DE2813254B1 - Eindimensionaler CCD-Sensor mit UEberlaufvorrichtung - Google Patents

Eindimensionaler CCD-Sensor mit UEberlaufvorrichtung

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Description

Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Sensor mit Überlaufvorrichtung, der eine auf einem dotierten Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp angeordnete Reihe von Sensorelementen aus MIS-Kondensatoren zur Sammlung optisch erzeugter Minoritätsträger enthält, die gegeneinander getrennt sind durch Mittel zur Erzeugung einer Potentialschwelle für die Minoritätsträger im Halbleiterkörper, und ferner mindestens ein von weiteren MIS-Kondensatoren gebildetes Schieberegister auf jeder Seite der Sensorreihe und seitlich an den Sensorelektroden angeordnete Übertragungselektroden enthält, die nach dem Prinzip der Ladungskopplung die Sensorelemente abwechselnd mit einem Kondensator der beiden Schieberegister verbinden.
Eindimensionale optoelektronische Sensoren enthalten in einer Reihe angeordnete Sensorelemente, die in der Lage sind, die Intensität des auf sie fallenden Lichtes in ein elektrisches Signal umzusetzen. Sie werden z. B. zum Abtasten der linearen Abmessungen von Gegenständen, z. B. Werkstücken in der Fertigung,' oder auch zum zeilenweisen Abtasten elektronisch zu erfassender Bilder, z. B. bei der Faksimile-Übertragung, angewendet.
Als Sensorelemente werden in zunehmendem Maße Metallelektrode/Isolator/Halbleiter-(MIS-) Kondensatoren verwendet, die aus einem mit einer Isolierschicht bedeckten dotierten Halbleiterkörper und einer lichtdurchlässigen, darüberliegenden »Metallelektrode« (üblicherweise aus stark dotiertem Polysilizium) bestehen. Wird nun z. B. bei p-dotiertem Halbleitersubstrat der Substratanschluß des MIS-Kondensators gegenüber der Elektrode negativ vorgespannt, so werden die (positiven) Majoritätsträger des Substrats vom Substratanschluß abgezogen, während die optisch erzeugte Minoritätsträger unter der Sensorelektrode gehalten wird. Dieses Ladungspaket aus Minoritätsträgern kann periodisch dadurch in ein aus weiteren MIS-Kondensatoren gebildetes Schieberegister ausgelesen werden, daß über der Isolierschicht zwischen der Sensorelektrode und der Elektrode eines Schieberegister-Kondensators eine Übertragungselektrode (Transfer-Gate) angeordnet wird, die, nur durch eine dünne Oxidschicht isoliert, unmittelbar an die beiden Elektroden anschließt bzw. diese geringfügig überlappt. Wird das Transfer-Gate gegenüber dem Substratanschluß auf negatives Potential gelegt, so entsteht für die optisch erzeugten negativen Ladungsträger (Minoritätsträger) eine Potentialschwelle, die den Übertritt der Minoritätsträger aus dem Sensorelement in das Schieberegister während des Sammelns der optisch erzeugten Ladungsträger verhindert.
Wird jedoch das Transfer-Gate auf genügend positives Potential gelegt, so entsteht ein Potentialgefälle für die Minoritätsträger vom Sensorelement in den Halbleiterbereich unter dem Transfer-Gate und die Ladung fließt dahin ab. Auf gleiche Weise können die Ladungsträger sodann weiter in den Kondensator des Schieberegisters verschoben werden (Charge-coupleddivice, Prinzip der Ladungskopplung).
Für eine möglichst naturgetreue Erfassung des Bildes ist es erforderlich, eine möglichst hohe Anzahl von Sensorelementen möglichst dicht aneinander zu legen. Ein Mindestabstand zwischen zwei Sensorelementen eines eindimensionalen Sensors ist dabei dadurch vorgegeben, daß in dem neben der Sensorreihe verlaufenden Schieberegister zwischen zwei zur Aufnahme der Ladungspakete aus den Sensorelementen bestimmten Kondensatoren mehrere weitere MIS-Kondensatoren zur Verschiebung der Ladung nötig sind. Von Herbst und Pfleiderer ist in dem Artikel »Modulation Transfer Function of Quadrilinear CCD. Imager« (Electronics Letters, Band 12, Nr. 25) eine besonders raumsparende Anordnung angegeben, bei der an jeder Seite der Sensorreihe ein Schieberegister angeordnet ist. Die Sensorelemente sind nun nacheinander einmal mit einem MIS-Kondensator des rechten und einmal einem MIS-Kondensator des linken Schieberegisters über Übertragungselektroden gekoppelt (bilineare Anordnung). Ferner wird vorgeschlagen, an jeder Seite noch ein zweites, paralleles Schieberegister anzuordnen. Jedes zweite Ladungspaket, das in das eine innere, der Sensorreihe unmittelbar benachbarte Schieberegister über eine erste Übertragungselektrode verschoben wird, wird sodann mittels einer zweiten Übertragungselektrode in einen MIS-Kondensator des entsprechenden, parallellaufenden äußeren Schieberegisters weitergeschoben. Der zum Durchschieben des Ladungspaketes aus dem Sensorelement in das äußere Schieberegister benötigte MIS-Kondensator des inneren Schieberegisters kann beim anschließenden Auslesen der Ladungspakete aus den Schieberegistern verwendet werden zum Verschieben der Ladungen längs der Schieberegister (quadrilineare Anordnung).
Bei starkem Lichteinfall auf einzelne Sensorelemente oder einer Gruppe von Sensorelementen kann der Fall eintreten, daß so viel Minoritätsträger optisch erzeugt werden, daß sie in benachbarte Sensorelemente überlaufen (blooming) und zur Zerstörung der Information in größeren Bereichen des Sensors führen. Diese Erscheinung kann verhindert werden, wenn an der Halbleiteroberfläche entgegengesetzt dotierte Überlaufgebiete (Drain-Gebiete) vorgesehen sind, die mit entsprechenden Überlaufelektroden kontaktiert sind und aus den Sensorelementen überlaufende Ladungsträger aus dem Substrat abziehen können. Zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten muß jedoch eine Potentialschwelle bestehen, die so hoch ist, daß die Minoritätsträger bei normaler Belichtung am Übertritt ins Überlaufgebiet gehindert werden und erst bei zu starker Belichtung, d.h. wenn nicht mehr alle Minoritätsträger im Sensorelement gespeichert werden können, ins Überlaufgebiet abdiffundieren. Diese Potentialschwelle muß geringer sein als die Potentialschwelle zwischen den einzelnen Sensorelementen und kann dadurch erzeugt werden, daß zwischen den Überlaufgebieten und den Sensorelementen ein zusätzliches Gate angeordnet ist, durch das der Potentialverlauf zwischen Überlaufgebiet und Sensorelektrode gesteuert werden kann. Um dieses Prinzip auf eindimensionale Sensoren anwenden zu können, wird jedoch ein erheblicher Platz für die Überlaufgebiete, Überlaufelektroden und deren Ansteuervorrichtungen benötigt. Dies schränkt das Auflösungsvermögen des Sensors erheblich ein.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen eindimensionalen Sensorder eingangs angegebenen Art anzugeben, der eine Überlaufvorrichtung enthält, die eine hohe Packungsdichte der linear angeordneten Sensorelemente gestattet.
Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß seitlich an jedem Sensorelement die Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Überlaufgebiet vom zweiten Leitungstyp enthält, das sich an der zur zugehörigen Übertragungselektrode entgegengesetzten Seite des Sensorelementes erstreckt. Die Überlaufgebiete sind über Fenster in der Isolierschicht mit einer Überlaufelektrode kontaktiert. Ferner sind Mittel vorgesehen, die zwischen den Überlaufgebieten und den Sensorelementen eine gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Überlaufgebieten geringere Potentialschwelle für Minoritätsträger erzeugen.
