DE2705476A1 - Fluessigkeitsgekuehltes leistungs-halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise - Google Patents
Fluessigkeitsgekuehltes leistungs-halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweiseInfo
- Publication number
- DE2705476A1 DE2705476A1 DE19772705476 DE2705476A DE2705476A1 DE 2705476 A1 DE2705476 A1 DE 2705476A1 DE 19772705476 DE19772705476 DE 19772705476 DE 2705476 A DE2705476 A DE 2705476A DE 2705476 A1 DE2705476 A1 DE 2705476A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cooling
- semiconductor component
- power semiconductor
- liquid flows
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0101—Neon [Ne]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
- "Flüssigkeitsgekühltes Leistungs-Halbleiterbauelement in
- Scheibenzellenbauweise Die Erfindung bezieht sich auf ein flüssigkeitsgekühltes Leistungs-Halbleiterbauelement in Scheibenzellenbauweise mit Isoliergehäuse und mit elektrischer und thermischer Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe, wobei zwei beidseitig der Halbleiterscheibe angeordnete flüssigkeitsdurchströmte Kühldosen an deren beide Hauptoberflächen andrückbar sind.
- Es kenn sich dabei um eine Leistungs-Diode, einen Leistungs-Transistor oder einen Leistungs-Thyristor handeln. Derartige Leistungs-Halbleiterbauelemente finden bevorzugt Anwendung in elektrischen Motorantrieben und in entsprechenden Stromrichterschaltungen.
- Ein derartiger Leistungs-Thyristor ist in Scheibenzellenbauweise bekannt aus der VDI-Ze4tschrift 107(1965) Nr. 34, Seite 1656, weiterhin als Hochspannungs-Frequenzthyristor in Scheibenzellenbauweise aus der Zeitschrift'Brown Boveri Mitteilungen 5/75, Seite 225. In beiden bekannten Fällen ist als allgemein bekannt vorauszusetzen, daß die Thyristorscheibenzelle beidseitig mit flüssigkeitsdzurchströmten Kuhldosen gekühlt werden kann.
- Es ist bereits vorgeschlagen worden (deutsche Patentanmeldung P 26 06 156.3), flüssigkeitsdurchströmte Ableitkörper zusammen mit einer Scheibenzelle mit Isoliergehäuse in ein die drei vor genannten Teile umfassendes Isoliergehäuse mit äußeren hydraulischen und elektrischen Anschlüssen einzuspannen. Dies erfordert bei großen Diuckkräften eine erhebliche Stabilität des um fassenden Isoliergehäuses. Außerdem kann die bereits vorgeschlagene Anordnung nicht einfacher Weise in der Form gestapelt werden, wie es in einem weiteren älteren Vorschlag (deutsche Patentanmeldung P 26 06 157.4) gezeigt ist, d.h.,daß jede Scheibenzelle beidseitig einfach mit zwei für sich selbst ständigen Kühldosen versehen wird. Die beiden Kühldosen bzw.
- weitere Eühldosen eines Stapels sind selbstverständlich miteinander verbunden.
- Bei den vorgenannten bekannten Anordnungen und den älteren Vor schlägen mit zweiseitiger Wärmeabgabe sind die Scheibenzellen derart aufgebaut, daß das eigentliche scheibenförmige Halbleiterelement, die Tablette bzw. die Halbleiterscheibe, sich zwischen zwei Kontaktstücken befindet. Die Kontaktstücke sind mit Membranen versehen, die stoffschlüssig mit dem die nannten Teile ringförmig umfassenden Isoliergehäuse verbunden werden. Auf die Stirnflächen der Eonta'itstücke bzw. auf die zwischengeschalteten Membranen werden dann die Kühlblöcke bzw..' -dosen gelegt und durch Federkräfte elektrisch und thermisch kontaktiert, wobei gleichzeitig die Kontaktierung der Halbleiterscheibe erfolgt.
- Zum thermischen Verhalten von Beistungs-Halbleiterbauelementen wird auf den Aufsatz von S.Korb, Thermisches Verhalten von Leistungshalbleitern" - BBC-Druckschrift Nr. D IA 60037 D (= Sonderdruck aus industrie-elektrik + elektronik" Jg. 20 H. 19 und 21, 1975)verwiesen.
