DE2643811C2 - Lithographie-Maske mit einer für Strahlung durchlässigen Membran und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Lithographie-Maske mit einer für Strahlung durchlässigen Membran und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
- Publication number
- DE2643811C2 DE2643811C2 DE2643811A DE2643811A DE2643811C2 DE 2643811 C2 DE2643811 C2 DE 2643811C2 DE 2643811 A DE2643811 A DE 2643811A DE 2643811 A DE2643811 A DE 2643811A DE 2643811 C2 DE2643811 C2 DE 2643811C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- membrane
- aluminum oxide
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H10P76/20—
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US62642575A | 1975-10-28 | 1975-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2643811A1 DE2643811A1 (de) | 1977-05-05 |
| DE2643811C2 true DE2643811C2 (de) | 1981-10-15 |
Family
ID=24510336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2643811A Expired DE2643811C2 (de) | 1975-10-28 | 1976-09-29 | Lithographie-Maske mit einer für Strahlung durchlässigen Membran und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4101782A (enExample) |
| JP (1) | JPS5255382A (enExample) |
| CH (1) | CH621890A5 (enExample) |
| DE (1) | DE2643811C2 (enExample) |
| FR (1) | FR2330036A1 (enExample) |
| GB (1) | GB1554420A (enExample) |
| NL (1) | NL170189C (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4383026A (en) * | 1979-05-31 | 1983-05-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Accelerated particle lithographic processing and articles so produced |
| AT371947B (de) * | 1979-12-27 | 1983-08-10 | Rudolf Sacher Ges M B H | Freitragende maske, verfahren zur herstellung derselben und verfahren zum maskieren von substraten |
| AT383438B (de) * | 1981-12-04 | 1987-07-10 | Rudolf Sacher Ges M B H | Freitragende maske |
| AT382040B (de) * | 1983-03-01 | 1986-12-29 | Guenther Stangl | Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter |
| DE3435177A1 (de) * | 1983-09-26 | 1985-04-11 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Maske fuer lithographische zwecke |
| US5112707A (en) * | 1983-09-26 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for lithography |
| IL88837A (en) * | 1988-12-30 | 1993-08-18 | Technion Res & Dev Foundation | Method for the preparation of mask for x-ray lithography |
| US5567551A (en) * | 1994-04-04 | 1996-10-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for preparation of mask for ion beam lithography |
| DE10230532B4 (de) * | 2002-07-05 | 2007-03-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Bestimmen des Aufbaus einer Maske zum Mikrostrukturieren von Halbleitersubstraten mittels Fotolithographie |
| US8105499B2 (en) * | 2008-07-14 | 2012-01-31 | International Business Macines Corporation | Transmission electron microscopy sample etching fixture |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3529960A (en) * | 1967-01-24 | 1970-09-22 | Hilbert Sloan | Methods of treating resist coatings |
| US3659510A (en) * | 1969-05-01 | 1972-05-02 | Hughes Aircraft Co | Apparatus and method utilizable in forming metal grids |
| US3815978A (en) * | 1972-06-20 | 1974-06-11 | Ibm | Durable see-through photoresist mask |
| US3742230A (en) * | 1972-06-29 | 1973-06-26 | Massachusetts Inst Technology | Soft x-ray mask support substrate |
| US3873824A (en) * | 1973-10-01 | 1975-03-25 | Texas Instruments Inc | X-ray lithography mask |
| JPS5086336A (enExample) * | 1973-11-29 | 1975-07-11 | ||
| JPS521634A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-07 | Nippon Furnace Kogyo Kaisha Ltd | Valve for fuel supply pipe |
-
1976
- 1976-09-29 DE DE2643811A patent/DE2643811C2/de not_active Expired
- 1976-09-30 CH CH1237176A patent/CH621890A5/de not_active IP Right Cessation
- 1976-10-18 GB GB43165/76A patent/GB1554420A/en not_active Expired
- 1976-10-22 FR FR7631956A patent/FR2330036A1/fr active Granted
- 1976-10-27 NL NLAANVRAGE7611919,A patent/NL170189C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-10-28 JP JP51128903A patent/JPS5255382A/ja active Granted
-
1977
- 1977-05-05 US US05/794,288 patent/US4101782A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2643811A1 (de) | 1977-05-05 |
| FR2330036A1 (fr) | 1977-05-27 |
| GB1554420A (en) | 1979-10-17 |
| FR2330036B1 (enExample) | 1980-05-09 |
| NL170189B (nl) | 1982-05-03 |
| US4101782A (en) | 1978-07-18 |
| NL7611919A (nl) | 1977-05-02 |
| JPS5428267B2 (enExample) | 1979-09-14 |
| NL170189C (nl) | 1982-10-01 |
| CH621890A5 (enExample) | 1981-02-27 |
| JPS5255382A (en) | 1977-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69127058T2 (de) | Herstellungsverfahren einer Matrize | |
| DE2611158C2 (de) | Verfahren zum Verformen eines einkristallinen Siliciumkörpers | |
| DE2424338C2 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat | |
| DE3872859T2 (de) | Verfahren zur metallisierung eines kieselsaeure-, quartz-, glas- oder saphirsubstrates und so erhaltenes substrat. | |
| DE2453035C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen einer metallischen Schicht in Form eines Musters auf einem mit einer ersten dünnen, metallischen Schicht überzogenen inerten Substrat | |
| DE2052424C3 (de) | Verfahren zum Herstellen elektrischer Leitungsverbindungen | |
| DE2546697A1 (de) | Verfahren zum elektrochemischen abscheiden eines materials auf einem halbleiterkoerper | |
| DE2643811C2 (de) | Lithographie-Maske mit einer für Strahlung durchlässigen Membran und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| EP0002669A1 (de) | Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern | |
| DE102015115298B4 (de) | Herstellungsverfahren für einen Separator einer Brennstoffzelle | |
| DE2507102A1 (de) | Matrize zum herstellen von mehrfachkopien | |
| DE2901697B2 (de) | Verfahren zur Ausbildung von Verbindungsleitungen auf einem Substrat | |
| DE2304685C3 (de) | Verfahren zur Herstellung mikroskopisch kleiner Metall- oder Metallegierungs-Strukturen | |
| DE3943356A1 (de) | Verfahren zur bildung einer maske fuer roentgenlithographie | |
| DE2620998A1 (de) | Verfahren zur herstellung von traegern fuer die verarbeitung von ic-chips | |
| DE2832408A1 (de) | Verfahren zur herstellung von praezisionsflachteilen, insbesondere mit mikrooeffnungen | |
| DE3337244C2 (enExample) | ||
| DE2123887A1 (de) | Maske zum Belichten strahlungsempfindlicher Schichten | |
| DE2540301C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Leitermuster | |
| DE2903641C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Aufzeichnungsträgers mit einem bei Bestrahlung mit Licht in wenigstens zwei unterschiedlichen Farben erscheinenden Muster | |
| EP0104684B1 (de) | Maske für die Mustererzeugung in Lackschichten mittels Röntgenstrahllithographie und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE2645081C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur | |
| DE1947026A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE3339624A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels roentgenstrahllithographie | |
| DE2421834A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer von einem substrat getragenen gemusterten schicht |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |