DE2743245A1 - Ladungsgekoppeltes bauelement - Google Patents
Ladungsgekoppeltes bauelementInfo
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Description
inen
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeic
Ladungsgekoppeltes Bauelement.
Die Erfindung betrifft ein ladungsgekoppeltes Bauelement, wie es im Oberbegriff des Patentanspruches 1 näher angegeben ist.
In der Literatur ist verschiedentlich vorgeschlagen worden, als Halbleitermaterial für ladungsgekoppelte Bauelemente (CCD)
Galliumarsenid zu verwenden. Aufgrund der Tatsache, daß Ladungsträger in Galliumarsenid gegenüber Silizium eine höhere
Beweglichkeit und einen größeren Diffusionskoeffizienten besitzen, sind für solche ladungsgekoppelte Bauelemente auf GaI-liumarsenid
kleinere Ladungstransportzeiten zu erwarten als für auf Silizium aufgebaute ladungsgekoppelte Elemente (AEU,
Bd.29, 1975, Heft 6, S. 286 bis 288). Es wurde vorgeschlagen, solche, auf Galliumarsenid aufgebaute ladungsgekoppelte Bauelemente
nicht nach Art von MOS-Kondensatoren auszuführen, sondem als Elektroden Schottky-Kontakte vorzusehen (Proc. of the
IEEE, Nov.1972, S.1444 bis 1445; Proc. of the Intern. Conf.
on Technology and Applications of Charge Coupled Devices, Edinburgh, Sept.1974, S.270 bis 273). Gemäß diesen Vorschlägen
wird für derartige Bauelemente das Prinzip des peristaltisehen CCD (Electronic Letters 8, Dez.1972, S.620 bis 621)
oder Bulk Channel CCD (Bell System Techn. Journ., Sept.1972,
S.1635-1640) angewendet. Dabei werden Majoritätsladungsträger,
beispielsweise Elektronen in einem η-leitenden Gebiet, transportiert. Im η-leitenden Gebiet wird durch Anlegen'
einer Sperrspannung zwischen einem p-leitenden Substrat und
SIz 1 BIa / 16.9.1977
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- X -
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·5·
der η-leitenden Schicht ein Potentialtopf erzeugt, in dem Ladung
gespeichert wird. Die Verwendung eines p-Substrates für ladungsgekoppelte
Bauelemente auf Galliumarsenid hat jedoch den Nachteil, daß die für die Signalverarbeitung erforderlichen Auslese-
und Verstärkerschaltungen wegen der parasitären Kapazität des zwischen der η-leitenden Schicht und dem p-leitenden Substrat
vorliegenden pn-überganges verhältnismäßig langsam werden, und daß dadurch die Geschwindigkeitsvorteile, die aufgrund der höheren
Beweglichkeit der Ladungsträger in Galliumarsenid an sich vorliegen, wieder verlorengehen.
Ladungsgekoppelte Elemente auf Silizium-Halbleitern arbeiten
heute durchwegs mit MOS-Kondensatoren. Eine erfolgreiche Übertragung dieses Prinzips auf ladungsgekoppelte Elemente auf Galliumarsenid
ist bisher daran gescheitert, daß die Grenzfläche zwischen GaAs und einem unter einer CCD-Elektrode befindlichen Dielektrikum
nicht eine erforderliche geringe Termdichte aufweist. Dadurch wird es unmöglich, die Raumladungszonenbreite im GaAs
in der gewünschten Weise zu beeinflussen oder Inversionsschichten an der Halbleiteroberfläche zu erzeugen. Eine weitere Folge
der zu hohen Termdichte ist die an MIS-Strukturen auf GaAs beobachtete
Frequenzabhängigkeit und Hysterese der Kapazität, die sich für einen Betrieb von CCD-Schaltungen nachteilig auswirkt.
Aufgabe der Erfindung ist es, für ein ladungsgekoppeltes Bauelement
(CCD) auf einem GaAs-Halbleiter einen Aufbau anzugeben, bei
dem die gegenüber Silizium höhere Beweglichkeit der Ladungsträger in GaAs auch für eine höhere Ladungstransportgeschwindigkeit
zwischen den CCD-Elektroden ausgenutzt werden kann, und das insbesondere
auch im Herstellungsverfahren kompatibel mit der bei GaAs-Bauelementen angewendeten MESFET-Technologie (IEEE Journ.
of Solid-state Circuits, SC-9, Nr.5, Okt.1974, S.269-276) ist,
so daß mit derartigen ladungsgekoppelten Bauelementen auch schnelle periphere Elemente für diese CCD-Schaltungen integriert aufgebaut
werden können.
Diese Aufgabe wird durch ein wie im Oberbegriff des Patentanspru-
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' Ό-
ches 1 näher angegebenes ladungsgekoppeltes Bauelement gelöst, das erfindungsgemäß nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches
1 angegebenen Weise ausgestaltet ist.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Gemäß der Erfindung befindet sich der aktive Teil des ladungsgekoppelten
Bauelementes in einer η-leitenden GaAs-Schicht, die
sich auf einem semiisolierenden Galliumarsenid-Substrat befindet
bzw. auf einer gegenüber der aktiven Schicht schwächer n-dotierten GaAs-Schicht, die sich selbst wiederum auf einem semiisolierenden
GaAs-Substrat befindet. Ein solcher Aufbau hat den Vorteil,
daß keine pn-Grenzschicht zum Substrat vorhanden ist, die aufgrund ihrer parasitären Kapazität die Ladungstransportzeit
des ladungsgekoppelten Bauelementes nachteilig beeinflussen kann. Dieser Vorteil kommt auch den peripheren Schaltungen zur Signalverarbeitung
zugute, die üblicherweise zusammen mit dem CCD auf demselben Chip hergestellt werden.
Weitere Vorteile sind die Kompatibilität des Herstellprozesses mit der üblichen Technologie zur Herstellung von Feldeffekttransistoren
auf GaAs sowie der einfache Aufbau, der keine kritischen Justier- oder Ätzprozesse erfordert.
Gemäß einer AusfUhrungsform der Erfindung sind für die CCD-Elektroden
Schottky-Kontakte vorgesehen, die sich leicht herstellen lassen. Als Material für solche Schottky-Kontakte kann beispielsweise
Al oder Schichtfolgen (TiPtAu, WoPtAu) verwendet werden. Nach einer anderen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen
ladungsgekoppelten Bauelementes bestehen die CCD-Elektroden aus flachen, p+-dotierten Gebieten innerhalb der η-dotierten GaAs-Schicht.
Die Verwendung von derartigen p+-Kontakten hat gegenüber
der Ausführungsform, bei der für die CCD-Elektroden Schottky-Kontakte
verwendet werden, den Vorteil, daß die Dioden des CCD in Flußrichtung mit einem höheren Spannungshub betrieben werden
können, und daß kleinere Sperrströme auftreten. Die Tiefe der
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p+-dotierten Gebiete beträgt bis zu 500 nm, vorzugsweise etwa
100 nm.
Nach einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Iadungsgekoppelten
Bauelementes befindet sich zwischen dem semiisolierenden Substrat und der η-dotierten Schicht, die die
aktive Schicht des Bauelementes darstellt, eine weitere, niedrig dotierte η-leitende Schicht. Mit einer solchen Zwischenschicht
wird der Einfluß von tiefen Haftstellen (traps), die an der Grenzfläche zu dem semiisolierenden Substrat vorliegen
können, herabgesetzt. Derartige Haftstellen können sich nachteilig auswirken, indem sie einen unvollkommenen Ladungstransport
zwischen den einzelnen CCD-Elektroden sowie ein erhöhtes Rauschen hervorrufen. Die Dicke der schwach η-dotierten Zwischenschicht
zwischen dem semiisolierenden Substrat und der η-dotierten, aktiven Schicht beträgt beispielsweise 3/um.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles
und der Figuren dargestellt und näher erläutert. 20
Fig.1 zeigt als Ausführungsbeispiel ein Lay-out eines 3-phasi-
gen, 4-stufigen CCD,
Fig.2 zeigen schematisch AusfUhrungsbeispiele von erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Bauelementen, und in Fig.5 ist schematisch der Verlauf von an die Elektroden des CCD angelegten Taktspannungen sowie der Ausgangsspannung 0. dargestellt.
