DE2734366A1 - Komplementaere eingangsstruktur fuer eine ladungsgekoppelte 2-kanal- anordnung - Google Patents
Komplementaere eingangsstruktur fuer eine ladungsgekoppelte 2-kanal- anordnungInfo
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Description
273436b
Die Erfindung betrifft eine Eingangsstruktur, die zueinander komplementäre Signale in zwei Kanälen einer ladungsgekoppelten
Vorrichtung erzeugt und insbesondere eine Eingangsstruktur,
die dazu verwendet werden kann, eine Transversalfilterung in einer solchen Vorrichtung zu verwirklichen, ohne daß ein
zugeordneter Operationsverstärker benötigt wird.
In einem Artikel mit dem Titel "Charge-Coupled Devices - A New Approach to MIS Device Structure", der von V.S. Boyle
und G.E. Smith im IEEE Spectrum, Juli 19711 Seiten 18 bis
veröffentlicht wurde, ist eine neue Informations-Verarbeitungsstruktur, nämlich eine ladungsgekoppelte Vorrichtung (CCD)
beschrieben. Die Vorrichtung speichert eine Minoritäts-Träger-Ladung in Potentialwannen, die an der Oberfläche eines Halbleiters
erzeugt werden,und transportiert die Ladung längs der Oberfläche durch das Anlegen von Vorspannungspotentialen an
Steuerelektroden, so daß die Potentialwannen bewegt werden.
Eine große Zahl von Anwendungsmöglichkeiten wurde für die ladungsgekoppelten Anordnungen beschrieben. Sie können z.B.
als Transversalfilter verwendet werden, wie das im Artikel von A. Ibrahim beschrieben ist, der unter dem Titel "Multiple
Filter Characteristics Using a Single CCD Structure" im International Conference 6t the Application of Charge-Coupled
Devices, Oktober, Seiten 245 bis 249 veröffentlicht wurde.
Sie können aber auch als rekursive Filter verwendet werden, wie das in einem Artikel von D.A. Sealer und M.F. Tompsett
mit dem Titel "A Dual Differential Analog CCD For Time-Shared Recursive Filters" in ISSCC vom Februar 1975 auf/Seiten 152
bis 153 beschrieben ist. Ein Nachteil der bekannten Strukturen dieser Art ist es, daß es nötig ist, zwei Ladungssignale an
jeder Verzögerungsstufe zu subtrahieren, um sowohl positive als auch negative Koeffizienten des abgetasteten Signals zu
erhalten. Dies wird im allgemeinen unter Verwendung eines Differenzverstärkers erreicht. Damit diese Lösung erfolgreich
durchgeführt werden kann, ist es jedoch nötig, einen aus
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MOS-Transistören(Metall-Oxid-Silizium-Transistoren) aufgebauten Operationsverstärker auf demselben Chip wie die ladungsgekoppelte Anordnung zu integrieren, um so die Kosten zu verringern.
Die Erfindung schafft eine einzige Eingangsstruktur, die dazu dient, komplementäre Ladungen in zwei Kanälen einer ladungsgekoppelten Anordnung zu erzeugen, was es ermöglicht, die
gemessenen bzw. abgegriffenen Signale zu gewichten und direkt zu summieren, ohne daß hierfür ein Differenzverstärker erforderlich wäre.
Es ist also gemäß der Erfindung eine komplementäre Eingangsstruktur für eine ladungsgekoppelte Mehrkanalanordnung vorgesehen, wobei diese Anordnung einen Körper zur Ladungsspeicherung, eine über diesem Körper angeordnete, dielektrische
Schicht und zwei Kanäle umfaßt, von denen jeder eine Vielzahl von Elektroden aufweist, die über der dielektrischen Schicht
angeordnet sind und dazu dienen, die sequenzielle übertragung beweglicher Ladungen längs des Körpers in Antwort auf an die
Elektroden angelegte Taktspannungen zu steuern. Die Eingangsstruktur umfaßt eine gemeinsame Eingangselektrode, die über
der dielektrischen Schicht in der Nähe des Kopfes' bzw. Eingangs eines jeden Kanals angeordnet ist und dazu dient, eine
Ladung fester Größe in dem Körper aus einer benachbarten Quelle zu steuern. Zusätzlich umfaßt die Eingangsstruktur eine
Steuerelektrode am Kopf bzw. Eingang eines jeden Kanals in unmittelbarer Nähe der gemeinsamen Eingangselektrode, wobei
diese Steuerelektroden einzeln auf getrennte Steuersignale
in der Weise ansprechen, daß sie einen ausgewählten Teil der Ladung fester Größe in den einen Kanal und den Best dieser
Ladung in den anderen Kanal übertragen, wobei die Ladung in dem anderen Kanal das Komplement der Ladung im ersten Kanal
bildet.
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In einer speziellen Ausführungsform sind bestimmte Elektroden in jedem der beiden Kanäle längs der Länge des Kanals geteilt,
so daß die unter ihnen hindurch übertragenen Ladungen in vorgewählten Verhältnissen geteilt werden. Ein Teil einer jeden
der geteilten Elektroden von beiden Kanälen sind gemeinsam angeschlossen, wodurch die Gesamtladung unter den gemeinsamen Teilen
der geteilten Elektroden eine Punktion der individuellen Größe der längs der beiden Kanäle übertragenen Ladungen und der relativen Teilung einer jeden der Elektroden in den beiden Kanälen ist.
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung beschrieben; in dieser zeigt:
Fig. 1 eine bildhafte Draufsicht auf eine ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung mit einer Eingangsstruktur gemäß
der Erfindung,
Fig. 2 ein bildhaftes Diagramm einer seitlichen Aufrißansicht der in Fig. 1 wiedergegebenen Struktur und
Fig. 3 typische Vellenformen der verschiedenen Taktspannungen,
die an die in den Fig. 1 und 2 dargestellte Vorrichtung angelegt werden.
Bei der Herstellung der hier beschriebenen ladungsgekoppelten
Anordnungen werden im Halbleiterbereich allgemein übliche und bekannte Technologien verwendet. Es ist daher nicht erforderlich, im einzelnen die für die Herstellung der Anordnung
erforderlichen Einzelschritte zu beschreiben. Die kanadische Patentschrift ?A1 072 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung
einer ladungsgekoppelten 2-Niveau-Polysilizium-Anordnung, die
die grundlegende Struktur der hier beschriebenen Vorrichtung bildet. Auch versteht sich von selbst, daß die in der Zeichnung
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wiedergegebenen Figuren nur beispielhaft für den Aufbau der erfindungsgemäßen Anordnung sind und nicht notwendigerweise
maßstabsgetreu sind.
In der folgenden detaillierten Beschreibung und in den zugehörigen
Figuren sind den einzelnen Elementen der Vorrichtung Basis-Bezugszeichen zugeordnet. Venn es nötig ist, zwischen
sich in einer Reihe wiederholenden Elementen zu unterscheiden, so werden zu den Basis-Bezugszeichen zusätzliche Bezugsbuchstaben
hinzugefügt. Im allgemeinen werden jedoch nur die Basis-Bezugszeichen verwendet.
Gemäß Fig. 1 und 2 umfaßt die ladungsgekoppelte 2-Phasen-Vorrichtung
einen die Ladung speichernden Körper 10/p-Silizium,
mit einer auf ihm abgeschiedenen Isolierschicht 11 unterschiedlicher Dicke aus Siliziumdioxid (SiOo)· Eine Reihe von
abwechselnd oberen 12 und unteren 13 langgestreckten PoIysilizium-Elektroden
ist auf der Isolationsschicht 11 so abgeschieden, daß die Elektroden seitlich so angeordnet sind,
daß sich einander benachbarte Elektroden überlappen. Vie sich im folgenden noch genauer ergeben wird, wirken die unteren
Elektroden 13 als Steuerelektroden, während die oberen Elektroden 12 in bekannter Veise als Übertragungs-Gates wirken.
Vie in Fig. 1 dargestellt, umschließt die isolierende Schicht 11 aus Siliziumdioxid Gate-Oxid-Bereiche 15 unter denen die
Ladungspakete in n-Kanälenlängs der Reihe nach Maßgabe von
Taktepannungen übertragen werden, die an die Feldplatten 12 und 13 angelegt werden. Diese Gate-Oxid-Bereiche 15 bestehen
aus wechselnden Dicken der isolierenden Schicht 11, die unter den Speicherelektroden 13 ungefähr 1100 i. und unter den
übertragungselektroden 12 3000 £ dick ist. Die umgebenden
dickeren Bereiche sind als Feld-Oxid-Bereiche 16 bezeichnet.
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Diese letzteren Bereiche 16 sind genügend dick (näherungsweise 1,2 yum)/daß die Teile des Halbleitersubstrates 10, die
sich unmittelbar unter ihnen befinden, in Antwort auf das Anlegen von Taktspannungen an die Elektroden 12 und 13 nicht
invertieren. Folglich werden die Minoritätsträger-Ladungen lediglich längs des Substrates 10 in unmittelbarer Nachbarschaft
der Gate-Oxid-Bereiche15 übertragen.
Am Eingang des Kanals 15 befindet sich eine eindiffundierte
n+-Quelle für bewegliche Ladungen oder Träger 20. Hierauf
folgt ein Übertragungs-Gate 12R und eine Eingangs-Speicherelektrode
13R, die für beide Kanäle 15 gemeinsam ist. Unmittelbar
benachbart zur gemeinsamen Speicherelektrode 13H befindet
sich in jedem Kanal 15A und 15B eine Steuerelektrode 12A bzw. 12V. Im Gegensatz zum Rest der Elektroden in den Kanälen 15
werden diese Elektroden 12E, 13Ri 12A und 12V von getrennten
Takten gesteuert, wie das im folgenden noch beschrieben wird.
Zusätzlich sieht man, daß jede zweite Speicherelektrode 13 längs der Länge des Kanals 15 geteilt ist, wobei die nach
innen gerichteten Teile der geteilten Elektroden 13J» 13K, 13L und 13H gemeinsam angeschlossen sind. Diese geteilten
Elektroden liefern den Gewichtungsfaktor während des nicht zerstörenden Abtastens der Größe der analogen Ladungen, die
längs der Kanäle 15 übertragen werden.
In den Fig. 1 und 2 sind die Taktleitungen durch die Bezugszeichen 0^, 02, 0e, 08<1 und 0B2 bezeichnet, und weisen Spannungs-Wellenformen
auf, die in Fig. 3 durch die entsprechenden Bezugszeichen gekennzeichnet sind. Vie man allen drei
Figuren entnimmt, gehen zur Zeit t^. die Takttreiber bzw. Taktleitungen 0^ und 06 auf ein hohes Potential und eine bewegliche Ladung aus Elektronen wird von der Quelle 20 in den Be
reich unter der Speicherelektrode 13R übertragen, an die eine
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feste Referenzspannung Vgp angelegt ist. Diese Bezugsspannung
Vtvd ist so ausgewählt, daß sie unter der Elektrode 13R eine
Ladung Qnr> mit vorgegebener Größe erzeugt, die als virtuelle
Ladungsquelle für die beiden Kanäle 15A und 15B wirkt. Zur
Zeit to geht 0_ auf niederes Potential und 0αΛ auf hohes Potential.
Dieses Signal 0^ ist aus einer Gleichspannungs-Vorspannungsspannung
Vg und einem Wechselspannungs-Signal ν
zusammengesetzt, das von einer nicht dargestellten Übertragungsleitung stammt. Da die Elektrode 13A bereits durch den Takt 0*
zur Zeit t^ auf hohes Potential gelegt worden ist, überträgt
das Signal unter der Steuerung des Taktes 0 . einen vorgegebenen
bzw. vorgewählten Teil der Ladung Q,HS in den Bereich
unter der Speicherelektrode 13A.
Zur Zeit t, geht 0 * auf niederes Potential und 0 « au^ hohes
Potential. Dies legt eine Spannung an das Übertragungsgate 12V,
die ausreicht, um den Rest der Ladung unter der Elektrode 13R
in den Bereich unter der Speicherelektrode 13V zu übertragen,
die ebenfalls auf hohes Potential gelegt wurde. Somit ist die unter der Elektrode 13V gespeicherte Ladung Qg^ - Qgg das Komplement
der unter der Elektrode 13A gespeicherten Ladung. Zur Zeit t^, geht der Takt 0~ auf hohes Potential, worauf der Takt
0* auf niederes Potential geht, was die Ladung unter den Elektroden
13A und 13V in die Bereiche unter den geteilten bzw. aufgeteilten Elektroden 13B, 13J>
13L und 13V in bekannter
Weise überträgt bzw. entleert.
Da die Größe der an jede Hälfte der geteilten Elektroden angelegten
Spannung dieselbe ist, teilt eich die Ladung zwischen den beiden Elektroden nach Maßgabe der relativen Länge
einer jeden Elektrode auf.
Die relative Größe der Gesamtladung unter den Elektroden 13J» 13L, 13K und 13M kann durch ein Netzwerk 16 zur schwimmenden
Gate-Abtastung (floating gate sensing network) unter Anwendung
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einer nicht zerstörenden Abtast-Technik überwacht werden, wie
das in dem oben erwähnten Artikel/A. Ibrahim und anderen
erläutert ist.
In einem typischen Anwendungsfall einer ladungsgekoppelten Anordnung
als Transversalfilter wird ein Vechselspannungssignal ν , das
einer Gleichspannungs-Vorspannungs-Spannung Vß überlagert ist,
über den Takt 0^ an die Gate-Elektrode 12A angelegt, um einen
vorgewählten Teil QR„ der zuvor unter der Speicherelektrode
13R gespeicherten Ladung Qrjp in den Bereich unter der Elektrode
13A zu übertragen. Das Komplement bzw. der Best dieser Ladung ^RH ~ %S wird dann durch den Takt 0 ~ gesteuert,in den Bereich
unter der Speicherelektrode I3V übertragen. Die Ladungen
werden dann gleichzeitig längs der Kanäle 15A und 15B unter
der Steuerwirkung der Takte 0^ und 02 übertragen. An jeder
der geteilten Elektroden 13 werden die Gewichtungsfaktoren
durch die relativen Längen festgelegt. Durch wiederholtes, nicht zerstörendes Abtasten der gewichteten Ladung unter den
verschiedenen aufgeteilten Speicheid.ektroden 13 und durch
Summierung deren Ausgangssignale im Netzwerk 16 kann von der Elektrode 17 ein Ausgangssignal erhalten werden, das proportional
ist zur Größe der längs der beiden Kanäle 15A und 15B übertragenen Ladungen und zur relativen Gewichtung, die durch
die Teilung der aufgeteilten Elektroden festgelegt ist. Da das Komplement der längs des Kanals 15A übertragenen Ladung
längs des Kanals 15B übertragen wird, können die abgetasteten
bzw. gemessenen Signale direkt summiert werden, ohne daß hierfür ein Differenzverstärker nötig ist. Diese Technik hat eine
Gleichspannungs-Offset-Spannung auf dem abgetasteten bzw. gemessenen
Signal an der Elektrode 17 zur Folge, die jedoch ohne weiteres im Auegangsnetzwerk 16 beseitigt werden kann.
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Da das Abtastnetzwerk mit schwimmenden Gates Halbleiterverstärker verwendet, können diese ohne weiteres unter Verwendung
der MOS-Technologie aufgebaut werden, da dies dieselbe Technologie
ist, die zum Aufbau der ladungsgekoppelten Anordnung verwendet wird. Auch ist klar, daß die gesamte Struktur unter
Verwendung einer ρ-Kanal-Technologie auf einem n-Silizium-Substrat
verwirklicht werden kann.
Die Erfindung schafft also eine Eingangsstruktur für eine
ladungsgekoppelte Vorrichtung (CCD), die in einem Kanal eine zu einem Signal proportionale Ladung entwickelt und das Komplement dieser Ladung in einem zweiten Kanal. Die ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung kann als Transversalfilter verwendet werden, ohne daß am Ausgang dieses Filters ein Differenzverstärker erforderlich ist.
ladungsgekoppelte Vorrichtung (CCD), die in einem Kanal eine zu einem Signal proportionale Ladung entwickelt und das Komplement dieser Ladung in einem zweiten Kanal. Die ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung kann als Transversalfilter verwendet werden, ohne daß am Ausgang dieses Filters ein Differenzverstärker erforderlich ist.
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Claims (4)
- MANITZ. FINSTERWALD & CRÄMKOWNorthern Telecom Limited München, den 29. Juli 1977Dorchester Blvd., West p/o/tj,, w Montreal, Quebec, Canada H3H 1R1 r/^/mi-nKomplementäre Eingangsstruktur für eine ladungsgekoppelte 2-Kanal-AnordnungPatentansprücheYi. )Ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung mit einem ladungsspei- ^-^^ chernden Körper, einer auf dem Körper angebrachten dielektrischen Schicht und zwei Kanälen, von denen jeder eine Vielzahl von über der dielektrischen Schicht angeordneten Elektroden aufweist, die dazu dienen, die sequenzielle Übertragung von beweglichen Ladungen längs des Körpers in Antwort auf an diese Elektroden angelegte Taktspannungen zu steuern, dadurch gekennzeichnet , daß eine gemeinsame Eingangselektrode über der dielektrischen Schicht in der Nähe des Eingangs eines jeden Kanals angeordnet ist, die dazu dient, eine Ladung fester Größe in diesem Körper aus einer benachbarten Quelle zu steuern, daß am Eingang eines jeden Kanals jeweils eine Steuerelektrode in unmittelbarer Nachbarschaft der gemeinsamen Eingangselektrode angeordnet ist und daß diese Steuerelektroden einzeln auf gesonderte Steuersignale in der Weise ansprechen, daß sie einen ausgewählten Teil der Ladung809807/0593PR. C. MANITZ ■ DIPL.-ING. M. FINSTERWALD DIH. -ING. W. ORAMKOW ZENTRALKASSE SAYER. VOLKSSANKENβ MÖNCHEN 33. ROSERT-KOCH-STRASSE I 7 STUTTGART SO ISAD CANNSTATT) MÖNCHEN. KONTO-NUMMER 7970TEL. IOS9) 99 49 11. TELIX OS-39073 PATMF SEELSERGSTR. 33/95. TEL. (0711)56 79 61 POSTSCHECK : MÖNCHEN 77062-805ORIGINAL INSPECTEDfester Größe auf einen Kanal und den Rest dieser Ladung auf den anderen Kanal übertragen, wobei die Ladung in dem anderen Kanal das Komplement der Ladung im ersten Kanal darstellt.
- 2. Ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ausgewählte Elektroden in jedem Kanal längs der Länge des Kanals geteilt sind, um die unter ihnen hindurch übertragenen Ladungen in vorgewählten Verhältnissen zu teilen, wobei ein Teil einer jeden geteilten Elektrode gemeinsam angeschlossen ist, so daß die gesamte Ladung unter den gemeinsamen Teilen der geteilten Elektroden eine Funktion der individuellen Größe der längs der beiden Kanäle übertragenen Ladungen und der relativen Aufteilung einer jeden der Elektroden in den beiden Kanälen ist.
- 3· Ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine Vorrichtung zum anfänglichen Anlegen einer Bezugsspannung fester Größe an die gemeinsame Eingangselektrode vorgesehen ist, um eine Ladung fester Größe unter dieser Elektrode aus einer benachbarten Quelle zu erhalten, daß Vorrichtungen zum Anlegen eines Signals veränderbarer Größe an die Steuerelektrode in einem Kanal vorgesehen sind, um einen ausgewählten Teil dieser Ladung fester Größe unter dieser Elektrode hindurch zu übertragen, und daß Vorrichtungen zum Anlegen einer Spannung fester Größe an die Steuerelektrode in dem anderen Kanal vorgesehen sind, um den Best der Ladung fester Größe unter dieser Elektrode hindurch zu übertragen.
- 4. Ladungsgekoppelte 2-Kanal-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß eine Vorrichtung zum Erzeugen einer schwimmenden bzw. potentialfreien Ladung auf den gemeinsamen Teilen der geteilten Elektroden vorgesehen ist und daß eine Vorrichtung zum Überwachen der809807/0593Spannungsänderung in der Ladung auf den gemeinsamen Teilen der geteilten Elektroden vorgesehen ist, wenn die beweglichen Ladungen unter diesen hindurch übertragen werden.809807/0593
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