- Dj.e zulässige Verlustleistung eines Halbleiterelementes ist proportional dem Temperaturgradienten und umgekehrt proportional dem thermischen Widerstand. Dabei wird der Temperaturgradient gebildet aus der zulässigen Kristalltemperatur minus der höchsten Kühlmitteltempratur. Der thermische Widerstand setzt sich aus den Einzelwiderständen aller an der Wärmeleitung beteiligten Bauteile zusammen.
- Bei der Scheibenzelle selbst entstehen diese Widerstände in der Halbleiterscheibe, aber aufgrund ihrer geringen Dicke nur in einem geringen Maße, - sodann im Ubergang zwischen der Tablette und den KontaktstUcken, in den KontaktstUcken selbst, im Ubergang zwischen diesen und den Kühlblö.cken bzw. -dosen und letzlich in den Kühldosen selbst. Dabei ist die Größe der thermischen Übergangswiderstände abhängig von der Ebenheit bzw.
- der R&ihig1eit, der Materialhärte der zu paarenden Bauteile, sowie von der Kontaktkraft. Diese ist Jedoch durch die Druckfestigkeit des Silicium-Kristalls beschränkt. Der thermische Widerstand in den KontaktstUcken ist proportional deren Dicke und umgekehrt proportional der von der Wärme zu durchdringenden Fläche sowie der Wärmeleitfähigkeit, welche materialspezifisch ist. Die Proportionalität wird jedoch dann gestört, wenn der Wärmestrom im weiteren nicht senkrecht zum Eintritt verläuft, d.h., wenn zum Beispiel die Kühldose mit kleinerer Fläche angekoppelt ist,als sie die Halbleiterscheibe als Hauptcberfläche aufweist. Der thermische Widerstand in der Kühldose resultiert aus dem Wärmeleitwiderstand und dem des Uberganges, der beim Ubertritt der Wärme von der Wand der Kühldose zur Kühlflüssigkeit sich einstellt. Um zu kleineren Werten zu gelangen, muß folglich der Weg zur Kühiflüssigkeit klein und/oder widerstandsarm gehalten werden. Das Produkt aus wärmeabgebender Fläche und Wärmeübergangszahl zur KühlflUssigkeit muß groß sein.
- Im Resultat setzt sich bei der vorbeschriebenen Technik der ge samte thermische Widerstand einer Halbleiter-Kombination, bestehend aus Scheibenzelle und Kühldose, aus den fUnf obengenannten Einzelwiderständen zusammen. Aufgrund dieses Aufbaues ist bisher als Vorsorge- oder Schutzmaßnahme - abgesehen von der hier nicht relevanten, aber möglichen elektronischen Temperaturüberwachung (Korb s.o.) - eine Reduzierung des thermischen Widerstandes vornehmlich über die Kühleinrichtung betrieben worden, was einerseits zu Wärmerohrkühlern (heat pipe - s.Korb)1 und andererseits zu Flüssigkeitskühlern bzw. Kühidosen (z.B.
- gemäß einem weiteren älteren Vorschlag - deutsche Pa-tentanmeldung P 25 40 000.0) führte, wobei im letzteren Fall die größte Effektivität, d.h. der kleinste Wärmewiderstand erreicht werden korzlte. Eine weitere maßgebende Verkleinerung ist, abgesehen von üblichen Maßnahmen wie Materialwahl, bei dem vorhandenon System nichtiöglich. Dabei ist zu berücksichtigen, daß die elektrischen Anschlußbedingungen und eine gute Einbau-j möglichkeit in elektrische Anlagen beachtet werden müssen.
- Der Erfindung liegt, ausgehend vom eingangs genannten bekannten flüssigkeitsgekühlten Beistungs-Halbleiterbauelement, die Aufgabe zugrunde, den Wärmewiderstand weiter zu reduzieren, wobei auch günstige Eigenschaften hinsichtlich des Einbaues der Halbleiterbauelemente, also hinsichtlich Baugröße, Gewicht und Handhabung, erzielt werden sollen.
- Die Lösung besteht darin, daß erfindungsgemäß die Kühldosen zusammen mit der Halbleiterscheibe in das elektrisch isolieren de, mit Durchführungen für äußere elektrische Anschlüsse versehene, erweiterte Isoliergehäuse integriert sind, gemeinsame extere hydraulische Anschlüsse für die Zuführung sowie die Abführung der Kühlflüssigkeit besitzen und daß de zur Scheibenebene parallelen, von der Halbleiterscheibe abgewandten Hauptoberflächen der Kühldosen für die Druckkontaktierung freiliegen.
- Im Gegensatz zu dem bekannten System mit zwei Ktlhlblocken bzw.
- Kühldosen (VDI-Zeitschrift s.o.) sowie dem bereits erwähnten Vorschlag bezüglich einer Scheibenzelle mit zwei Kühldosen (P 26 06 157.) oder auch einer weiterhin bekannten Scheibenzelle mit beidseitiger Druckkontaktierung von Wärmerohren (DT-OS 21 07 008), die jeweils aus im wesentlichen drei Bauelementen, Scheibenzelle und zwei Kühlkörper bzw. -dosen bzw.
- zwei Wärmerohren, bestehen, entfallen bei dem erfindungsgemäßen integrierten System die Wärmewiderstände der ansonsten notwendigen Konta]ctstücke und der Übergänge zwischen diesen und den Kühldosen. Selbstverständlich können damit sowohl die Bauabmessungen als auch das Gewicht verkleinert werden.
- Im Gegensatz zu dem älteren Vorschlag gemäß Patentanmeldung P 26 06 156.3, bei dem das flüssigkeitsgekühlte Leistungs-Halbleiterbauelement ebenfalls im fertigen Zustand im Prinzip einteilig ist, wird von kompletten Kühldosen ausgegangen, die in das einzige erweiterte Isoliergehäuse integriert sind und die in vorteilhafter Weise eine Stapeltechnik ermöglichen, weil ihre großen Hauptoberflächen für die Druckkontaktierung freilegen, d.h., die äußeren Anschlußflächen des Bauelementes bilden.
- Zweckmäßig sind die externen hydraulischen Anschlüsse im Isoliergehäuse befes-tigt, und es weist dasselbe parallele Kühlkanäle auf. Als Verbindungsstücke zwischen den Kühlkanälen und den Kühldosen sind elastische Formstücke vorgesehen.
- Eine solche Anordnung erlaubt in vorteilhafter Weise ein "Atmen" des Bauelementes bei thermischer Wechselbeanspruchung, ohne daß Bruchstellen auftreten.
- Zur Erweitelung des Isoliergehäuses sind an den beiden Stirnseitenseiyies ringförmigen Teiles zwei ringförmige, als verlorene Gießformen dienende Kragen stoffschlüssig befestigt, die mit elastischen Isolierstoff hinterfüllt sind, wobei letzterer jeweils fest mit der zugehörigen Kühldosenaußenfläche verbunden ist. Dieser Aufbau ist einfach und dennoch störungssicher bei thermischer (echselbeanspruchung.
- Alternativ zu dieser Ausführung kennen zur Erweiterung des Isoliergehäuses sein ringförmiger Teil und die beiden Kühldosen mit der Halbielterscheibe danzwischen randseitig von zwei im Querschnitt zu ihrer Umfangslinie U-förmigen Halbkreisschalen aus Isolierformstoff umfaßt werden, wobei eine Halbkreis schale sich von der anderen lediglich durch die Durchführungen für die äußeren elektrischen Anschlüsse unterscheidet und die externen hydraulischen Anschlüsse an den 1jalbkreisschalen befestigt sind. Diese Ausführung erlaubt eine einfache Montage.
- Die Kühldosen weisen Schlitze zum Ein- und Austritt der Kühlflüssigkeit und im Innern, entsprechend dem vorgenannten älteren Vorschlag (Patentanmeldung P 26 40 400.0), eine durch j Stege vergrößerte Oberflache und durch dieselben verlängerte Strömungswege auf.
- Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung zu entnehmen.
- Es zeigen: Fig. 1 schematisch den bekannten Aufbau eines über Kühldosen gekühlten Leistungs-Halbleiterbauelementes, Fig. 2 eine erste Variante eines erfindungsgemäßen flüssigkeitsgekühlten Leistungs-Halbeiterbauelementes im Aufriß geschnitten, Fig. 3 die erste Variante nach Fig. 2 im Grundriß entlang der Linie A-A geschnitten, Fig. 4 einen Aufriß der Variante nach Fig. 3 entlang der Linie B-B geschnitten, Fig. 5 eine zweite Variante des erfindungsgemäßen flüssigkeitsgekU}ilten Beistungs-Halbleiterbauelementes im Aufriß geschnitten, Fig. 6 die Variante nach Fig. 5 im Grundriß entlang der Linie C-C geschnitten, Fig. 7 einen Aufriß der Variante nach Fig. 6 entlang der Linie DD geschnitten und Fig. 8 einen Ausschnitt der zweiten Variante nach Fig. 7.
- In der schematischen Zeichnung nach Fig. 1 liegt eine Halbleiterscheibe 1 zwischen zwei Kontaktstücken 2 und 3.An den Kontaktstücken 2 und 3 sind Membranen 4 und 5 stoffschlüssig, z.B. durch BUten, befestigt. Diese Kombination wird von einem ringförmigen Isolator 6 aufgenommen, auf dessen Stirnflächen die Membranen 4 und 5 ebenfalls stoffschlüssig befestigt sind.
- Auf die Stirnflächen der Kontaktstücke sind Kühldosen 7 mit je zwei hydraulischen Anschlüssen 8 gelegt:. Die externen hydraulischen Anschlüsse 8 erfolgen über Isolierschläuche 9 und 10, die interne Verbindung über einen Isolierschlauch 11. Auf den Kühldosen befinden sich elektrische Anschlüsse 11 und 12 in Form von Flachschienen. Elektrisch und thermisch wird das Sy -stem über eine Feder 13, zwei Joche 14 und 15, sowie Spannbolzen 16 kontaktiert. Dieser Aufbau ist, wie bereits erwähnt, bekannt bzw., ausgehend vom in der VDI-Zeitschrift dargestellten grundsätzlichen Aufbau, üblich.
- In der figuren 2 bis 4 ist die erfindungsgemäße erste Variante am Beispiel eines Thyristors dargestellt. Eine Halbleiterscheibe 20 liegt zwischen i gleichen Kühldosen 21. Der Hohlraum jeder Kühldose 21 ist durch Stege 22 unterbrochen, die zur Vergrößerung der wärmeabgebenden Oberfläche und zur Verwirbelung der Kühlmittel strömung dienen, um große Wärmeübergangszahlen zu erreichen. Weiterhin weist die Kühldose 21 zwei Schlitze 23 zum Ein- und Austritt der Kühlflüssigkeit auf. An der Kühldose sind Membranen 25 stoffschlüssig befestigt und über weitere stoffschlüssige Verbindungen 26 an Kragen 27 angebracht. Die Kragen 27 wiederum sind stoffschlüssig an den Stirnflächen 28 eines ringförmigen Isolators 29 befestigt. Der Isolator 29 ist mit zwei Augen 30 versehen, in deren Bohrungen 31, z.I3. Schlauch- oder Rohrverschraubungen 32 eingeful'irt sind. Die Bohrung 31 mündet in Schlitze 33. Die Schlitze 23 und 33 werden durch winkelförmige Tüllen 34, z.B.
- aus Silicon-Gummi, verbunden und damit werden zwei parallele Kühlpfade über die beiden Kühldosen 21 hergestellt. Der ringförmige Teil des Isoliergehäuses bzw. der Isolator 29 ist noch mit einer Durchführung 35 versehen, die zum Evakuieren und Füllen des Halbleiterbauelementes mit Schutzgas hohl ausgeführt ist. Gleichzeitig dient diese Durchführung 35 zum Anschluß der Steuerelektroden-Zuleitung (nicht eingezeichnet), daher ist außen ein Flachstecker 36 angebracht. Der Steueranschluß zur Kathode wird ebenfalls durch einen Flachstecker 37,! der in eine der Kühldosen 21 eingelötet ist, hergestellt. An den äußeren Rändern der Stirnflächen 28 des ringförmigen Teiles 29 sind noch zwei weitere ringförmige Kragen 38 mit Rändern 39 aufgelötet. Sie dienen zur Fassung eines elastischen Isolierstoffes 40, der nach der Montage des Halbleiterbauelementes eingefüllt wird. Dazu sind oben und unten Je zwei halbe lochscheibenförmige Deckel 41 und 42 vorhanden, die aufgrund ihrer Abmessungen und ihrer geringen Dicke unter die Ränder 24 der gilhldose 21 bzw. die Ränder 39 der Kragen 38 geschoben werden können. Der Isolierstoff 40 hat einerseits die Eigenschaft, nach seiner Polymerisation gut an allen Wandungen zu haften, so daß eine kompakte Baueirlieit besteht. Andererseits ist er so elastisch, daß thermische Längenänderungen nicht behindet werden. Zu diesem Zweck ist auch sowie winkelförmige Tülle 34 nur so steif, daß sie dem Fülldruck des elastischen Isclierstoffes 40 standhält.
- In den Figuren 5 bis 8 ist die zweite Variante der Erfindung dargestellt. Eine Halbleiterscheibe 20 zielt wiederum zwischen zwei gleichen Kühldosen 21 mit Stegen 22, Schlitzen 23 und Rändern 24. Die membranen 25 stehen in stoffschlüssiger Verbindung mit den Kühldosen 21 und den Kragen 27, welche auf den Stirnflächen 28 des ringförmigen Teiles des Isoliergehäuses bzw. des Isolators 29 aufgelötet sind. Der Isolator 29 weist wiederum eine Durchführung 35 mit Flachstecker 36 auf. Die Durchfühnrng 35 erstreckt sich auch durch den Flachstecker 36.
- Der Steueranschluß 57 für die Kathode ist in eine der Kühldosen 21 eingelötet.
- Die derart aufgebaute Kombination von Kühldosen 21 und Halbleiterscheibe 20 wird von zwei gleichen im Querschnitt U-förmigen halben Kreisschalen 70 aus Isolierformstoff umfaßt. Sie bestehen jeweils aus Wandungen 71, Boden 72 und Decke 73.
- Weiterhin ist ein Wulst 74 vorhanden, an den sich ein Auge bzw. ein Stutzen 75 mit Bohrung 76 anschließt. In die Bohrungen 76 sind die bereits erwähnten Rohrverschraubungen 32 eingebracht. In Verbindung mit der Bohrung 76 befindet sich in dem Wulst 74 ein Schlitz 77. Er ist nach außen durch einen eingeschweißten Deckel 78 verschlossen. Senkrecht zum Schlitz 77 ragen nach innen zwei Tülle 79 in die Schlitze 23 der Kühldosen 21 und stellen so die hydraulischen Verbindungspfade für die Kühldosen 21 dar. Die Tülle 79 ist mit einem Absatz 801 versehen, auf dem sich ein schlauchförmiges Moosgummi 81 abstützt. Sein Widerlager findet es an der Kühldose 21. Die Verbindung der Ifalbschalen 70 erfolgt an den Boden 72 und Decken 73 mittels miteinander verklinkter Vorsprünge und Ausnehmungen bzw. Verklinkungen 82 und 85. Diese Art der Befestigung ist möglich, weil die Böden 72 und die Decken 73 dünn und damit elastisch gehalten sind. Über diese Elastizität wird auch die termische Längenänderung der Halbleiterscheibe 20 und der Kühldosen 21 abgefangen. Die termische Längenänderung zwischen dem jeweiligen Kühldosenschlitz 23 und der Tülle 79 wird dadurch ermöglicht, daß der lichte Querschnitt des Schlitzes 23 größer ist als die Außenabmessung der Tülle 79. Das Moosgummi 81 stellt dabei zunächst die Abdichtung her. Nach der Montage wird durch eine nicht dargestellte Bohrung im Boden 72 oder im Deckel 73 ein polymerisierbarer Kunststoff, z.B.
- Silicon-Gummi 84 eingefüllt. Damit an den Trennstellen, an denen sich dr Steurelektroden- und -kathodcnanschluß befinden, das Gummi nicht ausläuft, sind Dichtungen 85 und 86 vorgesehen. Die Trennfugen zwischen den Halbschalen 70 werden von außen vortibergehend abgeklebt. Nach dem Abbinden des Kunststoffes weist dieser genügend Elastizität auf, um thermische Längenveränderungen mitzumachen., andererseits verbindet er die Schalen 70 und die eingegoss-enen Teile durch gute Wandhaftung in ausreichendem Maße. Die Haftung kann noch 1 verstärkt werden, in dem die Schaleninnenwände mit Hinterschneidungen versehen werden, in die sich das Harz verklammert.
