DE2809075A1 - Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes - Google Patents

Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes

Info

Publication number
DE2809075A1
DE2809075A1 DE19782809075 DE2809075A DE2809075A1 DE 2809075 A1 DE2809075 A1 DE 2809075A1 DE 19782809075 DE19782809075 DE 19782809075 DE 2809075 A DE2809075 A DE 2809075A DE 2809075 A1 DE2809075 A1 DE 2809075A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rod
seed crystal
cone
crucible
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19782809075
Other languages
English (en)
Other versions
DE2809075C2 (de
Inventor
Wolfgang Dr Rer Nat Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19782809075 priority Critical patent/DE2809075C2/de
Publication of DE2809075A1 publication Critical patent/DE2809075A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2809075C2 publication Critical patent/DE2809075C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28Controlling or regulating
    • C30B13/285Crystal holders, e.g. chucks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

  • Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an
  • seinem unteren Ende mit dem angeschmolzenen Keimkristall versehenen Halbleiterkristallstabes Zusatz zum Patent .. . .... ... (Patentanm. P 25 48 050) Die Hauptanmeldung .. . .... ... (Patentanmeldung P 25 48 050) betrifft eine Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinem unteren Ende mit dem angeschmolzenen Keimkristall versehenen und senkrecht an den beiden Enden gehalterten Halbleiterkristallstabes, bei der das den Keimkristall enthaltende Stabende im über dem Keimkristall liegenden Konusbereich des Stabes nach dem Schmelzzonendurchlauf abgestützt wird und bei der zur Abstützung ein mit der Halterung des Keimkristalls gekoppeltes, jedoch axial relativ zur Halterung beweglich ausgebildetes Gestänge verwendet ist, welches mit dem Konusbereich mindestens teilweise in Kontakt gebracht wird und aus einem Aufnahmeteller besteht, an dem in gleichem Winkelabstand voneinander mindestens drei Drehgelenke mit Schwenkarmen angeordnet sind.
  • Bei der in der Hauptanmeldung beschriebenen Vorrichtung erfolgt die Abstützung durch Hochziehen der an den Drehgelenken befindlichen Schwenkarme über Umlenkrollen, bis die Schwenkarme auf den Stabkonus fallen. Dabei bestehen die Schwenkarme aus Leichtmetall und weisen zur Vergrößerung ihrer Abstützflächen am Stabkonus eine S-förmige Gestalt auf.
  • Die Aufgabe, die der Erfindung zugrunde liegt, besteht in einer weiteren Verbesserung der Stabilität beim Abstützen von sehr langen und dicken, versetzungsfreien Siliciumeinkristallstäben während des tiegelfreien Zonenschmelzens.
  • Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung nach der Lehre der Erfindung dadurch gelöst, daß der obere Teil der Schwenkarme aus einer, in einem spielfreien Drehgelenk gelagerten, zweizinkigen Gabel besteht, deren Spitzen mit Auflageflächen für den oberen und unteren Stabkonusbereich versehen sind. Auf diese Weise wird die im Hauptpatent beschriebene Abstützung an drei weiteren Punkten des Stabkonus verstärkt, in dem der Stabkonus nicht nur radial, sondern auch durch die zusätzlichen drei Ab stützpunkte axial abgestützt wird. Dadurch ist die flaschenhalsförmige Verengung besser gegen Biegeeffekte geschützt als bei der in der Hauptanmeldung beschriebenen Vorrichtung. Selbstverständlich kann die erfindungsgemäße Abstützvorrichtung auch im zylindrischen Stabteil eingesetzt werden.
  • Es liegt im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß die mit den Auflageflächen versehenen Spitzen aus Stiften aus inertem Material bestehen, die mit einer klebenden oder mit dem Stabkonus verschmelzenden Substanz versehen sind. Dabei kann diese Substanz gemäß einem besonders günstigen Ausführungsbeispiel aus Silberchlorid, Silberaodid, Kupferohlorid oder auch aus festen Alkalihydroxyden wie Kali- oder Natronlauge bestehen0 Die Abstützung kann dann, wie in der Patentanmeldung P 27 06 851.5 (- VPA 77 P 1015) beschrieben ist, so erfolgen, daß durch einen von außerhalb der Zonenschmelzkammer zu betätigenden Mechanismus ein zum Beispiel den Aufnahmeteller umgebender Ring durch Hochschieben die an den drei Schwenkarmen angebrachten kreisförmig nach au ßen gebogenen tEtnehmer berührten und so weit hochschieben, daß die schließlich auf den Stabkonus fallen, wo beim Kontakt mit dem warmen Stabkonus die Pillen mit den Konus verschmelzen. Auf diese Weise wird ein Abstützeffekt gleichzeitig an sechs Punkten des Stabkonus erreichte Die Erfindung soll im folgenden an Hand eines Aus£Whrungsbeispiels und der in der Zeichnung befindlichen Figur, welche schematisch im Schnittbild eine Anordnung während des Abstütævorgangs darstellt, noch näher erläutert werden.
  • In der Figur ist ein Siliciuinkeimkristall 1 in einer Halterung 2 befestigt An den Keimkristall 1 ist über einen konusförmigen Übergang der versetzungsfreie Siliciumstab 3 angewachsen. Zu seiner Herstellung wurde nach dem Aufschmelzen der Verbindungsstelle eine sogenannte flaschenhalsförmige Verengung 4 dadurch erzeugt, daß die Stabhalterungen in axialer Richtung mit einer relativ hohen Geschwindigkeit voneinander entfernt wurden. Diese flaschenhalsförmige Verengung 4 bewirkt ein einkristallines und versetzungsfreies Anwachsen. Da sowohl der Siliciumstab 3 als auch der Keimkristall 1 Drehungen um ihre Achse ausführen (siehe Drehpfeil 5), besteht die Gefahr, daß das an die flaschenhalsförmige Verengung 4 angewachsene Ende des Siliciumstabes 3 zu schwingen beginnt, wenn sich die Schmelzzone (in der Figur nicht dargestellt) zu weit von der Anschmelzstelle zwischen Keimkristall 1 und Siliciumstab 3 entfernt hat und das auf dem Flaschenhals sitzende Gewicht zu groß wird.
  • Dies wird durch das in der Figur abgebildete Gestänge 6 verhindert, welches aus einem mit der Keimkristallhalterung 2 starr verbundenen Aufnahmeteller 7 besteht, auf dem symmetrisch drei (in der Figur ist nur eine Einheit dargestellt) aus Lagerböcken und Achsen bestehende Drehgelenke 8 angebracht sind, in welchen als Stützarme ausgebildete Schwenkarme 9 befestigt sind. Die eigentliche Abstützung am Stabkonus (3) erfolgt an zwei Punkten 10 und 11 durch an den Schwenkarmen 9 drehbar (15) angebrachte Halterungen 12, welche als zweizinkige Gabeln aus Titan ausgebildet sind und an ihren, aus Silicium bestehenden Spitzen 13 und 14 mit dem Stabkonus 3 verschmelzende Silberchloridpillen 16 und 17 enthalten.
  • Das Hochklappen der Schwenkarme 9 kann wie in der Hauptanmeldung beschrieben erfolgen; es können aber auch andere Hochklapp- und Festhaltemechanismen wie zum Beispiel elektromagnetische Systeme verwendet werden. Bei Anwendung eines festhaltenden, zum Beispiel elektromagnetischen Systems können die Silberchloridpillen entfallen.
  • 5 Patentansprüche 1 Figur

Claims (5)

  1. Patentansprüche 1. Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines an seinem unteren Ende mit dem angeschmolzenen Keimkristall versehenen und senkrecht an den beiden Enden gehalterten Halbleiterkristallstabes, bei der das den Keimkristall enthaltende Stabende im über dem Keimkristall liegenden Konusbereich des Stabes nach dem Schmelzzonendurchlauf abgestützt wird und bei der zur Abstützung ein mit der Halterung des Keimkristalls gekoppeltes, jedoch axial relativ zur Halterung beweglich ausgebildetes Gestänge verwendet ist, welches mit dem Konusbereich mindestens teilweise in Kontakt gebracht wird und aus einem Aufnahmeteller besteht, an dem im gleichen Winkelabstand voneinander mindestens drei Drehgelenke mit Schwenkarmen angeordnet Lind nach Patent .. . .... ... (Patentanmeldung P 25 48 ovo), d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß der obere Teil der Schwenkarme aus einer, in einem spielfreien Drehgelenk gelagerten, zweizinkigen Gabel besteht, deren Spitzen mit Auflageflächen für den oberen und unteren Stabkonusbereich versehen sind.
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Spitzen aus Stiften aus inertem Material bestehen, die mit Auflageflächen aus einer klebenden oder mit dem Stabkonus verschmelzenden Substanz versehen sind.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 und/oder 2, d a -d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Auflageflächen durch Kontaktpillen aus Silberchlorid, Silberjodid, Kupferchlorid oder aus festen Alkalihydroxiden gebildet werden.
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e.i c h n e t , daß die die Auflageflächen tragenden Stifte aus Silicium oder Quarz bestehen.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Schwenkarme ganz oder teilweise aus Titan bestehen.
DE19782809075 1978-03-02 1978-03-02 Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben Expired DE2809075C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782809075 DE2809075C2 (de) 1978-03-02 1978-03-02 Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19782809075 DE2809075C2 (de) 1978-03-02 1978-03-02 Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2809075A1 true DE2809075A1 (de) 1979-09-06
DE2809075C2 DE2809075C2 (de) 1986-08-28

Family

ID=6033400

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782809075 Expired DE2809075C2 (de) 1978-03-02 1978-03-02 Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterkristallstäben

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2809075C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173270A (en) * 1987-04-09 1992-12-22 Mitsubishi Materials Corporation Monocrystal rod pulled from a melt

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2548050A1 (de) * 1975-10-27 1977-04-28 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2548050A1 (de) * 1975-10-27 1977-04-28 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173270A (en) * 1987-04-09 1992-12-22 Mitsubishi Materials Corporation Monocrystal rod pulled from a melt

Also Published As

Publication number Publication date
DE2809075C2 (de) 1986-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60316812T2 (de) Quarzglastiegel zur ziehung von siliciumeinkristallen und verfahren zu seiner herstellung
DE3872745T2 (de) Einkristallstab, verfahren und vorrichtung zu seiner ziehung aus einer schmelze.
DE102006011579B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen eines Rohrstrangs aus Quarzglas
DE3881562T2 (de) Verfahren zur Herstellung von nicht gesinterte Cristobalitsilica.
DE1519901A1 (de) Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes
DE69403275T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Silizium-Einkristalles
DE69601013T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Doppeltiegels für das Czochralski-Verfahren
EP3983154B1 (de) Eiga-spule mit ringförmigen windungen
DE2809075A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes
DE1619993A1 (de) Verfahren zum Zuechten eines stabfoermigen Einkristalls aus Halbleitermaterial durch tiegelfreies Zonenschmelzen
DE3215620A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von monokristallinem silizium
DE2910264C2 (de) Verfahren zum Verschmelzen des Glasfußes mit dem Hals des Glaskolbens einer Elektronenröhre
DE2548050C3 (de) Vorrichtung zur Stabhalterung beim tiegelfreien Zonenschmelzen
DE2358300C3 (de) Vorrichtung zum senkrechten Halten eines Halbleiterkristallstabes beim tiegelfreien Zonenschmelzen
DE1209997B (de) Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material
DE2808557C2 (de) Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstäben
DE2706851C2 (de) Vorrichtung zum Haltern des mit dem Keimkristall versehenen Endes eines Halbleiterkristallstabes
DE4427686A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
DE102005040229B4 (de) Unterstützungsvorrichtung zur Unterstützung eines wachsenden Einkristalls aus Halbleitermaterial und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
DE2748031A1 (de) Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes
DE2626311C2 (de) Vorrichtung zum Haltern eines Halbleiterkristallstabes
CH666290A5 (de) Einkristall aus goldberyll und verfahren zur herstellung desselben.
DE2531099B2 (de) Vorrichtung zum Abstützen des den Keimkristall enthaltenden Stabendes beim tiegelfreien Zonenschmelzen durch eine Trichterhülse
DE3338331A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit einem angeschmolzenen keimkristall versehenen und senkrecht zu den beiden enden gehalterten halbleiterkristallstabes
DE2717360B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Granulate einer Halbleiter-Verbindung aus Arsenselenid

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
AF Is addition to no.

Ref country code: DE

Ref document number: 2548050

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8340 Patent of addition ceased/non-payment of fee of main patent