DE3013074A1 - Elektrische anordnung, insbesondere oberflaechenwellenresonator - Google Patents

Elektrische anordnung, insbesondere oberflaechenwellenresonator

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DE3013074A1
DE3013074A1 DE19803013074 DE3013074A DE3013074A1 DE 3013074 A1 DE3013074 A1 DE 3013074A1 DE 19803013074 DE19803013074 DE 19803013074 DE 3013074 A DE3013074 A DE 3013074A DE 3013074 A1 DE3013074 A1 DE 3013074A1
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wave propagation
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wave
resonator
reflector
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DE19803013074
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English (en)
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Peter Dr.-Ing. 7913 Senden Schmitt
Wolfgang Dipl.-Phys. 7900 Ulm Waller
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02645Waffle-iron or dot arrays
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

  • Elektrische Anordnung, insbesondere Oberflächenwellen-
  • resonator Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung, wie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebeIl. Sie ist insbesondere für den Einsatz von Oberflächenwellenresonatoren in der Nachrichtentechnik al; schmllbandiges Filter oder als frequenzbestimmendes Element in Oszillatorschaltungen (typischer Frequenzbereich von ca. 30 DlFIz bis 1000 MHz) in integrierten Schaltkreisen gedacht.
  • Oberflächenwellenresonatoren sind in einer Reihe von Literaturstellen beschrieben, z. B. in einem Artikel von De Lamart T. Bell, Jr., Robert C.M. Li in "Proceedings of the IEEE", Vol. 64, Nr. 5, Mai 1976 "Surface-Acoustic-Wave in Resonators" und von R.C.M. Li, J.A. Alusow und R.C. Williamson in "Proceedings 29th manual Frequency Control Symposium, Mai 1978, S. 167 bis 176: "Surface-Wave-Resonators using grooved reflectors".
  • Die bekannten Anordnungen enthalten, wenn sie als Ein-Tor-Schaltungen ausgebildet sind, einen Interdigitalwandler mit einer Reihe von Wandlerfingern, die kammförmig ineinandergreifen. Der Interdigitalwandler reagiert auf eine elektrische A regung mit der Abstrahlung von akustischen Oberflächenwtllen in die beiden entgegengesetzten Richtungen, die senkrecht auf der Längsausdehnung der Finger stehen. In diesen Richtungen sind neben dem Interdigitalwandler Reflektoren angeordnet, welche die Oberflächenwellen zurückwerfen, so daß bei bestimmten Wellenlängen der Oberflächenwellen stehende Wellen entstehen.
  • Die längste Wellenlänge der möglichen stehenden Wellen nennt man Fundamentalmodus.
  • In Fig. 1 ist der prinzipielle Aufbau bekannter Resonatoranordnungen dargestellt mit einem linken Reflektor 1 und einem rechten 2, zwischen denen sich der Wandler 3 mit Anschlüssen A und B befindet. Er besteht vorzugsweise aus kammartig ineinandergreifenden Wandlerfingern 4, deren gegenseitige Abstände und Breiten A/4 betragen, wobei X die Wellenlänge des Fundamentalmodus ist. Die Finger bestehen aus Metall, z. B. Gold bzw. Aluminium mit Cr bzw.
  • Ti als Haftvermittler. Das darunter angeordnete, piezoelektrische Material wird durch eine Wechselfeldanregung über die Anschlüsse A und B piezoelektrisch aktiv, so daß es zu der Abstrahlung akustischer Oberflächenwellen nach links und rechts kommt, wo eine Reflexion jeweils an den Reflektoren 1 und 2 stattfindet. Diese bestehen aus parallel zueinander angeordneten Metallstreifen mit einer Aperturbreite a. Statt der Metallstreifen können auch Gruben vorgesehen sein, die durch Ätzen erzeugt sind. Die einen Reflektor bildenden und parallel zueinander verlaufenden Strukturelemente, beispielsweise Metallstreifen, der Aperturbreite a sind bevorzugt äquidistand (in Fig. 1 muß man sich zwischen den Strukturelementen 5a, 5b, 5c einerseits und 5n andererseits eine weitere, nicht dargestellte Anzahl von Strukturelementen vorstellen; entsprechendes gilt für den Reflektor 2). Durch die Strukturelemente werden beim Einfall einer akustischen, ebenen Welle Reflexionen an den Kanten der Strukturelemente hervorgerufen, die bei der richtigen Frequenz zu einer konstruktiven Interferenz der Vielfachreflexionen führen.
  • Bei einer genügend hohen Anzahl von Strukturelementen (Reflektorfingern) je Reflektor ergibt sich ein Reflexionskoeffizient von nahezu 1.
  • Es hat sich nun gezeigt, daß die Güte eines Oberflächenwellenresonators höher ist, wenn anstelle von Metallstreifen für die Resonatorfinger herausgeätzte Gruben verwendet werden. Diese erfordern jedoch bei der Herstellung einen zusätzlichen Prozeßschritt für das Ätzen.
