DE2942381C2 - - Google Patents

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DE2942381C2
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Shigeru Yokohama Jp Komatsu
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57501656A (https=) * 1980-10-28 1982-09-09
JPS5933860A (ja) * 1982-08-19 1984-02-23 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US4648909A (en) * 1984-11-28 1987-03-10 Fairchild Semiconductor Corporation Fabrication process employing special masks for the manufacture of high speed bipolar analog integrated circuits
JP2645088B2 (ja) * 1988-07-15 1997-08-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH02194533A (ja) * 1989-01-23 1990-08-01 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH06101540B2 (ja) * 1989-05-19 1994-12-12 三洋電機株式会社 半導体集積回路の製造方法
JPH0430516A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Canon Inc 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2020531C2 (de) * 1970-04-27 1982-10-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur Herstellung von Silizium-Höchstfrequenz-Planartransistoren
NL169121C (nl) * 1970-07-10 1982-06-01 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, dat aan een oppervlak is voorzien van een althans ten dele in het halfgeleiderlichaam verzonken, door thermische oxydatie gevormd oxydepatroon.
JPS5538823B2 (https=) * 1971-12-22 1980-10-07
US3986896A (en) * 1974-02-28 1976-10-19 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor devices
US4110125A (en) * 1977-03-03 1978-08-29 International Business Machines Corporation Method for fabricating semiconductor devices

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GB2034519B (en) 1983-02-09
US4272304A (en) 1981-06-09
JPS5558570A (en) 1980-05-01
GB2034519A (en) 1980-06-04
DE2942381A1 (de) 1980-04-30

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