als 20 um von der Basis oder dem Rand des treppenförmigen Stufenbereiches 28 entfernt ist. Vorzugsweise haben die untere Überzugsschicht 22, die obere Überzugsschicht 24 und die Ohm'sche Kontaktschicht 25 eine Dicke von 2 bis 3 pm. Die Dicke der aktiven Schicht 23 beträgt vorzugsweise 0,5 bis 1/am. Wenn die verbotene Bandbreite und die Brechungsindizes der unteren Überzugsschicht 22, der aktiven Schicht 23 und der oberen Überzugsschicht 24 mit Eg₂, Eg, bzw. Eg^ und ^N2' ^3· ^zw. N4 bezeichnet werden, dann gilt Eg, -^Eg₂, Eg₃ <Eg₄, und N₃ > N₂,

030049/0913

Wenn positive und negative Spannungen an die p-seitige Elektrode 26 undan die n-seitige Elektrode 2? der so ausgebildeten liehtauseendenden Halbleitereinrichtung angelegt werden, ist die zwischen der Stromsperrschicht ausp-leitendem Ga^_xAl As und der Überzugsschicht 22 aus n-leitendem Ga,. Al As gebildete Sperrschicht entgegengesetzt vorgespannt und deshalb kann Strom insgesamt durch den Bruchbereich 29 fließen. Als Ergebnis hiervon wird der lichtaussendende Bereich auf einen Bereich mit geringer Breite begrenzt, wie es durch das Bezugszeichen JO angegeben ist. Der lichtaussendende Bereich 30 arbeitet in einer zu einer Struktur äquivalenten Weise, bei der ein Bereich senkrecht zur Richtung des Streifens von Überzugs schicht en umgeben ist, von denen eine Jede eine verbotene Bandbreite aufweist, die größer als diejenige der aktiven Schicht ist und deren Brechungsindex kleiner als der der aktiven Schicht ist. Deshalb sind der lichtaussendende Halbleiterstrom und das Licht bei der erfindungsgemäßen Struktur beide begrenzt, mit dem Ergebnis, daß die Einrichtung in einem seitlichen Modus und in einem einzelnen Giundmodus stabil arbeitet.

Im folgenden wird in beispielhafter Weise ein Yerfahren zur Herstellung einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung angegeben, die die vorhergehend beschriebene Struktur aufweist. Zuerst wird die unterlage 20 aus η-leitendem GaAs mit einer Maske geätzt, die an einer Seite der oberen Oberfläche der Unterlage 20 vorgesehen ist, um den treppenförmigen Stufenbereich 21 auszubilden, der sich in der Form eines Streifens in einer Richtung über eine Höhe von ungefähr 3 bis 10 um erstreckt. Als Itzflüssigkeit kann beispielsweise eine Mischiösung aus H^PO^ und HpOp verwandt werden. Die Höhe des Stufenbereiches 28 kann wunschgemäß durch

0 30049/0913

Steuerung der Ä'tzzeit bestimmt werden. Wenn sich die Hauptoberfläche der Unterlage 20 aus η-leitendem GaAs in der (100) Ebene befindet und die Eichtung des Streifens so ausgewählt ist, daß sie in der <O1T> Richtung liegt, dann wird eine Oberfläche in der (111) Ebene ausgesetzt.

Als nächstes wird die Stromsperrschicht 21 aus p-leitendem Ga_x, Al As auf der Unterlage 20 aus η-leitendem GaAs mittels eines Aufwachsverfahrens in der iTiissigkeitsphase so ausgebildet, daß die Dicke der Stromsperrschicht 21 an einer um mehr als 20 um von der Kante des treppenförmigen Stufenbereichs 28 entfernten Stelle kleiner als ein Viertel der Höhe des Stufenbereiches 28 ist. Da die Aufwachsgeschwindigkeit im Bereich von konvexen Teilen Null oder negativ wird, wird an dem treppenförmigen Stufenbereich 28 die Stromsperrschicht 21 nicht ausgebildet, so daß der Bruchbereich 29 gebildet wird, welcher als der Stromkonzentrationsbereich dient.

Unter Verwendung eines flüssigen Aufwachsverfahrens werden die Üb erzugeschieht 22 aus η-leitendem Ga. Al As mit einer Dicke von 2 bis 3 um, die aktive Schicht 23 aus η-leitendem oder p-leitendem GaAs mit einer Dicke von 0,5 bis 1 um, die Überzugsschicht 24- aus p-leitendem Ga,, Al As mit einer Dicke von 2 bis 3 pm und die Ohm'sche Eontaktschicht 25 aus p-leitendem GaAs mit einer Dicke von 2 bis 3 >im in der angegebenen Reihenfolge auf der Oberfläche der Stromsperrschicht 21 ausgebildet. Schließlich werden die p-seitige Elektrode 26 auf der 0hm'sehen Kontaktschicht 25 und die n-seitige Elektrode 27 auf der Unterfläche der Unterlage 20 gebildet. Die Dicke der Überzugsschicht 22 aus η-leitendem Ga,, Al As sollte so ausgewählt sein, daß in ihr kein Bruchbereich auftritt.

030049/0913

Ein besonderes Beispiel einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung, die nach der Erfindung ausgebildet ist, wird nun angegeben. Wenn die Hauptfläche der Unterlage 20 in der (100) Ebene liegt, wird die Höhe des treppenförmigen Stufenbereichs 28 zu 6 um gewählt und die Richtung des Streifens ist-^OI'H=». Der Neigungswinkel des Stufenbereichs beträgt dann ungefähr 55°· Wenn die Dicke der Stromsperrschicht 21 aus p-leitendem Ga,, Al As zu 1,5/Um an einer um mehr als 20 um von der Kante des treppenförmigen Stufenbereichs 28 entfernten Stelle gewählt wird, wird der Bruchbereich 29 der Stromsperrschicht 21 als ein Streifen mit einer Breite von ungefähr 1 nm ausgebildet, während die seitliche Breite des lichtaussendenden Bereiches 30 ungefähr 5 P®- sein wird.

Aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt sich ohne weiteres, daß die Schichten 21 bis 25 der lichtaussendenden Halbleitereinrichtung nach der Erfindung mittels eines kontinuierlichen Aufwachsverfahrens in der Flüssigkeitsphase ausgebildet werden können. Deshalb ist die aktive Schicht 23 niemals der Atmosphäre ausgesetzt. Infolgedessen treten bei der lichtaussendenden Halbleitereinrichtung nach der Erfindung keine Schwierigkeiten auf, die bei einer herkömmlichen Einrichtung mit eingeschlossener Streifenstruktur vorliegen.

Die Erfindung wurde in bezug auf eine lichtaussendende Halbleitereinrichtung mit einer doppelten Heterosperrschicht struktur aus GaAlAs und GaAs beschrieben, wobei es jedoch offensichtlich ist, daß die technische Grundidee der Erfindung auch bei einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung mit einer doppelten Heterosperrschicht-

030049/0913

struktur anderer Verbindungen aus mehreren Elementen angewandt; werden kann, wie z.B. bei InP und InGaAsP.

Bei dem vorhergehend beschriebenen Beispiel der lichtaus— sendenden Halbleitereinrichtung wurde die p-seitige Elektrode 26 als eine solche beschrieben, welche über der gesamten Fläche der Ohm'sehen Kontaktschicht 25 ausgebildet ist. Jedoch kann eine p-seitige Elektrode 26 in der Form eines sich in Längsrichtung des treppenförmigen Stufenbereiches 28 erstreckenden Streifens vorgesehen sein. In diesem Fall wird die Wirkung der Stromkonzentration in bemerkenswerter V/eise verbessert.

Ein anderes Beispiel einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung ist in Fig. 5 dargestellt, bei der die Teile, welche gerade in bezug auf die Fig. 4 beschrieben worden sind, in gleicher Weise bezeichnet sind. Bei diesem Beispiel sind die Epitaxie-Schichten bzw. Aufwachs-Schichten 21 bis 25 an einer Stelle, die mehr als 5 #m von dem Ende des treppenförmigen Stufenbereiches 28 entfernt liegt, durch Ätzen oder ein anderes Verfahren entfernt, um die unterlage 20 auezusetzen bzw. freizumachen, und die n-seitige Elektrode 27 ist auf der freien Oberfläche der Unterlage 20 ausgebildet. MLt der so ausgebildeten Struktur können alle Elektroden auf einer Seite der Halbleitereinrichtung ausgebildet werden.

Aus der vorhergehenden Beschreibung ergibt es sich ohne weiteres, daß nach der Erfindung die Stromsperrschicht aus einem unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp als die Halbleiterunterlage besteht und zwischen der unteren Überzugsschicht und der Halbleiterunterlage angeordnet ist, wobei die untere Überzugsschicht vom gleichen Leitfähigkeit styp wie die Unterlage ist. Ein Teil der Stromsperrschicht ist in der Form eines Streifens am Ende

030049/0913

des treppenförmigen Stufenbereiches auf der Hauptoberfläche der Halbleiterunterlage ausgeschnitten, wobei die Tatsache ausgenutzt .-wird, daß die Geschwindigkeit des Aufwaehsens an konvexen Flächen Null oder negativ wird. Somit wird ein Bruchbereich in der Form eines Streifens mit einer kleinen Breite dadurch ausgebildet, daß die Stromsperrschicht mit einer geeigneten Bruchstelle ausgebildet wird, so daß der Strom an"diesem Bruchbereich konzentriert wird, wobei die umgebende PN-Verbindung eine Sperr-Vorspannung liefert. Somit wird der so gebildete lichtaussendende Bereich sehr schmal. Die lichtaussendende Halbleitereinrichtung nach der Erfindung weist eine Struktur auf, die zu einer solchen äquivalent ist, bei der der lichtaussendende Bereich von einer oberen und einer unteren Überzugsschicht mit einer großen, verbotenen Bandbreite und geringem Brechungsindex umgeben ist. Dies bedeutet, daß sowohl der Strom als auch das Licht in vorteilhafter-Weise begrenzt werden. Die Halbleitereinrichtung nach der Erfindung arbeitet sowohl in einem seitlichen Modus als auch in einem einzelnen Grundmodus stabil. ^:

Bei dem Verfahren zur Herstellung einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung nach der Erfindung tritt der bei bisher verwandten Verfahren erforderliche Diffusionsschritt nicht auf und die verschiedenen Halbleiterschichten können in einem fortlaufenden Aufwachsverfahren gebildet werden. Somit ist die aktive Schicht niemals der Atmosphäre ausgesetzt und deshalb werden die Eigenschaften der Einrichtung unveränderbar bzw. stabil aufrechterhalten.

Zusammenfassend ergibt sich, daß durch die Erfindung eine lichtaussendende Halbleitereinrichtung mit einer doppelten Heterosperrsehichtstruktur geschaffen wird, bei der eine Schwingung in einem einzelnen, seitlichen Modus stabil

G30049/0913

erfolgen kann. Ein treppenförmiger Stufenbereich ist streifenförmig auf der Oberfläche einer Unterlage ausgebildet. Eine Stromsperrschicht von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp ist auf der Halbleiterunterlage mit einer Dicke ausgebildet, so daß die Stromsperrschicht längs der oberen Kante des treppenförmigen Stufenbereiches unterbrochen ist, um einen Bruchbereich in ihr auszubilden, welcher als ein Strom— konzentrationsbereich dient. Auf der-Stromsperrschicht und dem Bruchbereich sind eine untere Überzugsschicht, eine aktive Schicht, eine obere Überzugsschicht und eine Ohm'sche Kontaktschicht ausgebildet.

030049/0913

Leers eite

Claims

PATENTANWÄLTE A. GRÜNECKER

DlPL-ING

H. KINKELDEY

Dn-ΐΝα

W. STOCKMAIR

Ο Π Ο Γ] O C 1 DR-INaAoE(CALTECH)

K. SCHUMANN

DR BER NAT. · DCPL-PHYa

P. H. JAKOB

- , . DlPL-ING. "

G. BEZOLD

DR FEBNAT.· DlPL-CHEM.

8 MÜNCHEN

MAXIMILIANSTRASSE

28. Mai 1980 P 15 095-46/He

Sumitomo Electric Industries, Ltd. No. 15, Kitahama 5-chome, Higashi-ku, Osaka-Shi, Osaka, Japan

Lientaussendende Halbleitereinrichtung und Verfahren zu

ihrer Herstellung

Patentansprüche

. Lichtaussendende Halbleitereinrichtung mit streifenförmiger, doppelter Heteroverbindungsstruktur, g e k e η η ζ ei c h η e t durch eine Halbleiterunterlage (20) mit einer ersten Leitfähigkeitsart, an deren Oberflache ein treppenförmiger Stufenbereich (28) in der Form eines Streifens ausgebildet ist, durch eine auf dieser Oberfläche der Halbleiterunterlage (20) ausgebildete Stromsperrschicht (21) einer zweiten Leitfähigkeitsart, wobei die Stromsperrschieht (21) längs eines Kantenbereiches des treppenförmigen Stufenbereiches (28) unterbrochen ist, um in der Stromsperrschicht (21) einen streifenförmigen Bruchbereich (29) auszubilden, wobei der Bruchbereich (29) einen Stromkonzentrationsbereich bildet, durch eine untere tiberzugsschicht (22) mit der ersten Leitfähigkeitsart, durch eine aktive Schicht (23) mit der ersten oder der zweiten Leitfähigkeitsart und durch eine obere Dberzugs-

030049/0913

TELEFON (Ο8Θ) 93 QO 63 TELEX Ο5-9Θ 3BO TELEGRAMME MONAPAT TELEKOPIEtRER

ORIGINAL INSPECTED

schicht (24) mit der zweiten Leitfähigkeitsart, die in der angegebenen Reihenfolge auf der Stromsperrschicht (21) und dem Bruchbereich (29) ausgebildet sind.
2. Lichtaussendende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennz ei chnet, daß die Unterlage (20) η-leitendes GaAs, die Stromsperrschicht (21) p-leitendes Ga,, Al As, die untere Überzugsschicht (22) nleitendes Ga,, Al As, die aktive Schicht (23) GaAs und die obere Überzugsschicht (24) p-leitendes Ga^ Al As umfaßt.
3. Lichtaussendende Halbleiter einrichtung nach Anspruch und/oder 2, dadurch gekennz ei chnet, daß die Höhe des treppenförmigen Stufenbereiches (28) im Bereich von 3 bis 10 um liegt und daß die Dicke der Stromsperrschicht (21) an einer Stelle die mindestens 20 um von der Basis des treppenförmigen Stufenbereiches (28) entfernt ist weniger als ein Viertel der Dicke der Unterlage (20) beträgt.
4. Lichtaussende Halbleitereinrichtung nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Höhe des treppenförmigen Stufenbereiches (28) im Bereich von 3 bis 10 um liegt, daß die Dicke der Stromsperrschicht (21) weniger als ein Viertel der Dicke der Unterlage (20) beträgt, daß die untere Überzugsschicht (22) eine Dicke im Bereich von 2 bis 3 jam aufweist, daß die aktive Schicht (23) eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 1 um und die obere Überzugsschicht (24) eine Dicke im Bereich von 2 bis 3/im an einer Stelle wenigstens 20 um von der Basis des treppenförmigen Stufenbereiches (28) entfernt aufweist.
5. Verfahren zur Herstellung einer lichtaussendenden Halbleitereinrichtung mit streifenförmiger, doppelter

030049/0913

Heterostruktur, dadurch gekennzeichnet , daß auf einer Halbleiterunterlage mit einer ersten Leitfähigkeitsart ein treppenförmiger Stufenbereich ausgebildet wird, der sich in der Form eines Streifens erstreckt, daß eine Stromsperrschicht einer zweiten Leitfähigkeitsart init einer Dicke ausgebildet wird, wobei ein Teil der Stromsperrschicht durch einen Kantenbereich des treppenfÖrmigen Stufenbereiehes unterbrochen wird, um einen Bruchbereich in der Form eines Streifens zu bilden, wobei der Bruchbereich einen Stromkonzentrationsbereich bildetν daß eine untere Überzugsschicht mit der ersten Leitfähigkeitsart auf der Stromsperrschicht und dem Bruchbereich mit einer solchen Dicke erzeugt wird, daß der Bruchbereich vollkommen mit der unteren Überzügsschicht überdeckt ist, daß eine aktive Schicht von der ersten oder der zweiten Leitfähigkeitsart auf der unteren Überzugsschicht ausgebildet wird, und daß eine obere Überzugsschicht mit der zweiten Leitfähigkeitsart auf der aktiven Schicht ausgebildet wird.
6. Verfahren nach !Anspruch 5, dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t, daß die Unterlage η-leitendes GaAs, die Stromsperrschicht p-leitendes Ga_n Al As, die untere Überzügsschicht η-leitendes Ga. Al As, die aktive Schicht GaAs und die obere Überzügsschicht p-leitendes Ga,, Al As umfaßt. ; - --■"■■"■■.
7. Verfahren nach Anspruch 5; oder 6, dadurch g e -

k e η η ze ic h η e t ,daß die Höhe des treppenförmigen Stufenbereiches im Bereich von 3 bis 10 um liegt und daß die Dick:e der Stromsperrschicht weniger als ein Viertel der Höhe der Unterlage an einer Stelle beträgt, die wenigstens 20 um von der Basis des treppenförmigen Stufenbereiches entfernt ist.

03 00Λ9/0913
8. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe des treppenförmigen Stufenbereiches im Bereich von 3 "bis 10 um liegt, daß die Dicke der Stromsperrschicht weniger als ein Viertel der Dicke der Unterlage ist, daß die untere Überzugsschicht eine Dicke im Bereich von 2 bis 3 um aufweist, daß die aktive Schicht eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 1 lim aufweist und daß die obere Überzugsschicht eine Dicke im Bereich von 2 bis 3/im an einer Stelle aufweist, die wenigstens 20 um von der Basis des treppenförmigen Stufenbereiches entfernt ist.
9· Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß die Stromsperrschicht hergestellt wird, indem die Strommsperrschicht durch Epitaxie bzw. Aufwachsen in der Flüssigkeitsphase aufgebracht wird, wobei die Dicke der Stromsperrschicht an einer Stelle, die mehr als 20 um von der Basis des treppenförmigen Stufenbereiches entfernt ist, weniger als ein Viertel der Dicke des Stufenteiles ist.
10. Verfahren nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß eine ohmische Kontaktschicht auf der oberen Überzugsschicht, eine erste Elektrodenschicht auf der ohmischen Kontaktschicht und eine zweite Elektrodenschicht auf der Fläche der Halbleiterunterlage aufgebracht wird, die der Oberfläche gegenüber liegt, auf der die Stromsperrschicht ausgebildet ist.
11. Verfahren nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß eine ohmische Kontaktschicht auf der oberen Überzugsschicht ausgebildet wird, daß eine erste Elektrodenschicht auf der ohmischen Kontaktschicht ausgebildet wird, daß Bereiche der ersten Elektrodenschicht, der Ohm'sehen Kontaktschicht, der oberen Überzugsschicht, der aktiven Schicht, der unteren Überzugsschicht und der Stromsperr-

030049/0913

schicht in einem Streifenmuster'von der Oberfläche der
Unterlage entfernt werden, und daß eine zweite Elektrodenschicht in Berührung mit der Oberfläche der Unterlage in
wenigstens einem Abschnitt des Bereiches ausgebildet wird, von dem die erste Elektrodenschicht, die Ohm'sche Kontaktschicht, die obere; Überzugsschicht, die aktive Schicht,
die untere Überzugsschicht und die Stromsperrschicht entfernt worden waren.

030049/0913