DE2854313C2 - Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren - Google Patents
Überlastungsschutzanordnung für SchalttransistorenInfo
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- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
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Description
die ursprungliche Betriebsstellung muß dann die Kippstufe durch ein besonderes Rückstellsignal, das
beispielsweise aus dem Ansteuersignal abgeleitet werden kann, zurückgesetzt werden.
Es ist die Aufgabe der Erfindung bei einer Anordnung der eingangs genannten Art eine selbsttätige Rückführung
in die Ausgangsstellung nach Aufhebung des Überlastfalles zu ermöglichen und gleichzeitig mit
einfachsten Mitteln die Betriebssicherheit zu erhöhen.
Dies wird dadurch erreicht, daß dem Schutztransistor
zusätzlich eine Aufsteuerspannung zugeführt wird, die von dem für den Leistungstransistor maßgebenden
Steuersignal abgeleitet wird und die weiterhin vom Ausgangspotential des Leistungstransistors derartig
abhängig ist, daß sie ausschließlich im kritischen Belastungszustand wirksam wird, und daß die genannten
Aufsteuerspannungen für den Schutztransistor jeweils verzögert zur Wirkung kommen, derart daß der
Schutztransistor im durchgeschalteten Zustand mittelbar oder unmittelbar den Eingangskreis des Leistungstransistors
überbrückt.
Erfindungsgemäß kann die Durchschaltung des Schutztransistors über zwei Steuerkreise zu unterschiedlichen
Zeitpunkten erfolgen. Der zusätzliche Ansteuerkreis läßt sich so bemessen, daß unabhängig
von der an dem Meßwiderstand angekoppelten Überwachungsanordnung die Durchschaltung des
Schutztransistors möglich ist. Damit ist beispielsweise trotz eines Defektes in der den Siromfluß über die
Hauptstromstrecke bewertenden Überwachungseinrichtung ein Schutz des Leistungstransistors sichergestellt.
Durch eine entsprechend gewählte Ansprechempfindlichkeit ist gewährleistet, daß im Überlastfall
zunächst immer die über den Meßwiderstand zu steuernde Schutzfunktion wirksam wird. Dadurch, daß
erfindungsgemäß die zusätzliche Aufsteuerspannung für den Schutztransistor bei einem bestehenden Ansteuersignal
vom Ausgangspotential des Leistungstransistors abhängig gemacht ist, läßt sich eine selbsttätige
Verminderung des die Abschaltung bewirkenden Bezugswertes erreichen. Der Abschaltepunkt des
zusätzlichen Steuerkreises wird herabgesetzt, wenn die Gesamtstromverstärkung einer zu überwachenden
Leistungsstufe unter dem für den Nennbetrieb erforderlichen Wert liegt Dies kann z. B. bei einem Fehler in der
Leistungsendstufe der Fall sein. Sollte infolge eines Defektes die Last ausschließlich am Treibertransistor
der Endstufe anliegen, so wird dieser durch den zusätzlichen Steuerkreis weitergesehul/.t.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird die zusätzliche Aufsteuerspannung vom primären Steuersignal
über eine Entkopplungsdiode mittelbar oder unmittelbar der Steuerelektrode des Schutziransistors
zugeführt. Die Diode ist für die Polarität des primären Steuersignals in Durchlaßrichtung gepolt. An dem
basisfernen Anschluß dieser Entkopplungsdiode wird das Ausgangspotential des Leistungstransistors über
eine weitere Diode zugeführt, wobei diese weitere Diode für das im gesperrten Zustand des Leistungstransistors
vorhandene Ausgangspotential in Sperrichtung bO gepolt ist. Dadurch wirk! :i:·· '.m durchgesteuerten
Zustand des Leistungstransistors wirksam werdende andere Bezugspotential, beispielsweise das Erdpotential,
dem aufgrund des primären Steuersignals am Verbindungspunkt der Entkopplungsdiodcn vorhande- b5
nen Potential entgegen.
Der Grad dieser Gegenwirkung ändert sich mit der Belastung. Bei einem beispielsweise durch einen
Kurzschluß der Last eintretenden Überlastfall wird der Ausgang auf dem gegenüber dem genannten Bezugspotential
negativen Potential der Versorgungsspannung festgehalten da die rückkoppelnde Diode für diese
Polarität in Sperrichtung angeordr.et ist. Es wirkt also in
diesem Grenzfall das Ausgangspotential dem Steuersignal des zusätzlichen Ansteuerkreises nicht mehr
entgegen. Nach der vorgegebenen Verzögerungszeit wird dann durch die Wirkung des zusätzlichen
Steuerkreises die Ansteuerung des Leistungstransistors unterbunden. Die Verzögerung kann durch einen mit
dem basisseitigen Anschlußpunkt des Schutztransistors gekoppelten Kondensator realisiert werden.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird die Aufsteuerspannung, die zunächst unabhängig von dem
zusätzlichen Ansteuerkreis die Durchschaltung des Schutztransistors veranlaßt, durch die Ausgangsspannung
eines als Komparator geschalteten Operationsverstärkers gebildet. Der eine Eingang dieses Operationsverstärkers
wird mit der am Meßwiaerstand abfallenden Spannung und dessen anderer Eingang mit einer
den Grenzwert des Stromes der Hauptstromstrecke des zu schützenden Transistors festlegenden Vergleichsspannung beaufschlagt.
Anhand der Zeichnung wird ein Ausführungsbeispiei der Erfindung näher erläutert. Die beiden Transistoren
Ti und T2 stellen die Endstufe einer Verstärkerschaltung
dar. Diese beiden Transistoren sind nach Art einer Darlington-Schaltung unmittelbar miteinander gekoppelt.
Es wird jedoch als Treibeuransistor ein PN P-Transistor
und als Ausgangsleistungstransistor ein Transistor vom dazu komplementären Typ verwendet. Beim
Einsatz der Verstärkerschaltung in Fernsprechanlagen ist es dadurch möglich, eine gegen die negative
Amtsspannung geschaltete Last unmittelbar zu steuern. wobei der Verstärker ausschließlich mit der negativen
Amtsspannung betrieben werden kann. Beim Einsat/ einer ausschließlich aus npn-Transistortypen bestehenden
Endstufe wäre in dem genannten Anwendungsfall eine zusätzliche, beispielsweise durch einen Umrichter
abgeleitete positive Betriebsspannung für die Verstärkerschaltung erforderlich. Die dargestellte und in
der geschilderten Weise aus den Transistoren Ti und 7~2 gebildete Endstufe wird mit dem Durchschalten des
Transistors TA wirksam angesteuert, da in diesem Fall das negative Potential über den aus den Widerständen
R 7 und RS gebildeten Anpassungsteiler durchgreifen kann. Mit der Durchschaltung des Ausgangsleistungstransistors
T2 wird die unmittelbar an der negativen Amtsspannung anliegende Last L geschaltet. Diese Last
kann ein Relais darstellen, das über entsprechend betätigte Kontakte die gewünschten Folgefunktionen
steuert. Die Ansteuerung der Endstufe soll vorzugsweise impulsmäßig erfolgen. Durch die Zenerdiode ZD 1
wird für den Treibertransistor T1 der Endstufe nur eine
bestimmte Basisvorspannung zugelassen. In Verbindung mit dem in der Hauptstromstrecke des Ausgangsleistungstransistors
TI liegenden Widerstand R 2 wird dadurch eine gewisse, insbesondere für kurzzeitige
Überlastungsspitzen maßgebende Strombegrenzung erreicht. Die gegen Erdpotential geschaltete Zenerdiode
ZD3 dient zum Schutz der Ausgangstransistoren
gegen Spitzen der Abschaltespannung. Diese Diode begienzt in Zenerrichtung die auftretende Abschaltespannung
auf den für die Transistoren zulässigen Wert der Spannung zwischen Kollektor und Emitter und
verhindert andererseits bei der Beanspruchung in Durchlaßrichtung unzulässigen Inversbetrieb der End-
stufe. Dieser könnte durch positive Überschwinger hervorgerufen werden.
Für den Ausgangsleistungstransistor ist ein Schutz gegen Überlastung vorgesehen. Eine Überlastung kann
beispielsweise lann auftreten, wenn der Lastwiderstand
einen bestimn-.ten Wert unterschreitet bzw. im Extremfall
ein Kurzschluß der Last entsteht. In diesen Fällen wurde der Spannungsabfall an der Emitter-Kollektorstrecke
des Transistors ansteigen und einen kritischen Spannungswert überschreiten, der multipliziert mit dem
Wert des Kollektorstromes ein Produkt ergibt, dessen Wert größer ist als der Wert der für den Transistor
maximal zulässigen Verlustleistung. Zum Schutz des Ausgangsleistungstransistors wird der an dem Widerstand
R 2 durch den Laststrom bewirkte Spannungsabfall durch den als Komparator geschalteten Operationsverstärker
OP bewertet. Der an dem niederohmigen Meßwiderstand R 2 auftretende Spannungsabfall wird
dem Operationsverstärker zugeführt, der diese Spannung mit einer durch die Widerstände R 3 und /?4
festgelegten Referenzspannung vergleicht. Diese Referenzspannung wird so gewählt, daß ein definierter
.Schaltpunkt über dem Nennstrom eingestellt wird. Erst bei Überschreiten dieses vorgegebenen Stromwertes im
Lastkreis jedoch noch vor Erreichen des maximal /u ässigen Stromes für den Ausgangsleistungstransistor
übersteigt der Spannungsabfall am Widerstand R 2 den Wert der vorgegebenen Referenzspannung. Mit dem
dadurch entstehenden Ausgangssignal des Operationsverstärkers wird der Transistor Γ3 über die ein
.Schwellwertglied darstellende Zenerdiode ZD 2 angesteuert.
Der Widerstand R 1 stellt den Basiswiderstand dieses Transistors dar. über den sichergestellt wird, daß
bei fehlender Ansteuerung der Transistor 7*3 im gesperrten Zustand verharrt.
Mit dem Ausgangssignal des Operationsverstärkers
wird der Transistor 7*3 nicht unmittelbar mit Überschreiten der durch die Zenerdiode vorgegebenen
.Schaltschwelle durchgesteuert. Dies erfolgt mit einer vorgegebenen, durch den Widerstand R 5 und den Wert
de Kondensators C bestimmten Verzögerungszeit. Dadurch wird verhindert, daß kurzzeitige Stromspitzen,
die beispielsweise bei der Anwendung der Verstärkerschaltung in der Fernsprechtechnik durch Leitungskapa/-itäten
bedingt sein können, zur Durchsteuerung des Transistors 7*3 führen. Neben dem über den Operationsverstärker
verlaufenden Ansteuerkreis für den Transistor Γ3 ist noch ein zusätzlicher Ansteuerkreis
vorgesehen. Dieser zusätzliche Ansteuerkreis wird durch den Widerstand R6 und die Diode Dl gebildet.
Über diesen Kreis kann ein vom wirksamen Ansteuersignal für die Endstufe abgeleitetes Steuersignal verzögert
an der Basis des Schutztransistors Γ3 wirksam werden. Die maßgebende Verzögerungszeit ist durch
den Wert des Widerstandes R 6 und den Kapazitätswert des unmittelbar mit der Diode DI verbundenen
Kondensators C bestimmt. Das über den zusätzlichen Ansteuerkreis für den Schutztransistor 7*3 basisseitig
zu'ührbare Signal wird vom Ausgangspotential des
Ausgangstransistors T2 beeinflußt. Der Ausgang ist über eine Diode D1 mit dem Verbindungspunkt des
Widerstandes /?6 und der Diode DX gekoppelt. Die
Diode D2 ist für das im gesperrten, d.h. im
ho;hohmigen Zustand des Transistors 7*2 an seinem
Ausgang liegende Versorgungspotential in Sperrich- tung gepolt. Mit der Durchschaltung des Transistors 7*4
wi-d in der bereits geschilderten Weise die aus den Transistoren 7Ί und 72 bestehende Endstufe durchgesteuert,
das heißt der Ausgangslrunsistor T2 wird vom hochohmigen in den niederohmigen Zustand geschaltet.
Dadurch greift das dem anderen Pol der Versorgungsspannungsquelle
entsprechende und im Ausfiihrungsbeispiel mit dem Erdpolential übereinstimmende Potential
durch. Dies führt zur Wirksamschaltung der Last L Gleichzeitig wird durch die über die Diode D 2
vorgenommene Rückkopplung des Ausgangspotentials die Wirkung des zusätzlichen Ansteuerkreises ausgeschaltet.
In der Zeitspanne bis zur wirksamen Durch schaltung des Ausgangstransistors T2 kann sich dieser
zusätzliche Ansteuerkreis ebenfalls nicht auswirken, da eine entsprechende Verzögerung des abg leiteten
Steuersignals über den Widerstand R 6 ι ^d den
Kondensator C vorgenommen wird. Im normalen Betriebsfall schaltet der Ausgangstransistor vor Abiaul
dieser Verzögerungszeit durch, so daß dessen rückgeführtes Ausgangspotential dem Ansteuersignal entgegenwirkt.
Diese Wirkung der Rückkopplung wird mit wachsender Belastung im Ausgangskreis vermindert
Dies hat dann gleichzeitig, bezogen auf den zusätzlicher Ansteuerkreis, eine Herabsetzung des Ansprechpunktes
zur Folge.
Im Überlastfalle, der beispielsweise durch einer
Kurzschluß in der Last L gegeben ist, überschreitet dei
am Widerstand R 2 entstehende Spannungsabfall der eingestellten Referenzspannungswert. Somit wird durch
das aus dem Widerstand R 5 und dem Kondensator C bestehende Verzögerungsglied der Schutztransistor 7"j
leitend gesteuert. Dadurch wird der Eingangskreis füt die Endstufe überbrückt, so daß die beiden Transistorer
Π und T2 hochohmig geschaltet werden. Dadurch entfällt die die Überwachung auslösende Spannung arr
Meßwiderstand R 2, so daß der Operationsverstärkei
OP in die Ruhelage zurückschaltet. Über den zusätzlichen Steuerkreis für den Transistor 7*3 wird nun be
weiterhin bestehendem Ansteuersignal sichergestellt daß der Schutztransistor 7*3 durchgesteuert bleibt
Dadurch wird also das erneute Niederohmigwerden dei
ίο Ausgangstransistoren verhindert. Mit der als Schalt
schwelle dienenden Zenerdiode ZD2 und der mit Hilfe
des Widerstandes R β und des Kondensators (
vorbestimmten Zeitverzögerung ist der zusätzliche Steuerkreis so bemessen, daß das abgeleitete Ansteuer
signal erst bei Überlast zur Wirkung kommt. Irr normalen Belastungsfall wirkt das Ausgangspotentia
des Ausgangstransistors 7*2 über die entkoppelnde Diode D 2 dem Ansteuersignal entgegen. Über dieser
zusätzlichen Ansteuerkreis ist eine von der an der
so Meßwiderstand gekoppelten Überwachung unabhängi
ge Abschaltung der Endstufe möglich. Der jeweilige Abschaltepunkt kann so eingestellt werden, daß er iibei
dem Ansprechpunkt des der ursprünglichen Überwa chung dienenden Operationsverstärkers liegt Bei einen
Defekt in dieser ursprünglichen Oberwachungseinrich
tung ist dadurch ein weiterer Schutz der Endstufe gewährleistet. Über den zusätzlichen Ansteuerkrei;
wird die Endstufe auch in den Fällen unwirksan geschaltet, in denen die Gesamtstromverstärkung diese:
Endstufe unter den für den Nennbetrieb erforderlicher
Wert liegt Dies kann beispielsweise bei einem Defekt ii der Leistungsendstufe auftreten. Dadurch wirkt zeitlicl
gesehen das rückgekoppelte Ausgangspotential verspä tet, so daß der Schutztransistor bereits durchgesteuer
wird.
Mit Beendigung des Ansteuersignales für du Endstufe entfällt die negative Aufsteuerspannung an de
Basis des Schutztransistors TZ, so daß die Oberbrük
kung des Eingangskreises der Endstufe aufgehoben wird
und somit die Endstufe wieder betriebsbereit ist. Ist
unter der Voraussetzung einer impulsmäßigen Ansteuerung beim nachfolgenden Ansteuerimpuls für die
Endstufe die Überlast nicht mehr vorhanden, so kann der Norma'betrieb ohne Rücksetzung der Überwachungsschaltung
fortgesetzt werden.
Zusammenfassung
Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren
Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren
Die Erfindung betrifft eine Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren.
Bei Überschreiten eines zugelassenen Grenzspan-
nungswertes an einen in der Hauptstromstrecke des Leistungstransistors (T 2) angeordneten Widerstand
(R 2) wird über einen Operationsverstärker (OP) ein Schutztransistors (T3) aufgesteuert. Dieser überbrückt
mittelbar oder uninittelbar den Eingangskreis des zu schützenden Transistors. Es ist ein zusätzlicher Steuerkreis
(R6, Dl) für den Schutztransistor vorgesehen.
Das zusätzliche Aufsteuersignal für diesen Transistor wird vom Ansteuersignal für den Leistungstransistor
abgeleitet und ist weiterhin in seiner Wirksamkeit vom Ausgangspotential des Leistungstransistors derart abhängig,
daß es ausschließlich im kritischen Belastungszustand wirksam wird.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
030 233/494
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung zum Schutz gegen Überlastung eines als Schalter betriebenen Leistungstransistros
in dessen Hauptstromkreis ein Meßwiderstand angeordnet ist und bei Überschreiten des
zugelassenen Grenzstromwertes durch den an dem Widerstand auftretenden Spannungsabfall eine die
Durchschaltung eines Schutztransistors veranlassende Aufsteuerspannung gebildet wird, wodurch das
Steuersignal für den Leistungstransistor unwirksam wird, dadurch gekennzeichnet, daß dem
Schutztransistor (T3) zusätzlich (R6, Dl) eine
Aufsteuerspannung zugeführt wird, die von dem für den Leistungstransistor maßgebenden Steuersignal
(T-I) abgeleitet wird und die weiterhin vom Aufgangspotential des Leistungstransistors (Tl)
derart abhängig ist, daß sie ausschließlich im kritischen Belastungszustand wirksam wird, und daß
die genannten Aufsteuerspannungen für den Schutztransistor jeweils verzögert (R6, Cbzw. R5, C)zur
Wirkung kommen, derart daß der Schutztransistor im durchgeschalteten Zustand mittelbar oder unmittelbar
den Eingangskreis des Leistungstransistors überbrückt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Aufsteuerspannung
vom primären Steuersignal über eine Entkopplungsdiode (Di) mittelbar oder unmittelbar der
Steuerelektrode des Schutztransistors (T3) zugeführt wird, wobei die Diode für die Polarität des
Steuersignals in Durchlaßrichtung gepolt ist. daß an dem basisfernen Anschluß dieser Entkopplungsdiode
das Ausgangspotential des Leistungstransistors (T2) über eine weitere Diode (D2) zugeführt wird,
wobei diese weitere Diode für das in gesperrtem Zustand des Leistungstransistros vorhandene und
polaritätsmällig mit dem Steuersignal übereinstimmenden
Ausgangspotenlial in Sperriehmng gepolt
ist, so daß das im geöffneten Zustand des Leistungstransistors wirksam werdende andere
Bezugspotential dem aufgrund des Steuersignals am Verbindungspunkt vorhanden Potential entgegenwirkt.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch I und 2, dadurch gekennzeichnet, daß /um verzögerten
Wirksamwerden der beiden Aufsteuerspannungen ein mit dem basisseitigen Anschlußpunkt gekoppelter
Kondensator (C') dient, dessen andere Belegung bezogen auf die Polarität des Ansleuersignals an
dem der dazu entgegengesetzten Polarität entsprechenden Bezugspotential (Erde) liegt.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zunächst die
Durchschaltung des Sehut/.transisiors veranlassende Aufsteuerspannung durch die Ausgangsspannung
eines als Komparator geschalteten Operationsverstärkers (OP) gebildet wird, dessen einer Eingang
mit der am Meßwiderstand (R 2) abfallenden Spannung und dessen anderer Eingang mit einer den
Grenzwert festlegenden Vergleichsspannung (Spannungsteiler R 3. /?4) beaufschlagt wird und dessen
Ausgang über einen Widersland (R 5) mit dem
basisseiligen Anschluß des Kondensators (C) verbunden ist.
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Schutz gegen Überlastung eines als Schalter betriebenen
Leistungstransistors, in dessen Hauptstrornkreis ein Meßwiderstand angeorndet ist und bei Oberschreiten
des zugelassenen Grenzstrom wertes durch den an dem Widerstand auftretenden Spannungsabfall eine die
Durchschaltung eines Schutztransistors veranlassende Aufsteuerspannung gebildet wird, wodurch das Steuersignal
für den Leistungstransistor unwirksam wird.
to Derartige Schutzanordnungen, bei denen ein Hilfstransistor
eine Regel- oder Schutzaufgabe durch Aufsteuern dieses Transistors im Überlastfalle übernimmt,
sind in den verschiedensten Ausführungsformen bekannt. In vielen Fällen wird mittels des Hilfstransistors
eine Verschiebung des Arbeitspunktes vorgenommen. Dies erfolgt beispielsweise dadurch, daß dem
Hilfstransistor eine Differenzspannung zugeführt wird, die aus einer dem Strom durch den Leistungstransistor
proportionalen Spannung und einer dem Strom durch den die Vorstufe bildenden Transistor proportionalen
Spannung gebildet wird. Durch die über den Hilfstransistor erzeugte Korrekturspannung wird dann die
Vorstufe stabilisiert.
Weiterhin ist eine Schaltung zur Stromunterbrechung
beim Auftreten von Überströmen bekannt, bei der ein Halbleiterwiderstand beim Überschreiten des vorgegebenen
Nennwertes den Stromkreis sperrt. Diese wie ein Sicherungsautomat wirkende Anordnung erfordert
mindestens zwei Transistoren, die einen bistabilen Kreis bilden, um die einmal eingeleitete Stromunterbrechung
beschleunigt durchzuführen. Weiterhin ist es bekannt, zur Erfassung des Überlastfalles eine Vergleichsstufe
vorzusehen, durch die die Spannung über den Leistungstransislor und die zur Erfassung des Stromes
durch den Leistungstransistor an einem entsprechenden Widerstand abfallende Spannung miteinander verglichen
werden. Ein derartiges Prinzip erfordert für den zu schützenden Leistungstransistor zwei zusätzliche Hilfstransistoren.
Ein bekanntes Lösungsprinzip zur Sicherung des Leistungstransistors in einer Endstufe gegen Überlastung
oder Kurzschluß besteht darin, im Überlastbereich einen .Schutztransistor aufzusteuern, so daß er für
den die den Leistungstransistor ansteuernde Spannung einen Nebenschluß bildet. Der Schutztransistor ist dabei
mit seiner Hauptelektrodenstrecke zwischen die Basis des zu schützenden Leistungstransistors bzw. eines
Vorstufentransistors und festes Bezugspotential geschallet. Durch die Anschaltung seiner Basiselektrode
an einen in der Hauptstromstreckc des Leistungstransistors
liegenden Widerstand wird er bei Betrieb des Leistungstransistors außerhalb des zugelassenen
Grenzwertes leitend gesteuert. Insbesondere bei der zuletzt genannten Schutzmaßnahme ist eine selbsttätige
Wiederbereitschaft nach Aufhebung des Überlaslfalles nicht gegeben, so daß ein den Schutztransistor
beeinflussender Wiedereinschalteimpuls erforderlich ist. Über entsprechende Schaltmittel kann beispielsweise
eine sperrende Spannung an den Schutztransistor gelegt werden.
Ein Rückstellimpuls ist auch in denjenigen Fällen erforderlich, in denen durch einen die Überlastung
feststellenden Indikator diese Tatsache durch Umsteuern einer bistabilen Kippschaltung abgespeichert
h"· wird. Die Umsteuerung dieser Kippstufe führt dann
lurch Beeinflussung einer entsprechenden Gatterschaltung zur Sperrung des Anstcucrsignals Tür den
überwachten Leistungstransislor. Zur Umsteuerung in
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782854313 DE2854313C2 (de) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19782854313 DE2854313C2 (de) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2854313B1 DE2854313B1 (de) | 1979-12-06 |
DE2854313C2 true DE2854313C2 (de) | 1980-08-14 |
Family
ID=6057342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19782854313 Expired DE2854313C2 (de) | 1978-12-15 | 1978-12-15 | Überlastungsschutzanordnung für Schalttransistoren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2854313C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3042415A1 (de) * | 1980-11-11 | 1982-07-29 | AEG-Telefunken Kabelwerke AG, Rheydt, 4050 Mönchengladbach | Schaltung zur fehlermeldung bei einem ueber eine elektronischen schalteinrichtung geschalteten stromverbraucher |
DE3116846A1 (de) * | 1981-04-28 | 1982-12-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung zum schutz gegen ueberlastung eines als verstaerker arbeitenden leistungstransistors |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3015831C2 (de) * | 1980-04-24 | 1982-06-24 | Werner Messmer Gmbh & Co Kg, 7760 Radolfzell | Elektronischer Schalter für hohe Lastströme, insbesondere für den Lampenkreis von Kraftfahrzeugen |
JPS5765909A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-21 | Fujitsu Ltd | Line driver circuit having overcurrent protecting function |
DE3246659C2 (de) * | 1982-12-16 | 1989-03-16 | Bayerische Motoren Werke AG, 8000 München | Schutzschaltung für einen Schaltverstärker |
FR2559322B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1989-04-28 | Cresto Etu Applic Electronique | Circuit electronique pour la protection d'un transistor de puissance |
-
1978
- 1978-12-15 DE DE19782854313 patent/DE2854313C2/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3042415A1 (de) * | 1980-11-11 | 1982-07-29 | AEG-Telefunken Kabelwerke AG, Rheydt, 4050 Mönchengladbach | Schaltung zur fehlermeldung bei einem ueber eine elektronischen schalteinrichtung geschalteten stromverbraucher |
DE3116846A1 (de) * | 1981-04-28 | 1982-12-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung zum schutz gegen ueberlastung eines als verstaerker arbeitenden leistungstransistors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2854313B1 (de) | 1979-12-06 |
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