DE2648080B2 - Breitbandverstärker mit veränderbarer Verstärkung - Google Patents

Description

hm» -j-

ist, wobei

//η», der maximale Eingangsrauschstrom, Ai die Stromverstärkung des Verstärkers und Ai_mi„d\e minimale Stromverstärkung des Verstärkers sind und

als Kompensationsstrom von der zusätzlichen Gleichstromquelle geliefert wird.

/'/ der gemeinsame Emiiterstrom der beiden

Transistoren, ;'; der Strom der gemeinsamen Emitterstrcim quelle(53),

Die Erfindung betrifft einen Breitbandverstärker mit veränderbarer Verstärkung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Derartige Verstärker sind in vielfältigen Ausführungen bekannt (Beispiel: DE-OS 19 02 064) und werden hauptsächlich zur Verstärkungsregelung eingesetzt, d. h. dort wo ein schwankender Eingangssignalpegel in einen im wesentlichen konstanten Ausgangspegel umgewandelt werden soll. Typischerweise ist bei solchen DifTerenzverstärkern der Kehrwert der Stromverstärkung eins plus eine exponentiell Funktion der Basisvorspannungsdifferenz des verstärkenden Transi storpaars. Die Verstärkung ist also keine lineare Funktion des Verstärkungssteuersignals.

Ein weiterer wesentlicher Nachteil der bekannten Differenzverstärker aus zwei Transistoren besteht darin, daß der Modulationsindex des Ausgangssignals

jo gleich dem Modulationsindex des Eingangssignals ist, wobei unter MoJdlationsindex in diesem Fall das Verhältnis des Signalwechselstroms zu dem zur Arbeitspunkteinstellung dienenden Gleichstrom zu verstehen ist Da der Modulationsindex einer relativ

v, starken Schwankung unterworfen ist, entsteht im Ausgangssignal des Differenzverstärkers ein beträchtliches Rauschen.

Hinzu kommt, daß die effektive Rauschleistung am Ausgang eines Differenzverstärkers proportional zur Gleichstromkomponente des Eingangsstromes ist, wenn man davon ausgeht, daß die dominierende Rauschquelle der Basiswiderstand der Transistoren ist. Aus »IEEE lournal of Solid State Circuits«, Band SC-9, Nr. 4. August 1974, Seiten 159 ff. ist zwar eine Schaltung bekannt, bei welcher ein konstanter Strom von dem Gleichstrom abgezogen wird, der zur Vorspannungseinstellung dient, indem ein Widerstand zwischen die Quelle für positive Spannung und den verbundenen Emitteranschlüssen des Transistorpaares gelegt wird.

5ii wodurch ein Betrieb des Verstärkers bei einem niedrigen Arbeitspunkt-Gleichstrom erzwungen wird. Bei dieser Schaltung wird jedoch nur bei hinreichend kleinem Modulationsindex des Eingangssignals das Rauschverhalten verbessert.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Breitbandverstärker der eingangs genannten Art derart zu verbessern, daß seine Charakteristik bezüglich der Verstärkungssteuerung linear wird und ein günstiges Rauschverhalten erzielt wird. Die Lösung dieser Aufgabe ist im Anspruch 1 gekennzeichnet.

Vorteilhafte Ausfuhrungsform bzw. Weiterbildungen der Erfindung finden sich in den Unteransprüchen. Anspruch 4 kennzeichnet dabei eine wirkungsvolle

M Einrichtung zur zusätzlichen Rauschunterdrückung.

Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen erläutert: es stellt dar

Fig, 1 schematisch einen typischen Breitband-Verstärker mit variabler Verstärkung gemäß dem Stand der Technik,

F i g, 2 schematisch eine Ausführungsform eines Breitband-Verstärkers gemäß der Erfindung,

Fig.3 schematisch eine andere Ausführungsform eines Breitband-Verstärkers gemäß der Erfindung,

F i g. 4a, b schematisch die Rauschstromquellen des Grundbausteines in der Form eines differenziell verbundenen Paares von Transistoren zur Erläuterung des bevorzugten Optimierungsverfahrens gemäß der Erfindung,

F i g. 5 schematisch eine andere Ausführungsform der Erfindung, bei der das Ausgangsrauschen minimal gemacht wird.

Fig. 1 stellt eine bekannte Schaltung mit Transistoren Qi und Q 2 in Differenzschaltung dar. Die Basisansohlüsse von Transistoren ζ) 3 und Q 4 sind jeweils mit Kollektor- bzw. Basisanschlüssen der Transistoren Q1 bzw. Q 2 verbunden. Die Transistoren Q 3 und Q 4 arbeiten als Dioden und ergeben die Basissteuerspannung Vb zwischen den Basisanschlüssen der Transistoren Q1 und Q 2 infolge der Gleichströme Λ und h zur Verstärkungssteuerung von Gleichstromquellen 5i bzw. 5?.

Der Kollektorstrom I₀ des Transistors Q1 bildet das Ausgangssignal der Schaltung und der Emitterstrom A des Transistorpaares zur Stromsenke S₃ bildet das Eingangssignal der Schaltung. Die bekannte Stromverstärkungsfunktion der Schaltung lautet

'■?■ = A₁ = ^l--- - , fürO < Ai < I

1+expfi-^l (I)

dabei bedeutet q die Ladung eines einzelnen Elektrons. k ist die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatur. Für die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1. bei welcher die als Dioden geschalteten Transistoren Q3 und Q4 eine Temperaturkompensation ergeben, gilt:

AT /, V₁, = _v- |„ _f;

Daher wird der Ausdruck für die Stromverstärkung der Schaltung in Fig. I unabhängig von der Temperatur und vereinfacht sich zu

'(I

'■/

= A₁ =

T₁

. fiirO < A₁ < I . (3)

Das Glied A, umfaßt bei der Schaltung gemäß F i g. I den Summanden I im Nenner dieses Ausdrucks. Somit kann die Verstärkung dieser Schaltung nicht hyperbolisch als Funktion von einem der Gleichströme Λ oder h zur Verstärkungssteuerung verändert werden.

Die Schaltung gemäß Fig. 2 besieht aus der Schaltung gemäß Fig. I sowie einem zusätzlichem Transistor Q5. Der Transistor Q5 ist mit den anderen Schaltungskomponenten durch die Erdverbindung des Emitters verbunden, sowie durch die Verbindung von dessen Basisanschluß mit dem Basisanschluß des Transistors Q 3 und durch die Verbindung von dessen Kollektoranschluß mit dem Kollektoranschluß des Transistors Q4. Die Verbindung der Kollektoranschlüsse der Transistoren QA und Q5 führt dazu, daß der Kollektorstrom /5 des Transistors QS von dem zur Vorspannungseinstellung dienenden Gleichstrom /4 der Gleichstromquelle 52 abgezogen wird. Durch Abstimmung der Transistoren (?3 und Q5 wird der

ϊ Strom /5 im wesentlichen gleich dem Gleichstrom /3 zur Vorspannungseinstellung von der Gleichstromquelle 51, da die Basis/Emitterspannung der beiden abgestimmten Transistoren die gleiche ist.

Für die Schaltung gemäß Fig.2 beträgt die

in Stromverstärkung

|-, Dabei bedeuten l\ und Λ die Kollektorgleichsiröme der Transistoren Q 3 bzw. Q 4 wie bei der Schaltung gemäß Fig. 1. Wenn I₁ = A. /, = /j und A= At- /j für h ^ Λ ist, beträgt die Stromverstärkung

Da somit die Stromverstärkung A\ durch das Verhältnis von zwei Strömen bestimmt wird, kann diese in einfacher Weise hyperbolisch geändert werden, indem der zur Verstärkungssteuerung dienende Gleichstrom l\ konstant gehallen wird, während der zur Verstärkungssteuerung dienende Gleichstrom U verändert wird. Die Stromverstärkung kann auch linear verändert werden, indem der Strom U konstant gehalten

jo wird, während der Gleichstrom /j geändert wird.

Bei der Schaltungsanordnung gemäß Fig.3 sind zu der Anordnung gemäß F i g. 2 Rückkopplungstransistoren Q 6 und Q 7 hinzugefügt. Bei dieser Schaltung ist die Verbindung zwischen Basis und Kollektor des Transi-

n stors Q3 sowie die entsprechende Verbindung des Transistors Q4 des Schaltkreises gemäß Fig.2 unterbrochen. Die Basisanschlüsse der Transistoren Q 3 und ζ>4 bleiben mit den Basisanschlüssen der Transistoren QI bzw. Q 2 verbunden, und die Kollektoran^chlüsse der Transistoren Q3 und Q 4 bleiben mit den Stromquellen 51 bzw. 52 zur Verstärkungssteuerung verbunden. Rückkopplungstransistoren Q6 und Ql sind über Transistoren Q 4 bzw. Q 3 verbunden. Der Emitteranschluß jedes Rückkopplungsiransislors Q6

4·-, und Ql ist mit dem entsprechenden ßasisanschluß der Transistoren Q4 bzw. Q3 verbunden, und der Basisanschluß jedes Rückkopplungstransistors C6 und Q 7 ist mit dem Kollektoranschluß des entsprechenden Transistors Q4 bzw. Q3 verbunden, und die Kollektor-

Vi anschlüsse der Rückkopplungstransistoren Q'6 und Ql sind beide mit der Gleichspannungsquelle V_IV für die Vorspannungseinstellung verbunden.

Die Rückkopplungstransistoren <?6 und Ql verringern ^CTi Strom, der von den Stromquellen 52 und 51 gezogen wird, um die BasisanschlUssc der Transistoren Ql und Q4 bzw. Q 1, Q3 bzw. ζ)5 zu speisen. Dadurch wird der Parameter hm. d. h. die Gleichsiromverstärkung jedes Transistors als Verhältnis des Kollektorgleichstroms zum Basisgleichstrom für den entsprechenden Rückkopplungstransistor bestimmt. Indem die von den Stromquellen 51 und 52 gezogenen Basisströme minimal gemacht werden, wird der Kollektiirstrom 13' des Transistors Q3 noch mehr dem Gleichstrom /3 zur Verstärkungssteuerung gleichen, so daß sich die

t>5 Ströme /5 und /3 noch mehr gleichen. Auch wird die Stromverstärkung A1 nuch mehr dem einfachen Verhältnis der Gleichströme /3und /4gleichen.
Die Schaltungsanordnungen gemäß Fig.2 und 3

können beide voll in ein einziges Halbleiterchip integriert werden. Eine derartige Anordnung dieser Schaltkreise ergibt eine nahe Abstimmung von jeweils zwei Transistoren in dem Schaltkreis, die im wesentlichen die gleiche Emitterfläche haben. Eine Veränderung des Verhältnisses der von den beiden Transistoren beanspruchten Emitterflächen führt zu einer Änderung der Kollektorströme dieser beiden Transistoren bei gleichen Vorspannungsbedingungen. Wenn beispielsweise die Emitterfläche des Transistors Q 5 ein echter Bruch »der Eniitterfläche des Transistors Q 3 ist. ist der Strom /5 gleich n/l, und die Stromverstärkung des Verstärkers ist

■41

II/.,

/„,, = 12 c„A,[i - A₁) J^

(8)

Dabei bedeutet e„ den Effektivwert der Eingangs/ Rauschspannungen von den Quellen 55 und 56. und die Eingangs- und Ausgangsmodulationsindexe sind

¹ ; — -ο —

τ, ■

(9)

_ Aus Gleichung 8 ist efsichtlich. daß der Effektivwert i„a des Ausgangsrauschstromes direkt proportional dem Eingangsrauschstrom // ist. Es ist auch eine Gleichung 8 ersichtlich, daß der Minimalwert des Effektivwertes des Ausgangsrauschstromes 7„o auftritt, wenn die Stromverstärkung A\ sich dem Wert 1 oder 0 nähert und der Maximalwert von /„o bei einer Stromverstärkung A\ von 0.5 auftritt. Da der Ausgangs-Signalstrom h konstant gehalten wird in Verstärkern mit Verstärkungsregelung, beträgt der Eingangssignalstrom /1 ein Maximum für

Verstärker mit diffcrentiell verbundenen Transistor paaren werden häufig nis Verstarker mit automatischer Verstärkungsstcueriing ausgebildet, bei denen das Ausgangssignal bei allen Pegeln des Eingangssignals konstant gehalten werden soll. Der bekannte, in F i g. 4a dargestellte Regelschaltkreis ergibt Fehler im Ausgangssignal wegen der Basiswiderstände der Transistoren Qi und Q 2 und des sich wesentlich ändernden Ausgangs-Modulationsindexcs. wobei der Modulationsindex definiert ist als das Verhältnis des Wechselstromes zu dem den Arbeitspunkt bestimmenden Gleichstrom. Die Änderungen des Ausgangsmodulalionsindexes sind das Ergebnis der gleichen Änderungen des Eingangsmodulationsindexes und der Gleichheit der beiden Modulationsindizes.

In Fig.4a ist ein Paar Transistoren Q\ und Q2 in Differenzschaltung dargestellt- bei dem die Steuerspannung VB zusätzlich eine Fehlerspannung VE zwischen den Basisanschlüssen der beiden Transistoren anlegt. Eine Eingangsstromquelle S3 ist differentiell mit den Emitteranschlüssen der Transistoren QX und Q2 verbunden und Eingangs-Rauschspannungsquelle 55 und S6 sind mit den Basisanschlüssen der Transistoren Qi bzw. Q2 verbunden. Die Ausgangsspannungen der Spannungsquelle 55 und 56 sind im wesentlichen gleich, da die Transistoren Qi bzw. Q2 abgestimmt sind. Der Ausgajigsstrom io und der Effektivwert des Rauschslxomes i„o erscheinen als Kollektorströme des Transistors Q 1.

Jeder der Ströme k und /, stellt die Summe einer Gleichstromkomponente und einer Wechselstromkomponente dar:

dabei bedeutet /Ί die Gleichstromkomponente und /,die Wechselstromkomponente. Der Effektivwert des Ausgangs/Rauschstromes für diese Schaltung beträgt

■1,

ist. |e größer der Eingangssignalstrom /,ist,desto größer ist der F.ingangsgleichstrom //. welcher erforderlich ist. um den Eingangsmodulationsindex ungefähr in dem gleichen Bereich zu halten, um den Eingangssignalstrom konstant zu halten.

Die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 4b ist gleich derjenigen eier F i g. 4a. wobei /iisäi/ütli L-iiit- C'tieiciistromquelle 54 hinzugefügt ist. die parallel zu der Siromsenke 53 geschaltet ist. Der Eingangsstrom /Γ des in Differcnzschaltung verbundenen Transistorpaares für diese Schaltungsanordnung beträgt

/; ■■-■ i, - i'i. (i()i

Dabei gilt /;=/,+ //, wobei der Strom //'durch die Stromquelle 54 zugeführt wird und //„„„ der Wert des Eingangsglcichstromcs ist für Ai= Aimm der bekannten Schaltung nach F i g. 4a. Wenn

<■-< 0 'D

beträgt.dann gilt

Ai

und der Ausgangsstrom in wird

i,\ = A,i, - I_{1 x}A_lmi„. (12)

Der EfTcktivvvcrt des Ausgangsrauschstromes /^, für diese Schaltung beträgt

/;," = .2 c„a, (

i,) ^q /,

Kl

^A>

bei einem Ausuanusmodulalionsindex von

" / min * I max

J2. V

(14)

Somit wird bei dieser Schaltungsanordnung, bei der der Eingangsstrom /'; proportional am Eingangssignal-

bo strom variiert, der Eingangsmodulationsindex konstant gehalten, was dazu führt, daß der Ausgangsmodulationsindex η'_ο konstant bleibt, falls das Produkt der Stromverstärkung Ai und des Eingangssignalstromes /; konstant bleibt Dabei gilt weiter, daß die Gleichstrom-

b5 komponente des Ausgangsstromes k auch konstant bleibt, weil der Wert der minimalen Stromverstärkung Aimm konstant ist. und der Effektivwert des Ausgangsrauschstromes nicht größer als der entsprechende

Effektivwert des Ausgangsrauschstromes der nichtkompensierten Schaltung bei einer Verstärkung von A ι min'lSt

Wenn daher die Eingangsstromsenke 53 gemäß F i g. 2 und 3 durch die Stromquelle und Stromsenke 53 s bzw. 54 in Fig.4b ersetzt wird, wird der resultierende Schaltkreis ein Breitband-Differenzverstärker mit einer Stromverstärkung, die linear oder hyperbolisch durch Veränderung von einem der beiden Gleichströme zur Verstärkungssteuerung einstellbar ist, und zwar bei ι ο minimalem Rauschen des Ausgangssignals.

Aus F i g. 5 geht der Breitbandverstärker gemäß F i g. 2 hervor, bei dem die Eingangsstromquelle // ersetzt worden ist durch eine zusammengesetzte Eingangsstromquelle gemäß F i g. 4b, um das Ausgangsrauschen minimal zu machen. Die Schaltungsanordnung zur Verbindung der Stromquelle 52 mit dem Verstärker wurde ebenfalls modifiziert, um einen Strom /4 abzugeben und zu bewirken, daß die Schaltung einen Strom /'/ durch die gleiche Stromquelle abgibt. Um i<\ dieses Ergebnis zu erreichen, ist anzustreben, daß alle Transistoren der Schaltung gemäß Fig. 5 abgestimmt werden.

Die VerstärkergrunHschaltung der Transistoren Q 1 bis QS entspricht Fig. 2, wobei die Schaltung mit Massepotential und nicht mit der Vorspannung VB verbunden ist.

Die Gleichstromquelle 52 für die Verstärkungssteuerung ist mit dem Kollektoranschluß eines Transistors Q 15 in Emitter-Grundschaltung verbunden, wobei der jo Emitteranschluß mit einer Spannungsquelle — Vee für eine negative Spannung verbunden ist. Die Basis- und Emitteranschlüsse des Transistors Q16 sind mit den Kollektor- bzw. Basisanschlüssen des Transistors QXS verbunden. Der Kollektoranschluß des Transistors Q 16 ist mit der gleichen Referenzspannungsquelle VB verbunden, wie die Transistoren Q 3, Q 4 und Q 5. Der Transistor Q 16 vermindert den von der Stromquelle 52 durch die Transistoren Q12. Qi3, QU und Q15 gezogenen Strom, so daß der Kollektorstrom des Transistors Q 15 nahezu gleich Λ wird.

Die Transistoren QS, Q9 und ζ) 14 ergeben einen dem Strom Λ äquivalenten Strom von der Spannungsquelle Vcr für positive Vorspannung zum Basisverstärker. Die Emitteranschlüsse der PNP-Transistoren QS und Q9 sind mit der Spannungsquelle V«· für eine positive Vorspannung verbunden, und der Kollektoranschluß des Transistors QS ist mit den Kollektoranschlüssen der Transistoren Q 4 und Q 5 verbunden, um diesen einen Gleichstrom zur Arbeitspunkteinstellung zuzuführen. Der Transistor Q 9 enthält eine Verbindung zwischen seinen Basis- und Kollektoranschlüssen und arbeitet als Diode, wobei diese Verbindung wiederum mit dem Basisanschluß des Transistors Qi und dem Kollektoranschluß des Transistors Q14 verbunden ist. Die Basis- und Emitteranschlüsse des Transistors Q14 sind mit den Basis- bzw. Emitteranschlüssen des Transistors Q15 verbunden, so daß der Kollektorstrom des Transistors Q14 dem Kollektorstrom des Transistors Q15 entspricht und ungefähr gleich /4 ist. Da der Kollektorstrom des Transistors Q14 ungefähr gleich U ist, gilt dieses auch für die Kollektorströme der Transistoren Q9 und QS, da der Kollektorstrom des Transistors Q 9 wiederum dem Kollektorstrom des Transistors QS ils Ergebnis der Verbindung und Abstimmung zwischen diesen Transistoren folgt.

Der zusammengesetzte Eingangsstrom wird durch den Anteil der Schaltung mit den Transistoren Q10 bis Q13 erzeugt. Die Transistoren Q12 und (?13 sind parallel geschaltet, ihre Emitteranschlüsse sind mit der Spannungsqueüe — Vee iur eine negative Vorspannung verbunden, ihre Kollektoranschlüsse sind miteinander verbunden und ihre Basisanschlüsse sind mit dem Basisanschluß des Transistors Q15 verbunden, so daß die Kollektorströme der Transistoren Q12 und Q 13 wie der Strom /4 des Transistors Q15 verlaufen und beide Ströme entsprechen etwa diesem Strom U. Die verbundenen Kollektoranschlüsse der Transistoren ζ) 12 und Q 13 sind mit den Emitteranschlüssen der Transistoren Q\0 und ζ) 11 über zwei Emitterwider stände mit gleichem Widerstand RE verbunden. Der Basisanschluß des Transistors Q 11 ist geerdet, und der Kollektoranschluß ist an die Vorspannung VB angeschlossen. Der Transistor QiO ist ein Spannungs/ Strom-Umformer, bei dem die dem Basisanschluß zugeführte Eingangsspannung V/ den Eingangssignalstrom /; erzeugt. Als Ergebnis der Verbindung zwischen den Transistoren Q 10 bis Q 13 entsteht ein Gleichstrom, welcher der Gleichung 11 für den Strom /'; entspricht, und der sich ergebende Kollektorstrom des Transistors Q 10 ist /,+ /4.

Der Kol^ktoranschluB des Transistors Q10 ist mit den in Differenzschaltung verbundenen Emitteranschlüssen der Transistoren Q1 und Q2 verbunden, um das Eingangssignal an den Basisverstärker zu liefern. Zusätzlich kann die Spannungsverstärkung der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 5 beschrieben werden durch die Gleichung

2R₁ U

(15)

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:

1. Breitbandverstärker mit veränderbarer Verstärkung mit zwei in Differenzschaltung mit ihren Emittern miteinander verbundenen Transistoren, wobei das Ausgangssignal des Verstärkers durch den Kollektorstrom des einen Transistors und das Eingangssignal durch die Summe der beiden EmiUerströme gebildet werden und das Versiärkungssteuersignal die Basisspannungsdifferenz der beiden Transistoren ist, welche Spannungsdifferenz durch zwei mit je einer steuerbaren Stromquelle beaufschlagte und mit der Basis je eines Transistors verbundene Einrichtungen zur Erzeugung von siromabhängigen Spannungsabfällen gebildet wird, gekennzeichnet durch eine Stromsenke (QS), die mit der einen steuerbaren Stromquelle (52) verbunden ist und einen Bruchteil (/5) des iron dieser erzeugten Stromes (/4) in Abhängigkeit vom Strom (/ Ik&r anderen Stromquelle (Sl) ableitet,

Z Verstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Einrichtungen zur Erzeugung von Spannungsabfällen ein dritter und ein vierter Transistor (Q 3, Q 4) in Emittergrundschaltung und mit dem Kollektor verbundener Basis sind, wobei die Basis/Kollektor-Verbindung des dritten Transistors (C 3) mit der zweiten steuerbaren Stromquelle (51) und der Basis des zweiten Transistors (Q 1) verbunden ist und die Basis/Kollektor-Verbindung des vierten Transistors (Q 4) mit der Basis des ersten Transistors (Q2) verbunden) ist und daß die Stromsecke eirt/i fünften Transistor (QS) aufweist, dessen Emitter und Basis mit dism Emitter bzw. der Basis des ,ritten Transistors verbunden sind und dessen Kollektor mit der ersten steuerbaren Stromquelle (52) verbunden ist und (ilen Kollektorstrom des fünften Transistors von dem durch die erste Stromquelle zugeführten Strom abzieht.

3. Verstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des dritten Transistors (Q3) mit der zweiten steuerbaren Stromquelle (51 ^ und seine Basis mit der Basis des zweiten Transistors (Qi) verbunden ist, daß der Kollektor des vierten Transistors (Q4) mit der ersten steuerbaren Stromquelle (52) und seine Basis mit der Basis des ersten Transistors (Q 2) verbunden ist, und daß eine Vorspannungsquelle fVnJund ein sechster (C7) und ein siebenter (Q 6) Transistor vorgesehen sind, deren Emitter/Basisanschlüsse jeweils mit den Basis- b;:w. Kollektoranschlü33en des dritten bzw. vierten Transistors verbunden sind und deren Kollektoren mit der Vorspannungsquelle verbunden sind.

4. Verstärker nach einem der Ansprüche 1 bis; 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Emitter der in Differenzschaltung verbundenen Transistoren (Q 1. Q 2) mit einer zusätzlichen Gleichstromquelle (54) verbunden sind, derart, daß