DE2731619A1

DE2731619A1 - Spannungsvervielfacherschaltung

Info

Publication number: DE2731619A1
Application number: DE19772731619
Authority: DE
Inventors: Jimmy L Hutchins; John E Meyer
Original assignee: National Semiconductor Corp
Current assignee: National Semiconductor Corp
Priority date: 1976-07-21
Filing date: 1977-07-13
Publication date: 1978-01-26
Also published as: JPS5313130A; US4047091A

Description

PATENTANWÄLTE

R. SPLANEMANN dr. B. REITZNER £-. J. RICHTER F. WERDERMANN

DIPL.-ING. DIPL-CHEM. "" J "" DIPL.-ING. DIPL.-ING.

MÖNCHEN

HAMBURG

'; 2 7. 77

2OOO HAMBURG 36

NEUER WALL IO TEL. (O4O) 34 OO 4 5 34 OO 56 TELEGRAMME: INVENfIUS HAMBURG

UNSERE AKTE j|_# 77082 DH IHR ZEICHEN:

PATENTANMELDUNG PRIORITÄTs 21. Juli 1976

(US-Ana. Serial No. 707 395)

BEZEICHNUNG: Spannungevervielfacherechaltung

ANNELDEHs National Semiconductor Corporation 2900 Semiconductor Drive Santa Clara, KaIiX., V.St.A.

ERFINDER: Jimmy L. Hutchins

303 Burning Tree Drive San Jose, Kalif., V.St.A.

John E. Meyer

13176 Glen Brai Drive

Saratoga, KaIiX., V.St.A·

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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Spannungsvervielfacherschaltung zur Vervielfachung einer Eingangsspannung, zur Abgabe einer Ausgangespannung, die ein Vielfaches der Eingangsspannung ist.

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf Spannungsvervielfacherschaltungen, und insbesondere auf eine integrierte Spannungsvervielfacherschaltung in MOS-Schaltungstechnik.

Bei Anwendungsfällen niedriger Spannung wird die integrierte Schaltungstechnik eingesetzt, dort, wo minimaler Raumbedarf besonders bedeutsam ist, wie beispielsweise bei Digitaluhren mit Batterien von geringer Leistung. Bei einem solchen Anwendungsfall ist zum Betrieb der Anzeigeschaltung, zur Darstellung der Zeit, eine höhere Spannung erforderlich, als von der Batterie geliefert wird. Daher bedarf es einer Spannungsνervielfachersehaltung, die eine geringstmägliche Anzahl von Bauelementen außerhalb der integrierten Schaltung zum Einsatz bringt, sowie eine geringstmögliche Anzahl von Anschlußstiften und den geringstmöglichen Aufwand an Verbindungsschaltmitteln innerhalb der integrierten Schaltung.

In der Vergangenheit erforderte ein Spannungsvervielfacher mit n-facher Spannungsvervielfachung 2n Verbindungen über Anschlußstifte,

Ferner war bei vorbekannten Spannungs vervielfachern die Ausgangsspannung ein Vielfaches der Eingangespannung abzüglich des Spannungeabfalles an den verwendeten Transistor- oder Diodenkreisen. Bei einer mit niedriger Spannung arbeitenden Anordnung kann dieser Spannungsabfall nicht zugelassen werden, und weil MOS-Feldeffekt-

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Transistorschalter hinreichende Verstärkung aufweisen können,

um solche Spannungsabfälle möglichst gering zu halten, sind diese besonders geeignet für einen Spannungsvervielfacher.

Daher ist es Aufgabe der Erfindung, einen Spannungsvervielfacher in NOS-Schaltungstechnik zu schaffen, bei welchem die Verbindungsschaltungen vereinfacht sind, und dessen Anzahl an außerhalb des integrierten Schaltungsplättcbens befindlichen Bauelementen gegenüber vorbekannten Anordnungen vermindert ist.

