DE286062C - - Google Patents

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DE286062C
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22CFOUNDRY MOULDING
    • B22C21/00Flasks; Accessories therefor
    • B22C21/12Accessories
    • B22C21/14Accessories for reinforcing or securing moulding materials or cores, e.g. gaggers, chaplets, pins, bars

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Paper (AREA)

Description

KAISERLICHES
PATENTAMT.
Die Erfindung betrifft die Ausbildung von Kernstützen, wie sie in Gießereien für Einhaltung der Wandstärken benutzt werden. Der beim Eingießen des flüssigen Metalls auftretende starke Druck sucht die Kerne zu verschieben und drückt hierbei die Platten der Stütze ein oder bewirkt auch unter Schiefstellung des Kernstützenstiftes eine Verschiebung der Platten gegeneinander. In diesem
ίο Falle wird aber die Wandstärke des Gußstückes schwächer, da die Entfernung der Kernstützenplatten voneinander durch die Schrägstellung des Stiftes kleiner geworden ist. Nach der Erfindung soll nun die Kernstütze so ausgebildet werden, daß die Platten bis zu ihren Ecken durch den Steg fest unterstützt sind und der Steg selbst einen so breiten Querschnitt besitzt, daß ein Schiefstellen ausgeschlossen ist. Zur Erreichung dieses Zieles wird als Steg ein Walzprofil benutzt und die Platte dem äußeren Umfang des gewählten Walzprofils angepaßt. In die Platten und Stege werden in bekannter Weise Löcher und Kerben usw. eingeschnitten oder eingestanzt, damit eine innige Verbindung des flüssigen Metalls mit der Kernstütze erreicht wird. Es ist bereits vorgeschlagen, die Platten nach Ausstanzen von Flächen und Ausziehen der stehengebliebenen Stege an den Ecken zu unterstützen, doch ist die Verbindung zwischen den Platten wieder nur durch einen stiftförmigen Steg herzustellen, weshalb ein Verschieben der Platten gegeneinander durch Schrägstellen des Stiftes möglich bleibt.'
In der Zeichnung sind fünf Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes wieder gegeben, und zwar in Seitenansicht und Querschnitt. Die Kernstützen bestehen aus den beiden Stützplatten α und h mit dem dazwischenliegenden Steg c. An diesem Steg wird zu beiden Seiten ein Niet d ausgearbeitet, der durch das zugehörige Loch der Stützplatten hindurchgreift und auf der äußeren Seite vernietet wird. Die Stege können aus beliebigen Walzprofilen hergestellt werden, soweit diese eine genügende Flächenausdehnung besitzen. Nach Fig. 1 ist ein Kreuzeisen, nach Fig. 2 ein Rebpfahleisen, nach Fig. 3 ein T-Eisen, nach Fig. 4 ein Winkeleisen und nach Fig. 5 ein Z-Eisen als Steg benutzt, ohne daß dadurch die Zahl der möglichen Profile schon erschöpft ist. Die Stützplatten sollen sich in ihrer Form möglichst den Profilen anpassen, damit die Ecken der Platten von dem Steg unterstützt werden. Es erhalten so die Platten die Form von Quadraten, gleichseitigen oder rechtwinkligen Dreiecken, oder von Parallelogrammen.
Die Stützplatten und auch die Stege zeigen Durchlochungen f, in welche das flüssige Metall eintreten kann. Bei den Stegen kann auch von Durchlochungen abgesehen werden, wenn etwa nach Fig. 1 und 2 die Stegwände stark eingezogen sind. ί

Claims (1)

  1. 65 Patent-Anspruch:
    Kernstütze mit unterstützten Plattenecken, dadurch gekennzeichnet, daß der Steg aus einem breitflächigen Profileisen die Platten von der Stegachse bis zu den Ecken abstützt.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1117828B (de) * 1958-02-27 1961-11-23 Karl Schmidt Fa Kernstuetze
US6686274B1 (en) * 1998-09-22 2004-02-03 Renesas Technology Corporation Semiconductor device having cobalt silicide film in which diffusion of cobalt atoms is inhibited and its production process

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1117828B (de) * 1958-02-27 1961-11-23 Karl Schmidt Fa Kernstuetze
US6686274B1 (en) * 1998-09-22 2004-02-03 Renesas Technology Corporation Semiconductor device having cobalt silicide film in which diffusion of cobalt atoms is inhibited and its production process
US6960832B2 (en) 1998-09-22 2005-11-01 Renesas Technology Corp. Semiconductor device and its production process

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