DE3006314C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3006314C2
DE3006314C2 DE19803006314 DE3006314A DE3006314C2 DE 3006314 C2 DE3006314 C2 DE 3006314C2 DE 19803006314 DE19803006314 DE 19803006314 DE 3006314 A DE3006314 A DE 3006314A DE 3006314 C2 DE3006314 C2 DE 3006314C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
soft
guide
hard
breaking device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19803006314
Other languages
English (en)
Other versions
DE3006314A1 (de
Inventor
Dieter Dr. Seipler
Berthold 7410 Reutlingen De Schweikert
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SEIPLER, DIETER GEORG, DR., 7410 REUTLINGEN, DE
Original Assignee
SEIPLER DIETER GEORG DR 7410 REUTLINGEN DE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SEIPLER DIETER GEORG DR 7410 REUTLINGEN DE filed Critical SEIPLER DIETER GEORG DR 7410 REUTLINGEN DE
Priority to DE19803006314 priority Critical patent/DE3006314A1/de
Publication of DE3006314A1 publication Critical patent/DE3006314A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3006314C2 publication Critical patent/DE3006314C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0041Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing the workpiece being brought into contact with a suitably shaped rigid body which remains stationary during breaking
    • B28D5/0047Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing the workpiece being brought into contact with a suitably shaped rigid body which remains stationary during breaking using fluid or gas pressure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0052Means for supporting or holding work during breaking
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/0909Preformed cutting or breaking line
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/30Details of processes not otherwise provided for in H05K2203/01 - H05K2203/17
    • H05K2203/302Bending a rigid substrate; Breaking rigid substrates by bending

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Brecheinrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bei der Massenfertigung von integrierten elektronischen Schaltkrei­ sen, insbesondere Dickschichthybriden, werden üblicherweise gleich­ seitig eine Vielzahl von derartigen Schaltkreisen auf einer großen Substratplatte hergestellt. Die Substratplatte wird dann in einem geeigneten Raster quer- und/oder längsgeritzt, und die einzelnen Dickschichthybride durch Abbrechen von der Substratplatte gewonnen.
Durch die OB-PS 12 97 954 ist eine Brecheinrichtung der eingangs genannten Art bekannt. Darin wird ein Verfahren festgelegt, das Silizium-Halbleiterscheiben durch Einspannung zwischen zwei elasti­ schen Membranen und Ausübung eines Drucks von einer Seite mecha­ nisch so vorbelastet, daß ein Bruch in vorher angeritzten Linien entsteht.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Brecheinrich­ tung der eingangs genannten Art so weiterzubilden, daß auch Dick­ schicht-Hybridschaltungen, die über die planare Anordnung des Schaltkreises hinaus Komponenten mit z. T. empfindlichen Verbindun­ gen enthalten, in vergleichbarer Weise gebrochen werden können. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Mit der Brechein­ richtung gemäß der Erfindung ist ein fortlaufendes und schnelles Abbrechen der einzelnen Hybride aus einer Substratplatte möglich, wobei der Brechvorgang maschinell und automatisiert erfolgen kann. Weiter ist es mit der Brecheinrichtung gemäß der Erfindung möglich, schon mit Halbleiterbauelementen und Kondensatoren sowie anderen Bauelementen versehene Substratplatten ohne weitere Vorkehrungen und ohne Berührung der Oberfläche zu brechen. Vorteilhafte Ausge­ staltungen der Brecheinrichtungen gemäß der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Eine Ausführungsform einer erfindungs­ mäßigen Brecheinrichtung ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Gesamteinsicht einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Brecheinrichtung und
Fig. 2 eine Draufsicht der in Fig. 1 dargestellten Brecheinrich­ tung.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Brecheinrichtung wird eine Unter­ druckkammer 10 verwendet, die mit einer Führung 11 ausgestattet ist, die seitliche Begrenzungen 12, 13 aufweist. Die Führung 11 ist derart dimensioniert, daß in ihr Substratplatten, z. B. übliche Substratplatten von 2×2′′ in Querrichtung, verschieblich bewegbar sind. In der Zeichnung sind drei Großsubstratplatten 14, 15, 16 angedeutet, die durch Längsritzung 17 im dargestellten Ausführungs­ beispiel in drei Längsbereiche unterteilt sind. Im dargestellten Ausführungsbeispiel werden die Substratplatten 14, 15, 16 von links nach rechts in der Führung 11 verschoben. Die Unterdruckkammer 10 weist einen Unterdruckanschluß 19 auf, der mit Öffnungen 20 verbun­ den ist, die einen Teil eines Ansaugfeldes bilden, das in der Füh­ rung 11 angeordnet ist. Das Ansaugfeld besteht aus seitlichen Hart­ gummiauflagen 21 und einer Weichgummiauflage 22, die entsprechend dem von den Längsritzungen 17 gebildeten Raster ausgebildet ist. Befindet sich die Substratplatte 15 über dem Ansaugfeld, bedeutet dies, daß die Platte 15 seitlich durch die Hartgummiauflagen 21 abgestützt ist und sich alle Längsritzungen 17 auf der Weichgummi­ auflage 22 befinden. Wird nun über den Unterdruckanschluß 19 und die Öffnungen 20 ein Unterdruck von der Unterseite auf die Platte 15 ausgeübt, bricht die Platte 15 infolge des darauf lastenden Luftdrucks, evtl. auch noch verstärkt durch einen zusätzlichen externen Druck, an den vorgegebenen Längsritzungen 17. Die Sub­ stratplatte kann nun nach rechts um eine Platte weitergeschoben werden, so daß nunmehr die Platte 14 über dem Ansaugfeld liegt und der Vorgang wiederholt werden kann.
Das aus den Öffnungen 20 der Hartgummiauflage 21 und Weichgummiauf­ lage 22 bestehende Ansaugfeld ist als steckbare Einheit in der Führung 11 ausgebildet, so daß die Unterdruckkammer 10 für ver­ schiedene Rasterungen der Ritzungen der Substratplatten verwendet werden kann.

