DE2746712B2 - Piezoelektrischer Resonator - Google Patents

Piezoelektrischer Resonator

Info

Publication number
DE2746712B2
DE2746712B2 DE2746712A DE2746712A DE2746712B2 DE 2746712 B2 DE2746712 B2 DE 2746712B2 DE 2746712 A DE2746712 A DE 2746712A DE 2746712 A DE2746712 A DE 2746712A DE 2746712 B2 DE2746712 B2 DE 2746712B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resonator
layers
layer
resonator according
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2746712A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2746712A1 (de
DE2746712C3 (de
Inventor
Ewald Dipl.-Ing. Dr.Techn. Benes
Dieter Dipl.-Ing. Dr.Techn. Hammer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of DE2746712A1 publication Critical patent/DE2746712A1/de
Publication of DE2746712B2 publication Critical patent/DE2746712B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2746712C3 publication Critical patent/DE2746712C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/54Control of the diagnostic device
    • A61B8/546Control of the diagnostic device involving monitoring or regulation of device temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/32Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using change of resonant frequency of a crystal
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/16Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices
    • G01L1/162Measuring force or stress, in general using properties of piezoelectric devices using piezoelectric resonators
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0001Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means
    • G01L9/0008Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations
    • G01L9/0022Transmitting or indicating the displacement of elastically deformable gauges by electric, electro-mechanical, magnetic or electro-magnetic means using vibrations of a piezoelectric element
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/09Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up
    • G01P15/0907Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up of the compression mode type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02094Means for compensation or elimination of undesirable effects of adherence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/028Material parameters
    • G01N2291/02827Elastic parameters, strength or force

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen piezoelektrischen Resonator für Meßwertaufnehmer, wie z. B. Druck-, Beschleunigungs-, Temperaturgeber und Lastmeßzellen, bestehend aus einem Resonator-Kern, der an zwei gegenüberliegenden Seiten Haltestücke aufweist, die aus Festkörperschichten gebildet sind. Das Kernstück besteht in der Regel aus einer Einkristallscheibe oder aus mehreren Einkristallscheiben, kann jedoch auch aus Piezokeramik mit hinreichend niedrigen Verlusten aufgebaut sein.
Piezo-Resonatoren, insbesondere Schwingquarze, wurden bisher scti>n für Meßwertaufnehmer für verschiedene physikalische Meßgrößen, wie z. B. Temperatur und Druck, verwendet, siehe »The crystal resonator — a digital transducer«, D. L Hammond, A. Benjaminson, IEEE spectrum April 1969, S. 53 — 58. Die Vorteile, die sich auf den genannten Einsatzgebieten durch die Verwendung piezoelektrisch angetriebener mechanischer Resonatoren ergeben, sind nicht zuletzt eine Folge der hohen erzielbaren Werte für die Resonatorgüte, die die mit elektrischen Schwingkreisen erreichbaren Gütewerte um mehrere Größenordnungen übertreffen. Diese hohe Resonatorgüte wird bei den bekannten Piezo-Resonatoren für Meßwertaufnehmer durch Totalreflexion der piezoelektrisch angeregten Schallwelle an dem den Resonator umgebenden Hochvakuum bzw. verdünnten Gas erreicht. Da jedoch mittels des genannten, als ideal »schallweich« zu bezeichnenden, akustischen Abschlußmediums Hochvakuum bzw. Gas, keine mechanische Halterung des Resonators möglich ist, wurde die Halterung getrennt an Stellen verschwindender Schwingungsamplitude bzw. möglichst punktförmig ausgeführt. Diese Form der Halterung erlaubt jedoch keine gegenüber Erschütterungen robuste Ausführung des Meßwertaufnehmers bzw. erlaubt sie z. B. beim Druckaufnehmer — abgesehen von exhorbitant hohen Herstellungsschwierigkeiten bzw. Herstellungspreis — keine homogene Druckspannungsverteilung im Schwingquarz.
Zur Vermeidung dieser Nachteile ist vorgesehen, daß der Resonator-Kern an zwei gegenüberliegenden Seiten Haltestückc aufweist, die durch Festkörperschichten gebildet sind, deren Abmessungen gemäß der Erfindung in Ausbreitungsrichtung der piezoelektrisch angeregten Schallwelle ein n-faches von 1A, wo η cine ganze ungerade Zahl isl, der der Resonanzfrequenz des Resonators entsprechenden Schallwellcnlänge L in der betreffenden Schicht betragen, und die abwechselnd aus Materialien mit stark unterschiedlicher spezifischer akustischer Impedanz bestehen. Bei dieser Halterungseinrichtung, die als »Sandwich-Halter« bezeichnet werden kann, erfolgt die Halterung des Resonator-Kerns großflächig durch die Festkörperschichten. Diese
Schichten wirken als Transformationsschichten, dio es erlauben, die akustische Impedanz des außerhalb des Halters befindlichen Mediums auf einen beliebigen Wert zu transformieren. Der Wert von π kann vorzugsweise »!«betragen.
Durch die Aufeinanderfolge von Schichten aus Materialien mit stark unterschiedlicher spezifischer akustischer Impedanz wird nach den Gesetzen der Akustik eine extrem hohe bzw. eine extrem niedrige akustische Abschlußimpedanz erzielt, welche eine fast verlustfreie Reflexion der im Resonator erzeugten Schallwelle, also eine Quasi-Totalreflexion bewirkt. Die erfindungsgemäß aufgebauten Haitestücke fungieren als »akustische Spiegel«, welche nahezu die gesamte im Resonator gespeicherte Blindenergie auf den Resonator-Kern konzentrieren. Dadurch wird ein Resonator hoher Güte mit einer großflächigen, mechanisch robusten Halterung erreicht. Der Resonator-Kern kann dabei, wie bisher üblich, aus einem Einkristallstück aus z. B. Quarz, Lithiumniobat oder Lithiumtantalat bestehen, kann aber auch aus mehreren solchen Stücken aufgebaut sein. Es ist auch denkbar, statt phzoelektrischer Einkristalle piezokeramische Werkstoffe mit hinreichend niedrigen akustischen Verlusten zu verwenden.
Es kann sich dabei als vorteilhaft erweisen, wenn mindestens einzelne der genannten Schichten aus mehreren Lagen aus Materialien gleicher akustischer Impedanz oder aus dem gleichen Material aufgebaut sind. Eine Lage ist dabei jeweils aus einem einzigen, in Jn sich homogenen Material aufgebaut.
Auch können zusätzliche Schichten, deren Abmessungen in Ausbreitungsrichtung der piezoelektrisch angeregten Schallwelle '/2 oder ein ganzzahliges Vielfaches von '/2 der der Resonanzfrequenz des Resonators r> entsprechenden Schallwellenlänge in der betreffenden Schicht betragen, zwischengeschaltet sein.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann die äußerste Schicht der Haltestücke, also die vom Resonator-K irn am weitesten entfernte Schicht, aus 4» Material mit gegenüber der nachfolgenden Schicht höherer akustischer Impedanz bestehen wodurch vorteilhaft eine geringe Schichtenanzahl bei hoher Güte des Resonators ermöglicht wird.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung können -n die ungeraJzahligen und die geradzahligen Festkörperschichten del' Haltestücke je aus demselben Material bestehen, was eine Vereinfachung der Herstellung der Halterung ergibt.
Für die Verwendung ties Resonators als Druckauf- in nehmer wird in Ausgestaltung der Erfindung vorgeschlagen, daß zur Temperaturkompensation der Resonanzfrequenz eine Kompensationsschicht vorgesehen ist, die mindestens an einer der Schichten längs einer /ur Ausbreitungsrichtung der piezoelektrisch angeregten >"> Schallwelle senkrecht stehenden Fläche anschließt und deren Abmessung in Ausbreitungsrichtung der piezoelektrisch angeregten Schallwelle eine halbe oder ein ganzzahliges Vielfaches von einer halben Wellenlänge in dieser Schicht beträgt und deren Temperaturausdeh- mi nungskoeffizient so gewählt ist, daß die Resonanzfrequenz praktisch temperaturunabhängig ist.
Umgekehrt können für die Verwendung des Resonators als Temperaturaufnehmer in weiterer Ausgestaltung der Erfindung die Temperaturkoeffizienten der ir> Materialien der aas Resonator und Gehäuse bestehenden Gesamtanordnung so gewählt sein, daß bei femperaturänderungen Druckändcrungcn am Resonator-Kern entstehen, welche die Temperaturempfindlichkeit der Resonanzfrequenz des Resonator-Kerns ergeben bzw. erhöhen. Dabei werden zweckmäßig die Ausdehnungskoeffizienten der verwendeten Materialien und die Konstruktion so gewählt, daß eine starke Druckänderung auf den Resonator als Folge einer Temperaturänderung zustande kommt.
Der Hauptvorteil des erfindungsgemäßen Sandwich-Resonators in der Meßwertaufnehmer-Anwendung ist die vollkommen homogene Druckbeanspruchung des Resonaior-Kerns; beim Temperaturaufnehmer kommen als Vorteile noch hinzu die großflächige Wärmeübertragung auf das Sensorelement und die hohe erzielbare Temperaturempfindlichkeit, beim Druckaufnehmer im Vergleich mit den bisher verwendeten Resonatorkonstruktionen noch die Vorteile eines wesentlich einfacheren Aufbaus, einer wesentlichen Verringerung der Abmessung und eines noch höheren Druckbere'Chs.
Die iy4-Schichten können bei graueren Abmessungen aus Blechen bzw. Folien öder auch hus siabförmigem Rohmaterial hergestellt werden. Bei hohen Miniaturisierungsanforderungen können die
ZV4-Schichten bzw. die Lagen in Weiterbildung der Erfindung durch Aufdampfen oder galvanisch auf den Resonator-Einkristall aufgebracht werden. In diesem Fall kann bei der Anwendung des Sandwich-Resonators zur Frequenzstabilisierung, z. B. in elektronischen Armbanduhren, das teure Resonatorgthäuse entfallen, da der Sandwich-Resonator nicht im Vakuum betrieben werden muß. Es ist auch denkbar, die Haitestücke oder auch die einzelnen LJA-Schichten oder auch die Lagen getrennt vom Resonator-Kern durch Aufdampfen oder galvanisch herzustellen.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann zur Verringerung der akustischen Verluste in den Grenzschichten die Haftung der Schichten bzw. Lagen untereinander und/oder am Resonator-Kern durch Aufdampfen oder Aufgalvanisieren einer im Verhältnis zu den Abmessungen der Schichten sehr dünnen Haf'-.chicht erhöht werden. Als Material für diese Haftschichten kommt z. B. Gold in Frage. Eine gute Haftung der Schichten bzw. Lagen untereinander und/oder am Resonator-Kern kann als letzte Ausgestaltung der Erfindung auch durch Epitaxie erreicht werden.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. I ein Ausführungsbeispiel eines Druckaufnehmers im Axialschnitt und
Fig. 2 und 3 ein um 90° gedrehtes Detail daraus in zwei Ausführungsvarianten.
Der Druckaufnehmer beinhaltet einen piezoelektrischen Sandwich- Resonator 12. Der Sandwich-Resonator ist zwischen dem ein ganzzahliges Vielfaches von LJl dicken Membrarteil 11 aus rostfreiem Siahl auf der in der F i g. I unteren Seite und dem an dieser Stelle ein ganzzahliges Vielfaches von L/2 dicken Gehäusekörper 14 aus rostfreiem Stahl auf der in der Fig. I oberen Seite gehaltert, woLdi an der oberen Seite noch ein L/2 dickes Isolierstück 13 aus Quarzglas zur elektrischen Isolation des Haltestückes 20' Zwischengeschäft ist. Dadurch, daß die Druckübertragung auf den Sandwich-Resonator über L/2 bzw. ein Vielfaches von L/l dicke Gehäuseflächen erfolgt, schließt die akustische Impedanz des umgebender; Mediums direkt an die beiden ersten ^-Schichten des Sandwich-Resonators an, wie es in der weiter unten angeführten schematischen Behandlung angenommen wurde.
Das Isolierröhrehen 9 dient der Isolierung der Elcktrodenzuführung 10 vom Gehäuse 15. Diese isolierte Zuführung, die zum gleichzeitig als Elektrode dienenden Haltestück 20' führt, ist an den Innenleiter des Teflon-Koaxialkabels 16 angeschlossen; die Ab- ί schirmung des Koaxialkabels ist mit Hilfe des Weichlots 8 über die Zugentlastungsscheibe ?, den Gehäusekörper 14 und den Membranteil Il mit dem ebenfalls gleichzeitig als Elektrode dienenden Haltestück 20 verbunden. Die Zugentlastungsscheibe 7 aus Messing in wird durch die Messing-Distanzhülse 6 und das Abschlußstück 5 aus rostfreiem Stahl an den Gehäusekörper 14 gepreßt. Das Gehäuse 15 besteht aus dem Gehätisekörpcr 14, dem Isolierstüek 13, dem Membranteil M sowie aus dem Abschlußstücks. π
Zur Verdeutlichung ist der eigentliche Sandwich-Resonator 12 in Fig. 2 bzw. Fig. 3 in schemalischer Form vergrößert dargestellt. F i g. 2 zeigt den Fall, bei dem die 7:ihl Λ/ c\rr in jpHprn H^l'.cs'.ück i9, 19' verwendeten L/4-Schichten 1—3 ungerade ist. Fig. 3 zeigt den Fall. :u bei dem die Zahl /V der in jedem Haltestück 20, 20' verwendeten L/4-Schichten 1—4 gerade ist (im Allsführungsbeispiel nach Fig. 1 ist Λ/=4). Die Zahl ni gibt an, auf der wievielten Harmonischen der Resonator-Kern betrieben wird (im Ausführungsbeispiel ist r> /?)= 5), 23 bezeichnet den Resonator-Kern (im Ausführungsbeispiel eine Quarzeinkristallscheibe) der Dicke niL/2. A eine L/4-Schicht mit möglichst hoher akustischer Impedanz (im Ausführungsbeispiel Wolfram W). B eine L/4-Schicht mit möglichst niedriger x> akustischer Impedanz (im Ausführungsbeispiel eine Magnesium-Legierung mit 7,5% Al und 1,1% Zn). Weiters wurde der Druck, mit dem der Sandwich-Resonator zusammengepreßt wird, mit P bezeichnet. Zur Verdeutlichung der Funktionsweise ist oberhalb des π Resonator-Kerns noch der jeweilige Amplitudenverlauf der Schwingung für m = 1 eingezeichnet; die mechanische Amplitude des Resonators wurde dabei mit a. der Abstand von der vertikalen Symmetrieachse mit ν bezeichnet. In F i g. 2 ist auch eine an die Außenfläche 21 w des Haltestücks 19 anschließende L/2 dicke Kompensationsschicht 18. eine zwischen Schicht 1 und Schicht 2 eingefügte L/2 dicke Zwischenschicht 18'. sowie eine aus 2 Lagen 3' aufgebaute Schicht 3 abgebildet.
In Fig. 3 ist noch die Anordnung der sehr dünnen -r> Haftschichten 22 eingezeichnet.
Im folgenden wird die Vorgangsweise bei der Dimensionierung des Sandwich-Resonators beschrieben. Die transformierende Wirkung der ersten L/4-Schicht läßt sich durch die Beziehung ^n
Ζ, = Z^2/Zo
darstellen, wobei Z0 die spezifische akustische Impedanz des den Halter umgebenden Mediums, Za die spezifische akustische Impedanz der ersten L/4-Schicht und Z\ die durch diese Transformations-Schicht erzeugte Impedanz bezeichnet. Die folgenden beiden Gleichungen geben die bei der Hintereinanderschaltung von N L/4-Schichten erzeugte Impedanz an:
Resonator-Kern kann als longitudinaler Dickenschwinger (Anregung einer longitudinalen. stehenden Schallwelle normal auf die Fläche größter Ausdehnung), als Dickenscherschwinger (Anregung einer transversalen Schallwelle in Richtung normal auf die Fläche größter Ausdehnung), aber auch als sog. Flächenscherschwinger. Biegeschwinger. Torsionsschwinger und stabförmiger Longitudinal-Schwinger (Anregung einer Longitudinalwelle in Längsrichtung) betrieben werden. Je nach der angeregten Schwingungsform müssen die L/4-Schichtcn für die jeweils zutreffende Phasengeschwindigkeit dimensioniert werden, ebenso sind in den Beziehungen für die Errechnung der spezifischen Impedanz
Dn ■ uH
für ii.\ bzw. ug die Phasengeschwindigkeiten der Longitudinal-, Transversal-, Biege-, Torsions- oder
{D.\ bzw. Dasind die betreffenden Materialdichten.)
Im Druckgeber-Ausführungsbcispiel wird ein Quarzkristall als longitudinaler Dickenschwinger betrieben, die beiden Haltcstücke 19, 19' bzw. 20, 20' sind aus metallischen Schichten aufgebaut und können daher gleichzeitig als Elektroden verwendet werden. Bei Druckgebern, bei denen es auf kleinen Durchmesser ankomme, kann es zweckmäßiger sein, den Resonator als Biege , Torsions- oder stubförmigen Longitudinal-Schwinger auszubilden. In diesem Fall wird die L/4-Abmessung im allgemeinen in die Längsrichtung der Schichten fallen und die Elektroden getrennt auf den Resonator-Einkristall anzubringen sein.
Die mit der jeweiligen Zahl von L/4-Schichtcn erzielbare Resonatorgüle läßt sich aus den bisherigen Gleichungen und dem Transmissionsgrad
Γ= \-{tv-Z
55 des Sandwich-Abschlusses berechnen. Zqbedeutet dabei die spezifische akustische Impedanz des Resonator-Einkristalls in der Ausbreitungsrichtung der angeregten akustischen Welle. In der folgenden Tabelle sind die theoretischen, d. h. unter Vernachlässigung der inneren akustischen Verluste. Werte für die Zs und die sich theoretisch ergebenden Gütewerte φν für das Druckgeber-Ausführungsbeispiel
(zA = zn = 100.75 ■ 105g/cm2s.
zb = AtgAizn = 10.04 · tO5 g/cm-'s)
angegeben.
zN (g/cm2s)
60
N ungerade
1,02 · 104 193
9,93 · 102 331
1,02-10" 19500
9,86 ■ 10° 33300
1,03 ■ 10" 1960000
9,79 KT2 3350000
1,04 · 1015 197000000
z,v = —]Γ · Z0. N gerade
Der gegenständliche Sandwich-Resonator eignet sich für alle bekannten Schwingungsmoden, d. h. der Daraus folgt bereits für N= 5 ein Gütewert in der für herkömmlich gehalterte Präzisions-Vakuumquarze üblichen Größenordnung. Dabei wurde die spezifische Impedanz zb mit 1 - \(fi g/cm2 s angenommen, in der Praxis liegt dieser Wert noch günstiger. Da das den
7 8
I lallcr umgebende Medium in der Regel gasförmig oder /usätzlichcn Verluste fallen bei einem auf einer höheren
flüssig ist. verschwindet 7n für transversale Schallwellen Harmonischen betriebenen Resonator-Einkristall weni-
überhaupt. ger ins Gewicht, da ein solcher in Richtung der
In der Praxis ergeben sich als Folge der inneren piezoelektrisch angeregten Schallwelle eine relativ zu
akustischen Verluste in den /-/4-Schichten und wegen > den llaltcstücken größere Abmessung aufweist. Aus
der Verluste in den Grenzschichten etwas niedrigere als diesem Grunde wurde beim Ausführungsbeispiel in= 5
die in der Tabelle angeführten Gütewertc. Diese gewählt.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (11)

Patentansprüche:
1. Piezoelektrischer Resonator für Meßwertaufnehmer bestehend aus einem Resonator-Kern, der an zwei gegenüberliegenden Seiten Haltestücke aufweist, die aus Festkörperschichten gebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen dieser Schichten (1 -4) in Ausbreitungsrichtung (x)der piezoelektrisch angeregten Schallwelle ι ο ein /7-faches von 1A, wo η eine ganze ungerade Zahl ist, der der Resonanzfrequenz des Resonators (12) entsprechenden Schallwellenlänge in der betreffenden Schicht betragen, und die abwechselnd aus Materialien mit stark unterschiedlicher spezifischer akustischer Impedanz bestehen.
2. Resonator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einzelne (3) der genannten Schichten (1 —4) aus mehreren Lagen (3') aus Materialien gleicher akustischer Impedanz oder aus dem gleicher? Material aufgebaut sind.
3. Resonator nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzliche Schichten (18'), deren Abmessungen in Ausbreitungsrichtung der piezoelektrisch angeregten Schallwelle '/2 oder ein ganzzahliges Vielfaches von '/2 der der Resonanzfrequenz des Resonators entsprechenden Schallwellenlänge in der betreffenden Schicht betragen, zwischengeschaltet sind.
4. Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die äußerste Schicht (1) der Haltestücke (19,19' bzw. 20,20') aus Material mit gegenüber der nachfolgenden Schicht (2) höherer spezifischer akuclischer Impedanz besteht.
5. Resonator nach einem der \nspruche I bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die ungeradzahligen (1,3) und die geradzahligen (2,4) Festkörperschichten der Haltestücke (19, 19' bzw. 20, 20') je aus demselben Material bestehen.
6. Resonator nach einem der Ansprüche I bis 5 für Druckaufnehmer, dadurch gekennzeichnet, daß zur Temperaturkompensation der Resonanzfrequenz eine Kompensationsschicht (18) vorgesehen ist, die mindestens an einer der Schichten (1—4) längs einer zur Ausbreitungsrichtung (x) der piezoelektrisch 4> angeregten Schallwelle senkrecht stehenden Fläche (21) anschließt und deren Abmessung in Ausbreitungsrichtung der piezoelektrisch angeregten Schallwelle eine halbe oder ein ganzzahliges Vielfaches von einer halben Wellenlänge in dieser in Schicht beträgt und deren Temperaturausdehnungskoeffizient so gewählt ist, daß die Resonanzfrequenz praktisch temperaturunabhängig ist.
7. Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 5 für Temperaturaufnehmer, dadurch gekennzeichnet, v> daß die Temperaturausdehnungskoeffizienten der Materialien der aus Resonator (12) und Gehäuse (15) bestehenden Gesamtanordnung so gewählt sind, daß bei Temperaturänderungen Druckänderungen am Resonator-Kern entstehen, welche die Temperatur- wi empfindlichkeit der Resonanzfrequenz des Resonator-Kerns (23) ergeben bzw. erhöhen.
8. Resonator nach einem der Ansprüche I bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Schichten (1—4) bzw. Lagen (3') der Haltestücke (19, 19' bzw. 20, 20') 6-, durch Aufdampfen oder galvanisch hergestellt sind.
9. Resonator nach einem der Ansprüche I bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Haftung von Schichten (1—4) bzw. Lagen (3') untereinander und/oder am Resonator-Kern (23) durch Aufdampfen oder Aufgalvanisieren einer im Verhältnis zu den Abmessungen der Schichten (1—4) sehr dünnen Haftschicht (22) erhöht ist.
10. Resonator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß eine gute Haftung der Schichten (1—4) bzw. Lagen (3') untereinander und/oder am Resonator-Kern (23) durch üpitaxie erreicht ist
11. Resonator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß /J= 1 ist.
DE2746712A 1976-10-19 1977-10-18 Piezoelektrischer Resonator Expired DE2746712C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT778276A AT353506B (de) 1976-10-19 1976-10-19 Piezoelektrischer resonator

