DE2705578A1 - Leistungsverstaerkerschaltung - Google Patents
LeistungsverstaerkerschaltungInfo
- Publication number
- DE2705578A1 DE2705578A1 DE19772705578 DE2705578A DE2705578A1 DE 2705578 A1 DE2705578 A1 DE 2705578A1 DE 19772705578 DE19772705578 DE 19772705578 DE 2705578 A DE2705578 A DE 2705578A DE 2705578 A1 DE2705578 A1 DE 2705578A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- bias
- transistor
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0244—Stepped control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3083—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
- H03F3/3086—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
- H03F3/3091—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal comprising two complementary transistors for phase-splitting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
PATENTANWALT DIPL-ING. <U)00 MÜNCHEN 22
POSTFACH27 05578
10. Februar 1977 77-N-2111
NIPPON GAKKI SEIZO KABUSHIKI KAISHA, 10-1, Nakazawa-cho,
Hamamatsu-shi, Shizuoka-ken, Japan
Leistungsverstärkerschaltung
Die Erfindung bezieht sich auf eine Leistungsverstärkerschaltung für einen Stereoverstärker, usw., und zwar insbesondere
auf einen Endstufenleistungsverstärker, dessen Betriebsart vom B-Betrieb (oder A/B-Betrieb) auf den Α-Betrieb umwechseln kann.
Üblicherweise wird ein Tonfrequenzverstärker in A-Betriebsart
oder B- (oder A/B-) Betriebsart betrieben. Ein Verstärker in Α-Betriebsart hat dabei den Vorteil, daß die Verzerrungen klein
sind, jedoch den Nachteil, daß der Wirkungsgrad niedrig liegt; demgegenüber hat ein Verstärker im B-Betrieb entgegengesetzte
Vorteile und Nachteile. Wenn ein höherer Wirkungsgrad gewünscht wird, wie dies normalerweise bei einem Leistungsverstärker der
Fall ist, so wird üblicherweise eine Gegentakt-B-Schaltung verwendet.
Bei der Gegentakt-B-Schaltung ist jedoch in einem gewissen Umfang eine Verzerrung im Ausgangssignal unvermeidlich. Diese
Verzerrung wird infolge des Grundprinzips des B-Betriebsverstärkers insbesondere im Kleinsignalbereich merklich. Wenn es
möylich ist, die Vorspannbetriebsart vom B-Betrieb zum A-Betrieb (und umgekehrt) umzuändern, so kann einem größeren Bereich von
Anforderungen Genüge getan werden. Ein Leistungsverstärker kann
709832/0932
nämlich im B-Betrieb arbeiten, wenn eine höhere Ausgangsleistung erforderlich ist, und auch im Α-Betrieb dann, wenn das Ausgangssignal
höherer Qualität erforderlich ist, obwohl dann die maximale Ausgangsleistung vermindert ist. Beispiele solcher Leistungsverstärker
mit änderbarer Betriebsart sind in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen 49-91567 und 49-91568 beschrieben.
Beim Leistungsverstärker gemäß offengelegter japanischer Patentanmeldung 49-91567 ist ein Schalter zum Umschalten der
Vorspannung in der Schaltung vorgesehen, um so die Vorspannung für den Verstärkungstransistor in der Endstufenleistungsverstärkerschaltung
einzustellen. Der Vorspannpunkt des Endstufenleistungsverstärkers wird durch diesen Wechselschalter geändert,
wodurch sich eine Änderung der Vorspannungsbetriebsart ergibt. Bei dieser Anordnung ist jedoch die Länge der Verdrahtung zwischen
dem Vorspannungswechselschalter und der Vorspanneinstellschaltung lang und das Ausgangssignal wird leicht durch externes
Rauschen und Störungen beeinflußt. Darüber hinaus kann der Verdrahtungsvorgang kompliziert werden. Da ferner der Vorspannungswechselschalter
von aussen her betätigt werden muß und einen mechanischen Kontakt aufweist, kann sich an der Kontaktstelle
eine schlechte elektrische Verbindung ergeben.
