DE2950541A1 - Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung - Google Patents

Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung

Info

Publication number
DE2950541A1
DE2950541A1 DE19792950541 DE2950541A DE2950541A1 DE 2950541 A1 DE2950541 A1 DE 2950541A1 DE 19792950541 DE19792950541 DE 19792950541 DE 2950541 A DE2950541 A DE 2950541A DE 2950541 A1 DE2950541 A1 DE 2950541A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hydrofluoric acid
sio2
before applying
treating
conductive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19792950541
Other languages
English (en)
Inventor
Klaus Dr. 3000 Hannover Junker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19792950541 priority Critical patent/DE2950541A1/de
Publication of DE2950541A1 publication Critical patent/DE2950541A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H01L21/2251—Diffusion into or out of group IV semiconductors
    • H01L21/2252—Diffusion into or out of group IV semiconductors using predeposition of impurities into the semiconductor surface, e.g. from a gaseous phase

Description

  • Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Siliziumplatten
  • bei der Ijaibleiterherstellung Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einem Verfahren nach der Gattung des Hauptanspruchs. Es hat sich herausgestellt, daß infolge des lithografischen Prozesses, also des Fotopro zesses, bei der Planartechnik nach dem Ablösen des Fotolacks die Oberfläche der verwendeten Siliziumplatten offenbar verunreinigt bleibt, so daß bei einer nachfolgenden Leitschichtbelegung in die Fenster, die beim Fotoprozeß geätzt worden sind, gleichzeitig ein Niederschlag auf den Si-Platten rings um die Fenster, also auf dem Oxid der Platten auftritt. Dieser Niederschlag kann sich auf die Ausbeute sehr nachteilig auswirken, denn es hat sich ergeben, daß es beispielsweise bei einer Antimonleitschichtbelegung (Sb-Belegung) zu einem hohen Plattenausfall kommen kann. übliche Reinigungsverfahren der Plattenoberflächen nach dem lithografischen Prozeß sind nicht in der Lage, hier Abhilfe zu schaffen.
  • Vorteile der Erfindung Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat den Vorteil, daß sich die Ausbeute an verwertbaren Elementen erheblich steigern läßt, wenn nach dem eine Oberflächenverunreinigung der Platten bewirkenden lithografischen Prozeß eine Sb-Leitschichtbelegung vorgenommen wird, also eine Antimonbelegung,und dabei verhindert wird, daß sich ein Antimontrioxid-Nie.-derschlag auf den Si-Platten und speziell auf dem Siliziur.loxid der Platten bildet.
  • Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im Ilauptanspruch angegebenen Erfindung möglich. Besonders vorteilhaft ist der nur sehr geringe Abtrag des Siliziumoxids (SiO2) auf der Plattenoberfläche, die die weiteren Vorgänge nicht behindert.
  • Zeichnung Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt, die einen Schnitt durch eine Halbleiterschal tungsanordnung zeigt.
  • Beschreibung der Ausführungsbeispiele In der Zeichnung ist eine Halbleiterplatte, nämlich eine Siliziumplatte 1 dargestellt, die zunächst mit einer Oxidbeschichtung versehen, also oxidiert wird. Anschlie-Bend werden in die gebildete SiO2-Beschichtung Fenster 3 eingeätzt. Soll dann anschließend eine Leitschicht-Belegung mit Antimon durchgeführt werden, um eine n-leitende Schicht zu erhalten, dann hat sich herausgestellt, daß sich um die Fenster herum auf der SiO2-Schicht der Si-Platte 1 ein sehr störender Sb203-Niederschlag ergibt, der zu einem hohen Plattenausfall bei dieser Sb-Belegung führt.
  • Die Erfindung löst dieses Problem dadurch, daß vor der Sb-Belegung eine vergleichsweise sehr dünne Schicht 2a des Siliziumdioxids mit Hilfe von Flußsäure, und zwar vorzugsweise mittels 10 zeiger Flußsäure (HF 10 %) abgetragen wird. Es ist ausreichend, wenn die Dicke dieser abgetragenen SiO2-Schicht bei ca. 400 X abgetragen wird.
  • Es ergibt sich so eine ~saubere" SiO2-Oberfläche und der Sb203-Niederschlag wird verhindert.
  • Die weiteren Bearbeitungsvorgänge können dann so durchgeführt werden, daß zunächst eine Oxidation vorgenommen wird (bei der der Sb203-Niederschlag dann störend wirken wUrde) und anschließend eine epitaktische Abscheidung neuen Siliziums vorgenommen wird, für welche die Oxidschichten entfernt werden. Es ergeben sich dann bei einem solchen Herstellungsvorgang die bekannten vergrabenen, hier n-leitenden Schichten.