- Die vorhandenen Isolierstrecken können durch Rippen an den Außenwänden der Schalen 70 noch vergrößert werden (ähnlich den, in Fig. 4 erkennbaren Rippen). Dazu ist es dannrotwendig, daß die geradlinig verlaufenden Trennfugen stufenförmig ausgebildet werden, um auch an diesen Stellen die erforderlichen Kriechwegverlängerungen zu bekommen.
- Bei iJeistungs-Dioden entfallen die Steuerstromanschlüsse, ansonsten liegen die gleichen Aufbauten vor.
- Die Druckkontaktierung mittels einer Spannvorrichtung erfolgt in üblicher Weise.
- L e e r s e i t e
Claims (17)
- Patentansprüche 1. Flüssigkeitsgekühltes Leistungs-Halbleiterbauelement in Scheibenzelenbaueise mit Isoliergehäuse und mit elektrischer und thermischer Druckkontakttierung der Halbleiterscheibe, wobei zwei beidseitig der Halbleiterscheibe angeordnete flüssigkeitsdurchströmte Kühldosen an deren beide Hauptoberflächen andrtickbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühldosen (21) zusammen mit der Halbleiterscheibe (20) in das elektrisch isolierende, mit Durchführungen fijr äußere elektrische Anschlüsse versehene, erweiterte Isoliergehäuse integriert sind, gemeinsame externe hydraulische Anschlüsse fUr die Zuführung sowie die Abführung der Kühlflüssigkeit besitzen und daß die zur Schiebenebene parallelen, von der Halbleiterscheibe (2(D) abgewandten Hauptoberflächen der Kühldosen (21) für die Druckkontaktierung freiliegen.
- 2. Flüssigkeitsgekühltes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die externen hydraulischen Anschlüsse im Isoliergehäuse befestigt sind und daß dasselbe parallele Kühlkanäle aufweist.
- 3. Flüssigkeitsgekühltes Leistungs-Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbindungsstücke zwischen den Kühlkanälen und den Kühldosen (21) bzw. mindestens teilweise als Kühlkanäle elastische Formstücke, winkelföm@@@@ Tüllen (34) vorgesehen sind.
- 4. Flüssigkeitsdurchströ@tes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder Tolgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erweiterung des Isoliergehäuses an den beiden Stirnseiten seines ringför@igen Teiles (29) zwei ringförmige, als verlor@ne Gle@formen dienende Kragen (38) stoffschlüssig befestigt sind, die mit elastischem Isolierstoff (40) hinterfüllt sind und daß letzterer jeweilsfest mit den Kühldosenau@enfläche verbunden ist.
- 5. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kragen (38) einen Rand (39) parallel zur Scheibenebene besitzt und daß unter diesen sowie unter einem Rand der Kühldose (21) ein Deckel (41, 42) in Form einer hälftig geteilten Ringscheibe sitzt.
- 6. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurel gekennzeichnet, daß jeder Kühldose (21) eine Membrane (25) stoffschlüssig befestigt ist, die über ein stoffschlüssig mit ihr verbundenes Zwischenstück (26) mit einem an der Stirnfläche des Isoliergehäuses stoffschlüssig befestigten Ringkragen (27) verbunden ist.
- 7. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß dei Durchführung (35) für den Steuerelektrodenanschluß durch den ringförmigen Teil (29) des Isoliergehäuses geführt ist und als Evakuierungs- und Füllstutzen dient.
- 8. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die äußeren elecktrischen Anschlüsse als Flachstecker (36, 37) ausgebildet sind.
- 9. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3 oder 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erweiterung des Isoliergehäuses sein ringförmiger Teil (29) und die beiden Kimldosen (21) mit der Halbleiterscheibe (20) dazwischen randseitig von im Querschnitt zu ihrer Umfangslinie U-förmige Halbkreisschalen (70) aus Isolierformstoff umfaß@ werden, wobei eine Halbkreisschale sich von der anderen lediglich durch die Durchführungen für die äußeren elektrischen Anschlüsse unterscheidet und die externen hydraulischen Anschlüsse an den Halbkreisschalen (70) befestigt sind.
- 10. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbkreisschalen (70) Kühlkanäle (77) aufweisen, die tüllenförmig in die Kühldosen (21) münden.
- 11. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbschalen (70) sowohl als Armierung als auch als verlorene Cießforin für flüssig eingefullten, aushärtbaren Kunststoff, vorzugsweise Gießharz, dienen.
- 12. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 10 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbschalen (70) Boden (72) und Decke (73) aufweisen und elastisch ausgebildet sind, so daß sie den thermischen Längenänderungen der Halbleiterscheibe (20) und der Kühldosen (21) folgen können.
- 13. Flüssigkeitsdurchströmtes Beistungs-Halbleiterbauelemellt nach Anspruch 8 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß an Boden (72) und Decke (73) der Halbschalen(70) Verklinkungen (82, 83) vorhanden sind, die die Schalen (70) zusammenhalten.
- 14. Flussigkeitsdurchströmtes Beistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 8 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß Dichtungsringe (85, 86) vorhanden sind, die ein Auslaufen von Gießharz (40, 84) verhindern.
- 15. Flüssigkeltsdurchströmtes Teistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die lsolierfestigkeit zwischen den als Armierung dienenden Kragen (38) bzw. an den Schalen (70) durch Rippen (90) vergrößert ist.
- 16. Flüssigkeitsdurchströmtes Leistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühldose (21) Schlitze (23) zum Ein- und Austritt der Kiihlflüssigkeit und im Innern eine durch Stege (22) vergrößerte Oberfläche und durch dieselben verlängerte Strömungswege aufweist.
- 17. FlUssiglceitsdurchströmtes Beistungs-Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß alle innerhalb der Kragen (38) bzw. Schalen (70) liegenden Teile mit einem elastischen, polymerisierbaren Kunststoff umgossen sind.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772705476 DE2705476A1 (de) | 1977-02-10 | 1977-02-10 | Fluessigkeitsgekuehltes leistungs-halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise |
DE19772716066 DE2716066A1 (de) | 1977-02-10 | 1977-04-09 | Fluessigkeitsgekuehltes leistungs- halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise, insbesondere mit wasserkuehlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772705476 DE2705476A1 (de) | 1977-02-10 | 1977-02-10 | Fluessigkeitsgekuehltes leistungs-halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2705476A1 true DE2705476A1 (de) | 1978-08-17 |
Family
ID=6000766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772705476 Ceased DE2705476A1 (de) | 1977-02-10 | 1977-02-10 | Fluessigkeitsgekuehltes leistungs-halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2705476A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0075200A2 (de) * | 1981-09-19 | 1983-03-30 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Leistungshalbleiterbauelement für Siedekühlung |
EP0075154A2 (de) * | 1981-09-19 | 1983-03-30 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Leistungshalbleiterbauelement für Siedekühlung oder Flüssigkeitskühlung |
EP0075036A1 (de) * | 1981-09-19 | 1983-03-30 | BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Mannheim | Leistungshalbleiterbauelement für Flüssigkeitskühlung |
DE3501732A1 (de) * | 1984-01-19 | 1985-07-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Einrichtung zur verlustwaermeabfuhr von halbleiterelementen |
EP0491389A1 (de) * | 1990-12-19 | 1992-06-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleiterbauelement |
DE4302816A1 (de) * | 1993-01-28 | 1994-10-06 | Aeg Westinghouse Transport | Anordnung zur Kühlung von druckkontaktierbaren Leistungs-Scheibenhalbleitern |
EP1065730A1 (de) * | 1999-01-18 | 2001-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Unter druck zusammengesetztes halbleiterbauelement |
DE10125695A1 (de) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiteranordnung |
-
1977
- 1977-02-10 DE DE19772705476 patent/DE2705476A1/de not_active Ceased
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0075200A2 (de) * | 1981-09-19 | 1983-03-30 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Leistungshalbleiterbauelement für Siedekühlung |
EP0075154A2 (de) * | 1981-09-19 | 1983-03-30 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Leistungshalbleiterbauelement für Siedekühlung oder Flüssigkeitskühlung |
EP0075036A1 (de) * | 1981-09-19 | 1983-03-30 | BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Mannheim | Leistungshalbleiterbauelement für Flüssigkeitskühlung |
EP0075154A3 (en) * | 1981-09-19 | 1985-04-03 | Bbc Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Power semiconductor component for evaporation cooling or liquid cooling |
EP0075200A3 (en) * | 1981-09-19 | 1985-04-03 | Bbc Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Power semiconductor component for evaporation cooling |
US4521170A (en) * | 1981-09-19 | 1985-06-04 | Brown, Boveri & Cie. Ag | Power semiconductor component for liquid cooling |
DE3501732A1 (de) * | 1984-01-19 | 1985-07-25 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Einrichtung zur verlustwaermeabfuhr von halbleiterelementen |
EP0491389A1 (de) * | 1990-12-19 | 1992-06-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungshalbleiterbauelement |
DE4302816A1 (de) * | 1993-01-28 | 1994-10-06 | Aeg Westinghouse Transport | Anordnung zur Kühlung von druckkontaktierbaren Leistungs-Scheibenhalbleitern |
EP1065730A1 (de) * | 1999-01-18 | 2001-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Unter druck zusammengesetztes halbleiterbauelement |
EP1065730A4 (de) * | 1999-01-18 | 2004-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | Unter druck zusammengesetztes halbleiterbauelement |
DE10125695A1 (de) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Eupec Gmbh & Co Kg | Leistungshalbleiteranordnung |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1589808C3 (de) | Vorrichtung zur Materialverformung durch magnetische Kräfte | |
DE2015923A1 (de) | Verbindung einer Halbleiteranord nung mit einer Stromquelle | |
DE68922815T2 (de) | Verbundisolator vom Typ mit eingebauter optischer Faser und Verfahren zu dessen Herstellung. | |
DE1489661B1 (de) | Gleichrichter für halbleitergleichrichter mit zwei getrennten kühlkörpern | |
DE102016103788A1 (de) | Kunststoffkühler für Halbleitermodule | |
DE2705476A1 (de) | Fluessigkeitsgekuehltes leistungs-halbleiterbauelement in scheibenzellenbauweise | |
DE102021105716B4 (de) | Elektrische Steckvorrichtung | |
US3601520A (en) | Terminal structure for a multiconductor cable cooled by a circulating fluid | |
DE102013113143B4 (de) | Leistungshalbleitereinrichtung | |
EP0138068B1 (de) | Gehäuse für ein elektromechanisches Bauelement, insbesondere Relais | |
DE102019217964A1 (de) | Kühlsystem und Bauteil für eine elektrische Maschine mit Hohlleiterkühlung | |
EP0075036B1 (de) | Leistungshalbleiterbauelement für Flüssigkeitskühlung | |
DE4319682A1 (de) | Isolator mit internem Verbindungskanal | |
EP0818853A2 (de) | Zündpillen-Steckverbindung | |
DE3735171A1 (de) | Schutzgehaeuse fuer kabelverbindungen | |
DE102011000374A1 (de) | Wasserdichte Struktur für Halbleitergehäuse | |
EP1587176A1 (de) | Anschlussvorrichtung zum abgedichteten Anschluss von Leitern eines Kabels an eine Elektronikbaugruppe in einem Gehäuse | |
DE2045290A1 (de) | Abschlußverbindung mit festgeleg ten Leiterstrangen, insbesondere fur oigeftilite Hochspannungskabel | |
EP2443708A1 (de) | Gehäuseanordnung für mehrpolige überspannungsschutzgeräte | |
DE2711711C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem scheibenförmigen, zwischen Kühlkörpern eingespanntem Halbleiterbauelement | |
DE212016000281U1 (de) | Modul eines modularen Mehrstufenumrichters mit einem elastischen Dichtelement | |
DE2940571A1 (de) | Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen | |
DE3209974C2 (de) | Elektrische Isoliertrennstelle einer Gas-Rohrleitung | |
WO2002043190A1 (de) | Armaturen-stellantrieb | |
DE102011086212B4 (de) | Vorrichtung zur Verbindung zweier elektrischer Leitungen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8131 | Rejection |