Zwischen den Sensorelementen untereinander und zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten kann eine Potentialschwelle für die Minoritätsträger dadurch erzeugt werden, daß der Halbleiterkörper in diesem Zwischengebiet eine stärkere Dotierung vom gleichen Leitungstyp aufweist wie unterhalb der Sensorelektroden. Man kann in diesem Zwischengebiet aber auch eine Abschirmelektrode (Field shield Gate) anordnen, die von der Halbleiteroberfläche durch eine Isolierschicht getrennt ist Dadurch kann z. B. für negative Ladungsträger durch eine negative Gate-Spannung eine hohe Potentialschwelle erzeugt werden. Da der Einfluß eines Gate-Potentials auf den Potentialverlauf im Halbleiterkörper mit zunehmender Isolatorschichtdicke zwischen dem Gate und der Halbleiteroberfläche abnimmt, kann ferner die Hohe der Potentialschwelle auch durch die Dicke der Isolatorschicht beeinflußt werden. So können insbesondere die Sensorelektroden als eine durchgehende Schicht ausgebildet werden und die Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen durch eine Vergrößerung der Isolatorschichtdicke erreicht werden. Diese Elektrodenschicht kann sich sogar noch über die Überlaufgebiete erstrecken und die Üb erlauf elektroden selbst bilden, wobei eine Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen und dem Überlaufgebiet ebenfalls durch Vergrößerung der Isolator-Schichtdicke erzeugt werden kann.
Somit ergibt sich die vorteilhafte Möglichkeit, die Sensorelektroden als eine sich über die ganze Reihe erstreckende Elektrodenschicht auszubilden. Außerhalb der Sensorelemente ist die Isolierschicht zur Erzeugung der Potentialschwelle dicker als in den MIS-Kondensatoren der Sensorelemente. Zur Erzeugung der Potentialschwelle um die Sensorelemente herum kann ersatzweise oder zusätzlich in die Isolierschicht zwischen der Elektrodenschicht und der Halbleiteroberfläche eine Abschirmelektrode eingebettet sein. Es kann aber auch der Halbleiter im Bereich außerhalb der Sensorelemente eine stärkere Dotierung vom ersten Leitungstyp enthalten als unter den Sensoreltktroden selbst. Diese Maßnahmen können sowohl zur gegenseitigen Trennung der Sensorelemente wie zur Trennung zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten angewendet werden, wobei sie so dimensioniert werden, daß die Potentialschwelle zwischen Sensorelementen und Überlaufgebieten geringer ist, als die Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen untereinander.
Vorzugsweise überlappt die Elektrodenschicht die Überlaufgebiete. Zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten windet sich mäanderartig die Abschirmelektrode. Dadurch wird eine besonders hohe Potentialschwelle sowohl zwischen den Sensorelemen-
ten untereinander wie zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten erzeugt Die Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten wird gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Sensorgebieten untereinander dadurch verringert, daß zwischen Sensorelementen und Überlaufgebieten eine größere Isolierschichtdicke vorgesehen ist als zwischen den Sensorelementen untereinander. Es kann aber auch der Halbleiterkörper zwischen Sensorelementen und Überlagebieten stärker vom ersten Leitungstyp dotiert sein als zwischen den Sensorelementen, oder es können sowohl Dotierung wie Isolierschichtdicke variiert werden.
Anhand zweier Ausführungsbeispiele und sechs Figuren wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 den schematischen Aufbau der Dotierungen, Isolierschichten und Elektroden auf einem Ausschnitt der Halbleiteroberfläche bei einem Sensor nach der Erfindung,
Fig.2 die Dotierung an der Oberfläche des Halbleiterkörpers bei einem bevorzugten ersten Ausführungsbeispiel,
F i g. 3 die Isolierschicht auf der Halbleiteroberfläche,
F i g. 4 die aus einer ersten Polysiliziumlage erzeugten Elektroden,
F i g. 5 die aus einer zweiten Polysiliziumlage erzeugten Elektroden und die Überlaufelektrode bei diesem ersten Ausführungsbeispiel,
F i g. 6 die aus einer zweiten Polysiliziumlage erzeugten Elektroden entsprechend Fig.5 bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel.
Die Anordnung der dotierten Gebiete und der Elektroden auf der Oberfläche eines Halbleiterkörpers 1 ist in F i g. 1 schematisch dargestellt. Mit 2 sind dabei die in einer Reihe angeordneten MIS-Kondensatoren und mit 3 Übertragungselektroden bezeichnet, die über eine Leitung 4 angesteuert werden und aus jedem zweiten Sensorelement 2 die darin befindlichen Ladungspakete in weitere MIS-Kondensatoren 5 verschieben, die zusammen mit anderen MIS-Kondensatoren 6 ein Schieberegister 7 auf der einen Seite der Sensorelementenreihe bilden. Die anderen Sensorelemente 2 sind analog auf der anderen Seite über Übertragungselektroden 8 und deren Taktleitungen 9 mit MIS-Kondensatoren 10 nach dem Prinzip der Ladungskopplung verbunden, wobei diese Kondensatoren 10 zusammen mit weiteren MIS-Kondensatoren das andere Schieberegister 12 bilden. Die Verschieberichtung der Ladungspakete aus den Sensorelementen 2 in die Schieberegister 7 und in den Schieberegistern 7 selbst sind durch Pfeile dargestellt
Um im gemeinsamen Halbleiterkörper 1 die Sensorelemente 2 voneinander durch eine Potentialschwelle für die Minoritätsträger zu trennen, ist eine Abschirmelektrode 14 vorgesehen, die sich mäanderartig um die Sensorelemente 2 windet. Von den Sensorelementen 2 nur durch die Abschirmelektrode 14 getrennt, grenzen an diese Sensorelemente 2 an der den Verschiebeelektroden 3 bzw. 8 entgegengesetzten Seite Überlaufgebiete 15 bzw. 16 an, die entgegengesetzt zum Halbleiterkörper dotiert sind und mit Überlaufelektroden in Verbindung stehen, die durch die Linie 17 angedeutet sein sollen. Um die Überlaufgebiete 15 bzw. 16 erstrecken sich Gebiete 20 unter die Abschirmelektrode 14 bis in die Nähe der Sensorelemente 2, bei denen die den Halbleiterkörper bedeckende Isolierschicht dicker ausgebildet ist und zusätzlich eine höhere Dotierung vom Typ des Halbleiterkörpers vorgesehen ist. Dadurch wird die Potentialschwelle zwischen den Überlaufgebieten 15. und den Sensorelementen 2 gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen 2 untereinander herabgesetzt.
Der genauere Aufbau eines bevorzugten Ausführungsbeispiels eines Sensors nach der Erfindung ist in den F i g. 2 bis 5 erläutert. F i g. 2 zeigt die Dotierung an der Oberfläche eines Silizium-Halbleiterkörpers. Gegenüber der p-Dotierung von etwa 7XlO14Cm-3 des
ίο Halbleitersubstrates sind die Bereiche 20 mit 2 χ 1016cm-3 stärker dotiert Die Überlaufgebiete 15 und 16 weisen eine starke n-Dotierung, z.B. 1019 bis 1021 cm-3 mit Arsen oder Phosphor, auf.
Die Halbleiteroberfläche ist mit einer Isolierschicht, üblicherweise einer Oxidschicht 22, mit einer Dicke von etwa 60 nm bedeckt (F i g. 3). Dabei sind Kontaktfenster 23 zur Kontaktierung der Überlaufgebiete mit den Überlaufelektroden vorgesehen. Ferner ist die Oxidschichtdicke über den Gebieten 20 mit etwa 600 nm stärker gewählt (Feldoxid 21). Die Herstellung der Feldoxidschicht kann zusammen mit der starken Dotierung der Bereiche 20 in einem selbstjustierenden Verfahren hergestellt werden.
