DE2245855A1 - Treiberschaltung mit feldeffekttransistor - Google Patents

Treiberschaltung mit feldeffekttransistor

Info

Publication number
DE2245855A1
DE2245855A1 DE19722245855 DE2245855A DE2245855A1 DE 2245855 A1 DE2245855 A1 DE 2245855A1 DE 19722245855 DE19722245855 DE 19722245855 DE 2245855 A DE2245855 A DE 2245855A DE 2245855 A1 DE2245855 A1 DE 2245855A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
working electrode
output
input
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722245855
Other languages
English (en)
Inventor
Kenneth K Au
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microsystems International Ltd
Original Assignee
Microsystems International Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Microsystems International Ltd filed Critical Microsystems International Ltd
Publication of DE2245855A1 publication Critical patent/DE2245855A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/096Synchronous circuits, i.e. using clock signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/18Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages
    • G11C19/182Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes
    • G11C19/184Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using capacitors as main elements of the stages in combination with semiconductor elements, e.g. bipolar transistors, diodes with field-effect transistors, e.g. MOS-FET

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine aus Feldeffekttransistoren aufgebaute Treiberschaltung j insbesondere bei Datenspeicheranlagen für die Übertragung von Daten von einer Stufe auf die nachfolgende Stufe.
Ein bei konventionellen MIS-Schaltungen auftretendes Problem ist der Spannungsabfall zwischen der an der Eingangsarbeitselektrode anliegenden Speisespannung und der von der Ausgangsarbeitselektrode abgegriffenen Ausgangsspannung. Bei ungünstigen Betriebszuständen bewirkt dieser Spannungsabfall, daß der an der Ausgangselekfcrode fließende Strom unter einen Wert absinkt, der erforderlich ist, um die nachfolgende Stufe anzutreiben. Es ist deshalb erforderlich, Schaltungsmittel vorzusehen, die dazu dimifiti, den Transistor ausreichend
309815/ 1 196
6oß9/O9/Ch/gn - 2 - 12. September 1972
stark auszusteuern, damit sichergestellt ist, daß im wesentlichen die volle Spannung an der Auegangsarbeitselektrode, d.h. am Ausgang liegt. Eine Möglichkeit, um dies zu erreichen, ist im US-Patent 3 506 851 beschrieben, wobei ein Kondensator zwischen der Steuerelektrode und der Ausgangsarbeitselektrode eines MOS-Transistors vorgesehen ist. Dieser Kondensator dient als Rückkopplungsleitung von der Ausgangsarbeitselektrode zur Steuerelektrode, wodurch das Potential an der Steuerelektrode im wesentlichen auf den gleichen Wert wie bei eier Ausgangsarbeitselektrode angehoben wird. Bei dieser Bootstrap-Schaltung wird das Ausgangspotential im wesentlichen auf das volle Speisepotential angehoben. Diese Schaltung weist jedoch einige Nachteile auf, wobei in erster Linie zu erwähnen ist, daß diese Schaltung als Umkehrschaltung arbeitet. Dies bedeutet also, daß das Ausgangssignal bei dieser Schaltung eine Umkehrung des Eingangssignal» darstellt. Weiterhin ist es erforderlich, eint Konstant-Speisespannungsquelle vorzusehen, welch* 'fen der .Eingangsarbeitselektrode des Treibertransietors anliegt und über einen Widerstandstransistor an der Steuerelektrode dieses Transistors. Der Widerstands· transistor arbeitet als Schalter, der während des Ladens des Kondensators geöffnet ist. Der Widerstand ist gesperrt, wenn die volle Ladung des Kondensators erreicht ist. Bei dieser Schaltungsanordnung wird der Kondensator benötigt zur Kompensation von zwei Spannungsabfällen, d.h. einem Abfall über dem Widerstandstransistor und einen weiteren Abfall über dein Treibertransistor, Außer ei-
- 3 ■-309815/1196
6089/09/Ch/gn - 3 - 12. September 1972
neni besonderen Transistor wird ed η zusätzlicher Kondensator benötigt, dor ein separates Bauteil darstellt.
Bei der vorliegenden Erfindung wird von dem Konzept der Verwendung einer Kapazität zwischen der Steuerelektrode undider Ausgangsarbeitselektx'ode des Treibertransistors Gebrauch gemacht, ohne daß die zuvor erwähnten Nachteile auftreten.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein MIS-Transistor vorgesehen mit einer Eingangs- einer Ausgangsarbeitselektrode und einer Steuerelektrode und einer Kapazität zwischen der Ausgangsarbeits- und der Steuerelektrode. Die Eingangsarbeitselektrode ist verbunden mit einer Spannungsimpulsquelle, während die Ausgangsarbeit sei ektrode zum Abgriff eines Ausgangssignals vorgesehen ist. Die Steuerelektrode ist über einen Schalter verbunden mit einer Eingangssignalquelle, wobei, wenn ein Spannungsimpuls an der Eingangsarbeitselektrode anliegt und die Ladung der Steuerelektrode, gespeist vom Eingangssignal, weniger negativ ist als die Schwellwertspannung des Transistors, dieser Transistor sperrt und im wesentlichen kein Strom über ihn fließt, so daß das Ausgangssignal an der Ausgangsarbeitselektrode Null ist. Liegt ein Spannungsimpuls an der Eingangsarbeitselektrode und ist die Ladung der Steuerelekti'ode infolge der Speisung durch das Eingangssignal mehr negativ als die Schwellwertspannung des Transistors, wird der Schalter ausgeschalter, so daß die Steuerelektrode wirksam von der Eingangssignalquelle getrennt ist, wobei dann diese Steuerelektrode sich auf ein Potential einstellen kann, bei dem der Transistor eingeschaltet wird, so. daß ein Strom über ihn zur Ausgangsarbeitselektrode
3 0 9815/1196
6o89/O9/Ch/gn - k - 12. September 1972
fließt. Der Kondensator bewirkt hierbei eine Rückkopplung zwischen der Ausgangsarbeitselektrode und der Steuerelektrode, wobei im wesentlichen die volle Spannung der Ausgangsarbeitselektrode plus mindestens die Schwellwert spannung dieses Transistors zur Steuerelektrode rückgekoppelt wird, um den Verstärkungsfaktor dieses Transistors so zu erhöhen, daß das Potential an der Ausgangsarbeitselektrode im wesentlichen auf das volle Impulspotential an der Eingangsarbeitselektrode angehoben wird.
Vorzugsweise bestehen der MIS-Transistor und der Schalter aus MOS-Transistoren.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispiel en näher erläutert. Es zeigen:
Die Fig. 1 die Grundschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung.
Die Fig. 2 eine Schaltungsvariante unter Verwendung der Grundschaltung nach Fig. 1.
Die Fig. 3 ein 't-bit-Schieberegister mit einer Schaltung nach Fig. 1.
- 5
30981 5/1196
6o89/O9/Ch/gn - 5 - 12. September 1972
Die Fig. k ein OH-Gatter mit einer Schaltung nach Fig. 1 und
die Fig. 5 ein AND-Gatter mit einer Schaltung nach Fig. 1.
In Fig. 1 ist ein MOS-Transistor IO gezeigt, , der eine Eingangs-, eine Ausgangsarbeitselektrode und eine Steuerelektrode aufweist. Die Eingangsarbeitselektrode ist verbunden mit einer Impulsspannungsqueile 0O, während die Ausgangsarbeitseiektrode verbunden ist mit einer Ausgangsklemme. Die Steuerelektrode ist über einen Schalter mit einer Eingangskiemme verbunden. Zwischen der Steuerelektro: de und der Ausgangsarbeitselektrode ist eine Kapazität C geschaltet, wobei es sich bei dieser Kapazität ggfs. um die dem Schältungsbauteil anhaftende Kapazität zwischen der Steuerelektrode und der Ausgangsarbeitselektrode handelt. Die Schaltung funktioniert folgendermaßen.
Wenn kein Eingangssignal am Eingangsanschlüß anliegt, ist der Transistor 10 ausgeschaltet, so daß folglich kein Ausgangspotential an der Ausgangsarbeitselektrode liegt. Wenn ein Dateneingangssignal "1" (negativer logischerWert) am Eingangsanschluß anliegt und damit über den Schalter, der geschlossen ist, an der Steuerelektrode des Transistors 1.0, wird es dort gespeichert und der Transistor schaltet ein, d.h. er ist leitend. "Das Impulspotential 0„ ist zu diesem Zeitpunkt gleich
309815/1196
6089/0.9/Ch/gn - 6 - 12.· September
Null oder entspricht dem Massebezügspöteniiäl wobei irgendwelche durch Rauschspannungefi Ladungen an der Ausgangsarbeitselektrode dös TrÄüsistors 10 durch den Transistor an Masse werden. Wenn 0„ in negativer itichturig wamiört, zu einer Spannung -V, wird das Potential aW Ausgangsarbeitselektrode -V + V_, wobei VV_ dlö wertspannung des Bauteils darstellt. Weiterhin nunmehr der Schalter geöffnet, so daß die Steuerelektrode von der Eingangsklemme isoliert lsi« i*aß nunmehr die Steuerelektrode ihr eigenes Pötfiiitial einnimmt, wie es durch den Kondensator C bestimmt wird. Wegen der Ladungsänderung an der Ättigangsarbeitselektrode wird der Kondensator G fiülÄeM geladen, so daß infolge der Bootstrap-Schaltürtg die Spannung an der Steuerelektrode um mindestens άίέ Schwellwert spannung V„ zunimmt, so daß iüsgösaiit die Durchschaltung des Bauteils erhöht wird^ uiitt damit das Potential an der Ausgangsarbeitselektrödö wobei weiterhin die Aufladezeit an der Äüsgaiii|jsklemme vermindert wird, d.h. die Zeit 4 bis der Maxi male Potentialwert erreicht wird.
In Fig. 2 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, bei welcher die Qruhdschaltiiilg nach Fig. 1 Anwendung findet. Bei dem Schäl tat handelt es sich um einen MOS-Transistor ll, dör dtiriih eine Impulsspannungsquelle 0 getriggert wird« Öle1 Ausgangsarbeitselektrode des Transistors 10 ist ittii dem Ausgangsanschiuß und über einen dritten WöS-Transistor 12 mit einem Potential V00 Verbüfldeiij welcher vom Massebezugspotential Voit 0, a
309815/1196
SB
6089/09/Ch/gn - 7 - 12. September 1972
tet sein kann. Der Transistor 12 wird durch ein konstantes Spannmigspotential V an seiner Steuerelektrode geöffnet gehalten. Im übrigen entspricht die Schaltung nach Fig. 2 derjenigen nach Fig. 1. Liegt nun ein Eingangssignal mit dem logischen Wert "1" vor*, wird dieses Signal während des Hinschaltens des Transistors 11 durch einen Impuls 0. an der Steuerelektrode von 11 an die-Steuerelektrode des Transistors 10 gelegt und dori; gespeichert. Nach der Signalübertragung von der Eingangsklemme zur Steuerelektrode des Transistors 10 geht 0.. auf Null oder Massebezugspotential, so daß der Transistor 11 nunmehr gesperrt ist, was einer Abtrennung der Steuerelektrode des Transistors 10 von der Eingangsklemme gleichkommt. Zur gleichen Zeit, in welcher die Ladung übertragen wird zur Steuerelektrode des Transistors 10, ist 02 Null oder liegt am Massebezugspotential. Da der Transistor 10 infolge der zur Steuerelektrode übertragenen Ladung leitend ist, wird die Ausgangsklemme durch den Transistor 10 auf Massepotential vorentladen. Auf diese Weise wird vom Ausgangs·anschluß irgendwelche eventuell vorhandene Ladung abgeführt, die vorhanden sein kann aufgrund eines vorhergehenden Durchschaltens des Transistors 10. Nach der Ladungsübertragung zur Steuerelektrode des Transistors 10 und nachdem 0. auf Massepotential liegt, tritt nunmehr 02 impulsförmig auf, so daß nunmehr ein Strom durch den Transistor 10 zur Ausgangsarbeitselektrode fließt. Die Ausgangsarbeitselektrode wird dadurch aufgeladen,, wie bereits im Zusammenhang mit Fig. 1 be- · schrieben und der Kondensator C lädt sich auf. Infolge der Bootstrap-Schaltung wird das Potential an
309815/1196 ~8~
6089/09/Ch/gn - 8 - 12. September 1972
der Steuerelektrode um mindestens die Schwellwertspannung des Bauteils angehoben, so daß
nunmehr der Ausgang im wesentlichen auf das
volle Impulspotential 0^ angehoben wird. Der Widerstandstransistor 12 mit einem Steuerpotential V„„ , und einem Ausgangselektrodenpotential Vcc funktioniert in konventioneller Weise als Lastwiderstand im Arbeitsstromkreis des Transistors 10. In dem
Zustand, wo das Eingangssignal am logischen Wert "0" liegt, wird keine Ladung zur Steuerelektrode des Transistors 10 übertragen, so daß bei diesem Zustand an der Ausgangsarbeitselektrode das Ausgangspotential Null ist.
Bei der Schaltung nach Fig. 3 ist ein *t-bit-Schieberegister gezeigt, wobei in den jeweiligen Stufen eine Schaltung gemäß der vorliegenden Erfindung Anwendung findet. Bei der Stufe I des Registers liegt das Eingangssignal an der Eingangsarbeitselektrode des Transistors T1 an. Die Ausgangsarbeitselektrode dieses Transistors ist verbunden mit der Steuerelektrode eines Transistors T Die Ausgangsarbeitselektrode des Transistors Tr
2
ist verbunden über die innere Kapazität C dieses Transistors mit der Steuerelektrode des Transistors Diese Ausgangsarbeitselektrode ist weiterhin verbunden mit dem ersten Transistor der nachfolgenden Stufe und weiterhin mit der Eingangsarbeitselektrode eines Transistors T-. Die Eingangsarbeitselektrode des Transistors Tp ist verbunden
mit einer Spannungsimpulsleitung 0O und ist weiterhin verbunden mit der Steuerelektrode des Tran-
3098 15/1196
60 89/09/Ch/gn - 9 - 12. September 1972
sistors T„. Eine weitere Spannungsimpulsleitung 01, die im Wechsel zu 02 Impulse abgibt, ist verbunden mit der Ausgangsarbeitselektrode des Transistors T_ und der Steuerelektrode des Transistors T . In dem gegebenen Beispiel wird 0, und 0_-abgeleitet von der gleichen Impulsfolge, wobei 0 und 02 jeweils 50% einer Halbwelle einnehmen. Natürlich ist es nicht notwendig, daß 0. und 0O von der gleichen Impulsfolge abgeleitet-werden. Das einzige Erfordernis besteht darin, daß die Impulse wechselweise und einander nicht überlappend auftreten, wobei dies für jede Stufe einschließlich eier Widerstandstransistoren gilt. Wird vorausgesetzt, daß das Eingangssignal den logischen Wert "1" aufweist und am Eingangsanschluß anliegt, dann wird die Ladung des Eirigangsanschlusses übertragen auf die Steuerelektrode des Transistors T , wenn 0. als Impuls auftritt. Zu diesem Zeitpunkt liegt 0p am Massebezugspotential und irgendwelche restliche Ladung an der Ausgangsarbeitselektrode des Transistors Tp wird über T„ an Masse entladen, da infolge der Ladung an der Steuerelektrode T leitend ist. Nimmt0. auf Masse ab und tritt gleichzeitig ein Impuls 0O auf, wird der Transistor T
»-j 1
gesperrt und trennt somit die Steuerelektrode von T0 vom Eingang ab. Ein vom Impulspotential 0~ abgeleiteter Strom wandert durch T2 zur Ausgangsarbeitselektrode dieses Transistors und infolge der ßootstrap-Schaitung mit der inneren Kapazität zwischen Steuerelektrode und Ausgangsarbeitselektrode erreicht die Ausgangsarbeitselektrode im wesentlichen die volle Speisespannung 0p« Zum gleichen Zeitpunkt wird T„ ebenfalls durch das Potential 02 eingeschaltet und wirkt auf diese Weise als
- 10 -
309815/1 196
6o89/O9/Ch/gn - 10 - 12. September 1972
Lastwiderstand. Wenn 0? impulsförmig auftritt, ist ebenfalls der Transistor TV leitend, so daß die Ladung der Ausgangsarbeitselektrode voti T2 übertragen wird auf die Siaierelektrode des Transistors T der Stufe II. Da Tr durch die Lädüiig an der Steuerelektrode leitend wird, wird die Ausgangsai'beitselektrode dieses Transistors durch 0. auf Massebezugspotential entladen. 0O nimmt nunmehr auf Massepotential ab und 0. tritt ίΐ«ί>ύίί-fönnig auf, wodurch Ti gesperrt wird und die Steuert! ektrode von Tr abgetrennt wird, so daß diese ihr eigenes Potential einnehmen kann. T_ lä*Üt Strom infolge des Impulses 0. durch und dessen Ausgangsarbeitselektrode ladt sich infolge der Eigenkapazität C0 zwischen Steuerelektrode und Ausgangsarbeitselektrodeim wesentlichen das volle Potential 0. auf. Zur gleichen Zeit wird T^ leitend und wirkt als Lastwiderstand. Die Ladung der Ausgangsarbeitselektrode von T_ geht durch T_ hindurch, der infolge des Potentials 0. an seiner Steuerelektrode leitend ist, so daß diese Ladung nunmehr zur Steuerelektrode des Transistors To der Stufe III gelangt. Die Transistoren To und T mit der Kapazität C_ arbeiten in genau der gleichen Weise wie die Transistoren T„ und T„ und die Kapazität C in der Stufe I. Der Ausgang 02 der Ausgangsarbeitselektrode von Tn gelangt zur Eingangsarbeitselektrode des Transistors T._ der Stufe IV.
Die Transistoren T. und T._ arbeiten mit ihrer
Io Id
Kapazität C· in genau gleicher Weise wie die Transistoren Γ· bis T/- und der Kapazität C0 in Stufe II und geben einen Ausgang 0 an die . Aus^angsarheitselektrode von T ab, die verbunden ist mit einem Ausgangsanschluß.
309815/1196
6o89/O9/Ch/gn - 11 - 12o September 1972
In Fig. h ist ein Oder-Gatter gezeigt, bei welchem die Grundsehaltung gemäß der vorliegenden Erfindung Verwendung findet, ßie Eingänge A und B liegen je an der Eingangsarbeitselektrode der Transistoren T und T9 . Die Steuerelektroden jeder der Transistoren T„_ und T2 „ sind verbunden mit einer Spannungsimpulsquelle 0 . Die Ausgangsarbextselektrode von T ist verbunden mit der Steuerelektrode des Transistors T und -die x Ausgangsarbeitselektrode von TQ„ ist verbunden mit der Steuerelektrode eines Transistors T „ Die Eingangsarbeitselektrode von T_. ist verbunden mit der Eingangsarbeit selektrode von Tpp, die seinerseits verbunden ist mit einer Spannungsimpulsquelle 0?. Die Ausgangsarbeitselektrode von Tp. ist verbunden mit der Ausgangsarbeitselektrode von T QS die ihrerseits verbunden ist mit einem Ausgangsanschluß. Die Ausgangsarbeitselektroden von T2 und T2 sind weiterhin über einen Widerstandstransistor T . mit der Spannungsimpulsquelle 0. verbunden» Die Steuerelektrode von T^ ist an 0„ angeschlossen. Die Kondensatoren C2 und C sind über T2- und T geschaltet, wobei es sich bei diesen Kondensatoren um die innere Kapazität zwischen der jeweiligen Steuer- und Ausgangsarbeitselektrode der Bauteile handelt„ Wenn ein Eingangssignal A an der Eingangselektrode von T anliegt und 0. als Impuls vorliegt, wird.die Ladung an die Steuerelektrode von T-. übertragen. Irgendwelche unerwünschte Ladung an der Ausgangsarbextselektrode dieses Transistors wird auf das Potential 0? gebracht, das zu diesem Zeitpunkt 0O den Wert des Massebezugspotentials aufweist« 0 nimmt nunmehr auf Massebezugspotential ab, und 0 steigt impulsförmig an, so daß nunmehr ein Strom durch den Transistor T . fließt zur Ausgangsarbeits-
3 0 9 815/1 196
6089/09/CIi/gn - 12 - 12. September 1972
elektrode dieses Transistors, deren Potential nunmehr im wesentlichen auf den Wert 0 ' infolge der Kapazität C ansteigt. A\jf diese Weise liegt ein Ausgangspotontial 0O an der Ausgang ski emiiie. Wird ein Eingangssignal B an die Steuerelektrode angelegt, wird infolge der Transistoren T00 und T _ und der Kapazität C0. das genau gleiche Resultat erzielt. Der Transistor Tnl arbeitet als Widei'stand.
Bei der Schaltung nach Fig. 5 wird in einem Und-Gatter die Grundschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet. Bei diesem AND-Gatter werden verwendet. Transistoren T und Too» deren jeweilige Eingangsarbeitselektroden verbunden sind mit den Eingangskiennnen A und B. Die Steuerelektroden von T und T„ sind verbunden mit einer Spannungsimpulsleitung 0.. Die Ausgangsarbeitselektrode von T_ ist verbunden mit der Steuerelektrode von T und die Ausgangsarbeitselektrode von T„„ ist verbunden mit der Steuerelektrode von T„o. Die Eingangsarbeitselektrode von T„. ist verbunden mit der Spannungsimpulsleitung 0„ und die Ausgangsarbeitselektrode von T ist verbunden mit der Eingangsarbeitselektrode von T__. Die Ausgangsarbeitselektrode von T_o ist verbunden mit einer Ausgangsklemme und gleichzeitig verbunden mit einem Widerstandstransistor Τ·, dessen andere Arbeitselektrode an der Impulsspannungsleitung 01 anliegt. Die Steuerelektrode von T ;t ist an 0„ angeschlossen. .Über die Transistoren T und T_o sind Kapazitäten C„n und C-geschaltet, bei denen es sich um die inneren Kapazitäten zwischen Steuer- und Ausgangsarbeitselektrode dieser Transistoren handeln kann. Das vom Ausgang abgegriffene Potential ist entweder Null oder
309815/ 1 196
- 13 -
6089/09/Ch/gn - 13 - 12. September 1972
0O. Pur 0O als Ausgang müssen beide Transistoren T und T„o leitend sein. Jeder dieser Transistoren
31 J1-'
wird leitend durch eine Ladungsübertragung durch jeden der Transistoren T und T „, wenn 0. als Impuls auftritt, wobei die Eingänge A und B jeweils die Eingangsarbeitselektroden der letzteren Transistoren beaufschlagen müssen. Auf diese Weise wird ein Und-Gatter gebildet, bei welchem infolge der Kapazitäten C und C . die Ausgangsarbeitselektrode jedes der Transistoren T , und T0 im wesentlichen die volle Speisespannung 0O erreichen, so daß der dort abgegriffene Ausgang im wesentlichen dieses Potential 0O aufweist.
Wie schon eingangs erwähnt, kann bei jeder der Schaltungen nach Fig. 3 bis 5 die Kapazität zwischen Steuerelektrode und Ausgangsarbeitselektrode auch durch einen separaten Kondensator gebildet sein» jedoch ist für die meisten Fälle die innere Kapazität der Bauteile zwischen der Steuerelektrode und der Ausgangsarbeitselektrode ausreichend, da jeweils eine Anhebung des Potentials an der Steuerelektrode um lediglich die Schwellwertspannung über die Rückkopplungskapazität erforderlich ist.
Obwohl die Erfindung beschrieben wurde anhand von MOS-Transistoren, können natürlich in gleicher Weise MIS-Transistoren Anwendung finden. Bei den letzteren Transistoren besteht die Isolierschicht aus Siliciuiii-Nitrit oder Aluminium-Oxyd. Aus praktischen Gründen wird jedoch die Verwendung von MOS-Transistoren bevorzugt.
- 14 ANSi5HUCHiC
309815/1106

Claims (1)

  1. 6089/09/Ch/gn -It1- 12. September 1972
    ANSPRUCHE
    (!./Treiberschaltung mit einem MIS-Transistor, zwischen dessen Steuerelektrode und Ausgangsarbeitselektrode eine Kapazität liegt, dessen Eingangsarbeitselektrode mit einer Speisespannungsquelle verbunden ist und von dossen Ausgangsarbeitselektrode ein Ausgangssignal in Abhängigkeit eines an der Steuerelektrode anliegenden Eingangssignals abgreifbar ist, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen dem Eingangsanschluß und der Steuerelektrode ein Schalter (ll) angeordnet ist, die Speise-
    1V,,
    Spannungsquelle Spannungsimpulse liefert, wobei der Transistor gesperrt und damit der Ausgangssignalstrom Null ist, wenn an der Eingangsarbeitselektrode ein Spannungsimpuls liegt und die vom Eingangssignal abgeleitete Ladung der Steuerelektrode weniger negativ ist als die Transistorschwellwertspannung, der Transistor jedoch geöffnet ist und damit ein Ausgangssignalstrom fließt, wenn ein Spannungsimpuls auftritt und die Ladung der Steuerelektrode negativer ist als die Transistorsclwellwertspannung, wobei im letzteren Fall der Schalter geöffnet. ist und die Steuerelektrode vom Eingangsanschluß abtrennt und die Kapazität als Rückkopplungsleitung das Ausgangselektrodenpotential plus mindestens die Schwellwertspannung auf die Steuerelektrode rückkoppelt.
    309815/1196
    6o89/O9/Ch/gn - 15 - 12. September 1972
    2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität die innere Transistorkapazität zwischen Ausgangsarbeitselektrode und Steuerelektrode ist.
    Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e kennzeichnet, daß der Schalter ein zweiter MIS-Transistor (11) ist, dessen Eingangsarbeit selektrode mit dem Eingangsanschluß, dessen Ausgangsarbeitselektrode mit der Steuerelektrode des ersten Transistors ("10) und dessen Steuerelektrode mit einer zweiten Spannungsimpulsquelie verbunden.ist.
    k. Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3> dadurch gekennzeichnet, daß der erste
    und der zweite Transistor (10,11) MOS-Transistoren sind.
    S. Schaltung nach Anspruch 3> dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsimpulse der beiden Spannungsimpulsquellen zeitlich taktförmig auftreten.
    Schaltung nach Ansprtich 3i dadurch g e k e η η-zeichnet, daß bei Anliegen eines Spannungsimpulses an der Steuerelektrode des zweiten Transistors (H) das Eingangssignal an die Steuerelektrode des ersten Transistors (10) übertragen wird und der Spannungsimpuls an der Eingangsarbeitselektrode dieses Transistors
    ergt aiii'^r-jtt— -wenn der Spannungsimpuls an der
    309815/1196 _ l6 _
    6o89/O9/Ch/gn - 16 - 12. September 1972
    Steuerelektrode des zweiten Transistors (11) beendet ist .
    7. Schaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis Ct in Anwendung bei einem mehrstufigen Schieberegister, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsarbeitselektrode eines zweiten Transistors in jeder Stufe verbunden ist mit der Auegangski amme der vorhergehenden Stufe und die Ausgangsarbeitselektrode eines ersten Transistors in jeder Stufe verbunden ist mit der Eingangsklemme der nachfolgenden Stufe, daß die Steuerelektrode des zweiten Transistors der einen Stufe mit einer ersten Impulsquelle, die Eingangsarbeitselektrode des ersten Transistors dieser Stufe mit einer zweiten Impulsquelle und daß die Steuerelektrode des zweiten Transistors der nachfolgenden Stufe mit der zweiten Impulsquelle und die Eingangsarbeitselektrode des ersten Transistors dieser Stufe mit der ersten Impulsquelle verbunden sind, wobei die Impulse der ersten und der zweiten Inipulsquelle abwechselnd und einander nicht überlappend auftreten.
    8. Schaltung nach Anspruch 7» dadurch g e k e η η ζ e i ebnet, daß die Impulse der Impulsspannungsquellen von dem gleichem Taktgenerator abgeleitet werden.
    - 17 -
    3098 15/1196
    6()89/O9/Ch/gn - 17- 12. September 1972
    Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in jeder Stufe ein Lasttranaistor (1.2) vorgesehen ist, dessen Steuerelektrode mit der Eingangsarbeitselektrode des ersten Transistors, dessen Eingangsarbeitselektrode mit der Ausgangsarbeitselektrode des ersten Transistors und dessen Ausgangsarbeitselektrode mit dem■Massebezugspotential verbunden sind*
    IQ. Schaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche' 7 bis 9» dadurch g e k e η η ζ e χ c h η e t, daß die erste und zweite Impulsspannungsquelle jeweils Impulse zwischen einem Impulspotential und einem Massebezugspotential abgeben, wobei das Potential der zweiten Impulsspannungsquelle'Massebezugspotential aufweist, wenn die erste Impülsspannungsquelle einen Impuls abgibt und umgekehrt, daß die Ausgangsarbeitselektrode des Widerstandstransistors (12) der einen Stufe mit der ersten Impulsspannungsquelle und die Ausgangsarbeitselektrode des Widerstandstransistors der nachfolgenden Stufe mit der zweiten Impulsspannungsquelle verbünden sind.
    11. Schaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6 in Anwendung bei einem OR-Gatter, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangselektroden der beiden ersten Transistoren (T„.-,. T„o) miteinander und mit einer ersten Impulsspannungsquelle verbunden sind, von den zusainmengeschalteten Ausgangsarbeitselektroden dieser Transistoren (Hb Ausgangssignale abgegriffen werden, an der
    3098 15/1 196
    6089/09/Ch/gn _ 18 - 12. September 1972
    Eingangsarbeitselektrode eines zweiton Transistors (T0n) ein erstes Eingangssignal und an der Eingangsarbeitselektrode eines weiteren zweiten Transistors (To„) ein zweites Eingangssignal anlegbar ist, wobei die Steuerelektroden (\er zweiien Transistoren miteinander und mit einer zweiten fmpi·Isspannungsqufü.lo verbunden sind.
    12. Schaltung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6 in Anwendung bei einem AND-Gatter, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgangsarbeitselektrode eines ersten Transistors (T_.) mit der Eingangsarbeitselektrnde eines weiteren ersten Transistors (T_„) verbunden ist. die Eingangsarbeitselektrode des ersten Translators (T-.) an eine erste ImpulsSpannungsquelle angeschlossen ist und von der Ausgangsarbeitselektrode döto weiteren ersten Transistors (T„„) die Ausgangssignale abgegriffen werden, daß au die Eingangβ-arbeitselektrode eines zweiten Transistare it1.,,*) ein erstes Eingangssignal und an die Eingangβarbeitselektrode eines weiteren zweiten TrÄrieisdtrs (T.) ein zweites Eingangssignal anlegbar ist uttd die Steuerelektroden der zweiten Trariäisidf*£ift mit einander und mit einer zweiten Impuls β pähiitii^gs quölle verbunden sind.
    13* Schaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstandstrartsistor (T^.) vorgesehen ist, dessen Steuerelektrode mit der ersten Impulsspannungsquelle, de«*tcrt Eingangsarbeitselektrode mit der Ausgang&<*rbei t$ai ektrdde des ersten Transistors und dessen Ausgangsarbeitselektrode an MassebezugspötentiaL angeschlossen sind
    3098 15/1196 - i*> -
    6089/09/Ch/gn - 19 - 12. September 1972
    I1L. Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstandstransistor (T j ) vorgesehen ist, dessen Steuerelektrode mit der ersten Impulsspannungsqueile dessen Eingangs — arbeitselektrode mit der Ausgangsarbeitselektrode des weiteren ersten Transistors und dessen Ausgangsarbeit selektrode an Massebezugpotential angeschlossen sind..
    309815/ 1 196
DE19722245855 1971-09-30 1972-09-19 Treiberschaltung mit feldeffekttransistor Pending DE2245855A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA124087 1971-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2245855A1 true DE2245855A1 (de) 1973-04-12

Family

ID=4091032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722245855 Pending DE2245855A1 (de) 1971-09-30 1972-09-19 Treiberschaltung mit feldeffekttransistor

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS4843565A (de)
CA (1) CA934015A (de)
DE (1) DE2245855A1 (de)
GB (1) GB1391340A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2335912A1 (fr) * 1975-12-17 1977-07-15 Itt Registre dynamique a decalage employant des transistors a effet de champ a porte isolee
DE2734008A1 (de) * 1976-08-25 1978-03-09 Rockwell International Corp Schaltkreis zur verminderung positiver rauscheffekte

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5295961A (en) * 1976-02-09 1977-08-12 Hitachi Ltd Solid scanning circuit
US4023047A (en) * 1976-02-19 1977-05-10 Data General Corporation MOS pulse-edge detector circuit
JPS52141548A (en) * 1976-05-20 1977-11-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Scanning pulse generator
JPS57196627A (en) * 1981-05-29 1982-12-02 Hitachi Ltd Electronic circuit device
JPS5964974U (ja) * 1982-10-20 1984-04-28 東洋紡績株式会社 紡出フイラメントの分割用ガイド
US5434899A (en) * 1994-08-12 1995-07-18 Thomson Consumer Electronics, S.A. Phase clocked shift register with cross connecting between stages
TW582005B (en) * 2001-05-29 2004-04-01 Semiconductor Energy Lab Pulse output circuit, shift register, and display device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3573498A (en) * 1967-11-24 1971-04-06 Rca Corp Counter or shift register stage having both static and dynamic storage circuits
US3564290A (en) * 1969-03-13 1971-02-16 Ibm Regenerative fet source follower

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2335912A1 (fr) * 1975-12-17 1977-07-15 Itt Registre dynamique a decalage employant des transistors a effet de champ a porte isolee
DE2734008A1 (de) * 1976-08-25 1978-03-09 Rockwell International Corp Schaltkreis zur verminderung positiver rauscheffekte

Also Published As

Publication number Publication date
CA934015A (en) 1973-09-18
GB1391340A (en) 1975-04-23
JPS4843565A (de) 1973-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3300239C2 (de) Schaltungsanordnung zur Pegelumsetzung digitaler Signale
DE68912979T2 (de) CMOS-Spannungsmultiplikator.
DE2616641B2 (de) Schaltanordnung zur Spannungserhöhung
DE2639555C2 (de) Elektrische integrierte Schaltung
DE2556828C3 (de) Dynamisches Schieberegister aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE2245855A1 (de) Treiberschaltung mit feldeffekttransistor
DE2745302C2 (de) Schaltungsanordnung zur Kontrolle der Versorgungsspannung für vorzugsweise integrierte Schaltkreise
DE2415098A1 (de) Ausschnittdetektor
DE2611114C2 (de) Detektorschaltung
DE2346568A1 (de) Hybrider zweitakt-verriegelungsschaltkreis mit zwischenspeicherung
DE3343700C2 (de)
DE2851111C2 (de) Zweidimensionale Analog-Speicheranordnung
DE3030790C2 (de)
DE2301855A1 (de) Pegelumsetzer
DE69113414T2 (de) Integrierte Konstantstromversorgung.
EP0024549B1 (de) TTL-Pegelumsetzer zur Ansteuerung von Feldeffekttransistoren
DE2161010C3 (de) Asynchrone Addier-Subtrahieranordnung
DE2165160C2 (de) CMOS-Schaltung als exklusives ODER-Glied
DE2248238C3 (de) Flip-Flop-Schaltungsanordnung
DE2936000C3 (de) Schaltungsanordnung zur Ableitung eines Normiersignals
DE2734008A1 (de) Schaltkreis zur verminderung positiver rauscheffekte
DE2440937B2 (de) Differenzverstaerker mit zwei mos- transistoren
EP0055795B1 (de) Schnelle MOS-Treiberschaltung für Digitalsignale
DE1537636C (de) Binär arbeitende taktsignalgesteuerte Schaltanordnung in MOS-Schaltungstechnik
DE2657281C3 (de) MIS-Inverterschaltung