Claims (3)

1. Brecheinrichtung für durch Quer- und/oder Längsritzungen in Felder aufgeteilte Substratplatten, dadurch gekennzeichnet, daß eine Unterdruckkammer (10) mit einer Führung (11) vorgesehen ist, in der die Substratplatten verschieblich bewegbar sind, daß in der Führung (11) ein Ansaugfeld angeordnet ist, das aus seitlichen harten Auflagen (21), einem den Quer- und/oder Längsritzungen (17) der Substratplatte entsprechenden Muster von weichen Auflagen (22) und in jedem von der weichen Auflage (22) begrenzten Feld angeord­ neten Ansaugöffnungen (20) besteht.
2. Brecheinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die harten Auflagen (21) aus Hartgummi und die weichen Auflagen (22) aus Weichgummi bestehen.
3. Brecheinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Ansaugfeld als austauschbare Steckeinrichtung ausgebildet ist.
DE19803006314 1980-02-20 1980-02-20 Brecheinrichtung Granted DE3006314A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803006314 DE3006314A1 (de) 1980-02-20 1980-02-20 Brecheinrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19803006314 DE3006314A1 (de) 1980-02-20 1980-02-20 Brecheinrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3006314A1 DE3006314A1 (de) 1981-09-03
DE3006314C2 true DE3006314C2 (de) 1990-03-01

Family

ID=6095073

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19803006314 Granted DE3006314A1 (de) 1980-02-20 1980-02-20 Brecheinrichtung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3006314A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10007642A1 (de) * 2000-02-19 2001-11-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Trennen von Substraten im Nutzenformat mit vorgegebenen Sollbruchstellen

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4006070A1 (de) * 1990-02-27 1991-09-12 Braun Ag Verfahren und einrichtung zum zerteilen einer scheibe aus halbleitermaterial
CN103522428A (zh) * 2013-10-16 2014-01-22 内蒙古中环光伏材料有限公司 一种太阳能硅片加工方法及装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1297954A (de) * 1969-05-01 1972-11-29

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10007642A1 (de) * 2000-02-19 2001-11-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Trennen von Substraten im Nutzenformat mit vorgegebenen Sollbruchstellen
DE10007642C2 (de) * 2000-02-19 2002-03-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Trennen von Substraten im Nutzenformat mit vorgegebenen Sollbruchstellen

Also Published As

Publication number Publication date
DE3006314A1 (de) 1981-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2248608C3 (de) Gasentladungsanzeigevorrichtung
DE68909316T2 (de) Vorrichtung zum automatischen Trennen entlang vorherbestimmter Biegebruchlinien in keramischen Grundplättchen von elektronischen Hybridschaltungen.
DE102005030322B4 (de) Waferunterteilungsverfahren
DE2129132A1 (de) Elektrische Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
EP0002516A1 (de) Vakuumkopf für flache, dünne Werkstücke
DE3119239A1 (de) Verfahren zur herstellung eines mehrschicht-halbleiterplaettchen-traegers sowie nach diesem verfahren hergestelltes mehrschicht-keramikgehaeuse
DE2418813A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vielzahl von halbleiterchips
DE2656019C3 (de) Vorrichtung zum Ausrichten und Anlöten von Podesten bzw. Ronden bezüglich der bzw. an den lötfähigen ohmschen Kontakten) von Halbleiterbauelementen
DE102020200724A1 (de) Trägerplattenentfernungsverfahren
DE2101028C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
DE102006045208A1 (de) Verfahren zum Trennen von Paketen von WLP
DE2108300A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Baukérpern aus Porenton
DE3006314C2 (de)
DE102005039479B3 (de) Halbleiterbauteil mit gedünntem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung des gedünnten Halbleiterbauteils
DE10217566A1 (de) Halbleiterbauelement mit integrierter, eine Mehrzahl an Metallisierungsebenen aufweisende Kapazitätsstruktur
DE102005002678A1 (de) Ritzrahmen mit verbesserter Füllroutine
DE2259133C3 (de) Verfahren zum Kontaktieren einer Halbleiteranordnung und Anwendung des Verfahrens
DE2014246C3 (de) Verfahren zum Unterteilen einer Halbleiterplatte in mehrere Halbleiterplättchen
DE2104671A1 (de) Verfahren zum Entfernen von Erhebungen
DE2325351A1 (de) Verfahren zur herstellung von gleichrichtern mit hoher durchbruchsspannung
DE2447653C3 (de) Gedruckte Schaltung
DE8004496U1 (de) Brecheinrichtung
DE3234801C2 (de)
DE1564846C3 (de) Transistor und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von solchen Transistoren
DE102018217272A1 (de) Verfahren zum Sintern von elektrischen Bauteilen auf eine Leiterplatte

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SEIPLER, DIETER GEORG, DR., 7410 REUTLINGEN, DE

8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee