DE2718492A1 - Verfahren zum einstellen der kennlinie eines josephson-kontaktes - Google Patents
Verfahren zum einstellen der kennlinie eines josephson-kontaktesInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000006735 deficit Effects 0.000 claims 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
Böblingen, den 19. April 1977 te- sz
Anmelderin:
International Business Machines Corporation, Armonk, N. Y. 10504
Amtliches Aktaizeichen:
N euanm e ldung
Aktenzeichen der Anmelderin:
SZ 975 004
Vertreter:
Patentassessor Dipl. -Phys. F. Teufel
7030 Böblingen
Bezeichnung:
Verfahren zum Einstellen der Kennlinie eines Josephson-Kontaktes
709849/0699
Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Herstellung elektronischer Schaltvorrichtungen,
insbesondere von Josephson-Kontakten und betrifft ein Verfahren zum Einstellen deren Kennlinien.
Zur Realisierung digitaler Schaltungen und Bauelemente mit Josephson-Kontakten
ist eine Vielzahl von Kontakten mit möglichst gleichen Kennlinien erforderlich. Durch Steuern der Herstellungsverfahren alleine ist diese Anforderung
nur sehr schwer zu erfüllen; es werden deshalb auch Verfahren angewandt, mit denen die Kennlinien der Kontakte nach der Herstellung gezielt geändert
werden können. Ein Beispiel hierfür ist das Tempern während mehrerer Stunden bei erhöhter Temperatur, wie es im IBM Technical Disclosure Bulletin,
Bd. 17, Nr. 11, April 1975, S. 3488 beschrieben ist. Bei diesem Verfahren können jedoch nur alle Kontakte gemeinsam beeinflusst werden.
Die vorliegende Erfindung stellt sich deshalb die Aufgabe, ein Verfahren anzugeben,
bei dem individuelle Kontakte zuverlässig und rasch und in automatisierbarer Weise nach ihrer Herstellung in ihren Kennlinien verändert
werden können.
Diese Aufgabe wird durch die im Hauptanspruch gekennzeichnete Erfindung
gelöst; Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
gekennzeichnet.
Im wesentlichen beruht die Erfindung auf der Feststellung, daß ein Elektronenstrahl,
wie er beispielsweise in Kathodenstrahl !geräten oder Elektronenmikroskopen
verfügbar ist, dazu verwendet werden kann, die elektrische Kennlinie
sz 975 oÖ4 7098A-93/-069i
eines Josephson-Kontaktes innerhalb Bruchteilen von Sekunden gesteuert zu
verändern. Es ist zwar noch nicht völlig bekannt, worauf diese Veränderung durch einen Elektronenstrahl beruht, die Arbeitsbedingungen für das Einstellen
der Kennlinien können jedoch genau angegeben werden. Der Kontakt wird hierzu einem Elektronenstrahl mit hoher Beschleunigungsspannung, z. B.
oberhalb 10 kV und einer gewissen Dosis, z. B. in der Größenordnung von 1 A · sec/cm ausgesetzt. Die Einstellung der Kennlinie durch den Elektronenstrahl
ist örtlich in ihrer Wirkung sehr begrenzt und eine einfache Funktion der Zeit; die letztgenannte Eigenschaft liefert eine Rückkopplungsmöglichkeit
durch Messen der Kennlinie während des Einstellvorgangs. Der Elektronenstrahl, der die Kennlinie verändert, wirkt dabei gleichzeitig als Stromquelle
für die Messung der Kennlinie während des Einstellvorgangs.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun anhand der im folgenden
beschriebenen Zeichnungen näher erläutert:
Fig. 1 zeigt ein Elektronenmikroskop zur Bestrahlung von Josephson-
Kontakten, '
Fign. 2-4 zeigen die Wirkung der Einstellung von Josephson-Kontakten \
durch Elektronenstrahl-Behandlung, j
Fign. 5-7 zeigen die Erzeugung örtlicher Änderungen der Kennlinien, um
dadurch beispielsweise die Stromverteilung in der Vorrichtung einzustellen.
sz 975 004 TO 9 STUM-IFB 9T
Fig. 8 zeigt schematisch eine Anordnung, bei der ein
Elektronenstrahl als verstellbare Stromquelle für die Messung der Kennlinien einzelner Vorrichtungen
dient,
Fig. 9-10 zeigen, wie die mittels der Anordnung von Fig. gewonnenen Messungen auszuwerten sind,
Fig. 11 zeigt eine vergrösserte Darstellung der Elektronenstrahl-Behandlung
eines Josephson-Kontaktcs, wobei der Elektronenstrahl als Stromquelle für gleichzeitige Rückkopplung dient,
Fig. 12-13 zeigen Signale, die in der Anordnung von Fig. auftreten.
In Fig. 1 ist 1 der Arbeitstisch einer Elektronenstrahl-Behandlungsapparatur,
wie des Elektronenmikroskops 2, das beschrieben wurde in "Scientific American" Bd. 227, Nr. 5,
S. 34-44, Nov. 1972 in "Micrpcircuits by Electron Beam" von A.N. Broers und M. Hatzakis. Ein Chip 3, der behandelt
werden soll, wird von einem Elektronenstrahl 4 getroffen,
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der die einzelnen Josephson-Kontakte in der Art eines Rasters 5 abtastet.
Die Einzelheiten des Elektronenmikroskops 2 sind dem Fachmann bekannt und gehören nicht zur Erfindung.
Andere Arten von Elcktronenstrahl-Einrichtungcn sind ebenso brauchbar. Wesentlich an einer solchen Einrichtung ist die
Fähigkeit, unter Einfluss der Steuerorgane 6 einen Elektronenstrahl mit einem Strom in der Grössenordnung von 10
-4
bis 10 A zu steuern und zu richten, wobei der Strahl von einer Spannung von wenigstens 1 kV beschleunigt wird und genau fokussierbar ist. Das Elektronenmikroskop sollte so steuerbar sein, dass der Strahl genau abgelenkt werden kann und sollte programmierbar sein, um eine rasterartige Ablenkung zu erzeugen. All diese Möglichkeiten sind bei Elektronenstrahlgeräten bekannt und können von den in der angegebenen Literaturstelle beschriebenen Geräten durchgeführt werden.
bis 10 A zu steuern und zu richten, wobei der Strahl von einer Spannung von wenigstens 1 kV beschleunigt wird und genau fokussierbar ist. Das Elektronenmikroskop sollte so steuerbar sein, dass der Strahl genau abgelenkt werden kann und sollte programmierbar sein, um eine rasterartige Ablenkung zu erzeugen. All diese Möglichkeiten sind bei Elektronenstrahlgeräten bekannt und können von den in der angegebenen Literaturstelle beschriebenen Geräten durchgeführt werden.
Fig. 2 zeigt das Einstellverhalten eines Josephson-Kontaktes
als Funktion der Strahlbeschleunigungsspannung V bei einem konstanten Strahlstrom. Das Einstellverhalten wird ausgedrückt
als zeitliche Aenderung des Raumtemperatur-Widerstandes bei der Zeit t - O, (dR/dt)taQ, bezogen auf den Anfangswert des Raumtemperatur-Widerstandes,
Rq.
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Bei Versuchen, die anlässlich der Erfindung gemacht wurden,
wurden Josephson-Kontakte verwendet, bei welchen zwischen Blei-Elektroden eine Tunnelschicht aus Bleioxid angeordnet
ist, nachfolgend als Bleikontakte bezeichnet. Ebenfalls wurden Kontakte verwendet, bei welchen zwischen Niob-Elektroden eine Schicht aus Nioboxid angeordnet ist, nachfolgend
als Niobkontakte bezeichnet. Die Kurve der Fig. 2 bezieht sich auf einen Bleikontakt. Die entsprechende Kurve für einen Niobkontakt verläuft etwa entgegengesetzt. Wie aus Fig. 2 ersichtlich·, werden mit einer Beschleunigungsspannung von etwa 15 kV
die besten Resultate erreicht, obwohl merkliche Resultate berei bei einer Beschleunigungsspannung von 10 kv erreicht werden.
Fig. 3 und 4 zeigen die Einstellcharakteristiken von typischen Niob- und Blei-Kontakten; gezeichnet ist jeweils der relative
Raumtemperatur-Widerstand R/R« als Funktion der Zeit t bzw. der Elektronenstrahl-Dosis q. Dosis ist definiert als
<l · I«t/A, wobei I der Strahlstrom, t die Zeit und A die exponierte Fläche ist. Es ist ersichtlich, dass bei gewissen Dosierungen der wesentliche Parameter zunimmt, und dass bei
anderen Dosierungen dieser Parameter abnimmt. Wenn dieses
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70ttit/0ttt
ORIGINAL INSPECTED
Verhalten und die gewünschte Kontaktkennlinie bekannt sind, ist ohne weiteres ersichtlich, wie die Kennlinien einer
Gruppe von ähnlichen aber sich verschieden verhaltenden Vorrichtungen angeglichen respektive wunschgemäss justiert werden
können.
Untersuchungen haben gezeigt, dass die Aenderungen durch Elektronenstrahl in ihrer Wirkung örtlich eng begrenzt sind.
Dadurch kann eine spezielle lokalisierte Wirkung erreicht werden. Fig. 5, 6 und 7 zeigen Beispiele einer solchen Wirkung.
Fig. 5 zeigt einen Kiobkontakt 7, dessen Eigenschaften bekanntlich
infolge der Rahdwirkung innerhalb der Kontaktfläche ungleich
sind. Durch Elektronenstrahl-Behandlung entsprechend dem Muster 8 entlang den Randgebieten des Kontaktes wird der
elektrische Widerstand der Randgebiete im Vergleich zur Mitte
9 vergrössert und die Stromverteilung über dem Kontakt so verändert, dass die Stromdichte in den Randgebieten wesentlich
verkleinert wird. Fig. 6 ist die Draufsicht eines Kontakts
10 ähnlich der Fig. 5, aber mit einem anderen Behand-
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lungsmuster 11, um die Randeffekte auszugleichen. Fig. 7
zeigt einen sogenannten "langen" Bleikontakt 12, dessen Endgebiete einer Behandlung gemäss dem Muster 13 ausgesetzt
werden mit einer Strahldosierung zur Herabsetzung des Widerstandes. Es wurde festgestellt, dass dadurch die
Verstärkungskennlinie der Vorrichtung geändert wird.
Fig. 8 zeigt schematisch einen Schaltkreis, in welchem die Widerstände der einzelnen Josephson-Kontakte 14, 15, 16,
17, 18 mit Hilfe des Elektronenstrahles 4 als Messstrom, der Reihe nach gemessen werden können. Die Einzelheiten
der Josephson-Kontakte selbst sind bekannt, und es braucht hier nur festgestellt zu werden, dass jeder Kontakt, Beispiel 14,
eine dünne Tunnelschicht zwischen einem Leiterpaar, z.B. 19 und 20, aufweist. Unter seinen Arbeitsbedingungen kann
der Kontakt so gesteuert werden, dass er entweder einen Widerstands-Zustand oder einen widerstandsfreien Zustand
einnimmt und dadurch eine Schaltfunktion ausübt. Der Widerstand des Kontakts im Widerstands-Zustand ist eine wesentliche
Grosse des Kontaktverhaltens. Es kann experimentell gezeigt werden, dass dieser Widerstand direkt abhängig ist vom Maximalstrom, der den Kontakt im widerstandsfreien Zustand durch-
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ORIGINAL INSPECTED
fHessen kann. Auch ist dieser Widerstand direkt messbar
sowohl bei Zimmertemperatur als auch bei Tieftemperatur,
bei welcher Josephson-Kontakte arbeiten. Die Schaltung der Fig. 8 zeigt neben den in Reihe geschalteten Kontakten
14, 15, 16, 17 und 18 ein Amperemeter 21 in Reihe mit den Kontakten und mit einer Stromableitung, beispielsweise Erde.
Weiterhin ist ein Voltmeter 22 über die ganze Reihe von Kontakten geschaltet. Der Elektronenstrahl 4 wird der Reihe
nach so auf die Leiter gerichtet, dass er die Josephson-Kontakte 14, 15, 16, 17 und 18 mit einem Strom versieht,
der gegen Erde abfliesst. Der Strom wird bestimmt durch die Steuerung 6 des Elektronenmikroskopes und wird vom Amperemeter
21 gemessen. Dieser Strom muss durch die Josephson- Kontakte 14 und 15 fliessen, die zwischen dem Auftreffpunkt
des Strahles und der Erdverbindung liegen. Gcmäss dem Ohmschen Gesetz entsteht dadurch eine Spannung als Produkt
des gemessenen Stromes und des Gesamtwiderstandes aller
Josephson-Kontakte, durch welche der Strom fliesst.
Fig. 9 ist eine Darstellung der gemessenen Spannung, aufgetragen
übtr der Zeit während einer kontinuierlichen Bewegung
des Elektronenstrahls 4 von links nach rechts, wobei dessen
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ORIGINAL INSPECTED
Strom konstant gehalten wird. Wenn der Elektronenstrahl 4 den nächst benachbarten Leiter erreicht, erfolgt eine Zunahme der Spannung, die dem Widerstand des Kontakts zwischen
den beiden Leitern entspricht. Die relativ grosse Spannungszunahme 23 zeigt einen hohen Widerstand des Josephson-Kontaktes 15 an, wogegen die geringe Spannungszunähme 24 einen
geringen Widerstand des Josephson-Kontaktes 18 anzeigt.
Fig. 10 zeigt dieselben Angaben wie Fig. 9, jedoch in Form der Ableitung der Spannung nach der Zeit, wodurch die individuellen Spannungszunahmen direkt messbar sind.
Dieses Verfahren wird an sich zur Messung der Kennlinien von Josephson-Kontakten benutzt, wobei die Beschleunigungsspannung des Elektronenmikroskops unterhalb etwa 1 kV gehalten wird. Die Anwendung
dieses Messverfahrens ist aber besonders vorteilhaft, wenn gleichzeitig der Elektronenstrahl bei genügend hoher Beschleunigungsspannung so gesteuert wird, dass die Widerstandskennlinie des Josephson-Kontaktes selbst beeinflusst wird. Dadurch,
wird die Widerstandskennlinie während ihrer Aenderung zur Rückwirkung überwacht, wodurch gleichmässigere Resultate
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erreicht werden können. Es ist klar, dass zu einer derartigen Rückkopplungssteuerung an sich auch andere Messverfahren verwendet werden können.
Fig. 11 ist eine stark vergrösserte Ansicht des Josephson-Kontaktes 25, der einen ersten Leiter 26 aufweist, welcher
über das Amperemeter 27 mit Erde verbunden ist, sowie einen zweiten Leiter 28, der vom Amperemeter weiter entfernt ist.
Zwischen den Leitern 26 und 28 ist die übliche Tunnelschicht 29 des Josephson Kontaktes. Ein Voltmeter 30 überbrückt den
Josephson Kontakt 25. Der Elektronenstrahl 4 folgt einem Abtastweg in Form des durch die gestrichelten Linien 31
gezeigten Rasters, die bereits vom Strahl überstrichen wurden, sowie der Folgelinien 32, die vom Strahl 4 noch zu
überstreichen sind. Es ist bekannt, dass die periodische Ablenkung des Strahls 4 durch ein sägezahnförmiges Signal
erzeugt werden kann, wie es in Fig. 12 gezeigt ist.
Das Abtastmuster des Strahls 4 ist so angelegt, dass einzelne Linien 31 und 32 oberhalb der Tunnelschicht 29 beginnen und sich jenseits der Tunnelschicht fortsetzen, so dass
der Strahl 4 während jeder Ablenkung den Leiter 28 jenseits
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der Tunnelschicht trifft. Während dieser Zeit fliesst der Strom durch die gesamte Tunnelschicht 29, wodurch die Messung des Widerstandes der Schicht am Voltmeter 30 möglich
ist. Zur automatischen Ausführung kann ein Abtastsignal, wie in Fig. 13 gezeigt, welches mit dem Sägezahn-Signal der Fig.
12 synchronisiert ist, an das UND-Gate 33 angelegt werden,
damit die Spannungsmesseinrichtung 30 nur dann angeschaltet ist, wenn der Strahl 4 den Leiter 28 trifft. Wenn der vorgegegebene Wert erreicht ist, wird das weitere Ueberstreichen
durch den Elektronenstrahl 4 unterbrochen.
Die Behandlung von Josephson-Kontakten kann auch durchgeführt
werden, wenn der Josephson-Kontakt ganz oder teilweise mit Isolations- und Metallschichten, z.B. Steuerleitungen, Abschirmungen oder Schutzschichten überdeckt ist. Da diese Schichten
vom Elektronenstrahl durchdrungen werden müssen, sind grössere Beschleunigungsspannungen notwendig,. z.B. 20-30 kV. Auf diese
Weise können die Vorrichtungen nach dem letzten Herstellungsschritt behandelt werden.
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ORIGINAL INSPECTED
Claims (12)
- PATENTANSPRÜCHEVerfahren zum Einstellen der Kennlinie eines Josephson-Kontaktes, gekennzeichnet durch Beeinflussen des Kontaktes mittels eines Elektronenstrahls (4, Fig. 1), welcher eine so hohe Beschleunigungsspannung aufweist, dass die Kennlinie des Josephson-Kontaktes sich verändert, dessen Strom jedoch so gering ist, dass keine wesentliche Erwärmung des Kontaktes auftritt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Beschleunigungsspannung des Elektronenstrahls von wenigstens 10 kV.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Beschleunigungsspannung von 15 kV.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Elektronenstrahl-Dosis in der Grössenordnung von 1 A · sec/cm .
- 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch Messen der veränderten Kennlinie während der Behandlung.
- 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstandsänderung des Kontaktes (Fign. 3, 4) gemessen wird.
- 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass ein Leiter (26, Fig. 11) des Kontaktes mit einer Stromableitung (27) verbunden wird, dass Mittel zur Spannungsmessung (30, Fig. 11) parallel zum Kontakt geschaltet werden, dass ein Elektronenstrahl (4) bekannten Stromes zusätzlich zur Beeinflussung auf den Kontakt gerichtet wird, und dass die Beeinflussung unterbrochen wird, wenn die gemessene Spannung einen vorgegebenen Wert erreicht hat. ι
- 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass anstelle eines Kontaktes mehrere Kontakte in Reihe geschaltet sind (Fig. S) und der Elektronenstrahl nacheinander über die Kontakte geführt wird.sz 975004 7XT9 (TS ST-(TB ΙΓ9ORIGINAL INSPECTED7718 49 Z
- 9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenstrahl auf nur einen Teil der Gesamtfläche des Josephson-Kontaktes gelenkt wird.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Elektronenstrahl so gesteuert wird, dass die Beeinflussung in den Randzonen ; des Josephson-Kontaktes grosser ist als in der Mittelzone (Fign. 5, 6, 7).
- 11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Beein- | flussung in der Mittel zone des Josephson-Kontaktes grosser ist als in den Randzonen.
- 12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, wobei der Kontakt Bestandteil einer Vorrichtung ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung fertiggestellt wird, wobei über dem Kontakt j wenigstens eine Schicht aus isolierendem und/oder leitendem Material angebracht wird und der Elektronenstrahl diese Schicht oder Schichten | durchdringt, und dass eine dementsprechend erhöhte Beschleunigungsspannung angelegt wird.sz 975 004 7098 44&/-0 6 9 S
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH623476A CH600579A5 (de) | 1976-05-19 | 1976-05-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2718492A1 true DE2718492A1 (de) | 1977-12-08 |
Family
ID=4306370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772718492 Withdrawn DE2718492A1 (de) | 1976-05-19 | 1977-04-26 | Verfahren zum einstellen der kennlinie eines josephson-kontaktes |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS52141185A (de) |
CH (1) | CH600579A5 (de) |
DE (1) | DE2718492A1 (de) |
FR (1) | FR2352400A1 (de) |
GB (1) | GB1526672A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6136718Y2 (de) * | 1981-03-05 | 1986-10-24 | ||
DK160382C (da) * | 1987-09-22 | 1991-08-12 | Ib Johannsen | Fremgangsmaade til tilvejebringelse af et elektrisk kredsloeb indeholdende josephson dioder |
-
1976
- 1976-05-19 CH CH623476A patent/CH600579A5/xx not_active IP Right Cessation
-
1977
- 1977-03-30 FR FR7710335A patent/FR2352400A1/fr active Granted
- 1977-04-19 GB GB16260/77A patent/GB1526672A/en not_active Expired
- 1977-04-26 JP JP4751477A patent/JPS52141185A/ja active Granted
- 1977-04-26 DE DE19772718492 patent/DE2718492A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS52141185A (en) | 1977-11-25 |
JPS5622391B2 (de) | 1981-05-25 |
CH600579A5 (de) | 1978-06-15 |
FR2352400B1 (de) | 1980-02-01 |
GB1526672A (en) | 1978-09-27 |
FR2352400A1 (fr) | 1977-12-16 |
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