Bei der Leistungsverstärkerschaltung gemäß der offengelegten
japanischen Patentanmeldung 49-91568 ist ein Vorspannungswechselschalter in der Vorspanneinstellschaltung für den Verstärkungstransistor
vorgesehen, um die Vorspannung und somit die Betriebsart der Endstufenverstärkerschaltung umzuschalten,
und zwar ähnlich der Verstärkerschaltung gemäß offengelegter japanischer Patentanmeldung Nr. 49-91567, wobei ferner
noch ein Schalter mit dem Vorspannungswechselschalter verriegelt vorgesehen ist, um die Versorgungsspannung für die Endstuf
enleistungsverstärkerschaltung umzuschalten. Im allgemeinen ist bei einem A-Betrieb-Verstärker der Vorspannpunkt auf
einem mittleren Punkt der Last- oder Widerstandslinie eingestellt, und es kann daher ein relativ großer Leerlaufstrom
durch den Transistor fließen. Es ist daher notwendig, die Versorgungsspannung für den Endstufenverstärker im A-Betrieb
709832/0932
auf ein Mehrfaches derjenigen im B-Betrieb zu vermindern. Unter Berücksichtigung dieses Punktes ist in dieser Schaltung ein
Wechselschalter zur Umschaltung der Versorgungsspannung vorgesehen. Nur durch die Verriegelung des Vorspannungswechselschalters
und des Versorgungsspannungswechselschalters kann jedoch ein überstrom nicht vollständig am Durchfließen des Verstärkungstransistors
in der Endstufe gehindert werden, was eine Beschädigung oder Verschlechterung der Eigenschaften des Transistors
zur Folge haben kann. Normalerweise ist nämlich eine Kapazität von beträchtlicher Größe mit der Versorgungsspannungsleitung
und/oder der Leistungsquellenschaltung verbunden. Selbst wenn daher der Versorgungsspannungsumschalter umgeschaltet wird,
ändert sich die Versorgungsspannung selbst nicht schnell. Wenn die Betriebsart des Endstufenverstärkers vom B-Betrieb auf den
Α-Betrieb umgeschaltet wird/ so kann die Vorspannung entsprechend dem Α-Betrieb auf einen hohen Pegel umgeschaltet werden, während
die Versorgungsspannung noch nicht auf den erforderlichen Wert abgesunken ist. Dann kann ein zu großer Leerlaufstrom fließen
und Schädigungen am Verstärkungstransistor der Endstufenleistungsvers tärkerschaltung hervorrufen. Zur Vermeidung solcher Nachteile
kann eine Zeitverzögerung zwischen der Betätigungszeit des Vorspannungswechselschalters
und der Betätigung des Versorgungsspannungswechselschalters vorgesehen werden. Dies führt jedoch zu.
einem komplizierten Aufbau. Da sich ferner die Anstiegs- öder Abfallzeit der Versorgungsspannung über einen großen Bereich
hinweg abhängig von der Betriebszeitsteuerung und den aufeinanderfolgenden Betriebsvorgängen ändern kann, ist es nicht leicht,
einen diese Bedingung erfüllenden Schalter zu realisieren. Ferner sind die Nachteile des zuvor erwähnten Beispiels bei diesem
Beispiel noch immer vorhanden.
Die vorliegende Erfindung hat sich zum Ziel gesetzt, eine Leistungsverstärkerschaltung
vorzusehen, bei welcher die Vorspannungsbetriebsart umgeschaltet werden kann, wobei insbesondere
die vorstehend erwähnten Nachteile vermieden werden.
709832/0932
Gemäß einem Aspekt der Erfindung ist in einer Leistungsverstärkerschaltung
folgendes vorgesehen: Umschaltmittel zur Änderung der Versorgungsspannung für die Endstufenleistungsverstärkerschaltung
in Koinzidenz mit der ausgewählten Betriebsart, eine Spannungsdetektorvorrichtung zur Feststellung der Versorgungsspannung
und Vorspanneinstellmittel zur Einstellung der Vorspannung für den Endstufenleistungsverstärker entsprechend
der Versorgungsspannung auf der Basis der Ausgangsgröße der Spannungsdetektormittel derart, daß die Vorspannung für die Endstufenleistungsverstärkerschaltung
entsprechend der Änderung der Versorgungsspannung umgeschaltet wird. Insbesondere ist erfindungsgemäß
die Schwellenspannung der Spannungsdetektormittel etwas oberhalb der Versorgungsspannung eingestellt, die für den
Α-Betrieb bestimmt ist. Wenn die Vorspannungsbetriebsart vom B-Betrieb auf den Α-Betrieb umgeschaltet wird, so wird die durch
die Vorspanneinstellmittel eingestellte Vorspannung auf einen Wert für den Α-Betrieb umgeschaltet, und zwar in einem Augenblick,
wenn die Versorgungsspannung auf annähernd einen Wert für den Α-Betrieb abgesunken ist. Wenn die Vorspannungsbetriebsart
vom Α-Betrieb auf den B-Betrieb umgeschaltet wird, so wird die Vorspannung auf den Wert für den B-Betrieb dann umgeschaltet,
wenn die Versorgungsspannung etwas oberhalb des Wertes für den Α-Betrieb liegt. Auf diese Weise wird die Möglichkeit der Schädigung
des Verstärkungstransistors des Endstufenleistungsverstärkers beim Umschalten der Vorspannungsbetriebsart vollständig eliminiert.
Ferner besteht gemäß der Erfindung kein Erfordernis,der Zeitsteuerung
der Umschaltung der Versorgungsspannung und der Vorspannung irgendeine Beachtung zu schenken. Ferner werden die
Vorspannungsumschaltmittel nicht von aussen betätigt und können aus einer elektronischen Schaltung aufgebaut sein, die keinen
mechanischen Kontakt verwendet. Demzufolge kann ein Anstieg von Geräuschen oder Rauschen sowie auch Verdrahtungsvorgänge infolge
der langen Verdrahtung vermieden werden.