Fig.2 zeigen schematisch AusfUhrungsbeispiele von erfindungsgemäßen ladungsgekoppelten Bauelementen, und in Fig.5 ist schematisch der Verlauf von an die Elektroden des CCD angelegten Taktspannungen sowie der Ausgangsspannung 0. dargestellt.
Fig.1 zeigt schematisch ein Lay-out für ein erfindungsgemäßes
ladungsgekoppeltes Bauelement. Es besteht aus einer Eingangselektrode 5 und einer Ausgangselektrode 6 aus GeAuCrAu (Schichtfolge),
die einen ohmschen Übergang mit dem aus GaAs bestehenden Halbleiter bilden. Auf die Elektrode 5 folgt eine Eingangselektrode
10, mit der der Ladungstransport aus der Anschlußelektrode
5 in das CCD gesteuert wird. Auf die Anschlußelektrode 10 folgen in einer Reihe weitere Elektroden 11, 12,
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13; 21, 22, 23; 31, 32, 33; 41, 42, 43, die diejenigen Elektroden des CCD darstellen, zwischen denen entsprechend dem Taktprogramm
Ladungen verschoben werden. Das ladungsgekoppelte Bauelement ist ein 3-phasiges CCD mit vier Stufen, so daß an die Elek-
troden 11,21,31,41, an die Elektroden 12, 22, 32, 42 unlttrfiTe-T
13, 23, 33, 43 jeweils der gleiche Taktimpuls gelegt wird. Dementsprechend haben diese Elektroden eine gemeinsame Ansteuerleitung.
Auf die letzte Verschiebe-Elektrode 43 des CCD folgt vor der Ausgangselektrode 6 eine weitere Elektrode 50, mit der
die Ladungsentnahme aus dem CCD gesteuert wird.
In Fig.2 ist ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
ladungsgekoppelten Bauelementes schematisch dargestellt. Es besteht aus einem semiisolierenden Galliumarsenid-Substrat 1,
auf das eine η-leitende Schicht 3 mit einer Dotierung von (Nn-N.)
= 1.10 'cm J und einer Dicke d von etwa 0,2 /um aufgebracht ist.
Dabei bedeutet Nn die Donatorendichte und NA die Akzeptorendichte.
Diese Schicht 3 kann beispielsweise als epitaktische Schicht aufgebracht werden, aus der dann einzelne, jeweils eine CCD-Schaltung
enthaltende Inseln herausgeätzt werden. Am Rand der CCD-Elektroden befindet sich eine Eingangselektrode 5 und eine
Ausgangselektrode 6, die sperrfreie Kontakte mit der Schicht 3 bilden. In der Fig.2 sind von den Verschiebe-Elektroden eines 4-stufigen
CCD nur die Elektroden 11, 12, 13 der ersten und 41, 42,
43 der letzten Stufe dargestellt. Diese Verschiebe-Elektroden sind in dem Ausführungsbeispiel nach Fig.2 als Schottky-Kontakte
ausgebildet. Sie bestehen beispielsweise aus auf der Schicht 3 aufgebrachten Al- oder TiPtAu-Elektroden. Zwischen der Eingangs-Anschlußelektrode
5 und der ersten Verschiebe-Elektrode 11 befindet sich eine weitere, ebenfalls als Schottky-Kontakt
ausgebildete Elektrode 10, mit der die Ladungszufuhr in die erste Stufe des CCD gesteuert wird, und am Ausgang befindet sich
zwischen der letzten Elektrode 43, der letzten vierten Stufe und dem Ausgangsanschluß 6 ebenfalls eine weitere Schottky-Elektrode
50, mit der die Ladungsentnahme aus der letzten Stufe gesteuert wird. Mit der Ausgangs-Elektrode 6 ist eine Ausleseschaltung 80
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verbunden, die aus zwei Feldeffelcttransistoren 81 , 82 und einem Widerstand S3 besteht. Der Feldeffekttransistor 82 bildet mit
dem Widerstand 83, der auf der einen Seite an Masse gelegt ist und an der anderen Seite mit der Source-Elektrode 322 dieses FeIdeffekttransistors
verbunden ist, einen Source-Folger. Der Ausgang A der Ausleseschaltung ist mit der Source-Elektrode 822
verbunden. Die Drain-Elektrode 821 dieses Feldeffekttransistors 82 ist mit einer Versorgungsspannung U-^ verbunden. Die Gate-Elektrode
dieses Feldeffekttransistors 82 ist mit der Ausgangs-Elektrode 6 des CCD verbunden. Wenn an der Ausgangs-Elektrode
6 Ladungen eintreffen, wird das Potential der Gate-Elektrode 823 des Feldeffekttransistors 82 verändert, so daß der Transistor
82 aufgeschaltet wird und an dem Ausgang A ein Spannungssprung auftritt. Um die Gate-Elektrode 823 des Feldeffekttransi-
stors 82 wieder rücksetzen zu können, ist diese Gate-Elektrode mit der Drain-Elektrode des anderen Feldeffekttransistors 81
verbunden. Die Source-Elektrode 811 dieses Feldeffekttransistors 81 ist mit einer Referenzspannungsquelle UR - verbunden. Die
Rücksetzoperation wird über die Gate-Elektrode 813 des Feldeffekttransistors
81 mit Hilfe eines Rücksetzimpulses R gesteuert. Mittels dieses Rücksetzimpulses R wird der Feldeffekttransistor
81 geöffnet und dadurch die Gate-Elektrode 823 sowie die Anschlußelektrode 6 des CCD auf das Referenzpotential gelegt. Am Ende
des Rücksetζimpulses R ist somit die Anschluß-Elektrode 6 sowie
die Gate-Elektrode 823 des Feldeffekttransistors 82 in einen Zustand gebracht, der eine erneute Bewertung der aus dem CCD an
der Anschluß-Elektrode β eintreffenden Ladungen ermöglicht.
Die Fig.3 zeigt ein v/eiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
ladungsgekoppelten Bauelementes, das im wesentlichen der in Fig.2 dargestellten Ausführungsform entspricht. Im
Unterschied zu der dort dargestellten Ausführungsform befindet sich jedoch zwischen dem semiisolierenden Substrat 1 und der nleitenden
Schicht 3 eine weitere, gegenüber der Schicht 3 schwäeher η-leitende Schicht 2. Diese Schicht 2 hat beispielsweise
13 -3 eine Ladungsträgerkonzentration von<10 cm und eine Dicke
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.40-
von 3OOO nm. Die Schicht 2 kann beispielsweise zusammen mit
der Schicht 3 in der Weise hergestellt werden, daß auf das semiisolierende
Galliumarsenid-Substrat 1 eine epitaktische Schicht mit der für die Schicht 2 vorgesehenen Ladungsträgerkonzentration
abgeschieden wird. Sodann kann beispielsweise mittels Ionenimplantation der für die Schicht 3 vorgesehene Anteil dieser
epitaktischen Schicht stärker dotiert werden, so daß die
17 3
vorgesehene Ladungsträgerkonzentration von etwa 1·10 cm erreicht
wird. Die Einführung der niedriger dotierten Schicht 2 zwischen dem semiisolierenden Substrat und der für das CCD
aktiven Schicht 3 setzt den nachteiligen Einfluß tiefer Haftstellen, die an der Grenzfläche zwischen dem semiisolierenden
Substrat und der darauf abgeschiedenen epitaktischen Schicht auftreten können, auf die Funktion des CCD herab. Derartige
Haftstellen erweisen sich als nachteilig, da sie einen unvollkommenen Ladungstransport und ein erhöhtes Rauschen in dem CCD
hervorrufen.
Für die Anordnung der Elektroden sowie für die Ausleseschaltung gilt für das in Fig.3 dargestellte Ausführungsbeispiel das
gleiche, was bereits im Zusammenhang mit dem in Fig.2 dargestellten
Ausführungsbeispiel beschrieben wurde.
In Fig.4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
ladungsgekoppelten Bauelementes dargestellt. In diesem
Beispiel sind die CCD-Elektroden keine Schottky-Kontakte, sondern es sind p+-dotierte Kontakte als Elektroden des CCD vorgesehen.
Diese p+-dotierten Kontakte bestehen aus p+-dotierten
Gebieten 101, 111, 121, 131, 411, 421, 431, 501, die beispielsweise 100 nm tief in die η-dotierte Schicht 3 hineinreichen.
Auf diesen p+-dotierten Gebieten befinden sich dann Anschluß-Elektroden,
die beispielsweise aus TiPtAu bestehen. Die Verwendung von derartigen p+-Kontakten anstelle von Schottky-Kontakten
hat zur Folge, daß die aus diesen p+-dotierten Gebieten und der
η-leitenden Schicht 3 gebildeten Dioden gegenüber Dioden, die aus Schottky-Kontakten bestehen, in Flußrichtung mit einem er-
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höhten Spannungshub und mit kleineren Sperrströmen betrieben
werden können. Für die Ansteuerung und die Funktion der einzelnen Elektroden sowie für die Ausleseschaltung gilt für das
Ausführungsbeispiel nach Fig.4 das gleiche, was bereits für das Ausführungsbeispiel nach Fig.2 ausgeführt wurde.
Fig.5 stellt ein Beispiel für ein Taktprogramm für ein erfindungsgemäßes
ladungsgekoppeltes Bauelement dar. Mit 0^ sind Taktimpulse bezeichnet, die an die Elektroden 11, 21, 31, 41
des als Beispiel gewählten 3-phasigen, 4stufigen CCD gelegt werden.
Mit 0..Q ist ein Impuls bezeichnet, mit dem der Eingang des
CCD geöffnet wird, so daß aus der Eingangs-Elektrode 5 Ladungen in das CCD fließen können. Mit 0A sind Impulse bezeichnet, die
am Ausgang A der Ausleseschaltung auftreten. In dem gewählten Beispiel eines 3-phasigen, 4-stufigen CCD sind entsprechend der
Stufenzahl vier Taktimpulse 0^ notwendig, um nach öffnen des
CCD-Einganges mit dem Impuls 01Q einzelne Ladungspakete durch
die einzelnen Stufen zu transportieren, so daß bei einem fünften Taktimpuls 01 am Ausgang A der Leseschaltung ein erster Impuls
0A erscheint.
In dem dargestellten Ausführungsbeispiel beträgt beispielsweise die Länge der einzelnen Elektroden in der YerSchieberichtung
des CCD 5/um, der Abstand (die Spaltbreite) zwischen den einzelnen
Elektroden 2/um und die Gate-Breite (senkrecht zur Yerschieberichtung)
etwa 200/um. Die Dicke und die Dotierung der n-Schicht ist so gewählt, daß beim Anlegen einer Spannung Yp zwischen
der Eingangs-Elektrode 5 und den die Ladungsverschiebung bewirkenden Elektroden (10 bis 50) die η-leitende Schicht 3 von
Elektronen ausgeräumt ist. Die Spannung Yp kann etwa zwischen
-10 Volt und 0 YoIt variieren. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel wurde Yp = 2 YoIt gewählt. Wenn alle Elektroden des
CCD an der Spannung Vp liegen, so ist die ganze n-leitende
Schicht 3 ausgeräumt. Erhöht man die Spannung an der Elektrode 10 und 11, so fließen Elektronen von dem Anschlußkontakt 5 in
das Halbleiter-Gebiet unter den Gate-Elektroden 10 und 11. Wird
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an die Elektrode 10 wieder die Spannung ¥p gelegt, so ist also
unter der Elektrode 11 ein Elektronenpaket gespeichert. Erhöht man nun die Spannung an der Elektrode 12 und senkt man die Spannung
an der Elektrode 11, so fließen die Elektronen, die sich in dem Gebiet unter der Elektrode 11 befinden, in das Gebiet, das
sich unter der Elektrode 12 befindet. Das Elektronenpaket wird in ähnlicher Weise von der Elektrode 12 zur Elektrode 13, von
der Elektrode 13 zu der Elektrode 21 und so fort weitertransportiert, bis es am Ausgang hinter der Elektrode 50 den zweiten ohmsehen
Kontakt 6 erreicht, der mit der Leseschaltung verbunden ist.
14 Patentansprüche
5 Figuren
5 Figuren
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Leerseite
Claims (14)
1.jLadungsgekoppeltes Element (CCD), bei dem sich auf einem
Halbleiterkörper aus Galliumarsenid in Reihe angeordnete Elektroden mit Sperreigenschaften befinden, dadurch gekennzeichnet , daß der Halbleiterkörper ein semiisolierendes
GaAs-Substrat (1) aufweist, auf dem sich eine η-leitende Schicht (3) aus GaAs mit einer Ladungsträgerkonzentration
von 1.10 5 bis 5*10 cnT^ befindet, und daß die
Elektroden (10 bis" 13, 21 bis 23,. 31 bis 33, 41 bis 43, 50)
mit dieser η-leitenden Schicht (3) einen sperrenden Übergang bilden.
2. Ladungsgekoppeltes Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Elektroden (10 bis 13, 21
bis 23, 31 bis 33, 41 bis 43, 50) (Fig.2) Schottky-Elektroden
sind.
3. Ladungsgekoppeltes Element nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Schottky-Elektroden aus Al
oder einer Schichtfolge von TiPtAu oder WoPtAu bestehen.
4. Ladungsgekoppeltes Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Elektroden stark p-dotierte
Gebiete (101 bis 131, 411 bis 431, 501, Fig.4) aufweisen, die sich an der Oberfläche der η-leitenden Schicht (3) befinden,
an denen Anschluß-Elektroden (10 bis 13, 41 bis 50) angebracht sind.
5. Ladungsgekoppeltes Element nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß sich die stark p-dotierten Gebiete
bis etwa 500 mn, vorzugsweise etwa 100 nm, in die Tiefe der η-leitenden Schicht (3) hinein erstrecken.
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ORIGINAL INSPECTED
•a·
6. Ladungsgekoppeltes Element nach einen der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß am Anfang und am
Ende der Reihe der Elektroden jeweils wenigstens eine, gegenüber
der η-leitenden Schicht nicht-sperrende Anschluß-Elektrode (5, 6) ist.
7. Ladungsgekoppeltes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß der Abstand der
Elektroden zwischen 0,5 und 2,5/um beträgt.
8. Ladungsgekoppeltes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet , daß die 3reite der Elektroden in Querrichtung zu der Richtung der Elektrodenreihe
etwa 200/um beträgt.
9. Ladungsgekoppeltes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Länge der
Elektroden etwa 5/um beträgt.
10.Ladungsgekoppeltes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet , daß die Dicke der nleitenden Schicht (3) etwa 0,2/um beträgt.
11.Ladungsgekoppeltes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet , daß die n-leitende Schicht (3) mit einem oder mehreren der Elemente Schwefel,
Selen, Siliziuia, Zinn dotiert ist.
12.Ladungsgekoppeltes Element nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet , daß die n-leitende Schicht (3) eine Dotierstoffkonzentration zwischen 1·10 und
5.1O17 cm"3 besitzt.
13.Ladungsgekoppeltes Element nach einem d_e.r Ansprüche 1 bis
12, dadurch gekennzeichnet , daß sich zwischen
9098U/0230
27A3245
-^- 77 P 7 I 3 6 BRD
·3·
dem semiisolierenden Substrat (1) und der η-leitenden Schicht
(3) eine v/eitere, schv/ach η-dotierte Schicht (2) befindet.
14. Ladungsgekcppeltes Element nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht (2) eine Ladungs-
13 -3
trägerkonzentration von <10 cm aufweist.
trägerkonzentration von <10 cm aufweist.
Ö098U/0230
Priority Applications (5)
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Non-Patent Citations (3)
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| Intern. Conf. on Technology a. Applications of Chargeloupled Devices, Edinburgh, 25.-29.7.1974, S. 270-273 * |
| Proc. of the IEEE, Nov. 1972, S. 1444-1445 * |
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