DE2656995C2

DE2656995C2 - Rechteckförmige Farbwahlmaske für eine Farbbildkathodenstrahlröhre

Info

Publication number: DE2656995C2
Application number: DE19762656995
Authority: DE
Inventors: Dieter 7910 Neu-Ulm Röder
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1976-12-16
Filing date: 1976-12-16
Publication date: 1983-12-01
Also published as: DE2656995A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine rechteckförmige Farbwahlmaske für eine Farbbildkathodenstrahlröhre mit drei in einer, die längere (waagrechte) Symmetrieachse der Farbwahlmaske einschließenden Ebene angeordneten Elektronenstrahlerzeugem und mit einem rechteckförmigen Leuchtschirm, deren Elektronendurchtrittsöffnungen als Längsschlitze ausgebildet und derart angeordnet sind, daß sie in etwa parallel zu der kürzeren (senkrechten) Symmetrieachse der Farbwahlmaske verlaufende Schlitzreihen bilden und die längeren Symmetrieachsen der Längsschlitze in etwa in Richtung der Schlitzreihen verlaufen, wobei die kürzeren (senkrechten) Seitenkanten der Farbwahlmaske leicht gekrümmt sind und die diesen kürzeren Seitenkanten benachbarten Schlitzreihen eine etwa gleichartige Krümmung aufweisen.

Farbbildkathodenstrahlröhren der vorstehenden Art sind bereits z. B. aus der DE-OS 24 08 076 bekannt. Dies sind sogenannte In-Line-Röhren, deren drei Elektronenstrahlerzeugungssysteme in der waagrechten Symmetrieebene nebeneinanderliegend angeordnet sind. Unter waagrecht wird jeweils eine Ebene in der X-Richtung und unter senkrecht eine Ebene in der V-Richtung bezeichnet, wenn man von der normalen Gebrauchslage der Röhre ausgeht, bei welcher der Bildschirm senkrecht steht und im Querformat betrachtet wird.

Bei solchen Farbbildkathodenstrahlröhren sind auf dem Leuchtschirm die Leuchtstoffelemente in Form von senkrecht verlaufenden Streifen angebracht. Die Farbwahlmaske weist eine Vielzahl von im wesentlichen senkrecht verlaufenden Längsschlitzen auf, die in senkrechten Reihen in etwa parallel zueinander angeordnet sind Jeweils einer solchen Schlitzreihe sind drei Leuchtstoffstreifen unterschiedlicher Emissionsfarbe zugeordnet Hierzu werden auch die deutschen Offenlegungsschriften 20 25 128, 23 43 777, 24 50 734, 24 58 427,26 19 871 und 26 11 335 genannt

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Farbwahlmaske der eingangs genannten Art mit einer verbesserten Anordnung der schlitzförmigen Elektronendurchtrittsöffnungen anzugeben, die einerseits eine einfache Herstellung erlaubt, und die andererseits eine hinreichend gute Landung der Elektronenstrahlen auf den zugeordneten Leuchtstoffstreifen auch in den kritischen Eckzonen ermöglicht

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird vorgeschlagen, daß die Abstände der Schlitzreihen in den Eckbereichen und auf der längeren Symmetrieachse der Farbwahlmaske voneinander im wesentlichen gleich groß sind und daß die Abstände der Schlitzreihen auf Schnittebenen, die parallel zu der längeren Symmetrieachse der Farbwahlmaske verlaufen, mit zunehmendem Abstand dieser Schnittebenen von der längeren Symmetrieachse immer ungleicher werden, derart, daß die jeweils geringsten Abstände im Bereich der kürzeren Symmetrieachse der Schlitzreihen voneinander auf diesen Symmetrieebenen mit zunehmender Entfernung von der kürzeren Symmetrieachse größer werden.

Die beschriebene Anordnung der Schlitzreihen ermöglicht eine wesentlich verbesserte Landungsreserve in den kritischen Bereichen des Leuchtschirmes, wie z. B. die Eckbereiche des Leuchtschirmes, während in den weniger kritischen Bereichen die Landungsreserve durch die vorgeschlagene Geometrieanordnung der Schlitzreihen zumutbar beschnitten wird.

Anhand des in der Figur beschriebenen Ausführungsbeispieles wird die Erfindung nachfolgend näher erklärt. Die Figur zeigt die Aufsicht auf V4 einer Farbwahlmaske 1 einer Farbbildkathodenstrahlröhre mit den beiden Symmetrieebenen. 3 und 4, die mit der X- und K-Achse in der Aufsicht zusammenfallen. Die Farbwahlmaske 1 hat in etwa rechteckige Form, wobei die Ecken abgerundet sind und auch die Seitenkanten 12 und 7 schwach gekrümmt sind. Diese schwach gekrümmten Formen resultieren im wesentlichen aus der Tatsache, daß die Röhrenhülle im Hinblick auf das in ihr herrschende Vakuum mit nicht ganz ebenen Außenflächen hergestellt wird. Auf der Farbwahlmaske sind eine Reihe von schlitzförmigen Elektronendurchtrittsöffnungen 9 gezeigt, und zwar nur in einzelnen Bereichen, um die Übersichtlichkeit zu wahren. Die schlitzförmigen Öffnungen 9 sind im Vergleich zu der dargestellten Größe der Farbwahlmaske wesentlich zu groß dargestellt, was ebenfalls aus Gründen der deutlicheren Darstellung geschehen ist.

Mit 5 ist der Mittelpunkt der Farbwahlmaske bezeichnet und zwei parallel zur längeren Achse 3 verlaufende Schnittebenen sind mit 10 und 11 bezeichnet. Mit 6 ist eine Begrenzungslinie angegeben, die den äußeren Rand des perforierten Bereiches der Farbwahlmaske angibt. Die Schlitzreihen sind mit 8 bezeichnet. Es sind die Verbindungslinien der Längsachsen der schlitzförmigen Öffnungen 9, die im großen und ganzen senkrecht verlaufen, d. h. in etwa parallel zur kürzeren Achse 4 verlaufen.
Gemäß der Erfindung verlaufen nun diese Schlitzrei-

hen 8 aber nicht streng parallel zueinander, sondern ihre Abstände ändern sich wie nachfolgend beschrieben.

Auf der längeren Achse 3 sind die Abstände zwischen den Schlitzreihen 8 im wesentlichen konstant Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Abstand a in der Mitte genau so groß wie der Absland b am Rand. Auch die dazwischenliegenden Abstände sind gleich. Des weiteren sind bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel die Abstände der Schlitzreihen 8, die der kürzeren Seite 7 benachbart sind, ebenfalls über die gesamte Länge weitgehend konstant, was bedeutet, daß die Abstände b, dund e gleich groß sind.

Des weiteren sind gemäß der Erfindung die Abstände der Schlitzreihen 8 in der Nähe der kürzeren Symmetrieachse 4 und in der Nähe der längeren Seitenkante 12 geringer als auf der Symmetrieachse 3, was bedeutet, daß der Abstand a größer ist als der Abstand c

Auf Schnittebenen 10 und 11, die parallel zur längeren Symmetrieachse 3 verlaufen, nehmen die Abstände der Schlitzreihen 8 ausgehend von der kürzeren Symmetrieachse 4 zu den Seitenkanten 7 hin zu, insbesondere kontinuierlich zu. Das bedeutet, daß z.B. auf der Schnittebene 10 der Abstand /größer als der Abstand c und der Abstand d wiederum größer ist als der Abstand f. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ergaben sich in etwa für die Abstände & bis /folgende Werte:

a = 0,77 mm
b = 0,77 mm
e = 0,77 mm
d = 0,77 mm.
Der Abstand c betrug etwa

0,71 mm und
der Abstand /etwa

0,74 mm.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentanspruch:

Rechteckförmige Farbwahlmaske für eine Farbbildkathodenstrahlröhre mit drei in einer, die längere (waagrechte) Symmetrieachse der Färbwahlmaske einschließenden Ebene angeordneten Elektronenstrahlerzeugem und mit einem rechteckförmigen Leuchtschirm,deren Elektronendurchtrittsöffnungen als Längsschlitze ausgebildet und derart angeordnet sind, daß sie in etwa parallel zu der kürzeren (senkrechten) Symmetrieachse der Farbwahlmaske verlaufende Schlitzreihen bilden und die längeren Symmetrieachsen der Längsschlitze in etwa in Richtung der Schlitzreihen verlaufen, wobei die kürzeren (senkrechten) Seitenkanten der Färbwahlmaske leicht gekrümmt sind und die diesen kürzeren Seitenkanten benachbarten Schliizreihen eine etwa gleichartige Krümmung aufweisen, dadurch gekennzeichnet,

daß die Abstände (a,b,e,d) der Schlitzreihen (8) in den Eckbereichen (2) und auf der längeren Symmetrieachse (x) der Farbwahlmaske (1) voneinander im wesentlichen gleich groß sind und
daß die Abstände (c, f, d) der Schlitzreihen (8) auf Schnittebenen (10, 11), die parallel zu der längeren Symmetrieachse (x) der Farbwahlmaske (1) verlaufen, mit zunehmendem Abstand dieser Schnittebenen von der längeren Symmetrieachse (x) immer ungleicher werden, derart, daß die jeweils geringsten Abstände im Bereich der kürzeren Symmetrieachse (y) der Farbwahlmaske (1) auftreten und die Abstände (c, f, d) der Schlitzreihen (8) voneinander auf diesen Symmetrieebenen (10,11) mit zunehmender Entfernung von der kürzeren Symmetrieachse (^größer werden.