Die zur Lösung der gestellten Aufgabe vorgeschlagene, erfindungsgemäße Spannungsvervielfacherschaltung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Ausgangskondensator und η Kondensatoren umfaßt, sowie eine Feldeffekttransistor-Scbalteranordnung zur Aufschaltung eines jeden der genannten η Kondensatoren auf die genannte Eingangespannung, derart, daß jeder der genannten Kondensatoren auf einen Spannungswert aufgeladen wird, der im wesentlichen gleich der genannten Eingangsspannung ist, und daß die Spannungsvervielfacherschaltung ferner eine Schalteranordnung aufweist, um die genannten η Kondensatoren zueinander in Reihe und auf den genannten Ausgangskondensator zu schalten, sowie in Reihe mit der genannten Eingangsspannung, derart, daß der genannte Ausgangekondensator auf einen Spannungswert aufgeladen wird, der das (n+1)-fache der genannten Eingangsspannung ist.

Krfindungsgemäß werden die Vorteile der Schaltung dadurch erreicht, daß man eine aus äußeren Kondensatoren gebildete Schaltung schafft, die zueinander in Reihe über die Ansehlußstifte eines integrierten Schaltungsplättcbens geschaltet sind und intern mit HOS-Ieldeffekt-

Transistorschaltern verbunden, die durch eine Taktgeberschaltung

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gesteuert werden, um einen Betriebsablauf in vielen Betriebsphasen zu schaffen.

Während der aufeinanderfolgenden Betriebsphasen werden MOS-FeIdeffekt-Transistorschalter in solcher Weise geschlossen oder durchgeschaltet, daß die in Reihe zueinander geschalteten Kondensatoren aufeinanderfolgend bis auf den Wert der Eingangsspannung während jeder Betriebsphase aufgeladen werden. Bei der abschließenden Betriebsphase wird der letzte aufgeladene Kondensator auf die Eingangsspannung aufgeschaltet, und der erste aufgeladene Kondensator wird auf einen Ausgangekondensator aufgeschaltet, derart, daß die am Ausgangskondensator entwickelte Spannung die Summe aller an den in zueinander in Reihe geschalteten Kondensatoren entwickelten Spannungen zuzüglich der Eingangespannung ist.

Die erfindungsgemäße Schaltung weist den Vorteil auf, daß sie eine gute Ausnutzung der Ausgangs-Anschlußstifte ergibt. In der Vergangenheit erforderte ein Spannungsvervielfacher alt n-facher Spannungsvervielfachung 2a Anschlüsse über seine Anschlußstifte. Nach der vorliegenden Erfindung werden nur n+1 Anschlüsse für n-1 Kondensatoren benötigt, an denen die Aufladungen entstehen.

Die Erfindung hat den weiteren Vorteil, daß wegen dee Einsatzes von MOS-Feldeffekttransistoren die vervielfachte Spannung nicht durch Spannungeabfälle an Diodenstrecken verschlechtert oder vermindert, die im allgemeinen durch den Einsatz bipolarer Transietorschaltungen verursacht werden.

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Die oben genannten und weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung werden aus der nachfolgenden, ausführlichen Beschreibung einer bevorzugten Ausfütarungsform als Beispiel und aus der Darstellung der beigefügten Zeichnung ersichtlich, die in der einzigen Darstellung, Fig. 1, ein Schaltbild der erfindungsgemäßen flpannungsvervielfacherschaltung mit den Merkmalen der Erfindung zeigt.

Es wird nun auf die einzige Abbildung bezug genommen, dort wird eine Spannungsvervielfacherschaltung in MOS-Schaltungstecbnik gezeigt, bei welcher die Ausgangsspannung an einen Ausgangskondensator ein Vielfaches der Eingangespannung V₃₀ ist.

Die gestrichelten Linien 10 zeigen ein p-Kanalstück an, das der am stärksten negativen Versorgungsspannung T„ zugeordnet ist, die erzeugt wird. Die Bauelemente II, LS1, LS2 und LS3, enthalten n-Kanal-Feldeffekttransistoren, die dergestalt geschaltet sind, daß ihre Souree-Slektroden und Substratschichten die Stromversorgung für die Spannung Vg₂ bilden. Bei allen anderen n-Kanal-Feldeffekttransistoren, die nicht innerhalb der gestrichelten Linien 10 liegen, sind die Substratschichten mit der Stromversorgung Vqq verbunden.

Wie durch die gestrichelten Linien 12 und 14 angedeutet, liegen H08-Feldeffekttransistoreft M0S2 und MOS? in ihren eigenen Kanalstücken. Die Substratverbindungen durch die Dioden D₂ bzw. D, verhindern, daß die Substrat-Diodenstrecken der Feldeffekttransistoren H0S2 und H0S3 die an den Ansehlußpunktea CAP1 und CAP2 erzeugten Spannungen wieder auf die Spannung Vg₀ zurück

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festklemmen. Mit den gezeigten Verbindungen der Substratschichten ist der Rückwärts-Vorspannungseffekt an der Gate-Elektrode minimal (oder die Einwirkung des Halbleiterkörpers) auf die Feldeffekttransistoren M0S2 und MOS}.

Innerhalb der gestrichelten Linien 16 wird eine mit drei Betriebspnasen arbeitende Steuerschaltung für die Spannungsvervielfachung gezeigt. Die Taktgeberleitungen CLK1 und CLK2 von einer externen Quelle her sind in NAND-Gattern N₁, N₂ und N, miteinander verknüpft zur Erzeugung der Signale ^₁ F₂ und ?^ . Durch Pegel ver-8ctaiebung83Chaltungen LS1, LS2 und 183 werden diese Signale auf Leistung gebracht, ua die Grundtakt-Steuersignale 4^> bzw. ^₂ und 6-x für die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung zu liefern. Nur einer dieser Ausgänge steht jeweils zu einem beliebigen Zeitpunkt unter Spannung, und das Grundtakt-St euer signal ^₂ ist aus weiter unten dargelegten Gründen von längerer Dauer als die Grundtakt-Steuersignale ^₁ oder *L. Die Spannung am Kondensator C, wird dadurch vervielfacht, daß die Kondensatoren C₁ und C₂ aufeinanderfolgend auf den Spannungewert Vp_D- Vgg aufgeladen werden. Mährend der zweiten und dritten Betriebsphase wird die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M0S1 auf dem Spannungewert V_DD durch das NAND-Gatter N₁ gehalten und sperrt damit diesen Feldeffekttransistor M0S1.

Der Feldeffekttransistor M0S2 ist ein η-Kanal -Feldeffekttransistor, dessen Substratschicht mit dem Anschlußpunkt CAP1 verbunden ist, um die Diode D₂ in Sperrrichtung vorzuspannen, um zu ermöglichen, daß der Anschlußpunkt CAP1 noch negativer als die Spannung V_SB wird. Die Substratschicht des Feldeffekttransistors M0S2 ist nicht

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mit der Spannung V verbunden, weil dies die Auswirkung des Halbleiterkörpers (den M-Faktor) vergrößern würde, und damit ein größeres Bauelement bedingen würde, um dieselbe elektrische Ladungsmenge zu übertragen.

In der Betriebsphase 1 wird die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M0S2 auf dem Spannungswert V_mm durch die Feg elver-Schiebungsschaltung LS3 festgehalten, wodurch der Feldeffekttransistor M0S2 gesperrt wird.

In der Betriebsphase 2 überträgt der Feldeffekttransistor M0S1 die Spannung Vgg» die von der Umkehrstufe I^ &n den Anschlußpunkt CAP1 geliefert wird. Dies hat zur Folge, daß der Kondensator C. durch die Wirkung des Feldeffekttransistors M0S5 auf die Spannung Vpp aufgeladen wird·

Da die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M0S3 durch die Pegelverschiebungsschaltung LS2 auf dem Spannungswert V gehalten wird, ist dieser Feldeffekttransistor M0S3 während der zweiten vnd dritten Betriebephase gesperrt. Bei gesperrtem Feldeffekttransistor MOS3 bringt die V erschiebung des Anschlußpunktee CAFi vom Pegel V_DD zum Pegel Vgg mit sich, daß der Anschlußpunkt CAP2 vom Spannungswert V₀₀ bis zum Spannungswert Vp_D- Vgg unterhalb ^VSS verschoben wird«

In der dritten Betriebsphase wird die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M0S2 auf dem Pegel V_ee durch die Pegelverschiebung·« schaltung LS3 gehalten, wodurch der Feldeffekttransistor M0S2 gesperrt wird.

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Das Bauelement M0S3 ist ein n-Kanal-Feldeffekttransistor, dessen Substratschiebt mit de« AnschluBpunkt CAP2 verbunden ist, tui die Diode Dx in Sperrricbtung vorzuspannen, wodurch ermöglicht wird, daß der AnschluBpunkt CAP3 noch negativer als der Anschlufipunkt CAP1 wird. Die Substratschicht ist nicht mit der Spannung V verbunden, weil dies die Wirkung des Halbleiterkörpers (den M-Faktor) vergrößern und damit ein größeres Bauelement zur übertragung derselben Ladungsmenge erforderlich machen würde.

In der ersten Betriebephase bringt der Feldeffekttransistor M083 den Spannungspegel Vgg an den Ansehlufipunkt CAP2, weil der Anechlußpunkt CAPI auf der Spannung Vp_D durch die Wirkung des Feldeffekttransistors M0S1 gehalten wird, und lädt den Kondensator C₂ auf die Spannung Tp_D- Vgg auf. Während der «weiten und dritten Betriebsphase wird die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M0S3 auf dem Spannungspegel V_e# durch die Pegelversehiebungsschaltung LS2 gehalten, und damit der Feldeffekttransister MOSJ gesperrt.

Da· Bauelement MOSA- ist ein n-Kanal-Feldeffekttransistor, dessen Substratschicht mit der Spannung V_#0 verbunden ist, wodurch die Diode D₄ in Sperrrichtung vorgespannt wird, damit wird ermöglicht, daß die Spannung T stärker negativ als der Anschlußpunkt CAP2 werden

Sowohl während der ersten, als auch während der »weitem Betriebsphase wird die Gate-Hektrode des Feldeffekttramslstors MOSt durch die Pegelverschiebungssehaltung 181 amf dem Spännungewert ^Yee Schalten, und daher wir« der Feldeffekttransistor'MCMM-

gesperrt.

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tfehrend der dritten Betriebsphase wird der Feldeffekttransistor HOB* leitend und schließt den Strompfad zwischen des Ansehlußpunkt CAPI und der Spannung ^₀₀* u* damit Ladung von den in Reihe zueinander liegenden Kondensatoren C~ und C~ zu· AiiBgangskondensator C, su übertragen.

Sas Bauelement MD&5 ist ein n-Kaiial-Feldeffekttransistor, dessen Substratschicht alt der Spannung Vg₈ Terbunden ist.

In der ersten Betriebsphase wird die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors MDS5 auf dem Spannungswert Vq₈ über den Feldeffekttransistor M0S6 gehalten, was gestattet, daß der Anschlußpunkt für das negierte fi-tgnpT der dritten Betriebsphase 3-* frei läuft oder "schwimat*. Ba der Feldeffekttransistor MQ85 ein n-Kanal-Feldeffekttransistor ist, kann das Signal für die dritte Betriebsphase noch weiter positiT als ν~ρ geaacht werden. Dies eraöglicbt, daß in der ersten Betriebsphase die Jji Kondensator Cj, gespeicherte Ladung festgehalten werden kann, wenn - wie oben erläutert - der Anschlußpunkt CAPI durch die umkehrstufe I_ über den Feldeffekttransistor MOSI bis auf die Spannung ¥_;QD gebracht wird.

Itehrend der zweiten Betriebsphase bringt der Feldeffekttransistor MDS5 den von der Umkehrstufe I^ gelieferten Spannungewert Y_1n. auf den Anschlußpunkt für das negierte Signal der dritten Betriebsphase 1-* . 9a der Anschlußpunkt CAPI durch den Feldeffekttransistor N082 in der »weiten Betriebsphase auf dem Spannungs^{wert v}ss eenalten wird, lädt sich der Kondensator C₁ auf den Spannungewert YjJ₀ - Vg₈ auf.

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Während der dritten Betriebsphase bringt der Feldeffekttransistor MDS5 den von der Umkehrstufe l_ angelieferten Spannungswert Vg₈ auf den AnschluSpunkt für das negierte Signal der dritten Betriebsphase H-z · Da nährend der dritten Betriebsphase die Bauelemente M0S1, H0S2 und M0S3 allesamt gesperrt sind» geht der Anschlußpunkt CAPI auf den Spannungswert Vpp- Vg₈ unterhalb von V₃₃ herunter, d.h. auf den Wert (2Vg₈ ~* ^VDD^^# ^^eser Übergang von dem Spannungspegel Vg₀ in der »weiten Betriebsphase sum Pegel (2Vg₃- Vp_D) in der dritten Betriebsphase am Anschlußpunkt CAPi bringt den Spannungspegel (2Vg₈ - Vjjj) ^am Anschlußpunkt CAP2 aus der zweiten Betriebsphase auf einen Spannungspegel von (5Vq₀ - Vjm) wahrend der dritten Betriebsphase. Vie oben beschrieben, bringt der Feldeffekttransistor M0S4- die Ladung der in Reihe zueinander geschalteten Kondensatoren C. und Cp in der dritten Betriebsphase auf den Ausgangskondensator C,· Die Ladungen auf den Kondensatoren C₁ und C₂, die zueinander in Reihe liegen, gleichen sich mit der Ladung auf dem Ausgangskondensator C₅ soweit aus, bis der Spannungspegel bei V₆₀ und am AnschluSpunkt CAP2 einander gleich sind.

Das Bauelement M0S6 1st ein n-Kanal-Feldeffekttransistor, dessen Substratschicht mit der Spannung Vg₈ verbunden ist.

Nährend der zweiten Betriebsphase bringt der Feldeffekttransistor H0S6 den äpannungspegel Vg₈ auf die Gate-Klektrode des Feldeffekt« transistors M0S5, wodurch dieses Bauelement gesperrt wird. Nährend der ersten betriebsphase liegt das Ausgangssignal der Umkehrstufe

den Spannungswert (Vg₈ - V_e ) aufgeladen·

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Während der zweiten und dritten Betriebsphase bringt der Ausgang der Unkehrstufe T₁. die Spannung Vgg auf die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M086 und sperrt diesen. Dies ermöglicht, daß die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors M0S5 frei läuft oder "schwimmt". In der zweiten Betriebsphase geht der Ausgang der Umkehrstufe I^ vom Spannungswert V zua Spannungswert V_DD über und bringt damit die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors N0S6 auf den Spannungswert (Vco+ V™ -V )· Dies gestattet, daß der Feldeffekttransistor M0S5 den Anschluß für das negierte Signal der dritten Betriebsphase ?, auf den Spannungswert V_DD zieht, der von der Umkehrstufe I— geliefert wird. Die Pegelverschiebungsschaltung Lß1 liefert eine Verzögerung, die sicherstellt, daß die Umkehrstufe I_1a den Feldeffekttransistor M0S6 sperrt, bevor die Umkehrstufe T^ auf einen positiven Spannungswert übergeht.

Die Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren M0S1 und M0S6 werden von der Spannung ?gg her angesteuert, um sicherzustellen, daß die üetriebsstromversorgung richtig einsetzt, unabhängig vom Aiifangszustand an dem Anschlußpunkt ?, , dem Anschlußpunkt 0AP1, CAP2 oder V_ÄÄ. Die Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren M0S2, M0S3 und M0S4 werden von der Spannung V__ her angesteuert zur Schaffung einer hinreichend negativen Gate^Elektredenansteuerung, um die Traneistoren zum geeigneten Zeitpunkt völlig zu sperren. Es leuchtet in dieses Zusammenhang ein, daß es wünschenswert ist, die Dauer der zweiten Betriebsphase länger als die Dauer der ersten oder dritten Betriebsphase zu machen, um damit dem Feldeffekttransistor M085 mehr Zeit einzuräumen, die Tf*d"«e auf dem

Kondensator C₁ während des Ablaufs der zweiten Betriebsphase, wie

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16 oben beschrieben, zu erneuern.

Es ist ferner einleuchtend, daß dl« Source- und Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors MOS5 miteinander verbunden werden können, und damit den Ausgang der Umkehrstufe I~ direkt mit des Anschluß für das negierte Signal der dritten Betriebsphase 7» verbindet. Somit arbeitet die erfindungsgemäfle Spannungsvervielfacherschaltung bei fortgelassene« Kondensator Cg und bei den zwischen den Anschluß für das negierte Signal Fx der dritten Betriebephase und den Anschlußpunkt CAP2 gelegten Kondensator C_-. als Spannungaverdoppler, der die Spannung V auf die Spannung. (V«»? unterhalb Vg₈ oder (2Yg₈ -^T _DD) anzuheben vermag·

Venn auch die Erfindung insbesondere unter Bezugnahme auf ihre bevorzugte Ausführungsform dargestellt und beschrieben worden ist, so ist es für den Jfachmann selbstverständlich, dsJt verschiedenste Abwandlungen in dor Ausgestaltung und bot lüustifceiten ausgeführt werden können, ohne den Gedanken und den ÄaMmfcn der Erfindung zn verlassen.

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Claims

Patentansprüche

1. ) Spannungsvervielfacherschaltung zur Vervielfachung einer Kingangaspannung, zur Abgabe einer Auagangsapannung, die ein Vielfaches der Eingangsspannung ist, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Ausgangskondensator (Cz) und η Kondensatoren (C₁,C₂) umfaßt, sowie eine Feldeffekttransistor-Schalteranordnung (M0S1-ΜΟΘ5) zur Aufschaltung eines Jeden der genannten η Kondensatoren ^⁰I*^G2^ ^{aujr 4}^"⁶ genannte lüngangsspannung (Vg₈), derart, daß jeder der genannten Kondensatoren auf einen Bpannungswert aufgeladen wird, der in wesentlichen gleich der genannten Eingangsspannung (Vg₈) ist, und daß die Spannungsvervielfacherschaltung ferner eine Schalteranordnung aufweist, ua die genannten η Kondensatoren (C₁)C₂) zueinander in Reihe und auf den genannten Ausgangskondensator (C,) zu schalten, sowie in Reihe mit der genannten Eingangsspannung (Vg₈), derart, daß der genannte Ausgangskondensator (Cz) auf einen Spannungswert aufgeladen wird, der das (n+i)fache der genannten Eingangssapnnung (Vg₈) ist.

2. Spannungsvervielfacherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Vielzahl von Kondensatoren (C₁)C₂) aufweist, die zueinander in Reihe und über die Ausgangsanschlüsae (I₅, CAP1, CAP2) eines integrierten Schaltungsplättchens geschaltet sind, daß eine Taktgeberschaltung (N₁,N₂, N,,LS_-1,LS₂,L£k) vorgesehen ist, die Ausgangespannungen für viele Betriebsphasen abgibt, sowie eine Schaltung (I2_af12_b,13_a>13^₎), ua die Ausgangsanschlüsse (Ji-, , CAP1, CAP2) des genannten Halbleiterplättchens nit HOS-Feldeffekt-Schalttransistoren (M0S1, M0S2, M083, M0S5) zu verbinden, daß eine Schaltung vorgesehen ist, ua die genannten NOS-Faldeffekt-

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transistor-Schalter mit der genannten Taktgeberschaltung zu verbinden, derart, daß während aufeinanderfolgender Betriebsphasen die genannten Feldeffekttransistor-Schalter derart geschlossen werden, daß die in Reihe zueinander geschalteten Kondensatoren (C.,C₂) getrennt, aufeinanderfolgend auf die genannte Eingangsspannung (V33) aufgeladen werden während jeder Betriebephase der genannten Taktgeberschaltung, und daß eine in der abschließenden Betriebsphase der Taktgeberschaltung betätigbare Schaltung (IW-, M0S4») vorgesehen ist, üb den genannten Ausgangskondensator (C,) auf die genannte Eingangsspannung (Vg₀) und auf die in Reihe zueinander liegenden Kondensatoren (C^, O₂) xu schalten, derart, daß die am Ausgangskondensator (C,) entwickelte Spannung gleich der Suane aller an den in Reihe zueinander geschalteten Kondensatoren (C.,Cp) liegenden Spannungen, zuzüglich der genannten Eingangsspannung (V₃₃) ist.

3· Spannungsvervielfacherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein integriertes Schaltungsplättchen mit einem ersten, zweiten, dritten und vierten Ausgangsanschluß ($y CAP1, CAP2, V₂₈), daß eine Taktgeberschaltung vorgesehen ist, die drei Ausgangssignale (JS^, Q₂ ^3) liefert, für eine erste, zweite und dritte Betriebsphase, wobei während jeder Betriebsphase sich das entsprechende Ausgangssignal von einem ersten Spannungswert (Vgp) auf einen zweiten Spannungswert (V₃₈) erhöht, daß ein erster Kondensator (C₁) über den ersten und zweiten Ausgangeanschluß (&₅,C1P1) geschaltet ist, daß ein zweiter Kondensator (C₂) über den genannten zweiten und dritten Ausgangsanschluß (CAP1, CAP2) geschaltet ist, daß ein erster und ein zweiter MOS-Peldeffekttransistor (M0S1, M0S2), der Jeweils mit der Source-

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und der Drain-Blektrode zwischen den genannten zweiten Ausgangsanschluß (CAP1) und den Ausgang für die zweite Betriebephase (j?₂) geschaltet ist, vorgesehen sind, mit einer Schaltung (I2_a>I2_b, LS2), um den ersten Feldeffekttransistor (M0S1) während der ersten Betriebephase und den zweiten Feldeffekttransistor (M0S2) während der zweiten Betriebsphase unter Spannung zu halten, derart, daß der genannte erste Spannungswert (V_DD) auf den genannten zweiten Ausgangsanschluß (CAP1) während der genannten ersten Betriebsphase, und der genannte zweite Spannungswert (Vg₀) &n den zweiten Ausgangsanschluß (CAP1) während der zweiten Betriebs· phase gelegt wird, daß ein dritter MOS-FelÄeffekttransistor (MOS?) zwischen den genannten dritten ^usgangsanschluß (CAP2) und den genannten zweiten Spannungswert (Vg₈) geschaltet ist und eine Schaltung einschließt, üb den genannten dritten Feldeffekttransistor (MOS?) während der genannten ersten Betriebephase unter Spannung zu halten, derart, daß der genannte zweite Spannungswert (Vgg) zu des genannten dritten Ausgangsanschluß (CAP2) übertragen wird, daß ein vierter HOS-Feldeffekttransistor (M0S4) zwischen den genannten dritten Ausgangsanschluß (CAP2) und den genannten vierten Ausgangsanschlus (Vj₅₂) geschaltet ist und während der genannten dritten Betriebsphase derart betätigbar ist, daß er den dritten und vierten Auegangsanschluß (CAP2 bzw T₂-) miteinander verbindet, daß ein fünfter MOS-Feldeffekttransister (MDS5) zwischen den genannten ersten Ausgangsanschluß (JJ,) und den Ausgang für die dritte Betriebsphase geschaltet und während der genannten zweiten Betriebsphase derart unter Spannung setzbar ist, daß der genannte erste Spannungswert (V_DJ)) zu des genannten ersten Ausgangeanschluß (JB-) übertragen wird, derart, daß in der ersten Betriebsphase der genannte zweite Kondensator (C₂) über den genannten ersten und dritten MÖS-Feldeffekttransister (MOS1, M0S3)

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auf einen Spannungswert aufgeladen wird, der die Differenz des ersten und zweiten, an den zweiten, bzw, dritten Ausgangsanschluß (CAP1 bzw CAP2) angelegten Spannungswerte» (V_DD bzw Vgg) darstellt, und derart, daß während der genannten zweiten Betriebsphase der genannte erste Kondensator (C₁) auf einen Spannungswert aufgeladen wird, der die Differenz zwischen des genannten zweiten und ersten, vom genannten zweiten und fünften MOS-Feldeffekttraneistor (M0S2 bzw M0S5) gelieferten Spannungswert darstellt, und daß während der genannten dritten Betriebsphase der genannte dritte und vierte Ausgangsanschluß (CAP2, Vgg) über den genannten vierten MOS-Feldeffekttransistor (M0S4-) miteinander verbunden werden und damit den Spannungswert auf den genannten Kondensatoren (C₁)C₂) an den genannten vierten Ausgangsanschluß (V^) weitergeben.

4. Spannungsvervielfacherschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Ausgangskondensator (C,) aufweist, der «it des vierten Ausgangsanschluß (Vgg) verbunden ist, sowie mit dem genannten ersten Spannungswert (Vp₁J derart verbunden ist, daß ein Veg zur Übertragung der Ladung voa genannten ersten und zweiten Kondensator (C₁₉C₂) zua genannten Ausgangskondensator (Cz) geschaffen wird.

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