709832/0932
Τ-
Weitere Vorteile, Ziele und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich insbesondere aus den Ansprüchen sowie aus der Beschreibung
von Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnung; in der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 ein Blockdiagrairan des Grundaufbaus der Erfindung;
Fig. 2 ein Teilschaltungsdiagranun einer erfindungsgemäßen
Leistungsverstärkerschaltung;
Fig. 3 ein Schaltbild einer Leistungsverstärkerschaltungf
welche die Anordnung gemäß Fig. 2 verwendet;
Fig. 4 ein Schaltbild einer Leistungsquellenschaltung zur Erzeugung der Versorgungsspannung und für die Schaltung
gemäß Fig. 3;
Fig. 5 ein Teilschaltbild einer Leistungsverstärkerschaltung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der
Erfindung.
Fig. 1 zeigt den Grundaufbau der erfindungsgemäßen Leistungsverstärkungsschaltung
mit umschaltbarer Betriebsart. In Fig. 1 sind die Transistoren Q1 und Q2 komplementäre Transistoren,
welche die Endstufenleistungsverstärkerschaltung bilden. Das Eingangssignal wird zuerst in einer Spannungsverstärkerschalter
3 spannungsverstärkt und dann den Leistungsverstärkertransistoren Q1 und Q2 über eine Vorspanneinstellschaltung 1
zugeführt. An die komplementären Transistoren Q1 und Q2 sind Versorgungsspannungen +V2 und -V2 angelegt. Diese Versorgungsspannung V2 wird in einer Spannungsdetektorschaltung 4 festgestellt
(ausgewertet). Die Detektorschaltung 4 vergleicht die Versorgungsspannung V2 mit einer Bezugs- oder Referenzspannung
Vref und steuert den Vorspannungsumschaltkreis 5. Der
Ausgang des Vorspannungsumschaltkreises 5 liegt an der Vorspannungseinstellschaltung
1 an, um eine geeignete Vorspannung für die Verstärkertransistoren Q1 und Q2 einzustellen. Im Betrieb
709832/0932
werden die Versorgungsspannungen +V2 und -V- umgeschaltet, und
zwar bei der Auswahl der Vorspannungsbetriebsart durch irgendwelche Schaltmittel in einer (nicht gezeigten) Leistungsquellenschaltung.
Beispielsweise ist V3 gleich 55 Volt für den B-Betrieb
und V2 ist 25 Volt für den Α-Betrieb. Die Versorgungsspannung
V1 für den Spannungsverstärker 3 wird hier unabhängig von
der Vorspannungsbetriebsart konstant eingestellt, beispielsweise auf 60 Volt. Die Bezugsspannung V ,. kann irgendeine beliebige
konstante Spannung sein. Die Spannungsdetektorschaltung 4 besitzt eine Schwellenspannung, beispielsweise 28 Volt, etwas
oberhalb der Versorgungsspannung für den Α-Betrieb, V2 = 25 V,
basierend auf der Bezugsspannung V f. Wenn beispielsweise die
Vorspannungsbetriebsart von B-Betrieb auf Α-Betrieb umgeschaltet wurde und die Versorgungsspannung V2 von 55 V auf ungefähr
28 V abgenommen hat, so erzeugt und liefert die Spannungsdetektorschaltung 4 ein Detektor- oder Auswert-Signal an die Vorspannungsumschaltschaltung
5. Die Vorspannungsumschaltschaltung 5 wird durch dieses Detektorsignal betätigt und steuert den
Vorspannungseinstellkreis 1 zur Herstellung einer Vorspannung für den A-Betrieb.
Die Bezugsspannung V , kann hier durch die Versorgungsspannung V- für die Spannungsverstärkerschaltung 3 gebildet werden. Alternativ
kann die Versorgungsspannung V. für die Spannungsverstärkerschaltung
3 auch so angeordnet werden, daß sie beim Umschaltung der Vorspannungsbetriebsart umgeschaltet wird.
Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Leistungsverstärkerschaltung,
wobei die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 1 ähnliche Teile bezeichnen. Die Spannungsdetektorschaltung 4 umfaßt
einen Spannungsteiler aus Widerständen R33 und R34, eine Serienschaltung aus Widerständen R31 und R32 sowie einen
Schalttransistor Q21, dessen Basis mit dem Verbindungspunkt der Spannungsteilerwiderstände R33 und R34 verbunden ist, während
der Kollektor an den Serienwiderständen R31 und R32 liegt. Eine Diode D12 liegt parallel zum Widerstand R32,um eine Umkehrspannung
am Widerstand R32 zu verhindern. Bei diesem Ausführungs-
709832/0932
beispiel wird beispielsweise die Bezugsspannung V , aus einer
Versorgungsspannung V1 = 60 V gebildet und die Versorgungsspannung
V2 wird zwischen 55 V (B-Betrieb) und 25 V (Α-Betrieb) umgeschaltet.
Das Spannungsteilerverhältnis der Spannungsteilerschaltung ist derart gewählt, daß der Transistor Q21 dann
ein- (aus-) geschaltet wird, wenn die Versorgungsspannung V2
unter einen Wert abnimmt (darüber ansteigt), der etwas oberhalb der Spannungsversorgung für den Α-Betrieb, beispielsweise bei
ungefähr 28 V, eingestellt ist. Die Widerstände R31 und R32 bilden
die Last für den Transistor Q21. Die Spannung am Verbindungspunkt der Widerstände R31 und R32 wird durch die Schaltwirkung
des Transistors Q21 umgeschaltet und in den Vorspannungsumschaltkreis
5 eingegeben. Der Vorspannungsumschaltkreis 5 besteht aus einem veränderbaren Widerstand VR12 und einem Widerstand R30
sowie einer Bypass-Schaltung aus einem veränderbaren Widerstand VR11 und einem Schalttransistor Q19, gesteuert durch die Ausgangsspannung
der Spannungsdetektorschaltung 4. Wenn der Transistor Q19 eingeschaltet ist, so liegt die Bypass-Schaltung aus veränderbarem
Widerstand VR11 und Transistor Q19 parallel zum Widerstand
R30. Die Vorspanneinstellschaltung 1 umfaßt ein Paar Transistoren Q18 und Q17 in Darlington-Schaltung und eine Konstantstromquellenschaltung
aus einem Widerstand R28 und einem Transistor Q20. Die Kondensatoren C 19 und C20 und ein Widerstand
R29 dienen zur Bildung von Eingangskreisen für die Transistoren Q17 und Q18.
Wenn die Versorgungsspannung +V2 die Schwellenspannung, beispielsweise
28 V, infolge der Umschaltung in den B-Betrieb übersteigt, so werden Transistor Q21 und somit Transistor Q19
ausgeschaltet. Dann wird die Bypass-Schaltung aus veränderbarem Widerstand VR11 und Schalttransistor Q19 von der Spannungsteilerschaltung
der Vorspannungswechselschaltung 5 abgeschaltet. Auf diese Weise ist die Basisvorspannung für den
Transistor Q18 der Vorspanneinstellschaltung 1 durch die Widerstände
VR12 und R30 bestimmt und wird auf einem hohen Wert gehalten. Demgemäß wird der Transistor Q18 eingeschaltet, um
die Emitterbasisvorspannung des Transistors Q17 zu erhöhen.
709832/0932
Die Kollektoremitterspannung des Transistors Q17 wird dadurch
auf einen vorbestimmten niedrigen Wert reduziert, der die Vorspannung für eine (nicht gezeigte) Stromverstärkerstufe im
B-Betrieb bildet.
Wenn die Versorgungsspannung V„ unter den Schwellenwert
(28 V) reduziert wird, so wird der Transistor Q21 und somit der Transistor Q19 eingeschaltet und die Basisvorspannung für
den Transistor Q18 nimmt ab, und zwar infolge der Umgehungsschaltung aus dem veränderbaren Widerstand VR11 und dem Transistor
Q19. Der Transistor Q17 erzeugt dann eine hohe Kollektoremitterspannung,
welche die Vorspannung für die Leistungsverstärkerstufe im Α-Betrieb bildet.
Die Vorspannungsumschaltung 5 kann als ein Teil der Vorspannungseinstellschaltung
1 betrachtet werden, wenn die Vorspanneinstellschaltung 1 als die Schaltung zur Erzeugung einer entsprechenden
Vorspannung angesehen wird, und zwar infolge der Spannungsänderung in der Versorgungsspannung, festgestellt in der Spannungsdetektorschaltung
4.
Fig. 3 zeigt ein vollständigeres Schaltbild einer Leistungsverstärkerschaltung,
welche die Schaltung gemäß Fig. 2 verkörpert. In Fig. 3 ist gestrichelt ein Block 2 dargestellt, der
eine ähnliche Schaltung wie die in Fig. 2 bezeichnet . Bei diesem Ausführungsbeispiel liegt eine Zener-Diode ZD1 in Serie
mit dem Widerstand R33, um die Versorgungsspannungsfluktuation und die Temperaturabhängigkeit des Transistors Q21 zu kompensieren.
Links ist eine Differentialspannungsverstärkerstufe
gezeigt, während rechts eine Stromverstärkerstufe zu sehen ist.
Die Differentialverstärkerstufe uü: ;t ein Paar von pnp-Transitoren
Q10 und QII, deren Emitter gemeinsam mit einer Leitungsspannung V1 verbunden sind, und zwar über eine Konstantstromschaltung
aus einem Transistor Q12, Widerständen R10, R11 und
R12, sowie einem Paar von Seriendioden D10. Die Kollektoren
der Transistoren Q10 und Q11 stehen mit einer anderen Leitungsspannung -V1 über entsprechende Lasten aus Transistoren Q13 und
709832/0932
-y-
Q14 und Widerständen R13 und R14 in Verbindung. Eine Serienschaltung
aus einem Widerstand R15 und einer Parallelschaltung aus einem Potentiometer VR1O und einem Paar von Dioden
D18 liegt zwischen der Erdleitung E und einer Leitungsspannung -V1. Der Gleitkontakt des Potentiometers VR1O liegt
über einen Widerstand R1O an der Basis des Transistors Q1O.
Das an Eingangsklemme IN angelegte Eingangssignal wird an die
Basis des Transistors Q1O über eine Eingangsschaltung aus Widerständen
R17, R18 und R19 und einem Kondensator C1O und einem
Koppelkondensator C11 angelegt. Die Basis des anderen Transistors
Q11 des Differentialverstärkers ist angelegt mit dem Ausgang der Endstufenleistungsverstärkerschaltung (noch zu beschreiben)
über ein Rückkoppelnetzwerk aus Widerständen R2O, R21 und R22 und Kondensatoren C12 und C13. Kondensatoren C14,
C15 und C16 und ein Widerstand R23 sind vorgesehen, um die
Phasenverschiebung zu kompensieren, und Kondensatoren C17 und C18 sind Entkopplungskondensatoren für die Spannungsleitungen
+V1 und -V1.