Claims (3)

  1. patentanqprüche 1. Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Siliziumplatten bei der Haibleiterherstellung, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der aufgrund eines lithografische Prozesses verunreinigten Si-Platte vor einer Leitschichtbelegung mittels Flußsäure (lIF) gereinigt wird zur Verhinderung eines Leitschici#tniederschlags (Sb2O3-Niederschlag) auf dem Oxid (SiO2) der Plattenoberfläche.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Flußsäurebehandlung eine dünne Oberflächenschicht (ca. 400 #) des gebildeten Oxids (SiO2) abgetragen wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenreinigung mit 10 %iger Flußsäure (HF 10 %) durchgeführt wird.
DE19792950541 1979-12-15 1979-12-15 Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung Withdrawn DE2950541A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792950541 DE2950541A1 (de) 1979-12-15 1979-12-15 Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792950541 DE2950541A1 (de) 1979-12-15 1979-12-15 Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2950541A1 true DE2950541A1 (de) 1981-06-19

Family

ID=6088582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792950541 Withdrawn DE2950541A1 (de) 1979-12-15 1979-12-15 Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2950541A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3713045A1 (de) * 1987-04-16 1988-10-27 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und seitlicher strombegrenzung und laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und seitlicher strombegrenzung
DE3714523A1 (de) * 1987-04-30 1988-11-10 Siemens Ag Laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und seitlicher strombegrenzung und verfahren zu deren herstellung
US5382296A (en) * 1991-02-27 1995-01-17 Okmetic Oy Method for cleaning semiconductor products

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3713045A1 (de) * 1987-04-16 1988-10-27 Siemens Ag Verfahren zur herstellung einer laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und seitlicher strombegrenzung und laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und seitlicher strombegrenzung
DE3714523A1 (de) * 1987-04-30 1988-11-10 Siemens Ag Laserdiode mit vergrabener aktiver schicht und seitlicher strombegrenzung und verfahren zu deren herstellung
US5382296A (en) * 1991-02-27 1995-01-17 Okmetic Oy Method for cleaning semiconductor products

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1614999A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit einer einem vorgegebenen Flaechenmuster entsprechenden dielektrischen Schicht auf der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
DE3203898C2 (de)
DE19520768B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Dünnfilmwiderstand
EP0056845A2 (de) Strukturierung von Metalloxidmasken, insbesondere durch reaktives Ionenstrahlätzen
EP0166893B1 (de) Trockenätzverfahren
DE60104395T2 (de) Verfahren zum Recycling eines Dummy-Wafers aus Silizium
DE2853295C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Speicherplatte für ein Vidikon
EP0045446A1 (de) Verfahren zum Zerteilen eines Halbleiterkristalls in Scheiben
DE1814029B2 (de) Erzeugung einkristalliner und polykristalliner halbleiterbereiche auf einem inkristallinen halbleitersubstrat
DE2950541A1 (de) Verfahren zur oberflaechenbehandlung von jsiliziumplatten bei der halbleiterherstellung
EP0218039B1 (de) Verfahren zur Übertragung feinster Fotolackstrukturen
DE2225366C3 (de) Verfahren zum Entfernen von Vorsprängen an Epitaxie-Schichten
DE2020531C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren
DE1225766B (de) Verfahren zum Herstellen von diffundierten UEbergaengen in Halbleiterkoerpern
DE2944576A1 (de) Verfahren zur herstellung einer lochblende, etwa fuer eine elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung
EP0250611B1 (de) Verfahren zum Entfernen einer strukturierten Maskierungsschicht
DE1916036A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1614569A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer aus Silisiumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
DE1644012B2 (de) Verfahren zum eindiffundieren von dotierungsstoff aus der gasphase in eine lokal mit einer siliciumnitridschicht maskierte halbleiteroberflaeche
DE4310345A1 (de) Verfahren zum Trockenätzen von SiC
DE2226264A1 (de) Zweistufiges Atzverfahren
DE3707130A1 (de) Verfahren zur herstellung von silizium-roentgenmasken
DE1564849C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterkörper
DE19749962C2 (de) Verfahren zur quantitativen Bestimmung der Misfitversetzungsdichte in Silizium-Germanium-Heterobipolartransistor- Schichtstapeln und Ätzlösung dafür
DE2058554C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Chrom-Halbleiterkontakten

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee