DE3019020A1

DE3019020A1 - Anordnung zur messung von strom, temperatur und/oder spannung in thyristoren

Info

Publication number: DE3019020A1
Application number: DE19803019020
Authority: DE
Inventors: Torgny Brogaardh; Olof Engstoem
Original assignee: ASEA AB
Current assignee: ABB Norden Holding AB
Priority date: 1979-05-31
Filing date: 1980-05-19
Publication date: 1980-12-18
Also published as: FR2458076A1; JPS55162073A; SE7904751L; GB2052054A

Description

ASEA Aktiebolag Vasteras/Schweden

•Anordnung zur Messung von Strom, Temperatur und/oder Spannung

in Thyristoren

Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Messung von Strom, Temperatur und/oder Spannung in Thyristoren.

Die Messung der Spannung an Thyristoren, die auf einem Potential arbeiten, erfordert nach dem Stande der Technik eine kostspielige und komplizierte Elektronik, die auf hohem Potential arbeitet und die Meßwerte auf Erdpotential überträgt. Für die Strommessung sind Strommeßgeräte erforderlich, wie z.B. Stromtransformatoren, die ebenfalls die Meßwerte von hohem Potential auf niedriges Potential überführen müssen. Beispielsweise bei Hochspannungsgleichstromübertragungsanlagen verursachen diese Meßeinrichtungen einen hohen Anteil an den gesamten Anlagekosten.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der genannten Art zu entwickeln, die wesentlich einfacher als die entsprechenden bekannten Anordnungen sind.

Zur Lösung dieser Aufgabe wird eine Anordnung zur Messung von Strom, Temperatur und/oder Spannung in Thyristoren vorgeschla-

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gen, die erfindungsgemäß die im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 genannten Merkmale aufweist.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen' genannt. ~

Durch die Anordnung nach der Erfindung erhält man auf einfache und betriebssichere Weise ein Meßsignal für Strom, Temperatur oder Spannung im Thyristor ohne die eingangs genannten kostspieligen elektronischen Einrichtungen und Strommeßgeräte.

Ein Thyristor ist, wie bekannt, aus einer Anzahl von Halbleiterschichten, P-Basisschicht, N-Basisschicht und P-Emitter- oder Anodenemitterschicht, aufgebaut, und die Anodenendfläche besteht aus einem Anodenkontakt in Form einer Metallschicht. An der anderen Endfläche (der Kathode) sind eine Metallschicht (der Kathodenkontakt) sowie ein Steuerkontakt, ebenfalls in Form einer dünnen Metallschicht, angeordnet.

Wenn der Thyristor leitend ist, werden Elektronen vom Kathodenemitter injiziert, während Löcher vom Anodenemitter injiziert werden. Im Volumen des Thyristors findet eine Rekombination dieser Ladungsträger statt.

Anhand der Figuren soll die Erfindung näher erläutert werden: Es zeigen

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Fig. 1 einen Schnitt durch den Mittelteil eines Hochleistungsthyristors ,

Fig. 2 eine Schaltung gemäß der Erfindung zur Temperaturmessung,

Fig. 3 Spektren für Elektrolumineszenzlicht bzw. das Transmissionsspektrum eines Filters,

Fig. 4 einen Halbleiter, der zwischen Faser und Thyristor angeordnet ist,

Fig. 5 eine Temperaturmeßschaltung gemäß der Erfindung,

Fig. 6 und 7 verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung zur Strom-, Spannungs- und Temperaturmessung.

Wenn sich der Thyristor im gezündeten, d.h. leitendem Zustand befindet, findet eine sehr starke Injektion von Elektronen vom Kathodenemitter 1 und von Löchern vom Anodenemitter 2 in den PNP-Bereich 3-4-5 statt. Im PNP-Bereich 3-4-5 entsteht daher eine sehr hohe Konzentration an Elektronen und Löchern. Dadurch, daß diese Ladungsträger rekombinieren, wird eine Lichtstrahlung (Elektrolumineszenz) erzeugt, deren Intensität ein Maß für den Strom ist, der den Thyristor durchfließt. Diese Lichtstrahlung, die bei der vorliegenden Erfindung ausgenutzt wird, wird von der optischen Faser 6 aufgefangen und zu einer optoelektronischen Empfängereinheit geleitet, welche die Lichtintensität mißt.

Figur 1 zeigt den Kathodenkontakt 36 und den Anodenkontakt 37. Die P-Basisschicht ist mit 3, die N-Basisschicht mit 4 und die

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P-Emitter- oder Anodenemitterschicht mit 5 bezeichnet. Die Lichtfaser 6 ist direkt an der Endfläche des Thyristors 13 in einem:im Käthodenkontakt 36 für die Faser vorgesehenen Loch angeordnet. Es ist aber auch möglich, die lichtleitende Faser über die schmale Seite an den Thyristor anzuschließen, wie dies durch die gestrichelte lichtleitende Faser 6' in Fig. 1 angedeutet ist. - ;

Die Messung der Sperrspannungen geschieht in folgender Weise:

Wenn sich der Thyristor im sperrenden Zustand befindet, liegt die Spannung an den PN-Ubergängen 3-4. In diesen PN-Übergängen entstehen dielektrische Felder mit Feldstärken in der Größenordnung von 10- V/cm. Felder dieser Stärke verursachen Energiezustände nahe den Energiebandkanten im Bandabstand des Halbleiters (Franz-KeldySh-Effekt). Dies hat zur Folge daß die Absorptionskante für Licht mit einer Photonenenergie von ungefähr derselben Große wie der Bandabstand des Halbleiters größer wird. Diese Absorptionsveränderung im Thyristor 13 kann dadurch gemessen werden, daß Licht mit' einer Photonenenergie von h»\_v = 1,1 "—-■._■ ■ ♦ . ... .

eV (Fig. 1) in die 'Faser 6 gesandt wird. Das Licht passiert das PNP-Halhleitersystem 3-4-5 bis zu einer reflektierende Schicht 7, beispielsweise einer Aluminiumschicht, von wo es durch den Thyristor 13 in die Faser 6 zurückgeleitet wird. Die Intensität des in die Faser 6 reflektierten Lichtes ist ein Maß für die Absorption im PNP-System, die ihrerseits ein Maß für die Spannung ist, die an dem sperrenden PN-Übergang liegt.

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Die emittierte Lichtstrahlung vom Thyristor 13 ist somit ein Maß für den Strom, und das reflektierte, teilweise absorbierte Lichtsignal ist ein Maß;" für die Spannung. Wie nachstehend noch beschrieben werden wird* kann auch die Temperatur im Thyristor gemessen werden. :

Sowohl das emittierte liichtspektrum (h '^₁) wie das absorbierte Spektrum (h ""V γ) sind von der Temperatur des Halbleiters abhängig. Es ist daher notwendig, daß der Einfluß von Temperaturänderungen im Halbleiter kompensiert wird. Eine Möglichkeit zur Messung, der Temperatur zeigt Fig. 2. Die optische Faser 6, die das· emittierte Licht einfängt, wenn der Thyristor sich im leitenden Zustand befindet, verzweigt sich über eine Faserverzweigung in zwei Fasern 8, 9. Jede Faser 8 bzw. 9 wirft ihr Licht auf eine zugeordnete Fotodiode 10 bzw. 11. Die Fotodiode 11 ist mit einem Filter 12 versehen? bei der Fotodiode 10 fehlt ein solches Filter. Die von den Fotodioden 10 und 11 abgegebenen elektrischen Signale werden über je einen Verstärker 23 bzw. 24 in die Signale I bzw. I~ verstärkt (Fig. 2). In einem Divisionsglied 22 wird der Quotient aus den Signalen I und I_f gebildet. Dieser Quotient I *" ist ein Maß für die Temperatur.

Figur 3 zeigt einerseits-das optische Spektrum des vom Thyristor ausgesandten Lichtes g (h -V, T) und andererseits das Transmissionsspektrum des Filters 12f (h «"ψ) gezeigt. Wenn die Botodioden 10 und 11 eine spektrale Empfindlichkeitsyerteilung D (h ·>ί) haben, können die Signale I und I_f wie folgt ge-

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schrieben Werden:

I_q =fi> ChV) g (hV , T) d Ch^) ) = G (T) (1)

Xf =J± (hv)-_D XhD) · g (hi) ,T) d" -(H-V)₁=) (2)

Dabei ist d (K>)) das Dif f erential vok (h >ύ ). Gleiehung (2) kann wie folgt geschriel|en werden:

g (M,T) d(hO l=f (h)'(T)). G(T) (.3)

wobei hV¹ eine Photonenenergie innerhalb des Integrationsintervalles ist. Diese Photonenenergie ist eine Funktion der Temperatur T, da das Spektrum g ( h\),T) von T abhängig ist. Dadurch, daß der Quotient I~/I_ gebildet wird, so wie es Figur 2 zeigt, erhält man

Das Signal"X .ist daher ein Maß für die Temperatur im Thyristor

s ■

13. Der Vorteil dieser Temperaturmeömethode besteht darin, daß man ein Maß für die wirkliche Temperatur innerhalb des Thyristormaterials bekommt. 'Der Nachteil besteht darin, daß die Temperatur nur gemessen w:erden kann, wenn der Thyristor gezündet ist. Diese Meßmethode kompensiert auch den Einfluß einer Krümmung in der Faser 6. Die Strommessung kann ebenfalls entsprechend Figur 2 vorgenommen werden. ".-■■■

Eine andere Methode zur Temperaturmessung wird durch die Figuren

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4 und 5 veranschaulicht. Fig. 4 zeigt die geometrischen Verhältnisse im Temperaturmeßpunkt. Ein Halbleiterkristall 14 oder ein anderer Körper aus temperaturempfindlichem Material (ein Material mit temperaturabhängigem Absorptionsspektrum) wird zwischen der Faser 6 und dem Thyristorkörper 13 angeordnet. Der Halbleiter 14 hat einen Bandabstand, der größer ist als. der Bandabstand des Halbleitermaterials aus dem der Thyristor aufgebaut ist. Das normale. Thyristormaterial ist Silizium mit dem Band-V^, abstand 1,1 eV, so daß für den Halbleiter 14 zweckmäßigerweise Galliumarsenid gewählt werden kann, das einen Bandabstand von 1,4 eV hat. Aufgrund der unterschiedlichen Bandabstände wird das vom Thyristor 13 emittierte Licht mit der Photonenenergie h *"0t vollständig durch den Halbleiter 14 transmittiert. Die Oberfläche 15 des Halbleiters 14 wird mit Interferenzfiltern reflexbehandelt, so daß Photone mit der Energie h ·Ν>_Τ nahe der Bandabstansenergie des Halbleiters 14 reflektiert werden, während Photone mit der Energie h «\J~. vollständig transmittiert werden. Die Absorption dieses Lichtes im Halbleiter 14 beruht auf der Temperatur, da der--Bandabstand des Halbleiters 14 temperaturabhängig ist. Das reflektierte Licht mit der Photonenenergie, h * ^) m wird dann auf gleiche Weise wie bei der oben erläuterten Art der Temperaturmessung signalbehandelt (siehe Figur 2). Eine entsprechende Schaltung zeigt Fig. 5.

Eine Leuchtdiode 16 emittiert die Photonenenergie h ·>> und das ausgesandte Licht wird mit einer Frequenz f_T moduliert. Das Licht von der Leuchtdiode 16 passiert die Faser 6, wird an der

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Grenzfläche 15 (siehe Figur 4) zwischen dem Halbleiter 14 und dem Thyristor 1.3 reflektiert und zu den Fotodioden 10 und 11 zurückgeleitet, von denen die Diode 11 mit einem Filter 12 versehen ist. Die Signale werden durch Demodulation getrennt. Die weitere Signalbehandlung erfolgt entsprechend wie oben anhand von Figur 2 und 3 beschrieben. Das Signal Iy entspricht dem vom Thyristor emittierten Licht. Der Vorteil dieser Meßmethode besteht darin, daß die Temperatur des Thyristors 13 unabhängig von seinem Ai'bsi'tszüstand gemessen werden kann. Der Nachteil besteht darin, daß die Temperatur an der Oberfläche des Thyristors gemessen wird, die bei schnellen Strom- und Spannungsänderungen die im Inneren des Halbleiterkörpers herrschende Temperatur zeitlich verzögert wiedergibt. Für die Temperaturmessung sind verschiedene Schaltungsmöglichkeiten denkbar.

Zwei Gesamtlösungen nach der Erfindung werden in den Figuren 6 -und 7 gezeigt. In Figur.6 wird die Temperaturabhängigkeit der Meßgrößen durch die Emissionsmethode (Strommessung) kompensiert, die bereits im. Zusammenhang mit Figur 2 beschrieben wurde. Es werden zwei Leuchtdioden 18 und 19 mit verschiedenen Bhotonenenergien (h\S) _R bzw, hniy» ausgedrückt in eV) des emittierten Lichtes verwendet. Ferner wird das Licht Jeder Diode mit einer anderen Frequenz f_R bzw. f_y moduliert. Die Leuchtdiode 18 sendet ein Bezugssignal aus, das am Faserende 17 (siehe die eingerahmte Figur) nahe dem Thyristor reflektiert wird. Das Faserende 17 der Faser 6 ist mit einer reflektierenden Schicht der Interferenzart belegt, die Licht mit der Photonenenergie h · »)_R

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reflektiert. Die Leuchtdiode 19 hat eine Photonenenergie h ·>> „'S" 1,1 eV in der Nähe des Bandabstandes für Silizium. Dieses Licht geht gerade durch den Thyristor und die Schicht 17 hindurch und wird von der anderen Seite des Thyristors reflektiert' (siehe beispielsweise Figur 1). Die Absorption im Thyristor ist ein Maß für die Sperrspannung, die am Thyristor liegt. Wenn der Thyristor gezündet ist, luminesziert er mit der Photonenenergie h ·τ)τ und mit einer Intensität, die ein Maß für den durch den Thyristor fließenden Strom ist. Diese drei optischen Signale mit den Photonenenergieit h *Ό^» h «^^ und h ·>),. (Bezugsgröße, Spannung, Strom) gelangen in die Faser 6 zurück und werden über eine Faserverzweigung in die Faser 22a und zu den Fotodioden 20 und 21 geleitet, von denen die Fotodiode 21 mit einem optischen Filter mit einer Kennlinie gemäß Figur 3 (Filter 12 in Fig. 2) versehen ist. Hinter der Fotodiode 20 erhält man drei elektrische Signale Xy, I_R und Ij ml* den Frequenzen fy, f_R und fp die durch Bandpaßfilterung in Bandpaßfiltern 25 - 27 und Gleichrichtung mit Tiefpaßfilterung in Gliedern 28 - 30 voneinander getrennt werden. Die dabei erhaltenen Glefichstromsignale Ip und Ιγ werden in Divisionsglieder 31 bzw. 32 durch das Bezugssignal I_R dividiert, um eine Krümmung-in der Faser 6 zu kompensieren.

Man erhält dann zwei Signale S₁ (V,T) und S₂ (I, T) die von der Spannung V bzw. dem Ström des Thyristors abhängen, gleichzeitig aber auch von der Temperatur T des Thyristors abhängen. Um die ■ Temperatur zu messen, wird das optische Filter 12 vor der Diode 21 benutzt, wonach das elektrische Ausgangssignal der Diode.21

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tiefpaßgefiltert wird, um nur Signale mit Frequenzen £f~ hindurOhzulassen. Es wird vorausgesetzt, daß die Bedingungen ■f j«f_v und fj«f_R erfüllt sind. Durch Division mit dem gleichgerichteten Stromsignal It im Divisionsglied 34 erhält man ein Signal S, (T), das ein Maß für die Temperatur des Thyristors -,.■entsprechend der obigen Beschreibung zu den Figuren 2 und 3 ist. Die Signale S^, Sp und S, werden über einen Analog-Digitalwandler einem Mikroprozessor 35odereiner anderen elektronischen Rechenanordnung zugeführt, der/die die Spann,ungs-, Strom- und Temperaturwerte berechnet. Nach einer Digital-Analog-Umwandlung erhält man die Signale T, I und T, die· der Spannung, dem Strom und der Temperatur des Thyristors proportional sind.

Figur 7 zeigt eine Schaltungsanordnung", bei der die Temperatur durch Messung der Absorption in einem GaAs-Kristall 14 gemessen wird, der zwischen der Faser 6 und dem¹ Thyristor 13 liegt (siehe die in einem Kreis dargestellte Teilfigur mit der reflektierenden Schicht 15) . Dies bedeutet, daß eiiie weitere Leuchtdiode mit der Photonenenergie h · S> _T und der Frequenz fm vorgesehen werden muß»Ferner muß das Signal hinter der Fotodiode 21 für die Frequenz f_T. im Bandpaßfilter 36 bandpaßgefiltert werden. Das in dieser Weise gewonnene Signal wird im Divisionsglied 37 durch das Bezugssignal Ip dividiert*. Im übrigen entspricht die Arbeitsweise der Schaltung nach Fig. 7 der Arbeitsweise der Schaltung gemäß Fig.6.

Bei der Spannungsmessung können für da* in den Thyristor eingeleitete Signal und das vom Thyristor abgegebene Signal verschiedene

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lichtleitende Fasern verwendet werden, wobei diese auf gegenüberliegenden Seiten des Thyristors angeordnet werden.

Die vorstehend beschriebenen Anordnungen können im Rahmen des offenbarten allgemeinen Erfindungsgedankens in vielfacher Weise variiert werden.

Claims

Patentanwalt und Rechtsanwalt ".,*".,* "..'"..· ■*.."'',.-

Dr-Ihg. Dipl.-Ing. Joachim B ο e cfc-e r β Frankfurt/Main 1 , 17,4.1980

Rathenauplatz2-8 ß/^ £0 808 P

; ■"■-"■" Telefon: (0611)'282355

Telex:4189 066itaxd Q Π 1 Q Π 2 Π

PATENTANSPRÜCHE:

1. Anordnung zur Messung von Strom, Temperatur und/oder Spannung in Thyristoren, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine optische Faser (6) in optischem Kontakt an den Thyristor angeschlossen ist, daß die Faser (6) ein vom Thyristor emittiertes Lichtsignal und/oder ein an und/oder durch den Thyristor gesandtes Lichtsignal überträgt, daß die Faser (6) entweder das im Thyristor bei der Rekombination von Elektronen und Löchern emittierte Licht aufnimmt, welches ein Maß für den den Thyristor durchfließenden Strom und/oder für die Temperatur des Thyristors ist, oder Licht zu dem Thyristor leitet und Licht, das den Thyristor passiert hat, aufnimmt, welches Licht ein Maß für die Spannung am Thyristor und/oder für die Temperatur im Thyristor ist. -.■-.-..-■.

2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Seite des Thyristors, gegenüber der Stelle, an der eine Faser (6) angeschlossen ist, eine reflektierende Schicht (7) vorhanden ist, die aus der Faser (6) kommendes und durch einen dazwischenliegenden Abschnitt des Thyristors hindurchgedrungenes Licht reflektiert.

J5.,Anordnung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Faser (6) für zugeführtes Licht an einer Seite des Thyristors und mindestens eine andere Faser

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an die gegenüberliegende Seite des Thyristors angeschlossen ist, welche letztere das durch den Thyristor hindurchgedrungene Licht fortleitet.

4. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch

daß
gekennzeichnet V~zur Durchführung von Messungen an mehreren Stellen des Thyristors mehrere Fasern (6) an den Thyristor angeschlossen sind.

.5. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Faser (6) an den Abschnitt des Thyristors angeschlossen ist, wo die Stromdichte am größten ist.

6. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Faser (6).parallel zu den Schichtflächen (P-N, N-P) des Thyristors angeschlossen ist.

7. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Faserende und dem Thyristor ein Halbleiter (14) oder ein anderer Körper aus temperaturempfindlichem Material (Material mit temperaturabhängigem Absorptionsspektrum) angeordnet ist.

8. Anordnung nach eineö der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das vom Thyristor über die Faser (6) ausgesandte Lichtsignal mindestens zwei Fotodioden (10,11) zugeführt wird, die unterschiedliche Empfindlichkeitsspektren haben

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und/6d.er mit verschiedenen optischen Filtern versehen sind, oder von denen nur eine mit einem optischen Filter (12) versehen ist, daö die Ausgangssignale der Fotodioden (10, 11) einem Divisionsglied zur Bildung des Quotienten der Ausgangssignale der Fotodioden und/oder einem Berechnungsglied (22) zugeführt werden, dessen Ausgangssignal (I_) von der Temperatur des Thyristors abhängig ist.

9. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß an den Halbleiter (14) oder den Körper aus temperaturempfindlichem Material ein Lichtsignal gesandt wird, das mit einer Frequenz (f_T) moduliert ist, welches Signal an einer Grenzschicht (15) zwischen dem Halbleiter (14) und dem Thyristor reflektiert wird, wobei da,s durch den Halbleiter (14) zurückgeworfene Lichtsignal von der Temperatur des Halbleiters (14) und somit der Temperatur des Thyristors an seiner Berührungsstelle mit dem Halbleiter (14) ■-durch temperaturabhängige.Absorption beim Passieren des Halbleiters (14) abhängig wird.

10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß in die Faser (6) Lichtsignale von zwei Leuchtdioden (18, 19) mit unterschiedlichen Photonenenergien (h «Vn und h ·>? ) einge- " leitet werden, wobei die Dioden (18, 19) entweder mit verschiedenen Frequenzen (f_R, fy) moduliert sind (frequenzraultiplexe Übertragung) oder ihr Licht zu verschiedenen Zeitpunkten abstrahlen (zeitmultiplexe Übertragung).

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11. Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,daß das Faserende am Thyristor (13) mit einer reflektierenden Schicht (17) der Interferenzart belegt ist, die das Lichtsignal von der einen Diode (18) mit ihrer Photonenenergie (h *\)_D)reflektiert, während das Lichtsignal von der anderen Diode (19) mit ihrer Photonenenergie (h *Ny) die reflektierende Schicht (17) und den Thyristor (13) passiert.

12. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Lichtausgangssignal vom Thyristor (13) und der Schicht (17) am Faserende zwei Fotodioden (20, 21) zugeführt wird, von denen der einenein Filter (12) mit einem bestimmten Transmissionsspektrum vorgeschaltet ist, und daß das Ausgangssignal von der Fotodiode (20), der kein Filter vorgeschaltet ist, durch Frequenzoder Zeitdemultiplexieruhg (25 - 27) in drei Signale zerlegt wird, die dem durch den Thyristor gesandten Licht (Iy), dem am Faserende reflektierten Licht (Id) und dem vom Thyristor emmittierten Licht (Ij) entsprechen.

13. Anordnung nach Anspruch 12,. dadurch gekennzeichnet, daß die demultiplexierten Signale zwei Divisionsgliedern (31, 32) zugeführt werden, von denen das eine (31) den Quotienten aus den beiden modulatxonsfrequenzabhängigen Signalen (Iy, I_R) bildet, welcher Quotient (S₁ (V, T)) von der Spannung und Temperatur des Thyristors abhängt,und von denen das andere (32) den Quotienten aus einem der erstgenannten Signale (Ir) und dem betriebsfrequenzabhängigen Signal (Iy) bildet, welcher Quotient

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(S₂(I, T)) yon dem Strom und der Temperatur des Thyristors abhängt, - . '■ ';..._ ^{; :} ■ .

14. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangssignal der mit Filter versehenen Fotodiode (21) nach Bandpaßfilterung und Gleichrichtung (33) einem Divisionsglied (34) zusammen mit dem vorgenannten betriebsfrequenzabhängigen Ausgangssignal (Ij) zugeführt wird, welches den Quotienten aus den beiden Signalen bildet, der ein Maß für die Temperatur (S- (T)) des Thyristors (13) darstellt.

15. Anordnung nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Ende der Faser (6) und dem Thyristor (13) ein Halbleiter oder ein Körper aus einem temperaturempfindlichen l·iterial (14) mit einer reflektierenden Schicht der Interferenz**-^ (15) an der Grenzfläche zum Thyristor (13) angeordnet ist,

16. Anordnung nach den Ansprüchen 12 - 15, dadurch gekennzeich- ,, net, daß die gleichgerichteten Ausgangssignale (S1, S2, S3) einem Computer oder Prozessor oder einem anderen Berechnung nungsglied (35), vorzugsweise nach vorausgehender Analog-Digitalwandlung, zur Berechnung der Strome, Spannungs- und Tempe- · raturwerte zugeführt werden.