Auf diese Isolierschicht wird eine erste Elektrodenschicht, vorzugsweise hochdotiertes Polysilizium, aufgebracht (F i g. 4), aus der die Abschirmelektrode 14, die Übertragungselektroden 3 und 8 mit ihren Ansteuerleitungen 4 und 9 sowie die Elektroden jedes zweiten MIS-Kondensators 6 bzw. 11 der nach dem CCD-Prinzip aufgebauten Schieberegister 7 und 12 ausgeätzt werden. In den F i g. 3 bis 5 sind jeweils die Konturen der vorher aufgebrachten Elemente mit eingezeichnet. Dabei werden die Bemühungen sichtbar, ein Aufeinanderfallen der Kanten zweier übereinanderliegender Lagen zu vermeiden, wodurch sich die genaue Geometrie der Isolatorschichten und Elektrodenschichten ergibt. Über dieser ersten Polysiliziumlage befindet sich — mit Ausnahme der ausgesparten Kontaktfenster 23 für die Überlaufelektroden — eine dünne Oxidschicht, auf der eine zweite Polysiliziumlage aufgebracht ist.
Aus dieser Polysiliziumlage sind, wie in Fig.5 dargestellt ist, in einem Ätzverfahren die Elektroden der MIS-Kondensatoren 5 und 10 gebildet, die die Übertragungselektroden 3 bzw. 8 überlappen und zur Aufnahme der Ladungspakete aus den Sensorelektroden nach dem Prinzip der Ladungskopplung dienen. Ebenso sind die Elektroden weiterer MIS-Kondensatoren der CCD-Schieberegister und die Sensorelektroden der Sensorelemente 2 aus dieser zweiten Polysiliziumlage gebildet. Die Sensorelektroden werden dabei von einem die Sensorelemente 2 überdeckenden Polysiliziumstreifen 30 gebildet, der als eine gemeinsame Elektrode alle Sensorelemente einschließlich der Abschirmelektrode 14 überdeckt.
Ferner sind in Fig.5 noch Kontaktleitungen 17 aus Aluminium eingezeichnet die mit den Überlaufgebieten 16 durch die Kontaktfenster 23 in Verbindung stehen und die Überlaufelektroden bilden. Nicht eingezeichnet sind weitere, zum Betrieb der Schieberegister nötige Steuerleitungen, die ebenfalls aus einem lichtundurchlässigen Material bestehen können und sich seitlich an die Kontaktbahn der Überlaufelektroden anschließen, wobei dadurch gleichzeitig eine Begrenzung des lichtempfindlichen Bereichs des Sensors, also ein Schutz der Übertragungselektroden und Schieberegister vor Belichtung, entsteht.
Beim Betrieb des Sensors liegt die Abschirmelektrode
14 ständig auf negativen Potential, so daß sich darunter eine Akkumulationsschicht von Majoritätsträgern bildet und der Austritt von Minoritätsträgern in dem Bereich unterbunden wird, der unter der Abschirmelektrode liegt. Während der Belichtungszeit zwischen zwei Auslesevorgängen liegen die Sensorelektroden der Kondensatoren 2 auf positiven Potential, es werden also optisch erzeugte Minoritätsträger gesammelt, während die Übertragungselektroden 3 bzw. 8 auf negativem Potential liegen und somit einen Austritt von Minoritätsträgern auch an dieser Seite der Sensorelemente unterbinden. Das Abschirmpotential der Abschirmelektroden wird zwar durch die p+-Dotierung der Bereiche 20 verstärkt, aber durch die Feldoxidschicht derart abgeschwächt, daß bei übermäßiger Belichtung (d.h. wenn durch Ansammlung einer größeren Anzahl optisch erzeugter Minoritätsträger das Potential unter den Sensorelektroden ansteigt) die überschüssigen Minoritätsträger durch den Bereich 20 zum Überlaufgebiet (Drain) 16 abfließen, bevor es zu einem Übertritt von Minoritätsträgern aus einem Sensorelement in ein anderes Sensorelement kommen kann. Die Überlaufelektroden liegen ebenso wie die Sensorelektroden während der Integration der Minoritätsträger auf positivem Potential und ziehen die überschüssigen Minoritätsträger aus dem Substrat ab.