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2746712A1 DE2746712A1 (de) 1978-04-20
DE2746712B2 true DE2746712B2 (de) 1979-05-17
DE2746712C3 DE2746712C3 (de) 1980-01-31

Family

ID=3599428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2746712A Expired DE2746712C3 (de) 1976-10-19 1977-10-18 Piezoelektrischer Resonator

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4166967A (de)
JP (1) JPS5350991A (de)
AT (1) AT353506B (de)
CH (1) CH620793A5 (de)
DE (1) DE2746712C3 (de)
GB (1) GB1577692A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0128737A2 (de) * 1983-06-10 1984-12-19 Honeywell Inc. Schwingquarzmembran-Druckmessfühler

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4383194A (en) * 1979-05-01 1983-05-10 Toray Industries, Inc. Electro-acoustic transducer element
US4448546A (en) * 1980-11-28 1984-05-15 Novex, Inc. Digital temperature sensor
AT369900B (de) * 1981-05-20 1983-02-10 List Hans Messwertaufnehmer mit piezoelektrischem sensorelement
JPS5974498U (ja) * 1982-11-10 1984-05-21 株式会社山武 空調用挿入形温度センサの構造
FR2551611B1 (fr) * 1983-08-31 1986-10-24 Labo Electronique Physique Nouvelle structure de transducteur ultrasonore et appareil d'examen de milieux par echographie ultrasonore comprenant une telle structure
DE3430161A1 (de) * 1984-08-16 1986-02-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Poroese anpassungsschicht in einem ultraschallapplikator
NL8501908A (nl) * 1985-07-03 1987-02-02 Tno Tastsensor.
JPS62258597A (ja) * 1986-04-25 1987-11-11 Yokogawa Medical Syst Ltd 超音波トランスデユ−サ
US4961347A (en) * 1987-11-25 1990-10-09 Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. Probe for ultrasonic flaw detectors
DE3920663A1 (de) * 1989-06-23 1991-01-10 Siemens Ag Breitstrahlender ultraschallwandler
DE59010738D1 (de) * 1990-04-09 1997-08-21 Siemens Ag Frequenzselektiver Ultraschall-Schichtwandler
US5268610A (en) * 1991-12-30 1993-12-07 Xerox Corporation Acoustic ink printer
US5373268A (en) * 1993-02-01 1994-12-13 Motorola, Inc. Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method
US5335209A (en) * 1993-05-06 1994-08-02 Westinghouse Electric Corp. Acoustic sensor and projector module having an active baffle structure
US5422533A (en) * 1994-03-09 1995-06-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Piezoelectric resonator
US5864261A (en) * 1994-05-23 1999-01-26 Iowa State University Research Foundation Multiple layer acoustical structures for thin-film resonator based circuits and systems
US5598051A (en) * 1994-11-21 1997-01-28 General Electric Company Bilayer ultrasonic transducer having reduced total electrical impedance
US5629906A (en) * 1995-02-15 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Ultrasonic transducer
US5630949A (en) * 1995-06-01 1997-05-20 Tfr Technologies, Inc. Method and apparatus for fabricating a piezoelectric resonator to a resonant frequency
US5596239A (en) * 1995-06-29 1997-01-21 Motorola, Inc. Enhanced quality factor resonator
US5617065A (en) * 1995-06-29 1997-04-01 Motorola, Inc. Filter using enhanced quality factor resonator and method
US5696423A (en) * 1995-06-29 1997-12-09 Motorola, Inc. Temperature compenated resonator and method
US6135971A (en) 1995-11-09 2000-10-24 Brigham And Women's Hospital Apparatus for deposition of ultrasound energy in body tissue
WO1998001297A1 (en) * 1996-07-09 1998-01-15 Panex Corporation Quartz construction
AU4270097A (en) * 1996-10-17 1998-05-11 Nokia Mobile Phones Limited Method for fabricating fbars on glass substrates
US5873154A (en) * 1996-10-17 1999-02-23 Nokia Mobile Phones Limited Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror
US5872493A (en) 1997-03-13 1999-02-16 Nokia Mobile Phones, Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror
US5910756A (en) * 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
US6049159A (en) * 1997-10-06 2000-04-11 Albatros Technologies, Inc. Wideband acoustic transducer
US6050943A (en) 1997-10-14 2000-04-18 Guided Therapy Systems, Inc. Imaging, therapy, and temperature monitoring ultrasonic system
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
US5936150A (en) * 1998-04-13 1999-08-10 Rockwell Science Center, Llc Thin film resonant chemical sensor with resonant acoustic isolator
WO2000030554A1 (en) 1998-11-20 2000-06-02 Jones Joie P Methods for selectively dissolving and removing materials using ultra-high frequency ultrasound
DE19928176A1 (de) * 1999-06-19 2001-01-04 Bosch Gmbh Robert Piezoaktor
US6307302B1 (en) * 1999-07-23 2001-10-23 Measurement Specialities, Inc. Ultrasonic transducer having impedance matching layer
US6441703B1 (en) * 2000-01-18 2002-08-27 Texas Instruments Incorporated Multiple frequency acoustic reflector array and monolithic cover for resonators and method
US6452310B1 (en) * 2000-01-18 2002-09-17 Texas Instruments Incorporated Thin film resonator and method
US7914453B2 (en) 2000-12-28 2011-03-29 Ardent Sound, Inc. Visual imaging system for ultrasonic probe
US6509813B2 (en) * 2001-01-16 2003-01-21 Nokia Mobile Phones Ltd. Bulk acoustic wave resonator with a conductive mirror
EP1410503B1 (de) * 2001-07-30 2005-02-09 Infineon Technologies AG Piezoelektrische resonatorvorrichtung mit akustischem reflektor
US7092659B2 (en) 2003-12-31 2006-08-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Discharge methods and systems in electrophotography
US7393325B2 (en) 2004-09-16 2008-07-01 Guided Therapy Systems, L.L.C. Method and system for ultrasound treatment with a multi-directional transducer
US9011336B2 (en) * 2004-09-16 2015-04-21 Guided Therapy Systems, Llc Method and system for combined energy therapy profile
US7824348B2 (en) 2004-09-16 2010-11-02 Guided Therapy Systems, L.L.C. System and method for variable depth ultrasound treatment
US8535228B2 (en) 2004-10-06 2013-09-17 Guided Therapy Systems, Llc Method and system for noninvasive face lifts and deep tissue tightening
US10864385B2 (en) 2004-09-24 2020-12-15 Guided Therapy Systems, Llc Rejuvenating skin by heating tissue for cosmetic treatment of the face and body
US8444562B2 (en) 2004-10-06 2013-05-21 Guided Therapy Systems, Llc System and method for treating muscle, tendon, ligament and cartilage tissue
US7530958B2 (en) * 2004-09-24 2009-05-12 Guided Therapy Systems, Inc. Method and system for combined ultrasound treatment
EP1879502A2 (de) 2004-10-06 2008-01-23 Guided Therapy Systems, L.L.C. Kosmetisches verbesserungsverfahren und system
PT2409728T (pt) 2004-10-06 2017-11-16 Guided Therapy Systems Llc Sistema para o tratamento de tecidos por ultrassons
US7530356B2 (en) * 2004-10-06 2009-05-12 Guided Therapy Systems, Inc. Method and system for noninvasive mastopexy
US7758524B2 (en) 2004-10-06 2010-07-20 Guided Therapy Systems, L.L.C. Method and system for ultra-high frequency ultrasound treatment
US8133180B2 (en) 2004-10-06 2012-03-13 Guided Therapy Systems, L.L.C. Method and system for treating cellulite
US11883688B2 (en) 2004-10-06 2024-01-30 Guided Therapy Systems, Llc Energy based fat reduction
US9694212B2 (en) 2004-10-06 2017-07-04 Guided Therapy Systems, Llc Method and system for ultrasound treatment of skin
US11235179B2 (en) 2004-10-06 2022-02-01 Guided Therapy Systems, Llc Energy based skin gland treatment
US9827449B2 (en) 2004-10-06 2017-11-28 Guided Therapy Systems, L.L.C. Systems for treating skin laxity
US20060111744A1 (en) 2004-10-13 2006-05-25 Guided Therapy Systems, L.L.C. Method and system for treatment of sweat glands
US8690779B2 (en) 2004-10-06 2014-04-08 Guided Therapy Systems, Llc Noninvasive aesthetic treatment for tightening tissue
US11207548B2 (en) 2004-10-07 2021-12-28 Guided Therapy Systems, L.L.C. Ultrasound probe for treating skin laxity
US11724133B2 (en) 2004-10-07 2023-08-15 Guided Therapy Systems, Llc Ultrasound probe for treatment of skin
WO2006100457A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Aviza Technology Limited A method of forming a bragg reflector stack
JP4695188B2 (ja) 2005-04-25 2011-06-08 アーデント サウンド, インコーポレイテッド コンピュータ周辺機器の安全性を向上させるための方法および装置
EP1898525B1 (de) * 2005-06-30 2013-05-22 Panasonic Corporation Akustischer resonator und filter
US7859170B2 (en) * 2005-08-08 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wide-bandwidth matrix transducer with polyethylene third matching layer
WO2007017776A2 (en) * 2005-08-08 2007-02-15 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Wide-bandwidth matrix transducer with polyethylene third matching layer
US8270251B2 (en) 2005-12-05 2012-09-18 Xact Downhole Telemetry Inc. Acoustic isolator
DE102006023165B4 (de) * 2006-05-17 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz
US9566454B2 (en) * 2006-09-18 2017-02-14 Guided Therapy Systems, Llc Method and sysem for non-ablative acne treatment and prevention
US20150174388A1 (en) 2007-05-07 2015-06-25 Guided Therapy Systems, Llc Methods and Systems for Ultrasound Assisted Delivery of a Medicant to Tissue
TWI526233B (zh) 2007-05-07 2016-03-21 指導治療系統股份有限公司 利用聲波能量調製藥劑輸送及效能之系統
FR2919050B1 (fr) * 2007-07-20 2012-03-23 Centre Nat Rech Scient Jauge de contrainte de type structure resonante acoustique et capteur d'au moins un parametre physique utilisant une telle jauge de contrainte.
PL3058875T3 (pl) 2008-06-06 2022-11-21 Ulthera, Inc. System do zabiegu kosmetycznego i obrazowania
CA2748362A1 (en) 2008-12-24 2010-07-01 Michael H. Slayton Methods and systems for fat reduction and/or cellulite treatment
US8715186B2 (en) 2009-11-24 2014-05-06 Guided Therapy Systems, Llc Methods and systems for generating thermal bubbles for improved ultrasound imaging and therapy
US9504446B2 (en) 2010-08-02 2016-11-29 Guided Therapy Systems, Llc Systems and methods for coupling an ultrasound source to tissue
US9149658B2 (en) 2010-08-02 2015-10-06 Guided Therapy Systems, Llc Systems and methods for ultrasound treatment
US8857438B2 (en) 2010-11-08 2014-10-14 Ulthera, Inc. Devices and methods for acoustic shielding
AT511330B1 (de) 2011-06-03 2012-11-15 Piezocryst Advanced Sensorics Sensor für die messung von druck und/oder kraft
KR102068724B1 (ko) 2011-07-10 2020-01-21 가이디드 테라피 시스템스, 엘.엘.씨. 에너지원으로 초음파를 이용한 피부 외양을 개선하는 시스템 및 방법
KR20190080967A (ko) 2011-07-11 2019-07-08 가이디드 테라피 시스템스, 엘.엘.씨. 조직에 초음파원을 연결하는 시스템 및 방법
US9263663B2 (en) 2012-04-13 2016-02-16 Ardent Sound, Inc. Method of making thick film transducer arrays
US9510802B2 (en) 2012-09-21 2016-12-06 Guided Therapy Systems, Llc Reflective ultrasound technology for dermatological treatments
CN113648552A (zh) 2013-03-08 2021-11-16 奥赛拉公司 用于多焦点超声治疗的装置和方法
US10561862B2 (en) 2013-03-15 2020-02-18 Guided Therapy Systems, Llc Ultrasound treatment device and methods of use
BR112016023889B1 (pt) 2014-04-18 2023-02-07 Ulthera, Inc Sistema de transdução de ultrassom para ultrassom de focagem linear
CN104568239B (zh) * 2014-12-09 2017-11-21 太原航空仪表有限公司 一种9mm压电激励小型振动筒压力传感器
JP6552644B2 (ja) * 2015-05-11 2019-07-31 メジャメント スペシャリティーズ, インコーポレイテッド 金属性保護構造を有する超音波トランスデューサのためのインピーダンス整合層
KR20230175327A (ko) 2016-01-18 2023-12-29 얼테라, 인크 환형 초음파 어레이가 가요성 인쇄 회로 기판에 지엽적으로 전기적으로 연결된 컴팩트한 초음파 디바이스 및 그 조립 방법
CN109562279B (zh) 2016-08-16 2022-03-15 奥赛拉公司 用于皮肤的美容超声治疗的系统和方法
US11944849B2 (en) 2018-02-20 2024-04-02 Ulthera, Inc. Systems and methods for combined cosmetic treatment of cellulite with ultrasound

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2434255A (en) * 1948-01-13 Temperature compensated wave
US2430013A (en) * 1942-06-10 1947-11-04 Rca Corp Impedance matching means for mechanical waves
US3362501A (en) * 1966-09-15 1968-01-09 Magnaflux Corp Acoustic transmission section
US4016530A (en) * 1975-06-02 1977-04-05 Goll Jeffrey H Broadband electroacoustic converter
US3979565A (en) * 1975-08-11 1976-09-07 Westinghouse Electric Corporation Metal enclosed transducer assembly

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0128737A2 (de) * 1983-06-10 1984-12-19 Honeywell Inc. Schwingquarzmembran-Druckmessfühler
EP0128737A3 (de) * 1983-06-10 1988-03-02 Honeywell Inc. Schwingquarzmembran-Druckmessfühler

Also Published As

Publication number Publication date
GB1577692A (en) 1980-10-29
DE2746712A1 (de) 1978-04-20
JPS5350991A (en) 1978-05-09
ATA778276A (de) 1979-04-15
CH620793A5 (de) 1980-12-15
AT353506B (de) 1979-11-26
US4166967A (en) 1979-09-04
JPS6217407B2 (de) 1987-04-17
DE2746712C3 (de) 1980-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2746712C3 (de) Piezoelektrischer Resonator
DE2131170C3 (de) Piezoelektrischer Energieeinfang-Resonator für Filteranwendungen
DE19803791B4 (de) Akustisches Oberflächenwellenbauelement
WO2004066493A1 (de) Saw-bauelement mit verbessertem temperaturgang
DE10045090A1 (de) Akustischer Resonator
DE10136305B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oberflächenwellenbauelementes
DE2351665B2 (de) Rechtwinklige AT-geschnittene Quarzkristallplatte
DE2158858B2 (de) Elektromechanischer Wandler
DE10202856B4 (de) Oberflächenakustikwellenvorrichtung
DE19648307B4 (de) Oberflächenwellenbauelement
DE1616355B1 (de) Elektromechanischer Wandler
DE3031758C2 (de) Piezoelektrischer Einkristall und Oberflächenschallwellenelemente mit derartigen Einkristallen
DE1265884B (de) Elektromechanisches Filter mit piezoelektrischem Antrieb und Laengsschwingungen oder Biegeschwingungen ausfuehrenden Resonatoren
DE1258987B (de) Mechanisches Frequenzfilter
DE1616685B1 (de) Elektromechanisches Filter
EP0069112B1 (de) Piezoelektrisches Element
DE102019130779A1 (de) SAW-Bauteil
DE1616526A1 (de) Mechanischer Schwinger mit elektrostriktiver Anregung
DE2140548A1 (de) Akustooptischer lichtablenker
DE2702106A1 (de) Piezoelektrischer schwinger
DE102018131946A1 (de) Dünnfilm-SAW-Vorrichtung
DE1242770B (de) Mechanisches Frequenzfilter
DE102018109844B4 (de) Elektroakustischer Resonator
DE3130154A1 (de) Oberflaechenwellen-anordnung mit integriertem anpassungsnetzwerk
DE2805413C2 (de) Anordnung auf der Basis der akustischen Oberflächenwellen

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8328 Change in the person/name/address of the agent

Free format text: GLEISS, A., DIPL.-ING. GROSSE, R., DIPL.-ING., PAT.-ANWAELTE, 7000 STUTTGART

8339 Ceased/non-payment of the annual fee