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, eine elektrische Anordnung, insbesondere einen Oberflächenwellenresonator, in welcher mechanische Wellen von einem Reflektor zurückgeworfen werden, anzugeben, bei welchem die zu einer Beeinträchtigung der Güte führenden Verluste vermindert sind gegenüber bekannten und mit ähnlichem Aufwand herstellbaren Anordnungen.
  • Diese Aufgabe wird durch die Anordnung mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben. Mit Hilfe dieser Erfindung kann ein sehr schmalbandiger, mechanisch arbeitender Ein-?or-Resonator geschaffen werden, weil durch diese Gestaltung der Reflektoren deren Verluste vermindert werden, so daß die Güte steigt. Bei Verwendung des Resonators in einem Oszillator kann die Frequenzkonstanz verbessert werden.
  • Gleichzeitig kann eine Verbesserung der Unterdrückung der Anregung von störenden Schwingungsmoden erreicht werden.
  • Der Erfindung liegen folgende Oberlegungen zugrunde: Es muß versucht werden, in einem akustischen Resonator die vorhandenen Verluste zu verringern. Es ist erkannt worden, daß eine der Ursachen für Verluste in den Reflektoren darin liegt, daß in den Metallstreifen in Längsrichtung Ströme auftreten. Durch die Unterteilung der Struktur elemente (z. B. Metallstreifen) in voneinander isolierte Teilbereiche werden die zu Verlusten führenden Ströme in Längsrichtung der Strukturelemente weitgehend unterbunden. Außerdem werden durch diese Gestaltung vom Fundamentalmodus abweichende Schwingungsmoden unterdrückt.
  • Anhand von Fig. 2 wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung näher erläutert, wobei hier nur ein Teil der Anordnung schematisch dargestellt ist, welcher der rechten Symmetriehälfte der Fig. 1 entspricht, jedoch mit einem nach der Erfindung ausgebildeten Reflektor 2'.
  • Im Gegensatz zu Fig. 1 sind, wie in Fig. 2 sichtbar, die parallel zueinander angeordnete Strukturelemente 6a, 6b, 6c ... 6n als unterbrochene Metallstreifen ausgebildet.
  • Die Unterbrechungen können die durch die piezoelektrischen Eigenschaften des Substrats (LiNb03, SiO2 bzw.
  • andere Materialien) erzeugten Ströme in Längsrichtung der Strukturelemente vermindern. Diese Ströme treten beim Durchlaufen (in x-Richtung) einer Oberflächenwelle durch den Reflektor 2' auf. Man kann also sagen, daß der Verlustwiderstand der Strukturelemente in Richtung der y-Achse zur Verminderung der Verlust ströme erhöht worden ist, während der Nutzleitwert in Richtung der x-Achse unverändert hoch geblieben ist gegenüber bekannten Anordnungen.
  • In Fig. 2 beträgt die Länge eines Teilbereiches 6A, 6B, 6C ... 6N eines Strukturelementes 6: as. Dabei ist as folgendermaßen definiert: a = N as + (N - 1) As.
  • Hierin bedeutet: N: Anzahl der Teilbereiche 6A ... 6N innerhalb eines Strukturelementes 6a ... 6n, a: die Aperturlänge des Reflektors 2' (entsprechend der Wandleraparturlänge), as: Länge eines Teilbereiches 6A ... 6N, As: Lücke bzw. Abstand der Teilbereiche voneinander innerhalb eines Strukturelementes (y-Richtung), b: Breite eines Strukturelemer.tes (c. h. eines unterbrochenen Metallstreifens), 1: Abstände der Metallstreifeii voneinander (x-Richtung).
  • Sind die Längen as der Teilbereiche klein im Vergleich zur Wellenlänge A des Fundamentalmodus, so sind die Eurzschlußströme innerhalb des Reflektors 2' ebenfalls klein.
  • Wenn beispielsweise eine Aperturlänge von a = 50 A gewählt wird, so ergibt sich für As = A/4 und N = 100 eine Teilbereichelänge as von A/4.
  • Ein Reflektor 2 besteht vorzugsweise aus 300 bis 400 Teilbereichen je Strukturelement 6a, wenn das Substrat aus Lithiumniobat (LiNbO3) besteht bzw. aus mehr als 400 Teilbereichen je Strukturelement bei Siliziumdioxyd (Si02). Jeder Teilbereich 6A, 6B ... 6N hat eine Länge und eine Breite von jeweils einer viertel Wellenlänge der akustischen stehenden Welle. Man sieht daraus, daß die Darstellung der Fig. 2 nicht maßstabgerecht ist, sondern nur eine Prinzipdarstellung bildet.
  • Es ist auch möglich die Abmessung a gleich einer halben Wellenlänge beim Fundamentalmodus zu wählen, währenddie Abmessung b und zumindest der Abstand At zwischen benachbarten Strukturelementen 6a, 6b gleich einer Viertelwellenlänge beim Fundamentalmodus bleibt.
  • Durch die Unterbrechung der früher verwendeten Metallstreifen im Reflektor können die Verluste des Reflektors ähnlich gering gehalten werden wie bei Reflektoren mit geätzten Gruben anstelle der Metallstreifen, wobei im Falle der Gestaltung nach der Erfindung nur eine einzige Fotoätzoperation zur Erstellung des ganzen akustischen Oberflächenwellenresonators notwendig ist.
  • Es sei noch darauf aufmerksam gemacht, daß das piezoelektrische Substrat, auf welchem sich die metallischen Strukturelemente befinden, auch ersetzt werden kann durch ein nichtpiezoelektrisches Substrat und einen auf der Oberfläche aufgebrachten piezoelektrischen Film.

Claims (6)

  1. Patentansprüche 1.1Elektrische Anordnung, insbesondere Oberflächenwellenresonator, in der mechanische Wellen von einem Reflektor zurückgeworfen werden, welcher Strukturelemente aufweist, die mehrere elektrisch leitende Teile enthalten und sich jeweils quer zur Wellenausbreitungsrichtung erstrecken, wobei in Wellenausbreitungsrichtung mehrere Strukturelemente in abständen voneinander und elektrisch voneinander isoliert hintereinander angeordnet sind, dadurch aekennzeichnet, daß wenigstens ein Strukturelement (6a, 6b, 6c ... 6n) quer (y-Richtung) zur Wellenausbreitungsrichtung (x-Richtung) in mehrere Teilbereiche (6A, 6B, 6C 6N) unterteilt ist, die elektrisch voneinander isoliert sind.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die quer (y-Richtung) zur Wellenausbreitungsrichtung (x-Richtung) gemessenen Teilbereichslängen (as) wesentlich kleiner sind als die Länge der mechanischen Wellen, welche im Fundaiaentalmodus angeregt werden können.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Teilbereichslängen (as) ungefähr einer halben Wellenlänge des Fundamentalmodus ent sprechen.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Teilbereichslängen (as) ungefähr einer Viertelwellenlänge des Fundamentalmodus entsprechen.
  5. 5. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die quer (y-Ricktung) zur Wellenausbreitungsrichtung (x-Richtung) gemessenen Abstände (#s) benachbarter Teilbereiche (6D ... 6N) ungefähr einer Viertelwellenlänge des Fundamentalmodus entsprechen.
  6. 6. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die in Wellenausbreitungsrichtung Cy-Richtung) gemessenen Abstande (dit) einander benachbarter Strukturelemente (6a ... 6n) ungefähr einer Viertelwellenlunge des Fundamentalmodus entsprechen.
DE19803013074 1980-04-03 1980-04-03 Elektrische anordnung, insbesondere oberflaechenwellenresonator Withdrawn DE3013074A1 (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0257377A2 (de) * 1986-08-29 1988-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenwellen-Resonatorstruktur mit in Teilstücke unterbrochenen Metallisierungsstreifen von Reflektorfingern
DE3731309A1 (de) * 1987-09-17 1989-03-30 Siemens Ag Oberflaechenwellenanordnung mit konversionsstruktur zur vermeidung unerwuenschter reflektierter wellen

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0257377A2 (de) * 1986-08-29 1988-03-02 Siemens Aktiengesellschaft Oberflächenwellen-Resonatorstruktur mit in Teilstücke unterbrochenen Metallisierungsstreifen von Reflektorfingern
EP0257377A3 (en) * 1986-08-29 1989-05-10 Siemens Aktiengesellschaft Berlin Und Munchen Surface wave resonator structure comprising reflective finger metallization strips divided into parts
DE3731309A1 (de) * 1987-09-17 1989-03-30 Siemens Ag Oberflaechenwellenanordnung mit konversionsstruktur zur vermeidung unerwuenschter reflektierter wellen

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