DE29923380U1 - Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik - Google Patents
Solarmodul in integrierter DünnschichttechnikInfo
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
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Description
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Claims (8)
1. Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik nach Patent DE 198 03 326 mit einer Anzahl
auf einem gemeinsamen Substrat hintereinander angeordneter, in Reihe geschalteter Solarzellen
sowie einer Anzahl parallel und benachbart dazu auf demselben Substrat gleichfalls
hintereinander angeordneter, in Reihe geschalteter Dioden (Bypass-Dioden), welche ebenso
wie die Solarzellen aus einer vorderseitigen und einer rückseitigen Elektrodenschicht und einer
dazwischen angeordneten photovoltaisch aktiven Schichtfolge bestehen, mit vorderseitigen und
rückseitigen Elektrodenschichten (2, 4) benachbarter Dioden (21, 22, 23, 24), die nicht
unmittelbar miteinander elektrisch kontaktiert sind, mit Überlappungszonen (10, 20), die
dadurch gebildet sind, daß jeweils ein vorspringender Randbereich einer Elektrodenschicht (2,
4) einer Solarzelle (11, 12, 13, 14) oder Diode (21, 22, 23, 24) in eine Ausnehmung der
entsprechenden Elektrodenschicht (2, 4) der benachbarten Diode bzw.. Solarzelle eingreift und
so die darüber- oder darunterliegende Zone der jeweils anderen Elektrodenschicht (4, 2) dieser
benachbarten Diode bzw. Solarzelle überlappt, jede Diode mit der benachbarten Solarzelle in
mindestens 2 Überlappungszonen (10, 20) in Sperrichtung verschaltet ist, wobei in mindestens
einer dieser Überlappungszonen (10) die vorderseitige Elektrodenschicht (2) der betreffenden
Diode mit der rückseitigen Elektrodenschicht (4) der betreffenden Solarzelle und in mindestens
einer anderen dieser Überlappungszonen (20) die rückseitige Elektrodenschicht (4) dieser
Diode mit der vorderseitigen Elektrodenschicht (2) dieser Solarzelle elektrisch kontaktiert ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die photovoltaisch aktive- Schichtfolge (3) zusätzlich durch
Gräben (25) in den Bereichen der Gräben (7) der rückseitigen Elektrodenschicht (4)
aufgetrennt ist.
2. . Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik nach Patent DE 198 03 326 mit einer Anzahl
auf einem gemeinsamen Substrat hintereinander angeordneter, in Reihe geschalteter Solarzellen
sowie einer Anzahl parallel und benachbart dazu auf demselben Substrat gleichfalls
hintereinander angeordneter; in Reihe geschalteter Dioden (Bypass-Dioden), welche ebenso
wie die Solarzellen aus einer vorderseitigen und einer rückseitigen Elektrodenschicht und einer
dazwischen angeordneten photovoltaisch aktiven Schichtfolge bestehen, mit vorderseitigen und
rückseitigen Elektrodenschichten (2, 4) benachbarter Dioden (21, 22, 23, 24), die nicht
unmittelbar miteinander elektrisch kontaktiert sind, mit Überlappungszonen (10, 20), die
dadurch gebildet sind, daß jeweils ein vorspringender Randbereich einer Elektrodenschicht (2,
4) einer Solarzelle (11, 12, 13, 14) oder Diode (21, 22, 23, 24) in eine Ausnehmung der
entsprechenden Elektrodenschicht (2, 4) der benachbarten Diode bzw. Solarzelle eingreift und
so die darüber- oder darunterliegende Zone der jeweils anderen Elektrodenschicht (4, 2) dieser
benachbarten Diode bzw. Solarzelle überlappt, jede Diode mit der benachbarten Solarzelle in
mindestens 2 Überlappungszonen (10, 20) in Sperrichtung verschaltet ist, wobei in mindestens
einer dieser Überlappungszonen (10) die vorderseitige Elektrodenschicht (2) der betreffenden
Diode mit der rückseitigen Elektrodenschicht (4) der betreffenden Solarzelle und in mindestens
einer anderen dieser Überlappungszonen (20) die rückseitige Elektrodenschicht (4) dieser
Diode mit der vorderseitigen Elektrodenschicht (2) dieser Solarzelle elektrisch kontaktiert ist,
dadurch gekennzeichnet, daß die photovoltaisch aktive Schichtfolge (3) durch Gräben (25) in
den Bereichen der Gräben (5) der vorderseitigen Elektrodenschicht (2) aufgetrennt ist.
3. Solarmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
sowohl die eine als auch die andere der Überlappungszonen (10, 20) einer Diode und der
benachbarten Solarzelle durch vorspringende Randbereiche und Ausnehmungen jeweils der
einander entsprechenden Elektrodenschicht (2, 4) gebildet sind.
4. Solarmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
jeweils die eine der Überlappungszonen (10, 20) durch einen vorspringenden Randbereich und
eine Ausnehmung der vorderseitigen Elektrodenschichten und die andere der
Überlappungszonen (20, 10) durch einen vorspringenden Randbereich und eine Ausnehmung
der rückseitigen Elektrodenschichten der jeweils beteiligten Diode und Solarzeile gebildet sind.
5. Solarmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
jeweils die eine der Überlappungszonen (10, 20) durch einen vorspringenden Randbereich und
eine Ausnehmung der rückseitigen Elektrodenschichten und die andere der Überlappungszonen
(20, 10) durch einen vorspringenden Randbereich und eine Ausnehmung der vorderseitigen
Elektrodenschichten der jeweils beteiligten Diode und Solarzelle gebildet sind.
6. Solarmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
elektrische. Kontaktierung der vorderseitigen mit der rückseitigen Elektrodenschicht: (2, 4) in
den jeweiligen Überlappungszonen (10, 20) durch Öffnungen (b, 9) in der photovoltaisch
aktiven Schichtfolge (3) hindurch erfolgt.
7. Solarmodul nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß für die elektrische
Kontaktierung in die Öffnungen (6, 9) das Material der später abgeschiedenen
Elektrodenschicht (4, 2) auf die Oberfläche der früher abgeschiedenen Elektrodenschicht (2, 4)
herabreicht.
8. Solarmodul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Dioden der benachbarten Solarzellen durch eine lichtundurchlässige Abdeckung vor
Beleuchtung abgeschirmt werden.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE29923380U DE29923380U1 (de) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE29923380U DE29923380U1 (de) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
| DE19937384 | 1999-07-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE29923380U1 true DE29923380U1 (de) | 2000-08-03 |
Family
ID=26054530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE29923380U Expired - Lifetime DE29923380U1 (de) | 1999-07-28 | 1999-07-28 | Solarmodul in integrierter Dünnschichttechnik |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE29923380U1 (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1258925A3 (de) * | 2001-05-17 | 2007-03-21 | Kaneka Corporation | Integriertes photoelektrisches Dünnschicht-Umwandlungsmodul |
| CN110140219A (zh) * | 2016-09-26 | 2019-08-16 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 在部分遮阴下具有改进的效率和使用寿命的用于将光转换成电能的有机构造元件 |
| WO2020127142A1 (de) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Schaltungsanordnung zur stromerzeugung mit serienverschalteten solarzellen mit bypass-dioden |
-
1999
- 1999-07-28 DE DE29923380U patent/DE29923380U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1258925A3 (de) * | 2001-05-17 | 2007-03-21 | Kaneka Corporation | Integriertes photoelektrisches Dünnschicht-Umwandlungsmodul |
| CN110140219A (zh) * | 2016-09-26 | 2019-08-16 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 在部分遮阴下具有改进的效率和使用寿命的用于将光转换成电能的有机构造元件 |
| CN110140219B (zh) * | 2016-09-26 | 2023-11-10 | 赫里亚泰克有限责任公司 | 在部分遮阴下具有改进的效率和使用寿命的用于将光转换成电能的有机构造元件 |
| WO2020127142A1 (de) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Schaltungsanordnung zur stromerzeugung mit serienverschalteten solarzellen mit bypass-dioden |
| DE102018222591A1 (de) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Schaltungsanordnung zur Stromerzeugung mit serienverschalteten Solarzellen mit Bypass-Dioden |
| US11569400B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-01-31 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Circuit configuration for power generation comprising series-connected solar cells having bypass diodes |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R207 | Utility model specification |
Effective date: 20000907 |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SCHOTT SOLAR AG, DE Free format text: FORMER OWNER: ANGEWANDTE SOLARENERGIE - ASE GMBH, 63755 ALZENAU, DE Effective date: 20011204 |
|
| R150 | Term of protection extended to 6 years |
Effective date: 20020801 |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SCHOTT SOLAR AG, DE Free format text: FORMER OWNER: RWE SOLAR GMBH, 63755 ALZENAU, DE Effective date: 20050608 |
|
| R151 | Term of protection extended to 8 years |
Effective date: 20050729 |
|
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SCHOTT SOLAR AG, DE Free format text: FORMER OWNER: RWE SCHOTT SOLAR GMBH, 63755 ALZENAU, DE Effective date: 20060220 |
|
| R152 | Term of protection extended to 10 years |
Effective date: 20070814 |
|
| R071 | Expiry of right | ||
| R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: SCHOTT SOLAR AG, DE Free format text: FORMER OWNER: SCHOTT SOLAR GMBH, 63755 ALZENAU, DE Effective date: 20090805 |