DE2716754A1 - Ladungsgekoppelte anordnung - Google Patents

Ladungsgekoppelte anordnung

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Description

Kurze Zusammenfassung der Beschreibung
Nachstehend ist eine ladungsgekoppelte Anordnung beschrieben, bei der die Ladung über einen miLnderförmigen Weg im Kanal verschoben wird, und der Kanal mindestens eine Krümmung besitzt. Der Krümmungswinkel des Kanals kann maximal bis zu zwei rechten Winkeln, d.h. 180°gewählt werden. Wenn der Krümmungswinke] des Kanals weniger als 180 beträgt, laßt sich der Kanyl ringförmig ausbilden, indem eine Anzahl von Krümnungen vorgesehen werden. Dabei besitzt die Gate-Elektrode eine einfache rechteckige Form und wird mit dem gleichem Winkel wie der Kanal gekrümmt, wenn der Kanal abgewinkelt ist.
Im Fall daß der Kanal um 180° gekrümmt ist, wird das Gignal, das vom Eingangsende her eingeführt wurde, in den Bereich, der dem Eingangsende benachbart ist, verschoben, und das Signal kann erneut in das Eingangsende für eine Zirkulation eingeleitet werden, nachdem es einmal bereits verstärkt wurde.
Beschreibung des Standes der Technik
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Bei dem bekannten Grundtyp von ladungsgekoppelten Anordnungen (abgekürzt als CCD-Anordnung bekannt) sind die Elektroden für die Ladungsverschiebung, d.h. die Gate-Elektroden, langgestreckt ausgebildet, und die Ladung wird in Richtung der erwähnten Gate-Elektroden-Anordnung verschoben, wenn die Impulszüge einen besonderen Verlauf und unterschiedliche Phasen besitzt. Eine derartige CCD-Anordnung besitzt eine längere linienförmige Elektrodenanordnung, die proportional der Anzahl der Verschiebungsstufen ist. Wenn daher die Ladung über viele Stufen verschoben werden soll, wird die äußere Form der Anordnung sehr schlank und langgestreckt.
Andererseits sind zweidimentionale CCD-Anordnungen bekannt, bei denen die Gate-Elektroden in Form einer Matrix angeordnet sind. Dabei sind jedoch die Elektroden der gleichen Spalte alle verbunden und werden ständig auf gleichem Potential gehalten. Aus diesem Grunde ist es mit dieser Anordnung nicht möglich, die
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Ladung in Richtung der "Spalte" zu verschieben, und die Verschiebung erfolgt stets in Richtung der "Reihe", und eine derartige Ladungsverschiebung erfolgt gleichzeitig für alle Reihen.
Für jeden der oben geschilderten Fälle ist es sehr schwierig, die Ladungsverschiebungsrichtung auf dem halben V/ege zu ändern, (den Kanal zu krümmen). Wenn beispielsweise ein Kanal in derselben Richtung, in der ,jedes KnI die Ladung für eine Stufe verschoben wird, ganz leicht gekrümmt ist, und dies wird für eine Vielzahl von Stufen ausgeführt, so kann die Verschiebungsrichtung schließlich um den gewünschten Winkel (beispielsweise 180°) geändert werden. Dieses Verfahren erfordert jedoch eine zu große Substratfläche. Zudem wird ein derartiger Aufbau für ein Transversalfilter mit CCD-Anordnung, wobei die Verschiebungsrichtung gekrümmt ist, eine komplizierte Leitungsführung und einen schwierigen Herstellungsprozeß erfordern.
Zusammenfassung der Erfindung
Mit der vorliegenden Erfindung wird eine CCD-Anordnung vorgeschlagen, die einen rr. äanderf örraigen Kanal und einen Krümmungspunkt in dem Kanal besitzt. Die CCD-Anordnung, auf die sich die Erfindung bezieht, besitzt einen grundsätzlichen Aufbau derart, daß eine einzige Kanalbegrenzung parallel mit zwei gürteiförmigen Kanalbegrenzern verläuft, in deren Mitte die Enden jeweils miteinander verbunden sind, und bei der die einzelne Kanalbegrenzung in einem Bereich, wenig entfernt vom Verbindungsbereich der beiden genannten Kanalbegrenzungen endet. Ferner besitzen die obengenannten beiden Kanalbegrenzungen jeweils einen kurzen nach innen gerichteten Bereich, und die mittlere Kanalbegrenzung besitzt einen kurzen Bereich, der sich gegen die beiden Kanalbegrenzungen an beiden Seiten erstreckt. Bei einer derartigen Konfiguration der Kanalbegrenzungen sind die maanderförmigen Kanäle zu beiden Seiten der mittleren Kanalbegrenzung angeordnet, und die Ladung, die in den Bereich verschoben wurde, der an den Verbindungspunkt der
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Kanalbegrenzungen anschließt, wendet sich einmal an das Ende der mittleren Kanalbepirenzung und wandert darauf in umgekehrter Richtung über den mäanderförmigen Weg. In anderen V/orten entspricht diese Art von Kanal derjenigen, die erhalten wird, wenn ein einziger mäanderförmiger Kanal um 180 an einem gewünschten Punkt geschwenkt wird. Der Krümmungswinkel des Kanals kann leicht zu einem gewünschten Winkel kleiner als 180°, zum Beispiel um 90 , verändert werden. Mehr noch kann der Kanal insgesamt einen quadratischen Weg bilden, wenn der Kanal an vier Punkten gleicher Abstönrie um 90 geschv/enkt wird. V/ird ein ringförmiger Kanal gebildet, so kann eine Anschlußinsel auf der Innenfläche vorgesehen werden.
Bei allen obenerwähnten Ausführungsformen, bei der das besondere Merkmal der CCD-Anordnung ein mäanderförmiger Kanal ist, läßt es sich leicht realisieren, daß das Signal auf der Innenseite des Kanals abgenommen wird, oder ein Signal von der Seite zugeführt wird, und eine zu große Substratfläche für die Krümmung des Kanals unnötig ist.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Fig.1 zeigt die Elektrodenkonfiguration (layout) bei einer konventionellen zweidimensionalen CCD-Einrichtung.
Fig.2 zeigt die Konfiguration der Kanalbegrenzung bei einer Ausführungsform einer CCD-Anordnung nach der Erfindung.
Fig.3 zeigt das Ausführungsbeispiel der Gate-Elektroden-Konfiguration bei der Anordnung nach Fig.2.
Fig.4 zeigt als weiteres Ausführungsbeispiel die Konfiguration der Gate-Elektroden der Anordnung nach Fig.2.
Fig.5 zeigt die Kanalbegrenzungskonfiguration bei einer Ausführungsform nach der Erfindung.
Fig.6 zeigt die Kanalbegrenzungskonfiguration einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
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Fig.7 zeigt als Beispiel einer zweidimensionalen CCD-Anordnung nach der Erfindung die Kanalbegrenzungskonfiguration.
Fig.8 zeigt ein Beispiel für die Konfiguration einer CCD-Anordnung mit einem quadratischen Kanalweg gemäß der Erfindung.
Fig.9 zeigt das Schaltbild einer Verstärker- und Schaltkreisanordnung, wie sie in der Anordnung nach Fig.8 Anwendung findet.
Fig.10 zeigt ein Beispiel der Konfiguration einer integrierten Schaltung nach Fig.9.
Fig.11 zeigt als Beispiel die Konfiguration eines Transversal-Filters gemäß der Erfindung.
Nähere Beschreibung der Erfindung
Fig.1 zeigt die Aufsicht auf eine bekannte zweidimensional CCD-Anordnung mit Zweiphasensteuerung und einer Gate-Elektroden-Gruppe, die vertikal (beispielsweise 11, 21, 31 und 41) zwischen den Gate-Elektroden 11, 12, 13, 14, ... 44 angeordnet sind und die ständig auf gleichem Potential gehalten werden. Daher sind Kanalbegrenzungen, die durch unterbrochene Linien angedeutet sind, zur Trennung der Kanäle voneinander vorgesehen. Die Ladung kann somit in Querrichtung (Richtung einer Reihe) verschoben werden. Diese kann jedoch nicht in Längsrichtung (Richtung einer Spalte) verschoben werden. Die Ladungsverschiebung kann in jeder Reihe nicht individuell ausgeführt werden, sondern die Verschiebung erfolgt in allen Reihen gleichzeitig. Mit L1 und L2 sind Busleitungen bezeichnet, um die Impulszüge für die Ladungsverschiebung (nachstehend mit Transferspannung bezeichnet) zu liefern. P1 und P2 sind Klemmen zum Zuführen der Verschiebungsspannung jeweils an die genannten beiden Busleitungen. Eine Anordnung dieser Art erfordert ein Halbleitersubstrat mit einer Länge die proportional der Anzahl der Verschiebungsstufen ist, d.h. es muß entsprechend der Anzahl der Stufen vergrößert werden.
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Fig.2 zeigt die grundlegende Ausführungsform der Erfindung. In dieser Figur sind die Gate-Elektroden und die Isolierschicht auf der Oberfläche des Substrats entfernt, um die Konfiguration der Kanalbegrenzungen zu zeigen.
In Fig.2 sind zwei gürteiförmige parallele Kanalbegrenzungen und 102 auf der Oberfläche des Substrats angebracht, welche die Außenseiten eines Kanals definieren. Die beiden Kanalbegrenzungen sind am rechten Ende der Figur mittels des Verbindungsteiles 100 verbunden. Im Falle der in dieser Figur gezeigten CCD-Anordnung besteht ein Ladungsverschiebungsweg im Gebiet, wel ches durch die beiden Kanalbegrenzungen auf der Substratoberfläche definiert ist, und der Verbindungsbereich 100 bestimmt den Endpunkt dieses Ladungsverschiebungsweges. Zusätzlich gibt es eine weitere Kanalbegrenzung 103 in der Mitte zwischen den beiden genannten Kanalbegrenzungen 101 und 102. Diese erstreckt sich parallel zu den Kanalbegrenzungen 101 und 102, aber deren Ende liegt in einer Gegend, die etwas von dem Verbindungsstück 100 entfernt ist. Wie noch später beschrieben wird, ist ebenfalls ein Ladungsverschiebungsweg zwischen der Kanalbegrenzung 103 und dem Verbindungsstück 100 vorgesehen.
Darüberhinaus besitzt jede Kanalbegrenzung jeweils kurze Stücke 101a und 103a, die sich jeweils senkrecht zu jeder der Kanalbegrenzungen erstrecken. Dieses Kanalbegrenzungsmuster ist eigentlich das gleiche wie bei der CCD-Anordnung, die in der japanischen Patentanmeldung Tokugansho 50-13194-1 vorgeschlagen wurde und welche auf auf einen der Erfinder in der vorliegenden An meldung zurückgeht. Der maanderförmige Ladungsverschiebungsweg baut sich zwischen den beiden gurteiförmigen Kanalbegrenzungen bei dem geschilderten Flächenmuster der Kanalbegrenzungen auf. Die zu verschiebende Ladung wandert auf einem maanderförmigen Weg zwischen den Kanalbegrenzungen 101 und 103, wie durch die Pfeile verdeutlicht. Der Mechanismus einer derartigen Verschiebung wird nachstehend beschrieben.
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Die Substratoberfläche ist mit einem Isoliermaterial, beispielsweise einer Schicht aus Siliziumdioxyd (SiOp) bedeckt, die jedoch in der Figur nicht dargestellt ist. Die Dicke dieser Schicht oder dieses Films ist gebietsweise unterschiedlich. Die Schichtdicke der schattierten Bereiche in Fig.2 ist dünner als die der anderen Bereiche.Wird ein bestimmter Spannungspegel an die Elektroden auf dem SiOp Film, dessen Schichtdicke gebietsweise unterschiedlich ist, angelegt, so ist es bekannt, daß sich auf der Substratschicht eine Sperrschicht jeweils unter dem Siliziumoxydfilm bildet, und daß die Sperrschicht unter dem dünnen SiOo-FiIm tiefer ist als die, welche sich jeweils unter den Bereichen mit dem dickeren SiOp-FiIm bildet. Es ist ferner bekannt, daß die Ladung, die zu der weniger tiefen Sperrschicht verschoben wurde, natürlich in die tiefere Sperrschicht abfließt und dort gespeichert wird.
In Fig.2 bezeichnen die unterbrochenen Linien den örtlichen Verlauf der Gate-Elektroden und deren Ausdehnung. Dabei sind in dieser Figur drei rechteckige Gate-Elektroden A, A1 und B angegeben. Die Elektroden A und A1 müssen dabei immer auf dem gleichen Potential gehalten werden, und diese sind daher unter der Annahme eingezeichnet, daß sie auf der Außenseite miteinander verbunden sind. An die mittlere Gate-Elektrode B wird eine Verschiebungsspannung mit einer gegenüber den Gate-Elektroden A und A1 phasenverschobenen Spannung angelegt, wobei die Phasenverschiebung d.h. eine halbe Periode beträgt. Wenn das Substrat vom p-Leitfähigkeitstyp ist, besitzt jedes der Ladungsverschiebungssignale die Gestalt von positiven Spannungsimpulszügen mit konstanter Periodendauer. Diese Impulsreihen werden jeweils den Elektroden über die Klemmen P. und Pg zugeleitet. Die durch diese Spannungen zu verschiebenden Ladungen durchlaufen die Halbzellen 201, 202, 203, 204... nacheinander längs des durch die Pfeile markierten V/eges und treten in die Halbzelle 210 am rechten Ende ein. Nachdem so eine genannte Ladung in der Halbzelle 210 gespeichert wurde, wenn das Potential an der Gate-Elektrode A zu null geworden ist, und das Potential an der Gate-Elektrode B seinen positiven Wert erreichte, wird die La-
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dung von der Halbzelle 210 zu der Halbzelle 211 und darauf unmittelbar zu der Halbzelle 212 verschoben. Wenn danach das Potential an der Gate-Elektrode invertiert wird, und die Gate-Elektrode B Null-Potential erhält, während die Elektrode A1 positiv wird, wird in der Halbzelle 214 die Ladung gespeichert, nachdem die Halbzelle 213 durchlaufen worden ist. Nachfolgend wandert die Ladung, wie durch die Pfeile angegeben, zwischen den Kanalbegrenzungen 103 und 102 auf einem mäanderförmigen Wege weiter nach links. Der dabei vorliegende Mechanismus, wie der Ladungsverschiebungsweg um 180° geschwenkt wurde, ist somit durch Fig.2 klar geworden. Zusätzlich kann die Anordnung nach Fig.2 so betrachtet werden, als ob die CCD-Anordnung mit raäanderförmigen Kanal an einem Punkt zusammengebogen wäre. Wie aus Fig.2 ersichtlich, entsteht bei einer derartigen CCD-Anordnung eine sehr kompakte Flächenform.
Fig.3 zeigt als Ausführungsbeispiel die Ausbildung der Gate-Elektrode. Wie ersichtlich hat die Gate-Elektrode eine sehr einfache Gestalt. In dieser Figur sind die Gate-Elektroden A und A1 auf der Außenseite miteinander verbunden. Fig.4 zeigt eine andere Ausbildung der Gate-Elektrode. Die Gate-Elektroden A und A1 sind an einem Ende miteinander verbunden und bilden so jeweils ein kontinuierliches Muster, welches darüber hinaus mit Verbindungswegen C. und C„ versehen ist.
In einigen Fällen kann es von Vorteil sein, wenn der Verbindungsteil der Kanalbegrenzungen nicht so einfach ausgebildet ist, wie dies in Fig.2 gezeigt wurde, sondern vorspringende Teile besitzt. Im Falle der Ausführungsform nach Fig.5 springt der Verbindungsteil 100 nach rechts hervor, und der vorspringende Teil, welcher den Bereich von zwei Zellen einschließt, ist zum Kanal hinzugefügt. Bei der in Fig.6 dargestellten Ausführungsfonn ist der vorspringende Teil des Kanals kürzer als bei der Anordnung nach Fig.5, und die Gate-Elektroden sind mit A, B, A1, B1 in der Reihenfolge beginnend von oben entsprechend den vier Abschnitten bezeichnet. Die Elektroden A und A1 sowie B und B1 sind jeweils parallel geschaltet.
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Bei der Ausführungsform nach Fig.6 ist jeweils die Länge der herausragenden Kanalbegrenzungsabschnitte 101a, 102a und 10Ja etwas größer, und das dicke Gebiet des SiOp-Films ist in der Breite etwas schmäler verglichen mit der Anordnung nach Fig.5i sodaß die Ladungsmenge, welche gespeichert werden kann, so weit als möglich vergrößert wird.
Bei dieser Bemessung sind die Dimensionen der Bereiche, welche eine tiefere Sperrschicht in jeder Zelle besitzen, (durch Schraffur bezeichnet) etwas größer als die Hälfte einer Zelle.
Fig.7 zeigt das Muster der Kanalbegrenzungen bei einer Ausführungsform einer zweidimensionalen CCD-Anordnung gemäß der Erfindung. Bei dieser Ausführungsform sind die Kanalbegrenzungen insgesamt miteinander zusammenhängend ausgeführt. In Fip.7 ist mit 51 die Diode für die Einführung des Eingangssignales bezeichnet. Mit 52 ist die Eingangsgatterelektrode bezeichnet, während 53 die Signalausgangsdiode bezeichnet. Mit 54- ist Gate-Elektrode des Ausgangs bezeichnet. Bei dieser Ausführungsform sind sieben streifenförmige Elektroden als Verschiebungs-Gate-Elektroden ausreichend.
Wie bereits oben erwähnt, erfordert die CCD-Anordnung nach der Erfindung keine große Substratfläche für eine Umlenkung des Kanals und besitzt zahlreiche Vorteile, zum Beispiel, daß der Kanal leicht abgebogen werden kann, daß ferner die Busleitungen und Kanalelektroden eine einfache Form besitzen, wodurch die Herstellung vereinfacht werden kann.
Bei den obenbeschriebenen Ausführungsformen ist der Winkel für die Richtungsumlenkung des Kanals bereits 180 . Dieser Winkel kann jedoch in einfacher Weise geringer gehalten werden. Fig.8 zeigt ein Ausführungsbeispiel mit einem Winkel von 90° für die Verschwenkung des Kanals. In dieser Darstellung ist jeweils eine Gitterschraffur für die Bereiche angegeben, wo eine tiefe Sperrschicht erzeugt worden ist. Wie aus dieser Figur ersichtlich, wird der Kanal an drei Punkten jeweils um 90° abgebogen, sodaß insgesamt der Kanal den Weg eines Vierecks beschreibt.
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Die zu verschiebende Ladung wandert bei der Anordnung nach Fig.8 nacheinander,wie durch die Pfeilfolge AM angegeben, von einer Halbzelle im linken oberen Bereich 801 zu den Halbzellen 802, 803, 804, 805 ... entsprechend der Nummerierung weiter und tritt rechts oben in die Halbzelle 826 ein. Wenn dann die Gate-Elektrode ihr Potential wechselt, wird die Ladung in die Halbzelle 827 über die Halbzelle 828 verschoben und darauf in die Halbzelle 830 über die Halbzelle 829 weiterverschoben und dort gespeichert. Nachfolgend werden die Ladungen über den viereckigen Ladungsverschiebungsweg insgesamt durch einen ähnlichen Mechanismus verschoben. Diese Ladungen werden zudem an den Verstärker A über die Eingangsdiode D2 eingespeist, welcher am Ende des Kanals anschließend an das Eingangsende (Halbzelle 801) angeordnet ist, und von der Ausgangsklemme 0. als Ausgangssignal abgnommen. Wenn der bewegliche Kontakt des Umschalters SW mit dem festen Kontakt b verbunden ist, wird ein Ausgangssignal erneut in die Halbzelle 801 über die Eingangsdiode D>j eingegeben, und somit die Ladungen im Kreise geführt. Daher kann die Anordnung nach Fig.8 als Speicheranordnung verwendet werden.
Fig.9 zeigt ein Ausführungsbeispiel der obenerwähnten Verstärkerschaltung. In den Zeichnungen ist mit Dp eine Ausgangsdiode bezeichnet. Q^ bis Qg stellen Feldeffekttransistoren dar. Mit t>j bis tg sind Klemmen bezeichnet. Die Versorgungsgleichspannung VDD wird an der Klemme t^ zugeführt. Das Schreibauswahlsignal wird an den Klemmen t2 und t,- angelegt. Das Rücksetzsignal liegt entsprechend an der Klemme t,-. Die Klemme t,
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dient dazu, ein Ausgangssignal abzuleiten oder ein Schreibsignal zuzuführen. Die Klemme t^ ist mit der Eingangsdiode D1 verbunden. Fig.10 zeigt ein Flächenmuster für die Anbringung des Verstärkers A und der CCD-Anordnung auf dem gleichen Halbleitersubstrat SB.
Wie aus der obigen Zeichnung zu entnehmen, kann eine CCD-Anordnung nach der Erfindung in sehr einfacher Konfiguration mit einem ringförmigen Kanal aufgebaut werden. Die Gate-Elektrode ist,
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wie aus Fig.8 ersichtlich, im wesentlichen in gleicher Weise wie der Kanal abgewinkelt und bildet zwei parallele bandförmige Elektroden mit entsprechendem einfachen Verlauf. Auf der Grundlage der obenerläuterten Merkmale kann die CCD-Anordnung gemäß der Erfindung in einfacher Weise einen seitlichen Abgriff besitzen, wenn der Kanal zu einem Rinn reformt ist. Diese CCD-Anordnung kann mit einer metallischen Schicht im Innenraum eines derartigen ringförmigen Kanals versehen werden, und die metallische Schicht kann als Klemme für die Verdrahtung der Zuleitungen, insbesondere als Verbindungsinsel, verwendet werden. Fig.11 zeigt als Ausführungsbeispiel eine Transversalfilterkonfiguration unter Verwendung einer CCD-Anordnung mit einem ringförmigen Kanal gemäß der Erfindung. Bei dieser Anordnung ist die CCD-Anordnung als quadratischer Ring im wesentlichen in der Mitte des Halbleitersubstrats SB ausgebildet. In ähnlicher Weise sind die Feldeffekttransistoren (FET) in Form eines geschlossenen Quadrates rund um die CCD-Anordnung aufgebracht. In gleicher Weise sind die Anschlußinseln BP^iq' B^11 ' Bi>i2** * am Ran~ de des Substrats vorgesehen. Diese ringförmige CCD-Anordnung ist im wesentlichen die gleiche wie bei der Ausführungsform in Fig.8. Lediglich die Ladungsdetektordiode SD ist innerhalb des Kanals gebildet und diese Diode ist mit der Gate-Elektrode jedes Feldeffekttransistors verbunden. Die Anordnung, wie sie in Fig.11 gezeigt ist, ist mit einer Anschlußinsel BP, im Hittelpunkt versehen. Die CCD-Anordnung gemäß der Erfindung ist nicht auf die obenbezeichneten Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in unterschiedlichen gewünschten Anordnungen ausgeführt werden. Beispielsweise ist der Schwenkwinkel für den Kanal nicht auf 180° oder 90°beschränkt, sondern der Kanal kann um jeden beliebigen Winkel innerhalb 180° abgeknickt werden. Auch können die Gate-Elektrode bzw. die Gate-Elektroden um beliebige gewünschte Winkel abgebogen werden, was im wesentlichen der gleiche Winkel wie der Winkel des Kanals am Knickpunkt des Kanals sein wird, und was nicht zu einer komplizierten Konfiguration führt. Zusätzlich kann der Kanal natürlich in Form eines Kreisringes oder Bogenteils, wie erforderlich, ausgeführt werden. Bei der beschriebenen Ausführungsform werden zwei Gate-
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Elektroden verwendet. Es ist jedoch möglich, eine Dreiphasen-Treiberschaltung zu verwenden, indem eine dritte Elektrode in der Mitte vorgesehen wird. Ferner kann eine Einphasen-Treiberschaltung vorgesehen sein, indem eine Sperrschicht von asymetrischer Form durch Dotierung mit Verunreinigung in der Sub stratoberfläche gebildet wird.
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Claims (5)

  1. ■.. ι
    6/290
    FUJITSU LIMITED, Kawasaki/Japan
    Ladungsgekoppelte Anordnung
    Priorität Japan: 15. April 1976 T 51-43371
    24. April 1976 T 51-46882
    Patentansprüche
    1·, Ladungsgekoppelte Anordnung, gekennzeichnet durch eine erste Kanalbegrenzung, bestehend aus mindestens zwei Teilen, die sich parallel zueinander erstrecken und zwischen sich einen verbundenen Teil einschließen, durch eine zweite Kanalbegrenzung, die parallel zwischen den genannten ersten Kanalbegrenzungen angeordnet ist und sich parallel mit der vorgenannten Kanalbegrenzung erstreckt und ferner in einem Gebiet endet, welches durch einen bestimmten Abstand von einem mit der ersten Kanalbegrenzung verbundenen Teil getrennt ist und durch eine dritte Kanalbegrenzung, welche sich nach der Innenseite der beiden Kanalbegrenzungen erstreckt, ferner gekennzeichnet dadurch, daß das Substrat zwischen dem verbundenen Teil der ersten Kanalbegrenzung und der zweiten Kanalbegrenzung als Teil des Ladungsverschiebungsweges dient.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Kanalbegrenzung eine geschlossene Schleife bildet, indem beide Enden verbunden sind, und daß die zweite Kanalbegrenzung innerhalb dieser Schleife liegt.
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    ORiGINAL INSPECTED
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanal enge vorspringende Teile am Ende der ersten Kanalbegrenzung besitzt.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kanal an verschiedenen Punkten mit einem Winkel,der kleiner als 180° ist, abgebogen ist, und daß der Kanal, der durch den parallelen Teil der ersten Kanalbegrenzung umschlossen ist, im ganzen eine Schleife bildet.
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine leitfähige Schicht innerhalb der Schleife, die durch die erste Kanalbegrenzung gebildet wird, für Anschlüsse vorgesehen ist.
    7098A2/103A
DE2716754A 1976-04-15 1977-04-15 Ladungsgekoppelte Anordnung mit mindestens einem Abschnitt eines jeweils mäanderförmigen Ladungsverschiebungskanals in einem Halbleiterkörper Expired DE2716754C2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51043371A JPS5814749B2 (ja) 1976-04-15 1976-04-15 電荷転送装置
JP4688276A JPS52130293A (en) 1976-04-24 1976-04-24 Charge transfer device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
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DE2716754C2 DE2716754C2 (de) 1986-05-15

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DE2716754A Expired DE2716754C2 (de) 1976-04-15 1977-04-15 Ladungsgekoppelte Anordnung mit mindestens einem Abschnitt eines jeweils mäanderförmigen Ladungsverschiebungskanals in einem Halbleiterkörper

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