DE2828874C2 - Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer für eine Mehrfach-Oszillator-Anordnung - Google Patents
Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer für eine Mehrfach-Oszillator-AnordnungInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/143—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance using more than one solid state device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
Description
30
Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer
der im Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1 beschriebenen Art.
Solche Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer sind beispielsweise in den US-PS 36 28 171 und 39 31 587
beschrieben. Bei diesen bekannten Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierern ist eine Mehrzahl von koaxialen
Impatt-Oszillatoren zur Erzielung einer entsprechend höheren Leistung mit einem gemeinsamen kreiszylindrischen
Hohlraumresonator gekoppelt. Dabei sind die einzelnen koaxialen Impatt-Oszillatoren parallel zueinander
auf einem Teilkreis angeordnet, dessen Durchmesser im wesentlichen demjenigen des kreiszylindrischen
Hohlraumresonators entspricht. Da dessen Abmessungen durch den Eingenschwingungstyp, der
sich bei Betriebsfrequenz ausbilden soll, vorgegeben ist, ist die maximale Anzahl der Diodenoszillatoren, die auf
dem genannten Teilkreis angeordnet werden können, begrenzt durch den erforderlichen Durchmesser eines
einzelnen Diodenoszillators.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Anzahl der in einer Mehrfach-Oszillator-Anordnung kombinierbaren
Diodenoszillatoren und damitdie erzielbare Maximalleistung gegenüber den bekannten Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierern
bei gegebenem Durchmesser des Hohlraumresonators zu vergrößern.
Diese Aufgabe wird durch einen Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer mit den Merkmalen des Patentanspruchs
1 gelöst.
Die erfindungsgemäß vorgesehene rechtwinklige
Gestaltung der einzelnen Teilabschnitte eines Diodenoszillators ermöglicht es vom Grundsatz her, doppelt so
viele von ihnen an den Hohlraumresonator anzukoppeln, wie es bei solchen Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierern
möglich ist, bei denen die einzelnen Diodenoszillatoren linear in Richtung der Längsachse am Umfang
des kreiszylindrischen Hohlraumresonator angeordnet sind.
Im folgenden sei die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert:
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt als Ausführungsbeispiel der Erfindung einea Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer
für eine Mehrfach-Oszillator-Anordnung in teilweise geschnittener Seitenansicht
Der dargestellte Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer besteht aus einer Mehrzahl von koaxialen
Diodenoszillatoren, die vorzugsweise mit Impatt-Dio-·
den bestückt sind und zum Zwecke der Leistungsvergrößerung an einen gemeinsamen Hohlraumresonator
angekoppelt sind. Eine Beschreibung der Wirkung derartiger Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer erübrigt
sich hier, da sie beispielsweise durch die eingangs genannten US-Patentschriften hinreichend bekannt ist
Der gemeinsame Hohlraumresonator ist im vorliegenden Fall ein kreiszylindrischer Hohlraum, der über
parallel zur Zylinderachse in der Nähe des Zylindermantels angebrachte Koaxialleitungsabschnitte zu E-Eigenschwingungstypen,
z. B. dem Eoio-Eigenschwingungstyp angeregt wird.
Die maximal erzielbare Leistung eines Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierers
ist begrenzt durch die Anzahl e'er an den Hohlraumresonator ankoppelbaren
Diodenoszillatoren. Diese Zahl wiederum ist im wesentlichen bestimmt durch das Verhältnis zwischen
dem Umfang des kreiszylindrischen Hohlraumresonators und dem Durchmesser der einzelnen Diodenoszillatoren.
Bei dem in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Anzahl der an den gemeinsamen
kreiszylindrischen Hohlraumresonator ankoppelbaren Diodenoszillatoren demgegenüber vergrößert Dies
wird durch eine spezielle Ausbildung der einzelnen Diodenoszillatoren erreicht.
Der dargestellte Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer besteht aus einem oberen und einem unteren
blockförmigen Körper 71 bzw. 72, die zusammengeflanscht sind. Diese Körper 71 und 72 umgrenzen einen
kreiszylindrischen Hohlraumresonator 70. An diesen sind die einzelnen koaxialen Diodenoszillatoren angekoppelt
Jeder Diodenoszillator besteht aus einem KoaxiaUeitungsabschnitt, in dessen erstem Endbereich
eine Impatt-Diode 40 an das betreffende Ende des Innenleiter angeschlossen ist, während der andere
Endbereich des Koaxialleitungsabschnitts mit einem Wellensumpf 60 abgeschlossen ist. Dieser Wellensumpf
60 hat neben seiner elektrischen Funktion auch eine mechanische Halterungsfunktion füi den betreffenden
Innenleiterteilabschnitt 43. An den aus dem Wellensumpf 60 hervorstehende Teil der Innenleiter kann die
für den Betrieb der Impatt-Diode 40 erforderliche elektrische Vorspannung angelegt werden. Die Außenleiter
der Koaxialleitungsabschnitte werden von Bohrungen in den genannten Körpern 71 bzw. 72 gebildet.
Zum Zwecke der Vergrößerung der Zahl der an den Hohlraumresonator 70 ankoppelbaren Diodenoszillatoren
sind letztere rechtwinklig gestaltet und paarweise übereinander angeordnet, so daß grundsätzlich längs
des Umfangs des Hohlraumresonator 70 doppelt so viele Diodenoszillatoren untergebracht werden können
wie bei einer linearen Anordnung.
Im einzelnen besteht jeder Diodenoszillator aus einem Innenleiter, dessen senkrecht aufeinanderstellenden
Teilabschnitte mit 41 und 43 bezeichnet sind. Die die entsprechenden Außenleiter bildenden Bohrungen in
den Körpern 71 und 72 sind mit 42 bzw. 44 bezeichnet und verlaufen parallel zur Längsachse bzw. radial zu
dem kreiszylindrischen Hohlraumresonator 70.
An den freien Enden der vertikal verlaufenden Innenleiterteilabschnitte 41 sind, wie erwähnt, die
zugehörigen Impatt-Dioden 40 angebracht Sie stehen mit Wärmesenken 46 in thermischem Kontakt Letztere
sind von einem Schraubteil 52 gegen eine Schulter der den betreffenden Außenleiterteilabschnitt bildenden
Bohrung 42 gehalten.
Im Bereich der Impatt-Diode 40 befindet sich eine Isolierstoffhülse 50, die Bestandteil eines ersten
Impedanztransformators ist Im Abstand von ihr ist eine zweite Isolierstoffhülse 56 um den Innenleiterteilabschnitt
41 gelegt, die einen zweiten Impedanztransformator bildet Die beiden Impedanztransformatoren
dienen zur optimalen Anpassung der Impedanz der Impatt-Diode 40 an diejenige des Hohlraumresonators
70. Zum Zwecke der Justierung ist der von der Isolierstoffhülse 56 gebildete zweite Impedanztransformator
durch eine in der Außenwand des jeweiligen Körpers 71 bzw. 72 angebrachte öffnung verschiebbar.
Im da/gestellten Ausführungsbeispiel sind die die vert'kalen Außenleiterteilabschnitte bildenden Bohrungen
42 und dem oberen Körper 71 einerseits und dem unteren Körper 72 andererseits miteinander fluchtend
ίο angeordnet Eine derartige fluchtende Anordnung ist
selbstverständlich nicht zwingend. Der von der Erfindung verfolgte Zweck kann auch erreicht werden, wenn
die Bohrungen 42 und damit die Innenleiterteilabschnitte 41 gegeneinander versetzt angeordnet sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Hochfrequenz-Leistungs-Kombinierer für eine
Mehrfach-OszUlator-Anordnung mit einem kreiszylindrischen
Hohlraumresonator sowie mit einer Mehrzahl von koaxialen Diodenoszillatoren, die
gemeinsam durch über den Umfang des Hohlraumresonators verteilte Koaxialleitungsabschnitte an
diesen derart angekoppelt sind, daß bei der Betriebsfrequenz der Anordnung in dem kreiszylindrischen
Hohlraumresonator der Eono-Eigenschwingungstyp angeregt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die genannten koaxialen Diodenoszillatoren in Paaren angeordnet sind und jeweils
einen ersten und einen zweiten Koaxialleitungs-Teil- is
abschnitt (41, 42; 43, 44) umfassen, und daß der jeweils erste Koaxialleitungs-Teilabschnitt (41, 42)
der beider Diodenoszillatoren jedes Haares parallel ztr Längsachse des kreiszylindrischen Hohlraumresonators
(70) verläuft, während die jeweils zweiten Koaxialieitungs-Teilabschnitte (43, 44) senkrecht zu
der genannten Längsachse verlaufen.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die jeweils ersten Koaxialieitungs-Teilabschnitte (41, 41) der beiden Diodenoszillatoren
eines jeden Paares miteinander fluchten.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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8126 | Change of the secondary classification |
Ipc: H01P 5/12 |
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D2 | Grant after examination | ||
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