Der Sensor nach der Erfindung benötigt keine zusätzliche Elektroden zur Einstellung der Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen und dem Überlauf-Drain. Ferner liegt das Überlaufgebiet nicht direkt zwischen zwei benachbarten Sensorelementen, wo es die Packungsdichte verringern würde, sondern zwischen jeweils zwei übernächsten Nachbarn an der Schmalseite der dazwischenliegenden Sensorelemente, einem Platz, der bei einem bilinearen Sensor ohnehin vorhanden ist und nicht benötigt wird. Ein weiterer Vorteil der Anordnung ist, daß nur in einem sehr geringen Teil der Halbleiteroberfläche ein Dunkelstrom erzeugt werden kann. Von den Akkumulationsschichten unter der Abschirmelektrode und den Übertragungselektroden wird ohnehin nur ein vernachlässigbarer Dunkelstrom erzeugt, so daß ein nennenswerter Dunkelstrom außerhalb der Sensorelemente nur zwischen der Abschirmelektrode und der Übertragungselektrode entstehen könnte. Dort liegt jedoch das Überlauf-Drain und sammelt einen beträchtlichen Anteil des Dunkelstromes auf. Ferner hat es sich gezeigt, daß der direkte Kontakt einer Elektrode auf einem Halbleiterkörper in einer Art »Getter-Wirkung« die thermische Generation von Ladungsträgern an der Oberfläche in der ganzen Umgebung des Kontaktes verringert.
Da die Sensorelektroden und die Überlaufelektrode beide auf positives Potential gelegt werden müssen, ergibt sich die Möglichkeit, sie als einen gemeinsamen Elektrodenstreifen auszubilden.
F i g. 6 zeigt ein derartiges Ausführungsbeispiel, bei dem der Polysiliziumstreifen 35 der zweiten Lage sich unter Überschneidung der Abschirmelektrode sowohl über die Sensorelemente wie über die Überlaufgebiete erstreckt und somit gleichzeitig die Sensorelektroden und die Überlaufelektroden bildet. Dieser Streifen 35
ίο steht demnach über die Kontaktfenster 36, die gegenüber den Kontaktfenstern 23 in Fig.3 größer ausgebildet sind, mit den Überlaufgebieten flächenhaft in Berührung. Dabei ergibt sich zusätzlich die vorteilhafte Möglichkeit, als Elektrodenschicht mit Phosphor oder Arsen hochdotiertes Polysilizium zu verwenden und die Dotierung der Überlaufgebiete durch Ausdiffusion von Dotierstoff aus dieser Elektrodenschicht zu erzeugen.
Dabei kann man vorteilhaft noch zu einer weiteren Platzeinsparung gelangen, wenn man für den Sensor den eingangs beschriebenen quadrilinearen Aufbau gewählt
Zur Erzeugung der Potentialschwellen werden bei diesen Ausführungsbeispielen die eingangs erwähnten drei Möglichkeiten, nämlich die Verwendung einer Abschirmelektrode, einer unterschiedlichen Dotierung und einer unterschiedlichen Oxidschichtdicke, kombiniert angewendet Prinzipiell kann auch eine andere Kombination dieser Möglichkeiten gewählt werden. So könnte z. B. auf die Verwendung einer Abschirmelektrode verzichtet werden und die Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen untereinander durch eine höhere p-Dotierung und eine dickere Isolierschicht in den bisher unter der Abschirmelektrode liegenden Bereichen erreicht werden. Durch eine Abschwächung der p-Dotierung oder der Isolierschichtdicke kann die Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen und den Überlaufgebieten dann niedriger gewählt werden als die Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen selbst. Ebenso könnte zwar mit einer Abschirmelektrode, aber mit einer gleichmäßig dicken Isolierschicht gearbeitet werden, sofern zwischen den Sensorelementen die p-Dqtierung stärker und zwischen Sensorelementen und Überlaufgebieten schwächer gewählt wird. Auch in diesen Fällen erreicht man eine Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen, die größer ist als die Potentialschwelle zwischen Sensorelementen und Überlauf-Drain, jedoch ist die Trennung der einzelnen Sensorelemente in diesem Fall geringer als in den anhand der Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen. Derartige vereinfachte Ausführungsbeispiele können demnach dann angewendet werden, wenn die Gefahr einer Überbelichtung einzelner Sensorelemente geringer ist.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
909 5T7/486

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Optoelektronischer Sensor mit Überlaufvorrichtung, enthaltend eine auf einem dotierten Halbleiterkörper vom ersten Leitungstyp angeordnete Reihe von Sensorelementen aus MIS-Kondensatoren zur Sammlung optisch erzeugter Minoritätsträger, die gegeneinander getrennt sind durch Mittel zur Erzeugung einer Potentialschwelle für die Minoritätsträger im Halbleiterkörper, mindestens ein von weiteren MID-Kondensatoren gebildetes Schieberegister auf jeder Seite der Sensorreihe und seitlich an den Sensorelektroden angeordnete Übertragungselektroden, die nach dem Prinzip der Ladungskopplung die Sensorelemente abwechselnd mit einem Kondensator der beiden Schieberegister verbinden, dadurch gekennzeichnet, daß seitlich an jedem Sensorelement (2) die Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) ein Überlaufgebiet (15,16) vom zweiten Leitungstyp enthält, das sich an der zur zugehörigen Übertragungselektrode (3, 8) entgegengesetzten Seite des Sensorelementes erstreckt, daß die Überlaufgebiete (15,16) über Fenster (23) in der Isolierschicht (21,22) mit einer Überlaufelektrode (17) kontaktiert sind und daß Mittel vorgesehen sind, die zwischen den Überlaufgebieten und den Sensorelementen eine gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen selbst geringere Potentialschwelle für die Minoritätsträger erzeugen.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht und die Elektroden der Sensor-MIS-Kondensatoren (2) als sich über die ganze Reihe erstreckende Schichten (22, 30) ausgebildet sind und daß in der Umgebung der Sensorelemente zur Erzeugung der Potentialschwellen die Isolierschicht (21) dicker ist als in den Sensorelementen selbst und/oder in die Isolierschicht eine Abschirmelektrode (14) eingebettet ist und/oder ein stärker dotierter Bereich (20) des Halbleiters vom ersten Leitungstyp vorgesehen ist.
3. Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschicht (22) die Überlaufgebiete (15, 16) überlappt, daß die Abschirmelektrode (14) sich mäanderartig zwischen den Sensorelementen (2) und den Überlaufgebieten erstreckt und daß die Potentialschwelle zwischen Sensorelementen und Überlaufgebieten gegenüber der Potentialschwelle zwischen den Sensorelementen selbst dadurch verringert wird, daß zwischen Sensorele- so menten und Überlaufgebieten eine gegenüber der Isolierschicht (22) zwischen den Sensorelementen dickere Isolierschicht (21) vorgesehen ist und/oder die Halbleiterkörper-Dotierung zwischen den Sensorelementen von der Halbleiterkörper-Dotierung zwischen Sensorelementen und Überlaufgebieten abweicht.
4. Sensor nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschicht (35) der Sensorelektroden auch die Überlaufelektroden bildet.
5. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der dotierte Halbleiterkörper aus p-Silizium besteht.
6. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden aus starkdotiertem Polysilizium bestehen.
7. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dotierung der Überlaufgebiete (15, 16) aus Dotierteilchen des zweiten Leitungstyps besteht, die aus den Überlaufelektroden (17) ausdiffundiert sind.
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DE2813254A DE2813254C2 (de) 1978-03-28 1978-03-28 Eindimensionaler CCD-Sensor mit Überlaufvorrichtung
US06/015,050 US4236168A (en) 1978-03-28 1979-02-26 One-dimensional CCD sensor with overflow arrangement
EP79100610A EP0007384B1 (de) 1978-03-28 1979-03-01 Eindimensionaler CCD-Sensor mit Überlaufvorrichtung
AT0221779A AT385148B (de) 1978-03-28 1979-03-26 Eindimensionaler optoelektronischer ccd-sensor mit ueberlaufvorrichtung
CA324,226A CA1132260A (en) 1978-03-28 1979-03-27 One-dimensional ccd sensor with overflow arrangement
JP3617579A JPS54133890A (en) 1978-03-28 1979-03-27 Optoelectronic sensor

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CA (1) CA1132260A (de)
DE (1) DE2813254C2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2939490A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe
DE4306461C1 (de) * 1993-03-02 1994-05-05 Siemens Ag Fernsehaufnahmeeinrichtung mit Halbleiter-Bildwandler
DE202005015973U1 (de) * 2005-10-10 2007-02-15 Ic-Haus Gmbh Optoelektronischer Sensor

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778167A (en) * 1980-11-04 1982-05-15 Toshiba Corp Charge transfer area image sensor
FR2506078A1 (fr) * 1981-05-12 1982-11-19 Thomson Csf Dispositif anti-eblouissement pour dispositif photosensible a transfert de charge
US4593303A (en) * 1981-07-10 1986-06-03 Fairchild Camera & Instrument Corporation Self-aligned antiblooming structure for charge-coupled devices
US4481538A (en) * 1982-09-30 1984-11-06 Rca Corporation Overcoming flicker in field-interlaced CCD imagers with three-phase clocking of the image register
DE3465830D1 (en) * 1983-07-06 1987-10-08 Agfa Gevaert Nv Radiation-sensitive semiconductor device
GB8414549D0 (en) * 1984-06-07 1984-07-11 Rank Precision Ind Ltd Imaging apparatus
JPS61189065A (ja) * 1985-02-15 1986-08-22 Fuji Electric Co Ltd イメ−ジセンサ
US4814848A (en) * 1986-06-12 1989-03-21 Hitachi, Ltd. Solid-state imaging device
US4928003A (en) * 1988-07-15 1990-05-22 Tektronix, Inc. Charge-coupled device for detecting spatial variation in the intensity of electromagnetic radiation
JPH02219270A (ja) * 1989-02-20 1990-08-31 Nec Corp 固体撮像装置
US4975777A (en) * 1989-06-15 1990-12-04 Eastman Kodak Company Charge-coupled imager with dual gate anti-blooming structure
US6800870B2 (en) * 2000-12-20 2004-10-05 Michel Sayag Light stimulating and collecting methods and apparatus for storage-phosphor image plates
JP4758616B2 (ja) * 2004-04-13 2011-08-31 ルネサスエレクトロニクス株式会社 リニアイメージセンサ
DE102004044678B4 (de) * 2004-09-09 2006-08-31 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Kondensators

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1106477A (en) * 1972-07-10 1981-08-04 Carlo H. Sequin Overflow channel for charge transfer imaging devices
US3983573A (en) * 1974-03-12 1976-09-28 Nippon Electric Company, Ltd. Charge-coupled linear image sensing device
JPS5937629B2 (ja) * 1975-01-30 1984-09-11 ソニー株式会社 固体撮像体
JPS593066B2 (ja) * 1975-09-18 1984-01-21 ソニー株式会社 コタイサツゾウタイ
US4087833A (en) * 1977-01-03 1978-05-02 Reticon Corporation Interlaced photodiode array employing analog shift registers

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2939490A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierter zweidimensionaler bildsensor mit einer differenzbildenden stufe
DE4306461C1 (de) * 1993-03-02 1994-05-05 Siemens Ag Fernsehaufnahmeeinrichtung mit Halbleiter-Bildwandler
DE202005015973U1 (de) * 2005-10-10 2007-02-15 Ic-Haus Gmbh Optoelektronischer Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US4236168A (en) 1980-11-25
EP0007384B1 (de) 1983-07-27
DE2813254C2 (de) 1979-12-06
ATA221779A (de) 1987-07-15
EP0007384A1 (de) 1980-02-06
AT385148B (de) 1988-02-25
JPS54133890A (en) 1979-10-17
CA1132260A (en) 1982-09-21

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