Die Basen der Transistoren Q13 und Q14 liegen einerseits am
Kollektor des Transistors Q1O und andererseits an der Basis des Transistors Q15. Der Emitter dieses Transistors Q15 liegt
über einen Widerstand R24 an der Leitungsspannung -V1 und
der Kollektor liegt in Kaskoden-Schaltung am Transistor Q16,
der mit einer konstanten Vorspannung über Widerstände R25, R26 und R27 versorgt wird.
Wie oben in Verbindung mit Fig. 2 beschrieben wurde, bilden die Transistoren Q17 und Q18 eine Vorspannungseinstellschaltung
und ein Transistor Q19 bildet eine Vorspannungsumschaltschaltung.
Der Emitter des Transistors Q17 ist mit der Leitungsspannung
+V1 über eine Konstantstromschaltung, bestehend
aus einem Widerstand R28, dem Diodenpaar D1O und einem Transistor Q2O, verbunden. Der Kollektor des Transistors Q17 und
die Emitter der Transistoren Q18 und Q19 sind mit dem Kollektor
eines Transistors Q16 verbunden. Die Basis des Transistors
Q17 ist verbanden mit dem Emitter und Kollektor von Q19 durch
709832/0932
einen Kondensator C19 und Widerstand R29. Der Kollektor des
Transistors Q19 ist mit dem Emitter des Transistors Q17 über
veränderbare Widerstände VR11 und VR12 verbunden. Der Verbindungspunkt
der veränderbaren Widerstände VR11 und VR12 liegt
an der Basis des Transistors Q18. Bezugszeichen R3O bezeichnet
einen Widerstand, während C2O einen Kondensator bezeichnet.
Die Umschaltung des die Vorspannungsumschaltschaltung bildenden Transistors Q19 wird durch einen Transistor Q21 durchgeführt,
der den Pegel einer Versorgungsspannung +V» für die Endstufenleistungsverstärkungsschaltung
feststellt. Die Basis des Transistors Q19 ist über einen Widerstand R31 mit dem Kollektor
eines Transistors Q21 verbunden. Ein Widerstand R32 gestattet das Fließen eines Leckstroms von den Transistoren Q19 und Q2O
und eine Diode D12 verhindert das Anlegen einer Gegen- oder Umkehrspannung an Basis/Emitter des Transistors Q19. Die Basis
des Transistors Q21 wird durch eine Spannung vorgespannt, welche durch Aufteilung der Spannungsdifferenz der Versorgungsspannungen +V1 und +V_ durch Widerstände R33 und R34 gebildet
wird.Die Schwellenspannung des Umschaltens des Transistors
Q21 ist derart angeordnet, daß der Transistor Q21 dann abgeschaltet wird, wenn die Versorgungsspannung +V- über
eine vorbestimmte Spannung (beispielsweise 28 V) ansteigt, die als etwas oberhalb der Versorgungsspannung für den A-Betrieb
(beispielsweise 25 V) ausgewählt ist.
Die Transistoren Q22.und Q23 bilden eine Treiberstufe einer
komplementären Gegentaktschaltung der Kolllektor-Bauart. Die Kollektoren der Transistoren Q22 und Q23 sind mit den Leitungen
der Versorgungsspannungen +V und -V- verbunden und die Emitter
sind miteinander durch Widerstände R35 und R36 und eine Diode D13 verbunden. Die beiden Elektroden der Diode D13 stehen über
Widerstände R37 und R38 mit der Ausgangsleitung OUT in Verbindung. Die Emitter der komplementären Transistoren Q22 und Q23
sind mit den Basen der Transistoren Q24, Q25, Q26 und Q27
der Leistungsendverstärkerschaltung durch Widerstände R39, R4O,
R41 und R42 gekoppelt. Transistorpaare Q24-Q25 bzw. Q26-Q2 7 werden
709832/0932
parallel betrieben. Die Emitter der Transistoren Q24, Q25, Q2 6 und Q27 sind mit der Ausgangsleitung OUT durch Widerstände
R43, R44, R4 5 und R46 verbinden. Die KoIIe)toren dieser Transistoren
Q2 4, Q25, Q26, Q27 stehen mit den Leitungen der Versorgungsspannung
+V2 und -V2 in Verbindung. Diese Leistungsverstärkerschaltung
besitzt einen komplementären, einen Eintaktausgang aufweisenden Gegentaktschaltungsaufbau in Emitterbasisschaltung
(gemeinsame Emitterverbindung) auf Paaren von parallelgeschalteten komplementären Transistoren (vgl. Fig. 3). Der
Kollektor und der Emitter des Transistors Q17 der Vorspannungseinstellschaltung
sind durch Widerstände R45 und R46 mit den Basen der Treibertransistoren Q22 und Q23 verbunden, welche
die Basisvorspannungen für die Verstärkungstransistoren Q24-Q27 erzeugen.
Transistoren Q28 und Q29 bilden eine Schutzschaltung für die Transistoren Q24, Q25, Q26 und Q27 der Endstufenleistungsverstärkerschaltung.
Wenn das Fließen eines übergroßen Stromes durch irgendeinen der Transistoren Q24-Q27 gestattet ist, so
wird der entsprechende Transistor Q28 oder Q29 eingeschaltet,
um die Basis des Treibertransistors Q22 oder Q23 zu erden. Die Emitter der Transistoren Q28 und Q29 stehen mit der Ausgangsleitung
OUT in Verbindung und die Kollektoren liegen über Dioden D14 und D15 an den Basen der Transistoren Q22 und
Q2 3. Die Basen der Transistoren Q28 und Q29 sind über entsprechende
Widerstände R47, R48, R49 und R50 mit den Emittern der
Transistoren Q24, Q25, Q26 und Q27 und ebenfalls durch Kondensatoren
C30 und C31 mit der Ausgangsleitung OUT verbunden. Die Basen der Transistoren Q28 und Q29 stehen ebenfalls über Kondensatoren
C32 und C33 mit ihren Kollektoren und durch Widerstände
R51 und R52 und Dioden D16 und D17 mit der Erdleitung in Verbindung.
In der Zeichnung bezeichnet C34 bis C40 Kondensatoren und R53 einen Widerstand-
Fig. 4 zeigt eine Leistungsquellenschaltung zur Lieferung der Leitungsspannungen +V1, -V1, +V0 und -V0 für die Schaltung gemaß
Fig. 3, ausgestattet mit einem Umschalter zur Auswahl der Spannung +V2 und -V2. Eine kommerzielle Wechselspannungsquelle
709832/0932
ist mit der Primärwicklung N1 eines Transformators T verbunden, wobei die Sekundärwicklung N2 zwei Paare von Ausgangsklemmen
besitzt. Jedes der Paare der Klemmen wird durch verriegelte Schalter Sa und Sb (Versorgungsspannungs-Wahlschalter) ausgewählt
und mit einer Gleichrichterschaltung REC1 verbunden. Der Wert der Eingangswechselspannung für den Gleichrichter REC1
kann umgeschaltet werden, und zwar durch Auswahl eines Paares von Endklemmen oder Zwischenklemmen der sekundären Wicklung
N2 durch die Schalter Sa und Sb. Eine weitere Sekundärwicklung N3 ist im Transformator T vorgesehen und mit einem weiteren
Gleichrichter REC2.verbunden, um ein weiteres Paar von Leitungsspannungen + V1 zu erzeugen, welche über Filterkondensatoren
C112 und C113 und einen Spannungsregler REG1 geliefert werden.
Die Arbeitsweise der Schaltung gemäß Fig. 3 ausgestattet mit der Leistungsquellenschaltung der Fig. 4 wird im folgenden beschrieben
.
Ein an die Eingangsklemme IN angelegtes Eingangssignal wird zuerst in dem Differentialverstärker mit den Transistoren Q1O
und Q11 und dem Verstärker mit den Transistoren Q15 und Q16
spannungsverstärkt, und sodann an die Treibertransistoren Q22 und Q23 geliefert, und zwar durch die Vorspanneinstellschaltung
mit den Transistoren Q17 und Q18. Die Treibertransistoren
Q22 und Q23 steuern die Transistoren Q24, Q25, Q26, Q27 des
Endstufenleistungsverstärkers an, um die Ausgangsgröße an die Ausgangsklemme OUT zu liefern.
Im folgenden wird nun die Auswahl der Gate-Vorspannung für die Transistoren Q24, Q25, ki3 und Q27 beschrieben. Wenn
der Versorgungsspannungswählschalter Sa und Sb zur Hochspannungsseite (Endabgriffe) der Sekundärwicklung N2 des Transformators
T umgeschaltet wird, um die Leitungsspannungen +V„ und -V2 für den B-Betrieb (beispielsweise 55 V) zu liefern, so
wird der Transistor Q21 der Spannungsdetektorschaltung abgeschaltet. Sodann wird der Transistor Q19 der Vorspannungsum-
709832/0932
schaltung abgeschaltet. Die Transistoren Q17 und Q18 der
Vorspanneinstellschaltung werden durch eine Spannung vorgespannt, die gebildet wird durch Aufteilung der Emitterkollektorspannung
des Transistors Q17 mit einem Verhältnis gegeben durch
den veränderbaren Widerstand VR12 und den Widerstand R3O, d.h.
R3O/(VR12 + R3O). Hier kann der veränderbare Widerstand VR12
derart eingestellt werden, um die an die Transistoren Q17 und
Q18 angelegte Spannung zu steuern, um dadurch die Vorspannung für den Endstufenleistungsverstärker einzustellen und die Transistoren
Q24, Q25, Q26, Q27 im B-Betrieb arbeiten zu lassen. Wenn als Nächstes der Versorgungsspannungswählschalter Sa und
Sb zur Niederspannungsseite (Zwischenabgriffe) der Sekundärwicklung
N2 des Transformators T umgeschaltet wird, so nehmen die Versorgungsspannungen +V2 und -V„ auf den Wert für den
Α-Betrieb (beispielsweise 25 V) ab. Wenn die Schwellenspannung, beispielsweise 28 V, gekreuzt wird, so wird der Transistor Q21
der Spannungsdetektorschaltung eingeschaltet und demgemäß wird der Transistor Q19 der Vorspannungsumschaltschaltung eingeschaltet.
Sodann wird nunmehr der Spannungsteiler aus dem veränderbaren Widerstand VR12 und der Parallelschaltung aus dem Widerstand
R30 und dem veränderbaren Widerstand VR11 gebildet. Die
aufgeteilte Spannung wird an Basis-Emitter des Transistors Q18
gelegt. Infolge der Hinzufügung des veränderbaren Widerstandes VR11 wird die Vorspannung für den Transistor Q18 tiefliegend
und somit steigt die Emitterkollektorspannung des Transistors Q17 an. Sodann wird die Vorspannung für die Transistoren Q24,
Q25, Q26, Q27 des Endstufenleistungsverstärkers tiefliegend, damit diese Transistoren im Α-Betrieb arbeiten können. Die Vorspannung
für die Transistoren Q24, Q25, Q26, Q27 kann hier durch
den veränderbaren Widerstand VR11 eingestellt werden.
Die Spannungsdetektorschaltung 4 und die Vorspannungsumschaltschaltung
5 können elektrisch gegenüber der Vorspannungseinstellschaltung 1 isoliert sein, beispielsweise durch Verwendung
eines Fotokopplers, usw. Ferner kann der Versorgungsspannungswählschalter durch eine Kombination aus einem manuellen
Schalter und einem Relais gebildet sein. Ferner können die
709832/0932
Transistoren Q17 und Q18 der Vorspannungseinstellschaltung 1
solche der npn- und pnp-Typen sein.
Fig. 5 zeigt eine alternative Anordnung zu der gemäß Fig. 2,
wobei hier die Transistoren Q17 und Q18 npn- bzw. pnp-Bauarten
sind. In Fig. 5 ist ein Transistor Q5O zur Phasenumkehr hinzugefügt.
Andere den Fig. 2 und 3 ähnliche Teile sind ebenfalls mit Bezugszeichen ähnlich den Fig. 2 und 3 bezeichnet. Gemäß dieser
Anordnung kann der Vorspannungseinstellbetrieb erfindungsgemäß in einem gewissen Ausmaß erhöht werden, und zwar infolge der Hinzufügung
des Transistors Q5O vor dem Transistor Q19.
Beim erfindungsgemäßen Leistungsverstärker mit umschaltbarer
Betriebsart wird nur die Versorgungsspannung für die Endstufenverstärkerschaltung
extern gemäß der ausgewählten Vorspannbetriebsart umgeschaltet, und die Vorspannung wird automatisch
nach Feststellung der Änderung in der Versorgungsspannung umgeschaltet.
Daher kann die Schädigung der Transistoren in der Endstufenverstärkerschaltung verhindert werden, und zwar ohne die
Notwendigkeit, Schalter mit kompliziertem Aufbau zu verwenden. Ferner können die erfindungsgemäßen Umschaltmittel in Form einer
rein elektronischen Schaltung ohne Verwendung irgendeines mechanischen Schalters ausgebildet sein. Es besteht also nicht die ..
Gefahr eines schlechten elektrischen Kontakts in der Schaltung. Da ferner die Vorspannungsumschaltmittel integral mit anderen
Schaltungen kombiniert werden können, sind lange Zuleitungen nicht erforderlich und Fremdgeräusche und Rauschen wird daher
reduziert.
709832/0932
Claims (5)
- Ansprüche1J Leistungsverstärkerschaltung mit änderbarer Vorspannungsart, gekennzeichnet durch Spannungsquellenmittel zur Lieferung vorbestimmter Spannungen entsprechend der ausgewählten Vorspannbetriebsart, Spannungsdetektormittel (4) zur Feststellung oder Auswertung der Versorgungsspannung und Erzeugung eines Detektorsignals bei Änderung der Versorgungsspannung, und Vorspanneinstellmittel (1) zur Einstellung der Vorspannung für die Verstärkerschaltung entsprechend dem Detektorsignal .
- 2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektormittel (4) einen Spannungsteiler umfassen, verbunden mit den Spannungsquellenmitteln, und wobei ein erstes Schaltelement durch die aufgeteilte Spannung gesteuert wird.
- 3. Schaltung nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannungseinstellmittel einen Spannungsteiler mit einer Bypass-Schaltung umfassen, welche eine Serienschaltung aus einem Widerstandselement und einem zweiten Schaltelement ist, welch letzteres durch das Detektorsignal gesteuert wird.
