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Verfahren zur Herstellung einer Mesa-Halbleitervorrichtung
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sowie nach diesem Verfahren hergestellte Elalbleitervorrichtung Die
Erfindung betrifft eine Mesa-Halbleitervorrichtung zur Verwendung unter einem von
der Kathodenseite her einwirkenden Druck, d.h. unter Druckanlegung, sowie ein Verfahren
zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung.
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Es sind bereits zahlreiche unter Druckanlegung arbeitende Halbleitervorrichtungen
bekannt, die unter einem von der Kathodenseite her einwirkenden Druck arbeiten.
Als Beispiel für eine derartigen Halbleitervorrichtung veranschaulicht Fig. 1 eine
unter Druckanlegung arbeitende Thyristor-Vorrichtung mit Gate-Sperrung (im folgenden
als GTO-Vorrichtung bezeichnet).
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Die GTO-Vorrichtung gemäß Fig. 1 besteht aus einem Halbleiterkörper
mit einer p-Anodenschicht 12, einer n-Zwischenschicht 14, einer p-Gateschicht 16
und einer n-Xathodenschicht 18. Die Kathodenschicht 18 ist dabei in eine Anzahl
von Mesa-Abschnitten 18a, 18b, 18c und 18d unterteilt. Die Anodenschicht 12, die
Gateschicht 16 und die Xathodenschichtabschnitte 18a bis 18d sind mit einer Anoden-Elektrode
20, einer Gate-Elektrode 22 bzw.
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Kathodenelektroden 24a bis 24d versehen. An die Gate-Elektrode 22
ist eine Gate-Zuleitung 25 angeschlossen. Die so gebildete Konstruktion wird von
einer Tragplatte 26 getragen. Eine Anodenklemmen- bzw. Anschlußplatte 30 ist mit
Hilfe eines Lots 28 an der Tragplatte 26 befestigt. Auf den Kathoden-Elektroden
24a bis 24d ist eine Preßplatte 32 angeordnet. Die Querbreite der Preßplatte 32
ist kleiner als die gesamte Querbreite über alle Kathoden-Elektroden 24a bis 24d
hinweg, d.h. von der Außenkante der äußersten Kathoden-Elektrode 24a bis zur Außenkante
der äußersten Kathoden-Elektrode 24d auf der anderen Seite. Auf der Preßplatte 32
sitzt eine Kathoden-Anschlußplatte 36. Die Querbreite der Preßplatte 32 ist aus
den im folgenden angegebenen Gründen mit der genannten Größe gewählt. Wenn nämlich
die unter Druckanlegung arbeitende Halbleitervorrichtung im Betrieb einem von der
Kathodenseite her von außen ausgeübten Druck unterworfen wird, setzt sich die Kathodenschicht
18 auf die noch zu erläuternde Weise.
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Wenn daher die Preßplatte 32 eine solche Breite in Querrichtung besitzt,
daß sie wesentlich über die Kathodenschicht 18 nach außen übersteht, kann sie mit
der von der Gate-Elektrode 22 abgehenden Zuleitung 25 in Berührung kommen und dabei
einen Kurzschluß zwischen Kathode und Gate-Elektrode verursachen.
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Gate-Elektrode 22 und Kathoden-Elektroden 24a bis 24d besitzen üblicherweise
eine Dicke im Bereich von etwa 10#, und der Abstand zwischen der Oberfläche der
Gate-Schicht 16 und der Oberfläche der Kathodenschicht 18 beträgt etwa 20#, so daß
der Abstand zwischen der Unterseite der Preßplatte 32 und der Oberfläche der Gate-Elektrode
22 bei etwa 20# liegt.
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Die GTO-Halbleitervorrichtung kann unter einem Druck F angewandt werden,
der von außen her in Richtung der Pfeile gemäß Fig. 2 auf diese Vorrichtung ausgeübt
wird. Bei dieser Betriebsart wird der thermische Widerstand zwischen den Kathoden-Elektroden
24a bis 24d und der Preßplatte 32 verringert, wobei die an der
GTO-Vorrichtung
erzeugte Wärme zur Erhöhung der Stromkapazität zwangsläufig durch die Preßplatte
32 hindurch abgestrahlt wird.
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Bei Anlegung des äußeren Drucks F über die Preßplatte 32 auf die durch
die Pfeile angedeutete Weise erfährt das Lötmittel 28 in einem Bereich entsprechend
der Preßplatte 32 gemäß Fig. 2 eine plastische Verformung. Dabei wird der Mittelteil
im Vergleich zum Umfangs- bzw. Randbereich dünner. Obgleich in diesem Fall ein der
Preßplatte 32 entsprechender Teil des GTO-Elements unter der Einwirkung des äußeren
Drucks F ebenfalls verformt wird bzw. sich nach unten durchwölbt, werden die mit
der Preßplatte 32 in Berührung stehenden Abschnitte der äußersten Kathoden-Elektroden
24a und 24d durch den äußeren Druck F beeinflußt. Die nicht mit der Preßplatte 32
in Berührung stehenden Abschnitte sind dagegen nicht mit dem äußeren Druck beaufschlagt,
weil die Kathoden-Elektroden 24a und 24d nur zum Teil mit der Preßplatte 32 in Berührung
stehen.
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Die äußersten Kathodenschicht-Abschnitte 18a und 18d erfahren daher
die in Fig. 2 veranschaulichte Verformung, so daß sich der äußere Druck F auf die
äußersten Kathoden-Elektroden 24a und 24d konzentriert.
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Diese Verformung der Kathodenschicht-Abschnitte 18a und 18d führt
zu den folgenden Nachteilen: (1) Die Effektivfläche der Kathoden-Elektroden 24a
und 24d, d.h. die Fläche der mit der Preßplatte in Berührung stehenden Kathoden
24a und 24d kann sich verkleinern, und an den Abschnitten der Kathoden 24a und 24d
entsprechend den Berührungspunkten kann sich die Stromdichte erhöhen, was zu einem
Durchbruch des GTO-Elements führen kann; und
(2) Das die Kathoden
24a und 24d bildende Metall (normalerweise Aluminium) kann unter dem Einfluß der
erzeugten Wärme herausgepreßt werden, so daß es längs der Seitenwände der Kathodenschicht-Abschnitte
18a und 18d herausquillt und dabei nach längerem Gebrauch einen Kurzschluß zwischen
den Kathoden 24a und 24d einerseits sowie der Gate-Elektrode 22 andererseits verursacht.
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Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, eine Mesa-llalbleitervorrichtung
zu schaffen, die bei einem äußeren, zwischen Anoden- und Kathoden-Anschlußplatten
angelegten Druck keine Verformung der Kathodenschicht-Abschnitte erfährt.
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Im Zuge dieser Aufgabe bezweckt die Erfindung auch die Schaffung eines
Verfahrens zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung.
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Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren zur herstellung einer Mesa-Iialbleitervorrichtung,
die im Betrieb unter einem zwischen einer Anoden-Anechlußplatte und einer Kathoden-Anschlußplatte
angelegten Druck eingesetzt wird und die einen Halbleiterkörper mit einer in eine
Anzahl von Außenabschnitten unterteilten Außenschicht aufweist, wobei zunächst ein
Halbleiterkörper mit zwei Außenschichten hergestellt wird, von denen die eine in
eine Anzahl von Außenschichtabschnitten unterteilt ist, von denen jeder mit einer
erste Elektrode versehen ist, während die andere Schicht mit einer zweiten Elektrode
versehen ist, sodann eine Tragplatte für das so hergestellte Gebildet derart angebracht
wird, daß die zweite Elektrode mit der einen Fläche der Tragplatte in Berührung
gelangt, anschließend eine erste Klemmen- bzw. Anschlußplatte mit Hilfe eines Lötmittels
an
der anderen Fläche der Tragplatte angebracht wird, an den ersten Elektroden eine
Preßplatte angeordnet wird und auf der Preßplatte eine zweite Klemmen- bzw. Anschlußplatte
vorgesehen wird, erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß vor der Anbringung der Preßplatte
an den ersten Elektroden auf letztere eine flache Platte mit einer solchen Querbreite
aufgesetzt wird, die sich zumindest von der Außenkante der einen äußersten ersten
Elektrode bis zur Außenkante der gegenüberliegenden äußersten ersten Elektrode erstreckt,
daß hierauf von außen her über die flache Platte ein Druck auf den Halbleiterkörper
ausgeübt wird und daß anschließend die flache Platte enfernt wird.
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In weiterer Ausgestaltung bezieht sich die Erfindung auch auf eine
Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der eine erste und eine zweite
Außenschicht aufweist, von denen die erste Außenschicht in eine Anzahl von ersten
Schichtabschnitten unterteilt ist, mit auf den verschiedenen Abschnitten der ersten
Außenschicht angeordneten ersten Elektroden, einer an der zweiten Außenschicht vorgesehenen
zweiten Elektrode, einer an der einen Fläche der zweiten Elektrode montierten Tragplatte
zur Unterstützung der Halbleitervorrichtung, einer an der anderen Fläche der Tragplatte
montierten ersten Klemmen-bzw. Anschlußplatte, einer Lötmittelschicht zum Verlöten
bzw.
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Verbinden der Tragplatte mit der ersten Anschlußplatte, einer auf
den ersten Elektroden angeordneten Preßplatte und einer auf der Preßplatte vorgesehenen
zweiten Klemmen- bzw. Anschlußplatte, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Querbreite
der Preßplatte nicht kleiner ist als der Abstand von der Außen kante der einen äußersten
ersten Elektrode bis zur Außenkante der gegenüberliegenden äußersten Elektrode und
nicht größer als die Strecke von der Außenkante des einen äußersten Abschnitts der
ersten Schicht bis zur Außenkante des gegenüberliegenden äußersten Abschnitts der
ersten Schicht.
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Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung im
Vergleich zum Stand der Technik anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen: Fig. 1 eine Schnittansicht eines Beispiels für eine bisherige, unter
Druckanlegung arbeitende llalbleitervorrichtung, Fig. 2 eine Fig. 1 ähnelnde Darstellung
mit an die Vorrichtung angelegtem Druck, Fig. 3, 4, 5, 6, 7, 10 und 11 Schnittansichten
zur Veranschaulichung eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens,
Fig. 8 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem äußeren Druck F und
der maximalen Abweichung der unter diesem Druck gekrümmten Konfiguration, Fig. 9
eine Teilschnittdarstellung eines Abschnitts der Vorrichtung gemäß Fig. 3 mit übertrieben
dargestellter Krümmung und Fig. 12 bis 16 Schnittansichten zur Veranschaulichung
weiterer Ausführungsbeispiele der Erfindung.
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Im folgenden ist anhand der Fig. 3 bis 11 ein Verfahren zur 11erstellung
der erfindungsgemäßen Mesa-Halbleitervorrichtung, beispielsweise eint GTO-Vorrichtung
beschrieben.
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Gemäß Fig. 3 wird zunächst nach einem an sich bekannten Verfahren,
beispielsweise nach dem Fremdatom-Diffusionsverfahren,
dem Epitaxialverfahren
oder dergleichen, ein Halbleiterkörper aus vier pneSchichten 62, 64, 66 und 68 gebildet.
Die p-Schicht 62, die n-Schicht 64, die p-Schicht 66 und die Schicht 68 dienen hierbei
als Anodenschiclit, als Zwischenschicht, als Gate-Schicht bzw. als Kathodenschicht.
Die n-Kathodenschicht 68 ist in eine Anzahl von Mesa-Abschnitten 68a, 68b, 68c und
68d unterteilt, die mit Kathoden (elektroden) 70a, 70b, 70c bzw. 70d aus z.B. Aluminium
besetzt sind. Ebenso sind die p-Anodenschict 62 und die p-Gate-Schicht 66 jeweils
mit einer Anoden-Elektrode 72 bzw. einer Gate-Elektrode 74 aus z.B. Aluminium versehen
Die Gate-Elektrode 74 wird in an sich bekannter Weise, beispielsweise durch Hochfrequenz-Strahlschweißen
mit dem einen Ende einer Gate-Zuleitung 76 verbunden. Die Seitenwände der p-Anodenschicht
62, der n-Zwischenschicht 64 und der p-Gate-Schicht 66 sind mit einem Schutzfilm
aus z.B. Silikongummi 78 bedeckt.
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Die beschriebene Konstruktion wird in der Weise an einer Tragplatte
80 angebracht, daß die Anode 72 gemäß Fig. 4 mit der Tragplatte 80 in Berührung
steht.
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Anschließend wird die Tragplatte 80 gemäß Fig. 5 beispielsweise mit
Hilfe eines Lötmetalls 82 mit einer Anoden-Anschluß- bzw.
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-Klemmenplatte 84 verbunden. Diese Platte 84 ist ihrerseits an einem
nicht dargestellten Kolben angebracht.
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Hierauf wird auf die Kathoden 70a bis 70d eine beispielsweise aus
Metall bestehende, flache Platte 86 mit einer Querbreite aufgelegt, welche zumindest
dem Abstand von der Außenkante der äußersten Kathode 70a zur Außenkante der anderen
äußersten Kathode 70d entspricht oder größer als dieser Abstand ist. Gemäß Fig.
6 ist die Querbreite der flachen Platte 86 größer als die alle Kathoden 70a bis
70d überbrückende Strecke.
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Gemäß Fig. 7 wird die Konstruktion sodann über die flache Platte
86 in der durch die Pfeile angedeuteten Richtung mit einem
Druck
F beaufschlagt.
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Daraufhin ist die Halbleitervorrichtung gemäß Fig. 7 so umgewandelt
bzw. verformt, daß ihr Mittelbereich nach unten durchgedrückt ist. Dies bedeutet,
daß die Gesamtkonfiguration an der Oberseite konkav wird. Da hierbei die Kathoden
70a bis 70d mit dem äußeren Druck über eine flache Platte 86 beaufschlagt werden,
die sich vollständig über diese Kathoden-Elektroden hinwegerstreckt, nämlich von
der Außenkante der einen äußersten Kathode 70a bis zur Außenkante der gegenüberliegenden
äußersten Kathode 70d, werden die Kathodenschicht-Abschnitte 68a und 68d ohne jede
Verformung im selben Maß durchgedrückt wie die Kathodenschicht-Abschnitte 68b und
68c. Infolgedessen liegen die Oberflächen aller Kathoden 70a bis 70d in derselben
Ebene.
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Obgleich in Fig. 7 jede Kathoden-Elektrode als nur auf dem Mittelteil
des betreffenden Kathodenschicht-Abschnitts angeordnet dargestellt ist, bedeckt
sie tatsächlich die Gesamtfläche dieses Kathodenschicht-Abschnitts. Aus den noch
näher zu erläuternden Gründen muß der zu diesem Zeitpunkt angelegte äußere Druck
in jedem Fall höher sein als der Druck, dem die Vorrichtung im Gebrauch unterworfen
ist. Ublicherweise ist die Lötmittelschicht 100 bis 200in dick, wobei der äußere
Druck F vorzugsweise bei 300 bis 450 kg/cm' liegen sollte. Diese Beziehung geht
deutlich aus der Kennlinie gemäß Fig. 8 hervor, welche die Beziehung zwischen dem
äußeren Druck F (kg/cm2) und der Abweichung (F) der Oberflächenebene der Kathoden-Elektroden
der GTO-Vorrichtung zeigt. Die Kennlinie gemäß Fig. 8 ist für eine GTO-Vorrichtung
mit einer Lötschichtdicke von 100 bis 200# ermittelt, wobei die dünnen lotrechten
Linien die Abweichungen (Toleranzen) in der Oberflächenebene der Kathoden-Elektroden
dieser Vorrichtung zeigen.
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Diese Abweichung entspricht Null, wenn die Kathoden 70a bis
70d
in einer Linie bzw. in derselben Ebene liegen. Wie anhand der Kennlinie gemäß Fig.
8 ersichtlich ist, ist die GTO-Vorrichtung gemäß Fig. 9 vor der Anlegung des äußeren
Drucks F tatsächlich an der Oberseite konvex (positive Seite (+) in Fig. 8). In
Fig. 9 ist dieser Auslenk- bzw. Abweichzustand mehr oder weniger übertrieben stark
dargestellt.
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Die für den beschriebenen Versuch verwendete GTO-Vorrichtung ist dann,
wenn sie noch nicht mit dem äußeren Druck beaufschlagt worden ist, bis zu einer
Erhöhung von etwa 13# konvex, während sie praktisch die Abweich-Nullmarke erreicht,
wenn sie einem äußeren Druck von etwa 225 kg/cm' unterworfen wird.
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Bei Beaufschlagung der GTO-Vorrichtung mit dem Druck F wird diese
Vorrichtung eingedrückt bzw. konkav (negative Seite (-) in Fig. 8). Bei Beaufschlagung
mit einem äußeren Druck F von 300 kg/cm' oder höher wird die GTO-Vorrichtung praktisch
zur Sättigung gebracht. Infolgedessen muß der Lei der Fertigung ausgeübte äußere
Druck F zumindest über 300 kg/cm', vorzugsweise jedoch über 350 kg/cm2 oder höher
liegen.
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Die GTO-Vorrichtung wird mit dem auf sie einwirkenden äußeren Druck
eingesetzt, um den thermischen Widerstand zu reduzieren.
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Sobald der Beaufschlagungsdruck eine feste Größe erreicht hat, ändert
sich der thermische Widerstand kaum noch, auch wenn der äußere Druck weiter erhöht
wird. Bei einer GTO-Vorrichtung mit einer Lötmetalldicke von etwa 100 bis 200# liegt
der äußere Druck, bei dem sich der thermische Druck einpegelt, bei 300 kg/cm' oder
darüber, worauf sich der thermische Widerstand kaum noch ändert, auch wenn der Beaufschlagungsdruck
auf 450 kg/cm' oder mehr erhöht wird. Infolgedessen sollte der bei der Fertigung
ausgeübte äußere Druck vorzugsweise im Bereich von 350 bis 450 kg/cm2 liegen.
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In diesem Zusammenhang ist zu bemerken, daß die zweckmäßige Höhe des
von außen angelegten Beaufschlagungsdrucks F hauptsächlich
von
der Dicke der Lötmr~tallscliicht 82 abhängt.
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Im nächsten Verfahrensschritt wird die flache Platte 86 abgenommen
und durch eine Preßplatte 88 ersetzt, die gemäß Fig. 10 auf den Kathoden 70a bis
70d angeordnet wird. Diese Preßplatte 88 besitzt keine sich voll silber alle Kathoden
70a bis 70d hinweg erstreckende Querbreite. Die Querbreite der Preßplatte 88 ist
vielmehr kleiner als die Strecke von der Außenkante der Kathode 70a zur Außenkante
der Kathode 70d.
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Infolgedessen sind die mit den Randabschnitten der Preßplatte 88 in
Berührung stehenden Kathoden 70a und 70d nur teilweise mit der Platte 88 belegt.
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Gemäß Fig. 11 wird sodann eine Kathoden-Anschlußplatte 90 auf der
Preßplatte 88 angeordnet.
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Nach Durchführung der vorstehend beschriebenen Verfahrensschritte
ist das erfindungsgemäße Fertigungsverfahren abgeschlossen. Im folgenden ist nunmehr
der Grund dafür beschrieben, weshalb der während der Herstellung auf die GTO-Vorrichtung
ausgeübte Druck F höher sein sollte als der diese Vorrichtung im Betrieb beaufschlagende
Druck.
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Wenn nämlich der im Gebrauch bzw. im Betrieb auf die Vorrichtung einwirkende
Druck höher ist als der Beaufschlagungsdruck während der Fertigung, können sich
die Kathodenschicht-Abschnitte 68a und 68b möglicherweise verformen, da nämlich
die Preßplatte 88 in Querrichtung nicht so breit ist, daß sie alle Kathoden 70a
bis 70d voll bedeckt, sondern die beiden äußersten Kathoden 70a und 70d nur teilweise
übergreift. Dabei kommen die Kathoden 70a und 70d mit dem Randabschnitt der Preßplatte
88 in Berührung.
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Wenn dann im Betrieb ein über dem Beaufschlagungsdruck F während der
Fertigung liegender Druck auf die Vorrichtung ausgeübt wird, können sich die Kathodenschicht-Abschnitte
70a und 70d auf vorher
beschriebene Weise plastisch verformen.
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Bei der beschriebenen Ausführungsform wird die Lötmetallschicht 82
plastisch umgeformt bzw. verformt, ohne daß dies eine Verformung der mit den Randabschnitten
der Preßplatte 88 in Berührung stehenden Kathodenschicht-Abschnitte 68a und 68d
zur Folge hätte, indem die Vorrichtung während der Fertigung mittels der flachen
Platte 86, deren Querbreite größer ist als die Strecke über alle Kathoden 70a bis
70d hinweg, vor der Anbringung der Preßplatte mit einem äußeren Druck beaufschlagt
wird, der höher ist als der im Betrieb über die Preßplatte 88 ausgeübte Druck, so
daß sich die Kathodenschicht-Abschnitte 68a und 68d (im Betrieb) auch dann nicht
verformen, wenn der von außen her einwirkende Druck über die Kathoden-Anschlußplatte
90 und die Preßplatte 88 angelegt wird. Hierdurch wird infolgedessen die Möglichkeit
für eine Erhöhung der Stromdichte an den Kathoden 70a und 70d ausgeschaltet, die
zu einem Durchbruch des Elements sowie zur Möglichkeit eines Kurzschlusses zwischen
den Kathoden 70a und 70d einerseits und der Gate-Elektrode 74 andererseits führen
könnte.
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Gemäß der der Fig. 6 ähnelnden Fig. 12 ist die Querbreite der flachen
Platte 86 (Fig. 7) gleich der Strecke über alle Kathoden-Elektroden hinweg. In diesem
Fall wird dieselbe Wirkung erreicht wie bei der vorher beschriebenen Ausführungsform.
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In Fig. 10 besitzt die Preßplatte 88 eine Querbreite, die kleiner
ist als die Strecke von der Außenkante der Kathode 70a zur Außenkante der Kathode
70d. Gemäß Fig. 13 kann jedoch die Querbreite der Preßplatte 88 genau der Entfernung
der Außenkante von der Kathode 70a zur Außenkante der Kathode 70d entsprechen. Wie
in Fig. 14 dargestellt, kann die Preßplatte 88 wahlweise auch eine solche Querbreite
besitzen, daß sie die Oberflächen aller Kathodenschicht-Abschnitte 68a bis 68d
überspannt,
d.h. sich von der allRenkante des Kathodenschicht-Abschnitts 68a zur Außenkante
des Kathodenschicht-Abschnitts 68b erstreckt.
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Wie selbstverständlich zu erwarten war, sind die Kathodenschichten
68a und 68d bei den abgewandelten Ausführungsformen gemäß den Fig. 13 und 14 keiner
Verformung unterworfen, so daß diese Abwandlungen dieselbe Wirkung gewährleisten
wie die Ausführungsform gemäß Fig. 10.
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Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 14 erstreckt sich die Preßplatte
88 nur ein kleines Stück über die Außenkanten der Kathoden 70a und 70d hinaus, so
daß nur eine sehr geringe Möglichkeit für die Entstehung eines Kurzschlusses mit
der Gate-Zuleitung 76 besteht.
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Die den Teilen von Fig. 6 entsprechenden Teile gemäß Fig. 12 sind
mit denselben Bezugsziffern wie dort bezeichnet und daher nicht näher erläutert.
Das gleiche gilt auch für die Teile nach Fig. 13 und 14, die mit denselben Bezugsziffern
wie in Fig. 10 bezeichnet sind.
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Wenn die Preßplatte 88 eine Querbreite entsprechend der Strecke von
der Außenkante der Kathode 70a zur Außenkante der Kathode 70d (gemäß Fig. 15) oder
eine solche Querbreite besitzt, daß sie sich von der Außenkante des Kathodenschicht-Abschnitts
68a bis zur Außenkante des Kathodenschicht-Abschnitts 68d erstreckt, so braucht
für die Druckbeaufschlagung der Halbleitervorrichtung während der Fertigung die
flache Platte 86 nicht benutzt zu werden.
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Obgleich die Ausführungsformen der Erfindung vorstehend in Verbindung
mit einer GTO-Vorrichtung beschrieben sind, ist darauf hinzuweisen, daß die Erfindung
keineswegs auf diese
spezielle Vorrichtung beschränkt ist, sondern
auch auf die gewöhnlichen Thyristoren, Transistoren, Dioden oder dergleichen anwendbar
ist, die unter Druckbeaufschlagung arbeiten. Obgleich die bei diesen Ausführungsformen
verwendete flache Platte aus einem Metall besteht, können auch flache Platten aus
einem isolierenden Material oder einem Halbleitermaterial verwendet werden. Im Falle
solcher Materialien müssen diese Platten jedoch vorzugsweise eine solche Festigkeit
besitzen, daß sie bei der Druckbeaufschlagung weder brechen noch einer Rißbildung
oder Absplitterung unterworfen sind.