- 4. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, insbesondere nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Spannungsverstärkerstufe, beliefert mit einer ersten Spannung,eine Stromverstärkerstufe, beliefert mit einer zweiten veränderbaren Spannung von den Spannungsquellenmitteln, und wobei die Vorspannungseinstellmittel die Vorspannung für die Stromverstärkerstufe liefern.709832/0932ORIGINAL INSPECTED
- 5. Schaltung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche/ insbesondere nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsdetektormittel einen Spannungsteiler aufweisen, der zwischen den ersten und zweiten Spannungen liegt, und wobei ferner ein durch die aufgeteilte Spannung gesteuertes Schaltelement vorgesehen ist.709832/0932
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51012883A JPS5832801B2 (ja) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | 電力増幅器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2705578A1 true DE2705578A1 (de) | 1977-08-11 |
DE2705578B2 DE2705578B2 (de) | 1979-08-23 |
DE2705578C3 DE2705578C3 (de) | 1980-05-08 |
Family
ID=11817794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2705578A Expired DE2705578C3 (de) | 1976-02-10 | 1977-02-10 | Leistungsverstärkerschaltung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4099139A (de) |
JP (1) | JPS5832801B2 (de) |
DE (1) | DE2705578C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4291719C2 (de) * | 1991-06-03 | 1996-04-18 | Motorola Inc | Steuerschaltung und -verfahren für Leistungsverstärker |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3744112A1 (de) * | 1987-12-01 | 1989-06-15 | Carl Spitzenberger | Verstaerkeranordnung |
JPH01150916A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-13 | Fujitsu Ltd | サーボ位置決め制御装置 |
JP2647871B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1997-08-27 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク装置のサーボ機構 |
CA2097057C (en) * | 1990-12-17 | 1995-08-22 | William J. Martin | Dynamically biased amplifier |
US6078169A (en) * | 1998-09-30 | 2000-06-20 | Siemens Medical Systems, Inc. | Amplifier for interpolating the power supply from multiple supply voltages |
US6572546B1 (en) | 2001-07-03 | 2003-06-03 | Acuson Corporation | Two level power supply and method for ultrasound transmission |
GB2410142A (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Gordon Leslie Scott | An audio power amplifier with automatic class selection |
KR100690772B1 (ko) * | 2005-03-23 | 2007-03-09 | 엘지전자 주식회사 | 휴대단말기의 전력증폭기 전원부 보호장치 및 방법 |
US7987380B2 (en) * | 2007-03-27 | 2011-07-26 | Atmel Rousset S.A.S. | Methods and apparatus to detect voltage class of a circuit |
US20100026389A1 (en) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | James Breslin | Dual mode power amplifier output network |
CN107196613A (zh) * | 2017-04-17 | 2017-09-22 | 锐迪科微电子(上海)有限公司 | 一种实现过压保护的功率放大器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3553599A (en) * | 1968-02-20 | 1971-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Bias control circuit for semiconductor amplifier |
US3896393A (en) * | 1973-12-26 | 1975-07-22 | Motorola Inc | Monolithic power amplifier capable of operating class a and class ab |
-
1976
- 1976-02-10 JP JP51012883A patent/JPS5832801B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-02-08 US US05/766,593 patent/US4099139A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-02-10 DE DE2705578A patent/DE2705578C3/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4291719C2 (de) * | 1991-06-03 | 1996-04-18 | Motorola Inc | Steuerschaltung und -verfahren für Leistungsverstärker |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2705578C3 (de) | 1980-05-08 |
JPS5832801B2 (ja) | 1983-07-15 |
US4099139A (en) | 1978-07-04 |
DE2705578B2 (de) | 1979-08-23 |
JPS5296853A (en) | 1977-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0529119B1 (de) | Monolithisch integrierter Differenzverstärker mit digitaler Verstärkungseinstellung | |
DE2718491C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Verstärkung der Signale eines elektromagnetischen Wandlers und zur Vorspannungserzeugung für den Wandler | |
DE69113523T2 (de) | Emittergeerdete Verstärkerschaltung mit Vorspannungsschaltung. | |
DE2146418B2 (de) | Gegentaktverstärker mit verbesserter Stromverstärkung bei hohen Frequenzen | |
DE2638801A1 (de) | Kleinsignaltransistorverstaerker | |
DE2705578A1 (de) | Leistungsverstaerkerschaltung | |
DE2213484C3 (de) | Hochfrequenter Breitbandverstärker | |
DE1958620B2 (de) | Differentialverstaerker | |
DE69216824T2 (de) | Stromspiegel mit hoher Impedanz und Präzision | |
EP0351639B1 (de) | Eingangsschaltung für Hochfrequenzverstärker | |
DE2623245B2 (de) | Halbleiterverstärker | |
DE3336949C2 (de) | Pufferverstärker | |
DE2905659A1 (de) | Gegentakt-verstaerkerkreis | |
DE1909721A1 (de) | Elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen | |
DE3034940C2 (de) | ||
DE69018184T2 (de) | Gegentakt-Filterschaltung. | |
DE2328402A1 (de) | Konstantstromkreis | |
DE2529966B2 (de) | Transistorverstärker | |
EP0237086B1 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE1537656B2 (de) | ||
DE2627339C2 (de) | Bipolar-monolithisch integrierte Gegentakt-Endstufe für Digitalsignale | |
DE2744249A1 (de) | Schaltungsanordnung zur wahlweisen dynamik-kompression oder -expansion | |
DE3125199C2 (de) | Fernseh-Zwischenfrequenzverstärker | |
DE2635574C3 (de) | Stromspiegelschaltung | |
DE3032675C2 (de) | Tonfrequenz-Leistungsverstärker-Schaltung. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: YAMAHA CORP., HAMAMATSU, SHIZUOKA, JP |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |